Халькогенидное стекло

 

Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых преимущественно в оптоэлектронике. В основу изобретения положена задача создания халькогенидного стекла, обладающего свойством преобразования инфракрасного излучения в видимое излучение при одновременном сохранении области прозрачности люминесцентного халькогенидного стекла за счет введения в состав стекла Al, Br, B, Er, Ln. Халькогенидное стекло имеет следующий состав, ат.%: Si 1-5, Al 1-8, Br 1-15, В 1-6, Ln 1-15, Er 1-5, Ge 10-25, Ga 3-20, S 54-70. 2 табл.

Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых преимущественно в оптоэлектронике.

Известно халькогенидное стекло, содержащее Ga, Ge, S, обладающее повышенной областью прозрачности (а.с. СССР 1629264, С 03 С 3/32, опубл. 23.02.91).

В указанном стекле не предусмотрено преобразование инфракрасного излучения в видимое.

В основу изобретения положена задача создания халькогенидного стекла, обладающего свойством преобразования инфракрасного излучения в видимое излучение при одновременном сохранении области прозрачности люминесцентного халькогенидного стекла за счет введения в состав стекла А1, Вr, B, Er, Ln.

Это достигается тем, что в состав стекла для преобразования инфракрасного излучения в видимое в состав халькогенидного стекла вводят 1-5 ат. % Еr; при этом для повышения эффективности преобразования в состав стекла также вводят 1-15 ат. % Ln и 1-8 ат. % Al; для компенсации потери прозрачности в стекло вводят 1-6 ат. % В, 1-15 ат. % Вr, 1-5 ат. % Si.

В таблицах 1 и 2 приведены конкретные составы халькогенидного стекла и оцениваемые параметры стекла.

В табл. 2 о (мкм) - длина волны коротковолновой границы пропускания стекла, n - коэффициент преломления стекла, Тg (С) - температура размягчения стекла, (%) - эффективность преобразования длинноволнового излучения в коротковолновое.

Температурный режим синтеза соответствует традиционной технологии варки халькогенидных стекол. Особенностью является выдержка расплава при 750-850С, последующее охлаждение на воздухе до 250С и отжиг при этой температуре в течение 3-10 часов.

Формула изобретения

Халькогенидное стекло, включающее Ga, Ge, S, отличающееся тем, что оно содержит Si, Al, Br, В, Ln, Er при следующем соотношении компонентов, ат.%:

Si 1-5

Al 1-8

Br 1-15

В 1-6

Ln 1-15

Er 1-5

Ge 10-25

Ga 3-20

S 54-70



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к области химии и может быть использовано для синтеза стекол GexS1-x(X= 0,1-0,5) особой чистоты
Изобретение относится к способам синтеза стекол AsxS1-x(х = 0,10-0,45), AsxSe1-x (х = 0-0,60) и может быть использовано в различных областях электронной техники, волоконной оптики, электронографии

Изобретение относится к галогеносодержащим халькогенидным стеклам, прозрачным в инфракрасной области спектра

Изобретение относится к акустооптике, преимущественно к материалам, которые используются для изготовления светозвукопроводов акустооптических устройств (АОУ)
Изобретение относится к химии, а именно к способам синтеза стеклообразного GeS2

Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых, преимущественно в электронике

Изобретение относится к полифункциональным стеклам
Изобретение относится к волоконной оптике и касается разработки способа получения сульфидно-мышьяковых стекол для сердцевины и оболочки одномодовых и малоапертурных многомодовых световодов, используемых в оптике и приборах для ближнего и среднего ИК-диапазона

Изобретение относится к теллургалогенидным стеклам, прозрачным в инфракрасной области спектра

Изобретение относится к оптическим фторидным стеклам, прозрачным в ИК-области спектра, используемым в качестве перспективных материалов для ИК-оптики: ИК-пропускающие сердцевины оптических волокон, элементы оптических устройств, рабочих тел лазеров в различных оптических усилителях, планарных волноводах и в светотрансформирующих устройствах
Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых для защиты и изоляции полупроводниковых приборов и интегральных схем
Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых в микроэлектронике
Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых в приборостроении
Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых в приборостроении
Изобретение относится к волоконной оптике и касается разработки способа получения халькогенидных стекол системы As-S с низким содержанием примеси кислорода в виде гидроксильных групп, молекулярной воды, диоксида углерода и может быть использовано для получения волоконных световодов, применяемых в оптике и приборах для ближнего и среднего ИК-диапазона
Изобретение относится к материалам для волоконной оптики и касается разработки способа получения особо чистых тугоплавких халькойодидных стекол, которые могут быть использованы для изготовления волоконных световодов, применяемых в оптике и оптоэлектронных приборах для ближнего и среднего ИК-диапазона
Наверх