Способ изготовления микросхем

Использование: в микроэлектронике, при производстве микросхем. Сущность изобретения: способ изготовления k штук микросхем заключается в том, что n штук элементов устанавливают на общее диэлектрическое основание с внешними выводами. Затем наносят герметизирующий компаунд, который, обволакивая элементы, растекается по поверхности общего диэлектрического основания с внешними выводами, удерживаясь на нем за счет сил поверхностного натяжения. Сформированную таким образом единую заготовку разделяют на части, получая k штук микросхем. Техническим результатом изобретения является создание группового способа изготовления микросхем без использования формообразующей индивидуальный корпус микросхемы оснастки. 2 ил.

 

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в производстве микросхем.

В качестве прототипа выбран способ изготовления микросхем, заключающийся в том, что n штук элементов устанавливают на кристаллодержателях выводов, объединенных внешней рамкой. Кристаллодержатели выводов с элементами размещают в оснастке, имеющей k формообразующих индивидуальный корпус микросхемы полостей, которые затем заполняют герметизирующим компаундом. После этого вывода отделяют от внешней рамки, получая k штук микросхем [1].

Целью изобретения является создание группового способа изготовления микросхем без использования формообразующей оснастки.

Поставленная цель достигается тем, что n штук элементов устанавливают на общее диэлектрическое основание с внешними выводами. Под установкой элементов подразумевается их механическое закрепление на общем диэлектрическом основании и электрическое соединение с внешними выводами и между собой в соответствии с функциональным назначением микросхемы. В качестве элементов могут служить полупроводниковые кристаллы, пленочные и/или чип - электронные компоненты. Описываемый способ позволяет изготавливать одновременно, в одной группе, микросхемы с разным количеством элементов и/или различного функционального назначения. В общем случае количество элементов n≤k. Затем методом, например, окунания наносят герметизирующий компаунд так, чтобы он, обволакивая установленные элементы, растекся по поверхности общего диэлектрического основания с внешними выводами, удерживаясь на нем за счет сил поверхностного натяжения. Нанесенный подобными методами герметизирующий компаунд покрывает всю поверхность общего диэлектрического основания с внешними выводами сплошным слоем. Сформированную таким образом единую заготовку разделяют, например, резкой абразивом с помощью проволоки на части, получая k штук микросхем.

На фигуре 1 представлена последовательность технологических операций изготовления микросхем, n штук элементов 1 устанавливают на общее диэлектрическое основание 2 с внешними выводами 3. Герметизирующий компаунд 4, обволакивая установленные элементы 1, наносят на общее диэлектрическое основание 2. Сформированную таким образом единую заготовку 5, разделяют на части 6, получая k штук микросхем 7. За счет сил поверхностного натяжения верхняя часть индивидуального корпуса микросхем может быть сформирована плоской или куполообразной в зависимости от ширины общего диэлектрического основания с внешними выводами, количества нанесенного герметизирующего компаунда и его вязкости (фигура 2).

Источники информации

1. Патент США № 5317189, кл. H 01 L 23/48, 31.05.94.

Способ изготовления k штук микросхем, отличающийся тем, что n штук элементов устанавливают на общее диэлектрическое основание с внешними выводами, на поверхность которого затем наносят герметизирующий компаунд так, чтобы он, обволакивая установленные элементы, растёкся по поверхности общего диэлектрического основания с внешними выводами, удерживаясь на нём за счёт сил поверхностного натяжения, сформированную таким образом единую заготовку разделяют на части.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов и может быть использовано при создании структур "кремний на сапфире", предназначенных для изготовления дискретных приборов и интегральных схем, стойких к воздействию дестабилизирующих факторов, например к радиации.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении малогабаритных полупроводниковых датчиков давления. .

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в новом технологическом процессе: изготовлении структур кремний на изоляторе или кремний на арсениде галлия (через окисел) путем прямого соединения полупроводниковых пластин.

Изобретение относится к электроадгезионным захватам и предназначено для фиксации пластин и подложек из электропроводящих и диэлектрических материалов при обработке, ориентированном разделении на отдельные кристаллы, подготовке к операциям сборки и монтажа.

Изобретение относится к электроадгезионным захватам и предназначено для фиксации пластин и подложек из электропроводящих и диэлектрических материалов при обработке, ориентированном разделении на отдельные кристаллы, подготовке к операциям сборки и монтажа.

Изобретение относится к микроэлектронике. .

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в производстве электронных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении чувствительных элементов датчиков давлений

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и может быть использовано при изготовлении мощных СВЧ-транзисторов с использованием гетероструктур на основе нитридов III группы

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и предназначено для сборки мозаичных фотоприемных модулей. В способе формирования граней чипа для мозаичных фотоприемных модулей наносят защитное покрытие на планарную сторону приборной пластины, после чего, используя лазер, производят скрайбирование и осуществляют раскалывание приборной пластины. Защитное покрытие наносят толщиной, обеспечивающей поглощение лазерного излучения с плотностью энергии меньшей порога плавления в материале защитного покрытия и препятствование его воздействия на полупроводниковый материал. Скрайбирование, формирующее грань, осуществляют с использованием многопроходного режима. В каждом проходе приборной пластины скорость ее движения выбирают из условия отсутствия на поверхности больших зон расплава материала за счет перекрытия световых пятен от импульсного излучения, а также отсутствия уменьшения ширины канавки за счет осаждения расплава. При скрайбировании формируют канавку симметричной V-образной формы, направляя излучение по нормали к поверхности приборной пластины и получая канавку со стенками, образующими с поверхностью приборной пластины тупой угол α, или асимметричной V-образной формы, путем отклонения оптической оси лазерной системы, генерирующей требуемое излучение для скрайбирования, от нормали к поверхности приборной пластины в поперечном направлении формируемой канавки, получая канавку со стенкой со стороны чипа, образующей с поверхностью приборной пластины угол менее величины α и не более 180°-α. В результате достигается повышение эффективности преобразования изображений в мозаичном фотоприемном модуле и расширение области его применения. 5 з.п. ф-лы, 9 ил., 2 пр.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве электронных приборов. В способе изготовления полупроводникового прибора в полупроводниковой пластине прошивают переходные сквозные отверстия, поверхности отверстий, образовавшиеся сколы, лицевую и обратную поверхности полупроводниковой пластины селективно покрывают изоляционным слоем, поверх изоляционного слоя наносят металлические проводники, необходимые для проведения электротермотренировки и полного контроля всех кристаллов, после электротермотренировки и полного контроля пластину разрезают на кристаллы, годные из которых используют для корпусирования. Изобретение обеспечивает групповую электротермотренировку и полный контроль кристаллов в составе полупроводниковой пластины, что значительно удешевляет производство полупроводниковых приборов. 8 з.п. ф-лы, 5ил.

Группа изобретений касается структурного блока, имеющего в качестве линии инициирования разлома лазерный трек, который состоит из углублений, полученных от лазерного луча, для подготовки последующего разделения этого структурного блока на отдельные конструктивные элементы. Тем самым обеспечивается то, что при разделении на отдельные части разлом всегда происходит вдоль этого лазерного трека, предотвращаются разломы, отклоняющиеся от лазерного трека, и после разламывания формируются ровные и не имеющие осыпаний края излома. Причем расстояние между двумя расположенными рядом углублениями от лазера меньше или равно диаметру этих углублений от лазера, соответственно измеренному на поверхности структурного блока. При этом лазерный трек скомбинирован с выемкой в отдельном конструктивном элементе. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к способам изготовления структур высокочувствительных многоэлементных твердотельных преобразователей изображения - многоэлементных фотоприемников. Технический результат заключается в разработке надежного процесса вскрытия контактных окон при котором минимизируется вероятность замыкания металлических электродов контактных площадок с кремниевой подложкой и снижаются требования к допустимому значению поверхностного сопротивления подзатворного диэлектрика, благодаря чему обеспечивается существенное повышение выхода годных фотоприемников. Способ изготовления высокочувствительного многоэлементного твердотельного преобразователя изображения включает этап изготовления приборной пластины, этап соединения приборной пластины с пластиной-носителем, этап обработки обратной стороны приборной пластины, этап вскрытия контактных окон, этап разделения на чипы и формирования внешних выводов. На этапе вскрытия контактных окон сначала вытравливают окна в слое кремния приборной пластины, расположенные над контактными площадками, большие по размеру, чем размер контактных площадок, при этом используют преимущественно щелочные травители, а затем вскрывают контактные окна в слое диэлектрика, расположенного над контактной площадкой преимущественно методом реактивного ионного травления, используя в качестве травителей фторзамещенные углеводороды. 5 ил.
Использование: для создания сквозных микро- и субмикронных каналов в кристалле кремния. Сущность изобретения заключается в том, что способ создания сквозных микроканалов с диаметрами микронных и субмикронных размеров в кристалле кремния с помощью лазерных импульсов заключается в прошивке отверстия в кристалле кремния лазерным методом за счет наведения фокального пятна на поверхность кристалла и многоступенчатом перемещении этого пятна в направлении к входной поверхности кристалла, при этом для получения микроканалов с диаметрами микронных и субмикронных размеров в кристалле кремния используют инфракрасный фемтосекундный хром-форстерит лазер, а многоступенчатое перемещение фокального пятна в направлении к входной поверхности кристалла проводят с длиной волны излучения 1240 нм, при которой длина пробега фотона в структуре кремния равна 1 см, а энергия кванта меньше ширины запрещенной зоны. Технический результат: обеспечение возможности упрощения способа создания сквозных микро- и субмикронных каналов в кристалле кремния для создания чипов, имеющих возможность охлаждения внутренних слов структуры.

Изобретение относится к технологии производства многокристальных модулей, микросборок с внутренним монтажом компонентов. Технический результат - уменьшение трудоемкости изготовления, расширение функциональных возможностей и повышение надежности микроэлектронных узлов. Достигается тем, что в способе изготовления микроэлектронного узла на пластичном основании перед установкой бескорпусных кристаллов и чип-компонентов соединяют круглую пластину по внешней ее части с опорным металлическим кольцом, наносят тонкий слой кремнийорганического полимера. Устанавливают бескорпусные кристаллы чип-компоненты, ориентируясь на ранее сформированный топологический рисунок, герметизируют кремнийорганическим полимером, достигая толщины полимера равной высоте кольца. Удаляют основание - круглую металлическую пластину, закрепляют дополнительную круглую металлическую пластину с обратной стороны микроэлектронного узла. Проводят коммутацию методом вакуумного напыления металлов или фотолитографией. Наносят слой диэлектрика, второй слой металлизации, защитный слой кремнийорганического полимера. Наносят паяльную пасту на выходные площадки микроэлектронного узла, удаляют дополнительную круглую металлическую пластину с кольцом - проводят вырезку микроэлектронного узла из технологической оснастки. 1 ил.
Наверх