Способ получения шихты для выращивания монокристаллов с вюрцитной структурой

Изобретение относится к химической технологии, а именно к технологии приготовления поликристаллической шихты для выращивания оксидных монокристаллов с вюрцитной структурой состава LiMeO2, использующихся для изготовления подложек для эпитаксиального роста нитрида галлия. Способ получения шихты для выращивания монокристаллов с вюрцитной структурой состава LiMeO2 включает смешивание оксида металла, входящего в состав формулы монокристалла, с карбонатом лития, взятых в стехиометрическом соотношении, и спекание в тигле. Перед смешиванием соединения элементов, входящих в состав формулы монокристалла LiMeO2, где Me - алюминий или галлий, предварительно подвергают измельчению до размера частиц не более 2 мкм и нагреванию в пределах устойчивости этих соединений, а спекание осуществляют при температуре, составляющей 87-88% от температуры плавления соответствующего монокристалла, в течение 6 часов в алундовом тигле. Изобретение позволяет получать шихту в компактном рациональном виде - в форме профилированных таблеток любого диаметра, равного диаметру тигля для выращивания высококачественных монокристаллов состава LiMeO2. 1 табл.

 

Данное изобретение относится к получению поликристаллической шихты для выращивания оксидных монокристаллов из расплавов, а именно монокристаллов с вюрцитной структурой состава LiMeO2 - перспективных материалов для изготовления подложек для эпитаксиального роста нитрида галлия.

Известен способ получения соединений с вюрцитной структурой, например метаалюмината лития, путем спекания карбоната лития с оксидом алюминия в расплаве карбонатов натрия и калия эвтектического состава (Kinoshita B.A., Sim W., Askerman J.P. Preparation and characterization of Li-auminate//Mat. Ress. Bull. 1978. V.13. N.5. P.445-455). Bpeмя синтеза при 640°С составляет 72 ч. Недостатком данного способа получения метаалюмината лития является невозможность получения его в компактном виде, продолжительное время синтеза, а также загрязнение калием и натрием, которые являются нежелательными примесями при выращивании монокристаллов метаалюмината лития.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к заявляемому изобретению является способ получения моноалюмината лития с вюрцитной структурой путем спекания карбоната лития с оксидом алюминия (Н.А.Lеnmann, H.Hesselbarth. Uber eine neue Modifikation des LiAlO2// Z.Anorg. Allgem.Chem. 1961. Bd. 313. S.117-120). По этому способу спекание соединений проводят при температуре 600°С в течение длительного времени 86-120 часов. Недостатком данного способа является низкая температура синтеза, что не позволяет получить поликристаллическую шихту в компактном рациональном виде.

Технической задачей предлагаемого изобретения является создание высокопроизводительного, экономически выгодного способа получения шихты в компактном рациональном виде - в форме профилированных таблеток любого диаметра с целью выращивания высококачественных монокристаллов с вюрцитной структурой состава LiMeO2, использующихся для изготовления подложек для эпитаксиального роста нитрида галлия.

Указанная техническая задача решается за счет того, что в известном способе получения шихты для выращивания монокристаллов с вюрцитной структурой состава LiMeO2, включающем смешивание оксида металла, входящего в состав формулы монокристалла, с карбонатом лития (Li2CO3), взятых в стехиометрическом соотношении, и термообработку в тигле, перед смешиванием соединения элементов, входящих в состав формулы монокристалла LiMeO2, где Me - алюминий (Al) или галлий (Ga), предварительно подвергают измельчению до размера частиц не более 2 мкм и нагреванию в пределах устойчивости этих соединений, а спекание осуществляют при температуре, составляющей 87-88% от температуры плавления соответствующего монокристалла в течение 6 часов в алундовом тигле.

Сопоставительный анализ предполагаемого изобретения с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что перед смешиванием соединения элементов, входящих в состав формулы монокристалла LiMeO2, где Ме - Аl (алюминий) или Ga (галлий), подвергают измельчению до размера частиц не более 2 мкм и нагреванию в пределах устойчивости этих соединений, а спекание осуществляют при температуре, составляющей 87-88% от температуры плавления соответствующего монокристалла, в течение 6 часов в алундовом тигле.

Предварительное измельчение соединений карбоната лития Li2CO3 и оксида металла Аl2О3 или Ga2О3 до смешивания позволяет увеличить площадь взаимодействия реагирующих частиц, что в конечном итоге увеличивает скорость синтеза соединений, тем самым увеличивает производительность процесса. Измельчение соединений до размера частиц не более 2 мкм обеспечивает оптимальные результаты. Недостаточное измельчение частиц, а именно до размера более 2 мкм, замедляет скорость взаимодействия этих частиц или увеличивает время, необходимое для этого взаимодействия, а это экономически невыгодно.

После измельчения, соединения элементов, перед смешиванием, каждый по отдельности, подвергают нагреванию в пределах устойчивости каждого из них, достигая верхней границы этого предела и не превышая его, что предотвращает последующее нарушение стехиометрии расплава, а следовательно, обуславливает исключение выращивания некондиционных кристаллов. Нагревание до температуры выше предела устойчивости хотя бы одного из них приводит к нарушению стехиометрии расплава при наплавлении синтезированной шихты, что в конечном итоге ухудшает качество выращиваемых монокристаллов.

Спекание смесей карбоната лития с оксидом алюминия (Li2СО3+Аl2О3) или карбоната лития с оксидом галлия (Li2СО3+Ga2O3) при температурах, составляющих 87-88% от температуры плавления соответствующего кристалла, позволяет предотвратить расплавление шихты на стадии ее синтеза, а следовательно, ее взаимодействие со стенками тигля, и позволяет получать ее в рациональном компактном виде - в форме профилированных таблеток. Спекание смесей при температурах ниже нижнего предельного значения не позволяет получать шихту в компактном виде в форме профилированных таблеток диаметром 86-100 мм, а следовательно, обеспечить полную загрузку тигля, из которого осуществляется последующий рост соответствующего монокристалла. Спекание же смесей при более высокой температуре, выше верхнего предельного значения, приводит к прилипанию их к стенкам тигля, что свидетельствует о начале их взаимодействия с материалом тигля, и, как следствие этого, происходит загрязнение полученной шихты и последующий рост некачественных кристаллов.

Спекание смесей в течение 6 часов достаточно для получения шихт в рациональном экономическом виде в форме профилированных таблеток металюмината лития - LiAlO2 или метагаллата лития - LiGaO2 диаметром 86-100 мм, которые позволяют при выращивании соответствующих монокристаллов получать более качественные кристаллы за счет исключения нарушения стехиометрического состава шихт.

Спекание смесей менее 6 часов не дает возможности получать таблетированную шихту (таблетки рассыпаются), обуславливающую высокое качество выращиваемых кристаллов, а выдержка более 6 часов экономически нецелесообразна.

Пример конкретного выполнения.

Исходные соединения элементов - карбонат лития (Li2СО3) и оксид металла, входящий в состав формулы монокристаллов - оксид алюминия (Аl2О3) или оксид галлия (Ga2О3) до смешивания, каждый по отдельности, подвергают измельчению до размера частиц не более 2 мкм, а затем нагреванию в пределах устойчивости этих соединений. Нагревание карбоната лития проводят при температуре в пределах устойчивости этого соединение, достигая его верхней границы - 100°С, чтобы исключить разложение на оксид лития и углекислый газ. Нагревание оксида алюминия и оксида галлия проводят, нагревая соеднение до температуры 600°С, при которой данные оксиды устойчивы. После предварительной обработки соединений готовят 1240,4 г смеси (масса каждой их трех таблеток), содержащей карбонат лития и соответствующий оксид металла в стехиометрическом соотношении 1:1. Смесь тщательно перемешивают в полиэтиленовой банке с использованием смесителя типа “пьяная бочка”. Затем смесь загружают в алундовый тигель, а именно в пространство между его внутренними стенками и алундовой трубкой, установленной в центральной части тигля. Подготовленный тигель со смесью соединений подвергают спеканию при температуре, составляющей 87-88% от температуры плавления соответствующего получаемого монокристалла (метагаллата или метаалюмината лития), в течение 6 часов. В результате получаем профилированные таблетки шихты для выращивания монокристаллов метаалюмината или метагаллата лития с вюрцитной структурой. Результаты опытов сведены в таблицу.

Предложен высокопроизводительный, экономически выгодный способ получения шихты для выращивания монокристаллов с вюрцитной структурой состава LiMeO2, где Me - Al или Ga, позволяющий:

- получать профилированные таблетки качественной шихты необходимой массы и размеров при выращивании из него монокристалла;

- избежать нарушения стехиометрии расплава, так как синтезированные таблетки полностью используются при наплавлении их в иридиевый тигель для последующего выращивания монокристаллов, а следовательно, получать однородные по своему составу монокристаллы для изготовления подложек для эпитаксиального роста нитрида галлия.

Способ получения шихты для выращивания монокристаллов с вюрцитной структурой состава LiMeO2, включающий смешивание оксида металла, входящего в состав формулы монокристалла, с карбонатом лития, взятых в стехиометрическом соотношении и спекание в тигле, отличающийся тем, что перед смешиванием соединения элементов, входящих в состав формулы монокристалла LiMeO2, где Ме - алюминий или галлий, предварительно подвергают измельчению до размера частиц не более 2 мкм и нагреванию в пределах устойчивости этих соединений, а спекание осуществляют при температуре, составляющей 87-88% от температуры плавления соответствующего монокристалла, в течение 6 ч в алундовом тигле.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологиям производства объемных монокристаллов и может быть использовано при управляемом раствор-расплавном выращивании кристаллов веществ, например сложных окислов.

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов тугоплавких многокомпонентных соединений из расплава методом Чохральского. .
Изобретение относится к способам получения поликристаллических керамических материалов на основе оксидов и может быть использовано в металлургии, химии, машиностроении, энергетике и т.п.

Изобретение относится к способу и устройству для выращивания монокристалла высокого качества. .

Изобретение относится к области новых высокопрочных материалов на основе диоксида циркония, которые могут быть использованы для производства изделий, работающих при повышенных нагрузках, а также как износостойкие режущие инструменты в медицинской технике.

Изобретение относится к материалам для лазерной техники, а именно к монокристаллическим материалам, предназначенным для получения активных элементов твердотельных лазеров.
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов сверхпроводниковых соединений для производства устройств сверхпроводниковой электроники. .
Изобретение относится к получению нового сложного оксида на основе иттрия и алюминия, являющегося перспективным материалом для оптоэлектроники. .

Изобретение относится к кристаллам для нелинейной оптики. .

Изобретение относится к твердофазному синтезу шихты для выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно к способу твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата методом Чохральского.

Изобретение относится к сцинтилляционным материалам и может быть использовано в ядерной физике, медицине и нефтяной промышленности для регистрации и измерения рентгеновского, гамма- и альфа-излучений; неразрушающего контроля структуры твердых тел; трехмерной позитрон-электронной и рентгеновской компьютерной томографии и флюорографии.

Изобретение относится к сцинтилляционным материалам и может быть использовано в ядерной физике, медицине и нефтяной промышленности для регистрации и измерения рентгеновского, гамма- и альфа-излучений; неразрушающего контроля структуры твердых тел; трехмерной позитрон-электронной и рентгеновской компьютерной томографии и флюорографии.
Изобретение относится к способам получения поликристаллических керамических материалов на основе оксидов и может быть использовано в металлургии, химии, машиностроении, энергетике и т.п.

Изобретение относится к области синтеза сверхтвердых материалов, в частности к получению материала на основе алмаза, используемого для изготовления обрабатывающего инструмента.

Изобретение относится к получению полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния осаждением на нагретые основы в процессе водородного восстановления хлорсиланов или из газовой фазы моносилана.

Изобретение относится к получению полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния осаждением на нагретые подложки (основы) в процессе водородного восстановления хлорсиланов или из газовой фазы моносилана.

Изобретение относится к получению полупроводниковых материалов, в частности к получению стержней поликристаллического кремния как исходного сырья для выращивания монокристаллов кремния.

Изобретение относится к области новых высокопрочных материалов на основе диоксида циркония, которые могут быть использованы для производства изделий, работающих при повышенных нагрузках, а также как износостойкие режущие инструменты в медицинской технике.

Изобретение относится к области получения поликристаллических тел из газовой фазы и может быть использовано для получения изделий из металлов, в частности из кальция или магния, имеющих высокое давление паров.

Изобретение относится к изготовлению легированных монокристаллов или поликристаллов кремния, применяемых в производстве солнечных батарей (модулей), интегральных схем и других полупроводниковых устройств
Наверх