Лазерный материал

 

Изобретение относится к материалам, применяемым в квантовой электронике, в частности к монокристаллам для высокоэффективных твердотельных лазеров с диодной накачкой, излучающих в диапазоне 1,06 мкм. Лазерный материал на основе ортоборатов редкоземельных элементов и скандия, который имеет химическую формулу R1-x-yNdxScyBO3, где R-La и/или Се, 0,01<х<0,25; 0,5<у<0,9. Обеспечено получение лазерного материала с высокой концентрацией неодима и высоким оптическим качеством. 2 ил., 2 табл.

Изобретение относится к материалам, применяемым в квантовой электронике, в частности, к монокристаллам для высокоэффективных твердотельных лазеров с диодной накачкой, излучающих в диапазоне 1,06 мкм.

Одним из основных свойств хорошего лазерного материала, применяемого в твердотельных лазерах с диодной накачкой, является наличие интенсивной линии с высоким коэффициентом поглощения на длине волны накачки. Это может быть достигнуто путем введения в лазерный материал ионов активатора с высокой концентрацией.

Известен лазерный материал с химической формулой Nd:Y3Al5O12. В Nd:Y3Al5O12 максимальная концентрация ионов неодима составляет 1,1%, при этом коэффициент поглощения на длине волны накачки равен 10 см-1. Получение Nd:Y3Al5O12 с более высокой концентрацией ионов неодима невозможно из-за низкого коэффициента распределения неодима в объеме лазерного материала (А.А. Каминский, Л.К. Аминов, В.Л. Ермолаев и др. Физика и спектроскопия лазерных кристаллов. - М.: Наука, 1986, с. 249-253).

Известен лазерный материал, имеющий химическую формулу Nd:YVО4. В Nd:YVО4 оптимальная концентрация ионов неодима составляет менее 2%, максимальный коэффициент поглощения - 40 см-1. При увеличении концентрации ионов неодима наблюдается большое количество включений в лазерном материале, вызывающих потерю оптического качества (Н.М.Dess, S.R.Botin. Czochralski Growth and Properties of Yttrium Vanadate Crystals. Transactions of the Metallurgical Society of ATME, 1967, Vol. 239, p. 359-361).

Известен лазерный материал, имеющий химическую формулу Nd:GdVO4. При концентрации ионов неодима в Nd:GdVO4 до 2% коэффициент поглощения составляет 74 см-1 (А.И.Загуменный, В.И.Остроумов, И.А.Щербаков, Т.Йенсен, Я.П.Мейен, Г.Хубер. Кристаллы Nd:GdVO4 - новый материал для лазеров с диодной накачкой. Квантовая электроника, 1992, т. 19, №12, с. 1149 и 1150).

Основным недостатком лазерного материала Nd:GdVO4 является наличие центров рассеяния, вызывающих большие оптические потери (К.Shimamura, S.Uda, V.Kochurikhin, Т.Taniuchi, T.Fukuda. Growth and Characterization of Gadolinium Vanadate GdVО4 Single Crystals for Laser Applications. Jpn. J. Applied Physics, 1996, Vol. 35, p. 1832-1835).

Известен лазерный материал, имеющий химическую формулу Nd:LaSc3(BO3)4. Оптимальная концентрация ионов неодима составляет 10%, коэффициент поглощения неодима соответствует 36 см-1 (G. Huber. Solid-State Laser Materials. Laser Sources and Applications, 10P Publishing, 1996, p. 141-162).

Наиболее близким аналогом к заявляемому лазерному материалу является ортоборат скандия ScBO3 (К.И. Портной, Н.И. Тимофеева. Кислородные соединения редкоземельных элементов. - М.: Металлургия, 1986, с. 118-123).

Соединение ScBO3 нельзя использовать как лазерный материал, активированный неодимом из-за малого ионного радиуса катиона скандия.

Технической задачей данного изобретения является получение лазерного материала с высокой концентрацией ионов неодима Nd и высоким оптическим качеством.

Технический результат в предлагаемом изобретении достигают путем создания лазерного материала на основе ортобората скандия (ScBO3), в который согласно изобретению дополнительно введены катионы лантана La и/или церия Се и неодима Nd и он имеет формулу R1-x-yNdxScyBO3, где R - La и/или Се, при этом стехиометрические коэффициенты в химической формуле выбирают в пределах 0,01<x<0,25; 0,5<y<0,9.

Сущность предлагаемого лазерного материала раскрыта в нижеследующем описании и проиллюстрирована в таблицах и чертежах, где

в табл.1 приведены химический состав лазерного материала, условия его выращивания, время жизни верхнего лазерного уровня 4F3/2 неодима и оценка его оптической однородности;

в табл.2 приведены основные характеристики предлагаемого лазерного материала в сравнении с лазерными материалами, уже применяемыми в твердотельных лазерах с диодной накачкой;

на фиг.1 показан спектр люминесценции лазерного материала;

на фиг.2 - спектр поглощения лазерного материала.

Монокристаллы предлагаемого лазерного материала были выращены методом Чохральского из расплава.

В качестве исходных компонентов для приготовления шихты использовались соответствующие оксиды металлов лантана La и/или церия Се и неодима Nd высокой степени чистоты, а именно Lа2О3, СеО2, Nd2O3; Sc2O3; В2O3.

Компоненты шихты взвешивались, перемешивались и наплавлялись в иридиевый тигель.

Тепловой узел представлял собой систему керамических экранов из оксидов алюминия, циркония и иттрия. На начальной стадии кристаллы выращивались на иридиевую проволоку. В последующем из выращенных на иридиевую проволоку кристаллов изготавливались ориентированные монокристаллические затравки.

Скорость выращивания кристаллов составляла 1,5 мм/ч. Диаметр выращенных для исследований кристаллов составлял 15 мм, длина - 50 мм.

Замена лантана и/или церия на близкий по размерам ионного радиуса неодим позволило получить лазерный материал с высокой концентрацией неодима.

В процессе экспериментов по выращиванию кристаллов предлагаемой матрицы лазерного материала было установлено, что в кристаллах смешанных ортоборатов скандия, лантана и/или церия, начиная от температуры в точке кристаллизации и при последующем охлаждении выращенных кристаллов до комнатной температуры, не происходит полиморфных изменений.

Рентгеноструктурные исследования, проведенные на установке ДРОН-3, позволили установить, что предлагаемый лазерный материал кристаллизуется в моноклинной сингонии, предположительная пространственная группа Р2/m.

Как следует из табл.1, в выращенных монокристаллах лазерного материала при значениях стехиометрического коэффициента x меньше 0,01 коэффициент поглощения на длине волны накачки 808 нм недостаточно высок, а при x больше 0,25 верхний лазерный уровень 4F3/2 неодима практически потушен. При значениях стехиометрического коэффициента у меньше 0,5 и больше 0,9 кристаллы не обладали достаточным оптическим качеством из-за образования в них центров рассеяния. Оценка оптического качества кристаллов лазерного материала проводилась при помощи гелий-неонового лазера и оптического микроскопа. С целью практического применения лазерный материал может быть получен со следующими значениями стехиометрических коэффициентов: 0,01<x<0,25 и 0,5<y<0,9.

0,2Nd0,05Sc0,75BO3, Ce0,2Nd0,05Sc0,75BO3, La0,1Ce0,1Nd0,05Sc0,75BO3.

Пик люминесценции неодима в лазерном материале, соответствующий лазерному переходу 4F3/2 4I11/2, находится в окрестности 1064 нм (фиг.1).

Максимальный пик поглощения неодима в лазерном материале, отвечающий переходу из основного состояния 4I9/2 в возбужденное состояние 4F5/2, расположен в окрестности 808 нм, коэффициент поглощения составляет 67 см-1 (фиг.2).

Из монокристаллов лазерного материала были изготовлены плоскопараллельные полированные пластинки размерами 55 мм и толщиной 1 мм. На полированные стороны пластинок были нанесены диэлектрические оптические покрытия. На одну сторону было нанесено антиотражающее на длине волны 808 нм и одновременно высокоотражающее, 99,8%, на длине волны 1064 нм покрытие. На вторую сторону было нанесено 98% отражающее покрытие на длине волны 1064 нм. Таким образом, каждая из пластинок лазерного материала с оптическими покрытиями представляла собой плоскопараллельный лазерный резонатор Фабри-Перо.

Накачка лазерного материала осуществлялась лазерным диодом компании SDL мощностью 1 Вт с длиной волны излучения 808 нм. Излучение накачки фокусировалось с помощью оптической системы в пятно диаметром 50 мкм.

Получена генерация на длине волны 1064 нм в непрерывном режиме. Порог генерации для всех исследуемых образцов лазерного материала не превысил 20 мВт. При накачке максимальной накачке мощностью 1 Вт выходная мощность лазерного излучения составила 620 мВт для La0,2Nd0,05Sc0,75BO3, 618 мВт для Ce0,2Nd0,05Sc0,75BO3, 605 мВт для La0,1Ce0,1Nd0,05Sc0,75BO3. Дифференциальный кпд лазерного излучения для всех трех образцов лазерного материала превысил 60%.

Как следует из результатов проведенных исследований и характеристик, приведенных в табл.2, предлагаемый лазерный материал является перспективным для применения в лазерах с диодной накачкой.

Формула изобретения

Лазерный материал на основе ортобората скандия SсВO3, отличающийся тем, что в него дополнительно введены катионы лантана La и/или церия Се и неодима Nd и он имеет химическую формулу R1-x-yNdxSCy3, где R-La и/или Се, 0,01<х<0,25, 0,5<у<0,9.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2

MM4A - Досрочное прекращение действия патента СССР или патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Дата прекращения действия патента: 26.09.2006

Извещение опубликовано: 20.08.2007        БИ: 23/2007

PD4A - Изменение наименования обладателя патента СССР или патента Российской Федерации на изобретение

(73) Новое наименование патентообладателя:Закрытое акционерное общество «Астра Физика» (RU)

Адрес для переписки:119334, Москва, ул. Косыгина, 15, этаж 5, офис 522, ЗАО «Астра Физика»

Извещение опубликовано: 10.04.2010        БИ: 10/2010

MM4A Досрочное прекращение действия патента из-за неуплаты в установленный срок пошлины заподдержание патента в силе

Дата прекращения действия патента: 26.09.2010

Дата публикации: 27.12.2011




 

Похожие патенты:

Изобретение относится к материалам, применяемым в квантовой электронике, в частности к монокристаллам для твердотельных лазеров с диодной накачкой, излучающих в диапазоне 1,5-1,6 мкм

Изобретение относится к оптоэлектронике ядерно-физических исследований, а точнее изготовления мощных твердотельных лазеров, работающих в УФ-области спектра

Изобретение относится к материалам для лазерной техники
Изобретение относится к новому способу получения сложного оксида состава Y2Be2SiO7, который может быть использован в качестве кристаллической среды для лазерных кристаллов

Изобретение относится к материалам для квантовой электроники, в частности, к монокристаллам для иттербиевых лазеров с длиной волны около 1,064 мкм, перестраиваемых в диапазоне 1-1,08 мкм с диодной накачкой, и для получения лазерной генерации в режиме сверхкоротких импульсов

Изобретение относится к материалам для лазерной техники, а именно к монокристаллическим материалам, предназначенным для получения активных элементов твердотельных лазеров
Изобретение относится к получению нового сложного оксида на основе иттрия и алюминия, являющегося перспективным материалом для оптоэлектроники

Изобретение относится к области лазерной техники и более конкретно - к лазерным медицинским инструментам для стоматологических, дерматологических, оторинологических применений, в том числе с использованием эндоскопов

Изобретение относится к материалам, применяемым в квантовой электронике, в частности к монокристаллам, используемым в качестве матрицы для твердотельных лазеров с диодной накачкой

Изобретение относится к области лазерной техники и может быть использовано для создания перестраиваемых лазеров, используемых в линиях волоконно-оптической связи, оптоэлектронике и спектроскопии
Изобретение относится к области технологии оптических лазерных материалов, используемых в качестве оптической среды для передачи, генерации и преобразования фотонного излучения с различной частотой и мощностью оптических сигналов
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов для пассивных лазерных затворов, используемых в современных лазерах, работающих в ИК-области спектра
Изобретение относится к твердотельным лазерным элементам, содержащим органические красители, внедренные в твердотельные композитные матрицы, и может быть использовано в лазерной технике, а именно в качестве активных сред перестраиваемых в областях 628-635 нм и 648-661 нм лазеров с оптической накачкой в ультрафиолетовой (УФ) и видимой областях спектра

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов для пассивных лазерных затворов, используемых в современных лазерах, работающих в ИК-области спектра

Изобретение относится к области полимерных холестерических фотоактивных композиций, способных под действием облучения лазерным светом самостоятельно генерировать лазерное излучение

Изобретение относится к получению и использованию новой инфракрасной лазерной матрицы для инфракрасной оптики

Изобретение относится к кристаллическим неорганическим материалам, которые могут использоваться в оптической технике
Наверх