Способ изготовления фольговых тензорезисторов

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к способам изготовления фольговых тензорезисторов. Способ изготовления фольговых тензорезисторов включает соединение фольги с изоляционной основой посредством клея, нанесение на фольгу светочувствительной эмали, копирование рисунка, проявление рисунка, приварку выводов, травление фольги в растворе хлорного железа FeCl3, приготовленного путем строго последовательного введения в водный раствор азотнокислого натрия NaNO3 водного раствора водорастворимого органического полимера и водного раствора хлорного железа FeCl3 плотностью 1,4-1,42 г/см3. Травление в растворе, приготовленном таким образом, производится при температуре нормальных климатических условий, что повышает стабилизацию и выравнивание скорости травления обрабатываемой поверхности, уменьшает разброс номиналов тензорезисторов (уменьшает разброс по сопротивлению рабочего поля фольги) за счет повышения точности формирования геометрических размеров, сокращает затраты на изготовление тензорезисторов из фольги типа МНМц 40-1,5 за счет уменьшения брака и снижения энергозатрат.

 

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к способам изготовления тензорезисторов.

Известен способ изготовления тензорезисторов путем травления фольги в растворе хлорного железа [1].

Недостатком этого способа является то, что нити тензорезистора подвергаются боковому растравливанию, а это ведет к большому разбросу по сопротивлению рабочего поля фольги (разброс номиналов тензорезисторов).

Наиболее близким (прототипом) к предлагаемому техническому решению является способ изготовления фольговых тензорезисторов [2]. Согласно этому способу травление фольги осуществляется раствором хлорного железа, дополнительно содержащим 30 г/л хлористого кальция и 0,0004 г/л смачивателя марки СВ-102.

Недостатком способа является то, что процесс травления проходит при дополнительном нагревании раствора до температуры 50-65°С, при которой не нарушается адгезия (соединение) решетки с подложкой. При температуре травления ниже 50°С процесс протекает медленно, что создает большой клин травления (неравномерность) и приводит к искажению рисунка тензорезистора.

С увеличением температуры травления свыше 65°С начинается процесс резкого разложения хлорного железа с образованием осадка в виде гидрата окиси железа, что приводит к нарушению состава травильного раствора.

Задачей предлагаемого изобретения является повышение стабилизации и выравнивание скорости травления по обрабатываемой поверхности за счет снижения температуры травления, уменьшение разброса сопротивления тензорезисторов за счет повышения точности формирования геометрических размеров тензорезисторов.

Данная задача достигается тем, что в способе изготовления фольговых тензорезисторов, включающем соединение фольги с изоляционной основой посредством клея, нанесение на фольгу светочувствительной эмали, копирование рисунка, проявление рисунка, травление фольги в растворе хлорного железа и приварку выводов в качестве травильного раствора, используют раствор на основе хлорного железа FеСl3, приготовленного строго последовательным введением в 5% водный раствор азотнокислого натрия NaNO3 10% водного раствора водорастворимого органического полимера, например поливинилового спирта ПВС и водного раствора хлорного железа FеСl3 плотностью 1,4-1,42 г/см3.

Введение водорастворимого органического полимера (в частности, поливинилового спирта ПВС) [3] позволяет создать в процессе травления возле поверхности за счет адсорбции (поглощения) полимера вязкий диффузионный слой, снижающий влияние конвекции (теплообмена) на процесс травления. Тем самым обеспечивается равномерность травления по всей поверхности и снижается влияние “краевого эффекта”. Кроме того, адсорбция полимера к поверхности фоторезиста повышает его защитные свойства и приводит к “залечиванию” микродефектов, что положительно влияет на качество получаемого рисунка.

Пример. Для проведения травления при температуре нормальных климатических условий готовят травильный раствор на основе хлорного железа FеСl3. В 200 мл воды Н2О растворяют 10 г азотнокислого натрия NaNO3, затем в полученный раствор вводят 2 мл 10% водорастворимого органического полимера (поливинилового спирта ПВС) и в полученную смесь добавляют 120 мл водного раствора хлорного железа FеСl3 плотностью 1,4-1,42 г/см3.

Травление в растворе, приготовленного таким образом, производят при температуре нормальных климатических условий, что повышает стабилизацию и выравнивание скорости травления фольговых тензорезисторов, уменьшает разброс номиналов тензорезисторов (уменьшает разброс по сопротивлению рабочего поля фольги) за счет повышения точности формирования геометрических размеров тензорезисторов и сокращает затраты на изготовление тензорезисторов из фольги типа МНМц 40-1,5 за счет сокращения брака продукции.

Источники информации

1. СССР, А.С. № 1633776, МПК G 01 В 7/20, опубл. 1964.

2. СССР, А.С. № 905629, МПК G 01 В 7/20, опубл. 15.02.82, бюл.6.

3. Липкин Я.Н., Бершадская Т.М. Химическое полирование металлов. М., "Машиностроение", 1988 (с.42-43).

Способ изготовления фольговых тензорезисторов, включающий соединение фольги с изоляционной основой посредством клея, нанесение на фольгу светочувствительной эмали, копирование рисунка, проявление рисунка, травление фольги в растворе хлорного железа и приварку выводов, отличающийся тем, что в качестве травильного раствора используют раствор на основе хлорного железа FeCl3, приготовленного строго последовательным введением в 5% водный раствор азотнокислого натрия NаNО3 10% водного раствора водорастворимого органического полимера и водного раствора хлорного железа FеСl3 плотностью 1,4÷1,42 г/см3 в соотношении:

NaNO3 (5% водный раствор) 180÷220 мл

Водорастворимый органический полимер

(10% водный раствор) 1,8÷2,2 мл

FеСl3 (водный раствор γ=1,4÷1,42 г/ см3) 108÷132 мл



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения перемещений и деформаций объектов в результате, например, тепловых и упругих и других возмущающих воздействий.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при настройке тензорезисторных датчиков с мостовой измерительной цепью по аддитивной температурной погрешности.

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых высокочувствительных преобразователей деформации.

Изобретение относится к измерительной технике и может применяться при экспериментальных исследованиях напряженно-деформированного состояния конструкций при нормальных температурах.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при измерении деформаций и напряжений на поверхности деталей машин, подвергающихся циклическому нагружению.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при измерении деформаций и напряжений на поверхности деталей машин, подвергающихся циклическому нагружению.

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к способам контроля качества изготовления конструкций из композиционных материалов

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к способам определения возможности использования тензорезисторных датчиков при нестационарных температурных режимах, и может быть использовано при разработке и изготовлении датчиков с мостовой измерительной цепью

Изобретение относится к измерительной технике и может применяться для исследования напряженно-деформированного и теплового состояния различных конструкций, агрегатов и сооружений

Изобретение относится к области измерения микроперемещений и может использоваться для регистрации ползучих и динамических инфрапроцессов как естественного, так и искусственного происхождения, например, сейсмопроцессов или инфразвуковых и гравитационных волн

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при настройке тензорезисторных датчиков с мостовой измерительной цепью по температурной погрешности

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при настройке тензорезисторных датчиков с мостовой измерительной цепью по аддитивной температурной погрешности

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к настройке тензорезисторных датчиков с мостовой измерительной цепью по аддитивной температурной погрешности

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в устройствах, применяемых для измерения давления, деформации и силы
Наверх