Наносенсорная система
Изобретение относится к наноэлектронному приборостроению. Предложена наносенсорная система, содержащая подложку и сформированные на ней активные элементы - донор и акцептор электрона, связанные с помощью цепи переноса заряда, образованной из полимерного материала. При этом цепь переноса заряда включает линейно связанные HN-C=O или гомологичные ей группы полипептида. В качестве донора электрона использованы биологические молекулы, содержащие группировки, гомологичные НN-С=O-группам, с помощью которых молекулы донора присоединены к HN-остатку начала цепи переноса заряда. В качестве акцептора использована группировка боковой цепи триптофана, с помощью которой акцептор присоединен к С=O-остатку конца цепи переноса заряда. В результате повышается структурная упорядоченность центра переноса заряда в наносенсорной системе, а также повышение ее надежности и миниатюризации. 1 с. и 2 з.п.ф-лы.
Текст описания в факсимильном виде (см. графическую часть)м
Формула изобретения
1. Наносенсорная система, содержащая подложку и сформированные на ней активные элементы - донор и акцептор электрона, связанные с помощью цепи переноса заряда, образованной из полимерного материала, отличающаяся тем, что цепь переноса заряда включает линейно связанные HN-C=O или гомологичные ей группы полипептида, в качестве донора электрона использованы биологические молекулы, содержащие группировки, гомологичные НN-С=O-группам, с помощью которых молекулы донора присоединены к HN-остатку начала цепи переноса заряда, а в качестве акцептора использована группировка боковой цепи триптофана, с помощью которой акцептор присоединен к С=O-остатку конца цепи переноса заряда.2. Наносенсорная система по п.1, отличающаяся тем, что в ней использован HN-остаток с вилочковой водородной связью для присоединения двух доноров заряда.3. Наносенсорная система по п.1 или 2, отличающаяся тем, что в цепи переноса заряда выполнены разрывы для включения гомологичных групп детектируемых соединений.РИСУНКИ
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5, Рисунок 6, Рисунок 7
Похожие патенты:
Способ получения тонкопленочных полупроводниковых устройств на основе органических соединений // 2214651
Изобретение относится к способу получения электрода в тонкопленочном полупроводниковом устройстве на основе органических соединений, в котором полупроводниковым устройством, в частности, является выпрямительный диод с высоким коэффициентом выпрямления или тонкопленочный транзистор на основе углерода или гибридный транзистор на органических и неорганических тонких пленках, и к способу получения выполненного на основе органических соединений тонкопленочного выпрямительного диода с высоким коэффициентом выпрямления, согласно которому выпрямительный диод содержит первый слой и второй слой, предусмотренный на первом слое, совместно формирующие анод выпрямительного диода, третий слой полупроводящего органического материала, предусмотренного поверх анода, образующий активный полупроводниковый материал диода, и четвертый слой металла, предусмотренный структурированным или неструктурированным поверх третьего слоя, образующий катод выпрямительного диода
Изобретение относится к микроэлектронной технологии, а именно к технологии получения тонкопленочных электронных схем
Способ получения тонких магнитных пленок // 2127929
Изобретение относится к технологии получения тонких ( 0,1 мкм) магнитных пленок (ТМП) с применением метода имплантации ионов магнитных элементов в материал подложки и может быть использовано в микроэлектронике и информатике, в частности, для изготовления магнитных и магнитооптических запоминающих сред
Пленка с органическими полупроводниками // 2317613
Изобретение относится к органическим полупроводникам
Способ изготовления пленки // 2346359
Изобретение относится к пленке с, по меньшей мере, одним электрическим конструктивным элементом, а также к способу изготовления такой пленки
Формирование рисунка // 2518084
Изобретение относится к способу формирования рисунка электронного или фотонного материала на подложке, применению фторполимера в приготовлении снабженного рисунком электронного или фотонного материала на подложке, способу изготовления электронного прибора на подложке, а также к электронному или фотонному прибору. Способ формировании рисунка электронного или фотонного материала на подложке включает: образование пленки упомянутого электронного или фотонного материала на упомянутой подложке и использование фторполимера для защиты областей упомянутого электронного или фотонного материала во время процесса формирования рисунка. Технический результат - разработка способа формирования рисунка высокого разрешения, который применяется для широкого круга обрабатываемых в растворах органических материалов и легко интегрируется во все обычные архитектуры тонкопленочных транзисторов (TFT) без нарушения рабочих характеристик приборов. 6 н. и 38 з.п.ф-лы, 18 ил.
Изобретение относится к полупроводниковым преобразователям солнечной энергии в электрическую и тепловую и может быть использовано в электрических устройствах, например солнечных батареях, которые имеют формирующие структуры на основе композиционных материалов. В частности, изобретение относится к фотоэлектрическому элементу, состоящему из электронодонорного и электроноакцепторного слоев, в составе электроноакцепторного слоя содержащему метанофуллерены, где в качестве метанофуллеренов используются соединения общей формулы
в которой R = -СООСН3, -Cl, а в качестве электронодонорного слоя используется допированный соляной кислотой полианилин или полианилин на основе метансульфокислоты. Целью настоящего изобретения является повышение эффективности работы преобразователей солнечной энергии в электрическую и напряжения холостого хода. 1 табл., 4 пр.
Изобретение относится к области органической электроники, а именно к устройствам памяти на основе органических полевых транзисторов, изготовленных с использованием фотохромных соединений в составе активного слоя, расположенного на границе между слоем полупроводникового материала и диэлектрика. Изобретение обеспечивает формирование и применение фотопереключаемых и электропереключаемых органических полевых транзисторов, содержащих в своей структуре слой фотохромных молекул, расположенный на границе между слоем полупроводникового материала и диэлектрика. Технические результаты, достигаемые при реализации заявленного изобретения, заключаются в упрощении структуры и технологии изготовления фотопереключаемого и электропереключаемого полевого транзистора; возможности создания множественных дискретных состояний, отличающихся пороговыми напряжениями; достижении существенных различий в токах IDS для разных состояний (до 10000 раз); в обеспечении спектральной чувствительности устройства: воздействие импульсами света различной длины волны переводит транзистор в разные состояния; в возможности использования фотопереключаемого и электропереключаемого полевого транзистора в качестве мультибитной ячейки памяти; в возможности оптического и электрического программирования указанной ячейки памяти; в увеличении плотности записи информации за счет реализации мультибитного режима. 4 н.п. ф-лы, 10 ил.
Способ изготовления биосенсорной структуры // 2644979
Изобретение относится к технологии изготовления сенсорных структур на основе твердотельного полупроводника и функционального органического покрытия и может быть использовано при создании ферментных биосенсоров на основе полевых транзисторов или структур «электролит-диэлектрик-полупроводник». Способ изготовления биосенсорной структуры включает модификацию полупроводникового электрохимического преобразователя для создания эффективного отрицательного электростатического заряда, а также послойную адсорбцию слоя поликатионных молекул полимера и слоя полианионных молекул фермента из их водного раствора. При этом используют пластину монокристаллического кремния с электронным типом проводимости, а его модификацию производят путем кипячения полупроводниковой пластины в перекисно-аммиачном растворе NH4OH/H2O2/H2O=1/1/4, а в процессе адсорбции молекул фермента, либо предварительно непосредственно перед процессом адсорбции, на поверхность структуры «n-Si/SiO2/полиэтиленимин» осуществляют освещение структуры со стороны раствора с интенсивностью, достаточной для изменения плотности заряда поверхности полупроводниковой структуры за время адсорбции. Техническим результатом изобретения является увеличение чувствительности к аналиту из-за увеличения количества молекул в монослое фермента на модифицированной поверхности полупроводникового преобразователя. 2 з.п. ф-лы, 4 ил., 3 табл.
