Плюмбид тантала ta3pb

Изобретение относится к химическому соединению, имеющему структуру сверхпроводника. При ионнно-плазменном распылении мишеней из свинца и тантала с последующим осаждением на перемещающуюся относительно потоков плазмы необогреваемую подложку получают в виде покрытия твердый раствор свинца в β-тантале. Его отжигают при 1150°С и давлении активных газов менее 1·10^-3 Па в течение 1 часа. Затем температуру отжига повышают не менее чем до 1650°С при выдержке 10 мин. Затем проводят охлаждение в вакууме. Получают соединение Та₃Pb. Оно имеет средний параметр объемно-центрированной кубической кристаллической решетки а_ср=0,5464, структурный тип А15, тип решетки Cr₃Si. 3 табл.

 

Изобретение относится к новому химическому соединению, а именно к плюмбиду тантала Та₃Pb, имеющего структуру, свойственную для сверхпроводников.

Структурными аналогами плюмбида тантала Та₃Pb являются сверхпроводящие соединения станнид ниобия Nb₃Sn, алюминид ниобия Nb₃Аl.

Наиболее близким к предлагаемому изобретению по назначению, структуре и аналогии свойств исходных составляющих является плюмбид ниобия (А.Ж.Тулеушев, Ю.Ж.Тулеушев, В.Н.Володин. Синтез пленок плюмбида ниобия Nb₃Pb при пониженной температуре. Физика металлов и металловедение, 2002, том 94, №4, с.77-79), получение которого включает одновременное распыление ниобия и свинца в плазме низкого давления, соосаждение их на подложку в виде твердого раствора свинца в ниобии и последующий отжиг при температуре 950-1150°С. Структуру Nb₃Pb идентифицируют по следующим межплоскостным расстояниям:

Межплоскостное расстояние (dhkl), нм	Индексы плоскостей, (hkl)
0,4219	(110)
0,2977	(200)
0,2675	(210)
0,2432	(211)
0,2102	(220)
0,1882	(310)
0,1718	(222)
0,1641	(320)
0,1601	(321)
0,1488	(400)
0,1404	(411)
0,1331	(420)
0,1295	(421)
0,1269	(332)
0,1215	(422)

при среднем параметре объемно-центрированной кубической кристаллической решетки a_cp.=0,5951 нм, структурном типе А15, типе решетки Сr₃Si.

Задачей изобретения является получение нового соединения со структурой сверхпроводника.

Поставленная задача достигается получением плюмбида тантала Та₃Pb, характеризующегося тем, что его рентгенограмма, полученная на дифрактометре ДРОН-3М под действием рентгеновских лучей с λ(СоКα)=0,179021 нм с графитовым монохроматором, представлена следующими расстояниями между плоскостями кристаллической решетки:

Межплоскостное расстояние (dhkl), нм	Индексы плоскостей, (hkl)
0,3862	(110)
0,2719	(200)
0,2242	(211)
0,1935	(220)
0,1725	(310)
0,1586	(222)
0,1360	(400)
0,1292	(411)
0,1222	(420)

Получение плюмбида тантала Та₃Pb осуществляют следующим образом. Ионно-плазменным распылением мишеней из свинца и тантала и последующим осаждением на перемещающуюся относительно потоков плазмы не обогреваемую подложку получают в виде покрытия твердый раствор свинца в β-тантале, содержащий 22-28 ат.% свинца. Твердый раствор отжигают при температуре 1150°С и давлении активных газов менее 1·10^-3 Па в течение 1 часа, затем температуру отжига повышают не менее чем до 1650°С при выдержке 10 мин, с последующим охлаждением в вакууме. После отжига получают в покрытии соединение Та₃Pb.

Идентификация соединения выполнена путем снятия рентгенограмм на дифрактометре ДРОН-3М под действием рентгеновских лучей с λ(СоКα)=0,179021 нм с графитовым монохроматором. Определены следующие межплоскостные расстояния:

Межплоскостное расстояние (dhkl), нм	Индексы плоскостей, (hkl)
0,3862	(110)
0,2719	(200)
0,2242	(211)
0,1935	(220)
0,1725	(310)
0,1586	(222)
0,1360	(400)
0,1292	(411)
0,1222	(420)

при среднем параметре объемно-центрированной кубической кристаллической решетки a_ср.=0,5464 нм, структурном типе А15, типе решетки Cr₃Si.

Таким образом, получено новое химическое соединение Та₃Pb, имеющее структуру А 15, и данные для идентификации структуры.

Плюмбид тантала Та₃Рb, характеризующийся тем, что его рентгенограмма, полученная на дифрактометре ДРОН-3М под действием рентгеновских лучей с λ(СоКα)=0,179021 нм с графитовым монохроматором, представлена следующими расстояниями между плоскостями кристаллической решетки:

Межплоскостное расстояние (dhkl), нм	Индексы плоскостей, (hkl)
0,3862	(110)
0,2719	(200)
0,2242	(211)
0,1935	(220)
0,1725	(310)
0,1586	(222)
0,1360	(400)
0,1292	(411)
0,1222	(420)