Способ получения композиционного материала

 

Изобретение относится к получению композиционных материалов, обладающих высокой термической и противоокислительной стойкостью. Может использоваться в теплонагруженных узлах авиационной и ракетно-космической техники и др. Предложен способ получения композиционного материала. Из газовой фазы проводят осаждение кремнийорганических продуктов на подложку. Процесс осуществляют в герметичной камере с принудительной циркуляцией. В качестве исходного реагента используют метилсилан. Температура подложки составляет 200-550°С. Техническим результатом является получение равномерного по толщине и структуре покрытия. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к способам получения композиционных материалов, обладающих высокой термической и противоокислительной стойкостью, и может быть использовано в теплонагруженных узлах авиационной и ракетно-космической техники, а также в других отраслях машиностроения.

Наиболее близким к заявляемому является способ получения, включающий осаждение из газовой фазы карбида кремния на пористый каркас (углеродный, керамический и др.), отличающийся тем, что в качестве исходного реагента используют метилсилан и процесс ведут при 650-800°С в присутствии инертного газа (RU 2130509, 20.05.1999, МПК-6 С 23 С 16/32, формула).

Недостатки ближайшего аналога заключаются в том, что данный способ не обеспечивает равномерного по толщине и структуре слоя покрытия и пожаро- и взрывобезопасности процесса.

Задачей изобретения является повышение равномерности распределения кремнийорганических соединений на подложке, снижение пожаро- и взрывобезопасности процесса.

Поставленная задача решается тем, что способ получения композиционного материала включает осаждение из газовой фазы кремнийорганических соединений на подложку с использованием в качестве исходного реагента метилсилана, согласно изобретению, осаждение проводят в герметичной камере с принудительной циркуляцией, а температура подложки при осаждении составляет 200-550°С.

В качестве метилсилана может быть использован триметилсилан и/или тетраметилсилан.

Осаждение может быть проведено при давлении от 200 кПа до давления насыщенного пара метилсилана, а в качестве подложки может быть использован пористый углеродный материал.

Разложение метилсилана на поверхности пористого углеродного материала протекает с заметной скоростью уже при 200°С. Газообразным продуктом реакции является метан, относительный выход которого =0,4 (где - выход в молях на моль разложившегося силана). С повышением температуры реакции до 550°С выход метана практически не меняется, а основным продуктом реакции является водород (=1,2-1,3). Использование низких температур нагрева подложки (200-550°С), что позволяет применять жидкие кремнийорганические соединения, обеспечивает взрыво- и пожаробезопасность процесса и упрощает технологический цикл.

Проведение процесса в герметичном объеме обеспечивает химическую чистоту газовой фазы, а принудительная циркуляция обеспечивает равномерность распределения кремнийорганических продуктов на подложке, а при наличии подложки сложной геометрической формы, например, лопатки турбины, имеющей внутренние полости, гарантирует наличие и равномерность слоя покрытия на всей поверхности подложки.

Нелетучими продуктами разложения метилсиланов, в частности тетраметилсилана и триметилсилана на поверхности пористого углеродного материала при 200-550°С, являются кремнийорганические продукты суммарного состава SiC3-3,5 Н7,5-8,5 (рассчитано по данным материального баланса реакции), которые при дальнейшем повышении температуры легко распадаются с образованием водорода и аморфного карбида кремния.

Приведенные ниже примеры осуществления заявленного способа подтверждают, но не ограничивают его применение в промышленности.

Способ осуществляли в вакуумной установке, схематически изображенной на чертеже.

Установка является кварцевым вакуумным газопроточным, т.е. с принудительной циркуляцией, реактором. Образец 7 в виде пористого углеродного шнура нагревался электрическим током с помощью контактов 4, контроль температуры осуществляется термопарой 8, холодная вода подается через выход 1, заданное давление создается с помощью вакуумного насоса (не показан) через выход 2, а контроль давления осуществляется с помощью манометра (не показан) через выход 1.

Особенностью данного способа является самоторможение процесса при неполном расходе тетраметилсилана или триметилсилана. По этой причине после самоторможения процесса свободная ампула охлаждается жидким азотом до полного вымораживания неразложившегося тетраметилсилана или триметилсилана. Затем эта ампула также закрывается краном-пробкой.

Способ можно осуществлять в условиях непрерывного перемораживания тетраметилсилана или триметилсилана из одной ампулы в другую.

Последовательность операций при работе на установке.

1) В одну из ампул 5 или 6 заливается на воздухе тетраметилсилан и/или триметилсилан, ампула закрывается краном-пробкой и присоединяется к проточному реактору, вторая ампула пустая с открытым краном-пробкой присоединяется к проточному реактору.

2) Образец закрепляется на концах токоподводов и размещается в проточном реакторе.

3) Проточный реактор вакуумируется (Р=10-2 мм рт.ст.), через холодильники пропускают холодную воду, включается электронагрев образца.

4) После нагрева образца до требуемой температуры в реактор напускаются пары триметилсилана и/или тетраметилсилана из соответствующей ампулы, кран-пробка которой затем закрывается.

5) За протеканием процесса осуществляется контроль по изменению давления в системе, которое возрастает в соответствии с протекающим на нагретом образце пиролизе тетраметилсилана и/или триметилсилана.

Протекание процесса контролировали по изменению давления в реакторе от начального до конечного (соответственно Рн и Рк в кПа), по составу газовой фазы (газохроматографический анализ), изменение состояния образца - визуально и по увеличению веса. Идентификацию карбида кремния проводили по данным ИК-спектроскопического и рентгенофазового анализа.

В качестве подложки использовали углеродный жгут диаметром 3 мм и длиной 70-80 мм.

Пример 1. Исходный продукт - тетраметилсилан, разовый напуск до Р н=300, температура нагрева подложки составляет 200°С, время реакции 10 минут, Рк=279; 13% разложившегося тетраметилсилана, выход метана =0,40.

Пример 2. Исходный продукт - тетраметисилан, разовый напуск до Рн=240, температура нагрева подложки составляет 450°С, время реакции 1 минута, Рк=306; 53% разложившегося тетраметилсилана, выход метана =0,41, водорода =1,2.

Пример 3. Исходный продукт - смесь тетраметилсилана (82%) и триметилсилана (18%), разовый напуск до Pн=21.6, температура нагрева подложки составляет 500°С, время реакции 5 минут, Рк=366; 88% разложившихся силанов, выход метана =0,23, водорода =1,3.

Пример 4. Исходный продукт - смесь тетраметилсилана (82%) и триметилсилана (18%), девять напусков в каждом случае до Р н=210, температура нагрева подложки составляет 440°С, время реакции для каждого напуска 10 минут. Отношение веса шнура после реакции к начальному (здесь и ниже m0 и m к соответственно) mк/m0=1,32.

Пример 5. Исходный продукт - тетраметилсилан, восемь напусков до Рн в интервале 150-300, температура нагрева подложки составляет 340°С при первом напуске и 515°С при последнем напуске (равномерный подъем температуры от напуска к напуску). Время реакции после каждого напуска 10 минут, отношение m к/m0=1,54.

Пример 6. Исходный продукт - тетраметилсилан, пятнадцать напусков в каждом случае до Р н=200, температура нагрева подложки составляет 500°С, время реакции после каждого напуска 10 минут, отношение m к/m0=2,1.

Таким образом, применение данного способа позволяет получать равномерное по толщине и структуре слоя покрытие, обеспечивать взрыво- и пожаробезопасность процесса, а также его сокращение во времени.

Формула изобретения

1. Способ получения композиционного материала, включающий осаждение из газовой фазы кремнийорганических продуктов на подложку с использованием в качестве исходного реагента метилсилана, отличающийся тем, что осаждение проводят в герметичной камере с принудительной циркуляцией, а температура подложки составляет 200-550°С.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве метилсилана используют триметилсилан и/или тетраметилсилан.

3. Способ по п.1, отличающийся тем, что осаждение проводят при давлении от 200 кПа до давления насыщенного пара метилсилана.

4. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве подложки используют пористый углеродистый материал.

РИСУНКИ



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способам нанесения карбидохромовых покрытий термическим разложением бис-ареновых соединений хрома и найдет применение в различных областях, как например нефтедобывающей и нефтехимической промышленности, в которых используется оборудование с защитными коррозионно- и износостойкими поверхностями металлических деталей, в том числе из чугуна
Изобретение относится к производству высокотемпературных материалов и может быть использовано в качестве теплонагруженных узлов ракетно-космической техники, в автомобиле- и тракторостроении для изготовления узлов очистки выхлопных газов, подшипников скольжения, торцевых уплотнений и пр

Изобретение относится к устройствам для осаждения из газовой фазы слоев композиционных материалов и может быть использовано для получения слоев и изделий из карбида кремния, характеризующихся теоретической плотностью, стехиометрическим составом, а также высокой производительностью и выходом годного

Изобретение относится к способам нанесения покрытий, в частности, из неорганических материалов, путем термического разложения химических соединений на нагретой поверхности
Изобретение относится к области металлургии, в частности к режущим инструментам на основе спеченных твердых сплавов с покрытиями
Изобретение относится к области порошковой металлургии, в частности к получению композиционных материалов

Изобретение относится к композиции металлических сплавов, а именно к износо-, эрозионно- и химически стойкому материалу на основе вольфрама, легированному углеродом, причем углерод в пересчете на полный вес материала составляет от 0.01 вес.% до 0.97 вес.%

Изобретение относится к коррозионно-стойкой тонкопленочной многослойной структуре и коррозионно-стойкому компоненту, обладающим низкой скоростью изнашивания и низким коэффициентом трения, и способу осаждения покрытия упомянутых пленок
Изобретение относится к нанесению износостойких покрытий и может найти применение в авиастроении и машиностроении

Изобретение относится к способу нанесения покрытия из оксида алюминия на деталь, имеющую поверхность из карбида кремния (SiC) и используемую в высокотемпературных областях техники

Изобретение относится к устройствам для получения пиролизом монофиламентных карбидокремниевых волокон

Изобретение относится к сфере производства гетероэпитаксиальных структур, которые могут быть использованы в технологии изготовления элементов полупроводниковой электроники, способных работать в условиях повышенных уровней радиации и высоких температур. Гетероэпитаксиальную полупроводниковую пленку на монокристаллической подложке кремния выращивают методом химического осаждения из газовой фазы. Проводят синтез гетероструктуры SiC/Si на монокристаллической подложке кремния в горизонтальном реакторе с горячими стенками путем формирования переходного слоя между подложкой и пленкой карбида кремния со скоростью не более 100 нм/ч при нагреве упомянутой подложки до температуры от 700 до 1050°C с использованием газовой смеси, содержащей 95-99% водорода и в качестве источников кремния и углерода SiH4, C2H6, С3Н8, (CH3)3SiCl, (CH3)2SiCl2, при этом C/Si≥2, и формирования монокристаллической пленки карбида кремния с помощью подачи в реактор парогазовой смеси водорода и CH3SiCl3 при поддержании в реакторе абсолютного давления в диапазоне от 50 до 100 мм рт.ст. В качестве подложки кремния используют пластину, имеющую угол наклона относительно кристаллографического направления (111) в направлении (110) от 1 до 30 угловых градусов и в направлении (101) от 1 до 30 угловых градусов. Обеспечивается улучшение совместимости двух материалов слоя карбида кремния и подложки кремния с различным периодом кристаллических решеток, при этом понижаются механические напряжения в гетероструктуре и получаются более низкие плотности дефектов в слое карбида кремния. 6 н.п. ф-лы, 4 ил., 3 пр.

Изобретение относится к скользящему элементу поршневого узла двигателя внутреннего сгорания, а также к поршневому кольцу и гильзе цилиндра, содержащим упомянутый скользящий элемент. Скользящий элемент содержит, по меньшей мере на одном участке, по меньшей мере один слой а-С:Н:Ме, где Me - германий и кремний, и слой а-С:Н, нанесенный на слой а-С:Н:Ме в качестве покровного слоя. Суммарная толщина упомянутого по меньшей мере одного слоя а-С:Н:Ме составляет от 15 до 40 мкм. Обеспечивается получение скользящего элемента, поршневого кольца или гильзы цилиндра с пониженным коэффициентом трения в течение продолжительного периода времени, предпочтительно в течение всего срока службы двигателя сгорания, в котором используется данный скользящий элемент. 3 н. и 8 з.п. ф-лы, 2 ил., 2 табл., 2 пр.

Изобретение относится к покрытому карбидом тантала углеродному материалу и способу его изготовления. Покрытый карбидом тантала углеродный материал содержит углеродную подложку и покрывающую ее пленку карбида тантала. При измерениях с изменением угла ориентации (α) образца покрытого карбидом тантала углеродного материала покрывающая пленка карбида тантала имеет максимальную величину дифракционного пика, соответствующего плоскости (311) карбида тантала, определенyю с помощью рентгеновской дифракции, при угле ориентации (α) по меньшей мере 80 градусов. Способ изготовления покрытого карбидом тантала углеродного материала за счет формирования покрывающей пленки карбида тантала на углеродной подложке включает формирование кристаллических зародышей карбида тантала на поверхности углеродной подложки при температурах от 850 до 950°С и осуществление роста кристаллических зародышей карбида тантала при нагреве с постепенным увеличением рабочей температуры, при котором обеспечивают разницу температур 50°С или больше. Обеспечивается покрытый карбидом тантала углеродный материал, являющийся термостойким и устойчивым к газовому травлению. 5 н. и 24 з.п. ф-лы, 27 ил., 11 табл., 10 пр.

Изобретение относится к области ядерной энергии, в частности к микротвэлам ядерного реактора. Микротвэл ядерного реактора содержит топливную микросферу на основе оксидного топлива и защитное покрытие, включающее первый от топливной микросферы низкоплотный слой толщиной 84-110 мкм, второй плотный слой толщиной 30-36 мкм, третий слой карбида кремния и четвертый высокоплотный слой толщиной 36-42 мкм. Все слои выполнены из карбида кремния, при этом первый слой имеет плотность 0,9-1,2 г/см3, второй слой имеет плотность 2,5-2,9 г/см3, третий слой имеет плотность 1,5-2,2 г/см3 и толщину 7-13 мкм, а четвертый слой имеет плотность 3,2-3,3 г/см3. Технический результат: получение микротвэла ядерного реактора с повышенным ресурсом эксплуатации (увеличение глубины выгорания топлива) за счет снижения давления газообразных продуктов деления на защитные слои. 5 ил.
Наверх