Способ восстановления зондов для нанотехнологии
Изобретение относится к области нанотехнологии, а именно к способам восстановления зондов. Предложен способ восстановления изношенных поверхностей вольфрамовых зондов путем ионизации инертного газа электронами, возбужденными пересекающимися электрическим и магнитным полями, бомбардировки ионизированным инертным газом катода-мишени и осаждения вольфрама на изношенные поверхности вольфрамовых зондов, при этом на подложке закрепляют пакет изношенных вольфрамовых зондов, установленных в нем на расстоянии, равном двум диаметрам зонда, а перед осаждением вольфрама на пакет подают отрицательный потенциал 500-700 В. Техническим результатом изобретения является обеспечение возможности осаждения вольфрама на изношенные поверхности вольфрамовых зондов. 1 ил.
Изобретение относится к области нанотехнологии, а более конкретно к способам восстановления зондов.
Известен способ восстановления зондов для нанотехнологии, включающий осаждение вольфрама в плазме гексафторида вольфрама с водородом [Моряков О.С. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. В 10 кн. Кн.7. Элионная обработка. Учебное пособие для ПТУ. - М.: Высшая школа, 1990, 128 с., ил., стр 25].
Недостатком аналога является отсутствие возможности осаждения вольфрама на поверхность изношенных вольфрамовых зондов.
Аналогом по технической сущности является способ нанесения покрытия, включающий ионизацию инертного газа электронами, возбужденными пересекающимися электрическим и магнитным полями, бомбардировку ионизированным газом катода-мишени и осаждение материала мишени на подложку [То же, с. 39, рис.15 ].
Недостатком аналога является также отсутствие возможности осаждения вольфрама на поверхность изношенных вольфрамовых зондов.
Наиболее близким к предложенному является способ восстановления изношенных поверхностей деталей путем ионизации инертного газа электронами, возбужденными пересекающимися электрическим и магнитным полями, бомбардировки ионизированным инертным газом катода-мишени и осаждения вольфрама на изношенные поверхности вольфрамовых зондов (Митин Б.С. Порошковая металлургия и напыленные покрытия. - М.: Металлургия, 1987, с.7, 703, 704).
В основу изобретения положена задача: обеспечить возможность осаждения вольфрама на изношенные поверхности вольфрамовых зондов.
Задача решается способом восстановления изношенных поверхностей вольфрамовых зондов для нанотехнологии путем ионизации инертного газа электронами, возбужденными пересекающимися электрическим и магнитным полями, бомбардировки ионизированным инертным газом катода-мишени и осаждения вольфрама на изношенные поверхности вольфрамовых зондов, при этом на подложке закрепляют пакет изношенных вольфрамовых зондов, установленных в нем на расстоянии, равном двум диаметрам зонда, а перед осаждением вольфрама на пакет подают отрицательный потенциал 500-700 В.
Введение в способ восстановления зондов для нанотехнологии операции закрепления пакета вольфрамовых зондов, закрепленных на подложке, и операции подачи на него отрицательного потенциала порядка 500-700 В обеспечивает целенаправленное движение ионов вольфрама на изношенную поверхность вольфрамовых зондов, что и позволяет достичь восстановление зондов, т.е. их “ионное заострение”.
Сущность изобретения поясняется чертежом, где показана схема устройства, реализующего предложенный способ восстановления зондов для нанотехнологии.
Устройство, реализующие способ восстановления зондов для нанотехнологии, содержит вакуумную камеру 1, внутри которой расположены магнитная система 2, катод-мишень 3 и анод 4. Катод-мишень 3 и анод 4 связаны с источником питания 5. На подложке 6 закреплен пакет зондов 7, расстояние между зондами в пакете устанавливают, равной двум диаметрам зондов 7. Пакет зондов 7 также связан с источником питания 5. Внутрь вакуумной камеры 1 введен инертный газ (условно не показан).
Способ реализуется следующим образом.
От источника питания 5 на катод-мишень 3 подают отрицательный потенциал, а на анод 4 - положительный, тем самым обеспечивают ионизацию инертного газа электронами, возбужденными пересекающимися электрическими и магнитными полями, и осуществляют бомбардировку ионизированным инертным газом катода-мишени 3. Затем подают отрицательный потенциал порядка 500-700 В на пакет изношенных вольфрамовых зондов 7, закрепленных на подложке 6, и осаждают материал катода-мишени 3 - вольфрам - на пакет изношенных вольфрамовых зондов 7.
Применение предложенного способа восстановления зондов для нанотехнологии обеспечивает осаждение вольфрама на изношенные поверхности вольфрамовых зондов, что и позволяет повторно использовать зонды в нанотехнологии.
Формула изобретения
Способ восстановления изношенных поверхностей вольфрамовых зондов для нанотехнологии путем ионизации инертного газа электронами, возбужденными пересекающимися электрическим и магнитным полями, бомбардировки ионизированным инертным газом катода-мишени и осаждения вольфрама на изношенные поверхности вольфрамовых зондов, отличающийся тем, что на подложке закрепляют пакет изношенных вольфрамовых зондов, установленных в нем на расстоянии, равном двум диаметрам зонда, а перед осаждением вольфрама на пакет подают отрицательный потенциал 500-700 В.
РИСУНКИ
