Фотоприемник (варианты)

Авторы патента:

H01L31 - Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов (H01L 51/00 имеет преимущество; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, кроме приборов, содержащих чувствительные к излучению компоненты, в комбинации с одним или несколькими электрическими источниками света H01L 27/00; кровельные покрытия с приспособлениями для размещения и использования устройств для накопления или концентрирования энергии E04D 13/18; получение тепловой энергии с

Изобретение относится к оптоэлектронике, голографии, интерферометрии, спектроскопии Фурье и предназначено для электронного измерения пространственно-временного распределения амплитуд и фаз световых волн. Фотоприемник, содержащий фотоэлектрический слой, подложку и подводящие электроды, выполнен из элементов, которые в пределах рабочей площади фотоприемника имеют суммарное пропускание больше 10% и суммарное отклонение от равномерного изменения оптической толщины по рабочей площади и по рабочей длине фотоприемника меньше _min/4, а фотоэлектрический слой в пределах рабочей площади фотоприемника имеет оптическую толщину меньше _min/2, или больше ₀/2 и не кратную ₀/2, где _min - длина волны коротковолновой границы рабочего спектрального диапазона фотоприемника, ₀ - рабочая длина волны фотоприемника. Технический результат - упрощение оптической схемы, уменьшение габаритов оптических приборов. 2 с.п. ф-лы, 7 ил.

Текст описания в факсимильном виде (см. графическую часть)и

Формула изобретения

1. Фотоприемник, содержащий тонкопленочный фотоэлектрический слой, подложку и подводящие электроды, отличающийся тем, что состоит из элементов, которые в пределах рабочей площади фотоприемника имеют суммарное пропускание больше 10% и суммарное отклонение от равномерного изменения оптической толщины по рабочей площади и по рабочей длине фотоприемника меньше

_min/4, а фотоэлектрический слой в пределах рабочей площади фотоприемника имеет оптическую толщину меньше

_min/2, где

_min - длина волны коротковолновой границы рабочего спектрального диапазона фотоприемника.

2. Фотоприемник, содержащий тонкопленочный фотоэлектрический слой, подложку и подводящие электроды, отличающийся тем, что состоит из элементов, которые в пределах рабочей площади фотоприемника имеют суммарное пропускание больше 10% и суммарное отклонение от равномерного изменения оптической толщины по рабочей площади и по рабочей длине фотоприемника меньше

₀/4, а фотоэлектрический слой в пределах рабочей площади фотоприемника имеет оптическую толщину больше

₀/2 и не кратную

₀/2, где

₀ - рабочая длина волны фотоприемника.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5, Рисунок 6, Рисунок 7, Рисунок 8, Рисунок 9, Рисунок 10, Рисунок 11, Рисунок 12, Рисунок 13, Рисунок 14

Похожие патенты:

Фотоэлемент // 2222846

Изобретение относится к преобразователям энергии электромагнитного излучения в электрическую энергию и может быть использовано в производстве солнечных фотоэлементов

Фотоэлемент // 2222846

Фотоэнергетическая установка и способ облучения фотопреобразователей // 2221313

Изобретение относится к фотоэнергетике и может быть использовано в качестве автономного источника электроэнергии

Панель солнечной батареи // 2220477

Изобретение относится к устройствам спутника, служащим для преобразования солнечной энергии в электрическую

Способ изготовления фотопреобразователя // 2219621

Изобретение относится к области электрического оборудования, в частности к полупроводниковым приборам, а именно к фотопреобразователям

Полупроводниковый компонент, в частности, солнечный элемент, и способ его изготовления // 2219620

Изобретение относится к полупроводниковому компоненту, а более конкретно к солнечному элементу по меньшей мере с одним полупроводниковым материалом для подложки моно- или поликристаллической структуры, состоящим по меньшей мере частично из пирита с химическим составом FeS2, который очищают с целью достижения определенной степени чистоты

Схема, управляемая инфракрасным излучением (варианты), датчик энергии инфракрасного излучения и способ использования инфракрасного излучения на основе sic // 2218631

Гетерогенный фотоэлемент // 2217845

Изобретение относится к приборам, преобразующим энергию потока электромагнитного светового излучения в электрическую энергию, и может быть использовано в производстве солнечных фотоэлементов

Интегральный оптрон // 2216074

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в оптоэлектронных интегральных схемах

Фотоэлектрический модуль и способ его изготовления // 2214020

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к фотоэлектрическим преобразователям солнечной энергии

Измерительная система с полупроводниковым датчиком на основе карбидокремниевого диода шотки // 2224332

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в конструкции измерительной системы (ИС) температуры и/или ультрафиолетового излучения (УФИ)

Профиль для изготовления обрамления солнечного модуля // 2226731

Изобретение относится к области изготовления оптоэлектронных приборов, в частности, фотоэлектрических солнечных модулей

Детектор ионизирующего излучения // 2229730

Изобретение относится к полупроводниковым приборам и может найти применение для регистрации ионизирующих излучений и заряженных частиц в ядерной физике, а также при создании цифровых диагностических аппаратов, регистрирующих заряженные частицы и гамма-кванты

Алмазный детектор ионизирующих излучений // 2229731

Изобретение относится к технике регистрации излучений, а именно к алмазным детекторам, предназначенным для преобразования однократных или редко повторяющихся импульсов ионизирующих излучений, в частности мягкого рентгеновского или фотонного излучения в электрические аналоги

Солнечная электростанция // 2230395

Изобретение относится к солнечным электростанциям, предназначенным для преобразования солнечной лучистой энергии в электричество

Солнечная батарея // 2230396

Изобретение относится к солнечным батареям (СБ), осуществляющим прямое преобразование солнечной энергии в электрическую с помощью полупроводниковых фотопреобразователей (ФП) и используемых преимущественно в системах электропитания космических аппаратов (КА)

Способ получения пластин для солнечных элементов из мультикристаллического кремния // 2231867

Изобретение относится к области полупроводниковых преобразователей солнечной энергии, в частности к получению пластин из мультикристаллического кремния для изготовления солнечных элементов (СЭ)

Интегральная схема оптического датчика вектора перемещения и скорости наблюдаемого объекта // 2232997

Гибкий модуль солнечной батареи // 2234166

Изобретение относится к устройствам, генерирующим электроэнергию путем прямого преобразования солнечной энергии в электрическую с помощью полупроводниковых солнечных элементов (СЭ) с используемым преимущественно в системах электропитания космических аппаратов (КА)

Солнечная батарея // 2234764

Изобретение относится к электротехнике, в частности к устройствам для генерирования электрической энергии путем преобразования энергии светового излучения в электрическую энергию, и предназначено для использования в конструкциях космических солнечных батарей, содержащих плоские панели с сотовым наполнителем