Способ изготовления блока арматуры газоразрядной индикаторной панели

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве газоразрядных индикаторных панелей (ГИП). Технический результат - равномерность межэлектродного расстояния в ячейках ГИП. Обеспечивается за счет того, что межэлектродное расстояние образуют формированием диэлектрической матрицы высотой 0,25÷0,75 межэлектродного расстояния и нанесением на нее параллельных разделительных диэлектрических элементов. 1 ил.

 

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве газоразрядных индикаторных панелей (ГИП).

Известен способ изготовления блока арматуры ГИП, в котором на диэлектрическую пластину первоначально наносят методом трафаретной печати электроды, затем многослойное диэлектрическое покрытие и на электроды (аноды) люминофорное покрытие [патент США №4023876, кл. 316-9, 1977 г.].

К недостаткам указанного способа следует отнести многослойность покрытий, обуславливающую высокую трудоемкость и техническую сложность изготовления.

Известен способ изготовления блока арматуры ГИП, включающий формирование на диэлектрической пластине первых проводников разделительных диэлектрических элементов методом трафаретной печати и люминофорных элементов [заявка Франции №2211744, кл. H01J 17/49, 1985 г.].

Недостатком данного способа является то, что при изготовлении блока арматуры ГИП с проволочными электродами последние в зоне разделительных диэлектрических элементов, изготовленных методом трафаретной печати, не покрываются полностью диэлектрической пастой, в результате чего не обеспечивается надежная изоляция ячеек ГИП.

Наиболее близким к предлагаемому способу является способ изготовления блока арматуры ГИП, заключающийся в формировании на диэлектрической пластине первой диэлектрической матрицы и люминофорных элементов, формировании на первой диэлектрической матрице второй диэлектрической матрицы с пазами, в которые наматывают первые проводники, формировании на второй диэлектрической матрице третьей диэлектрической матрицы, наматывании вторых проводников ортогонально первым проводникам [патент РФ №2214017, кл. H01J 9/02, 9/18, 2003 г. - прототип].

Данный способ позволяет изготавливать ГИП с ячейками, надежно изолированными друг от друга, но не обеспечивает получение заданного межэлектродного расстояния в ячейках ГИП.

Задачей данного изобретения является создание способа изготовления блока арматуры ГИП, обеспечивающего формирование заданного межэлектродного расстояния в ячейках ГИП.

Указанный технический эффект при осуществлении изобретения достигается тем, что в известном способе изготовления блока арматуры ГИП, заключающемся в формировании на диэлектрической пластине первой диэлектрической матрицы и люминофорных элементов, формировании на первой диэлектрической матрице второй диэлектрической матрицы с пазами, в которые наматывают первые проводники, формировании на второй диэлектрической матрице третьей диэлектрической матрицы, наматывании вторых проводников ортогонально первым проводникам, на третью диэлектрическую матрицу толщиной 0,25÷0,75 величины межэлектродного расстояния наносят параллельно первым проводникам разделительные диэлектрические элементы, образующие с третьей диэлектрической матрицей межэлектродное расстояние, и наматывают на разделительные диэлектрические элементы вторые проводники.

Формирование межэлектродного расстояния путем поочередного нанесения матричной структуры толщиной 0,25÷0,75 межэлектродного расстояния и параллельных разделительных диэлектрических элементов позволяет получить ячейки ГИП с одинаковыми межэлектродными расстояниями.

Проведенный заявителем анализ уровня техники, включающий поиск по патентным и научно-техническим источникам информации и выявление источников, содержащих сведения об аналогах заявленного изобретения, позволяет установить, что заявителем не обнаружен аналог, характеризующийся признаками, идентичными признакам заявленного изобретения, а определение из перечня выявленных аналогов прототипа как наиболее близкого по совокупности признаков аналога позволило выявить совокупность существенных по отношению к усматриваемому заявителем техническому результату отличительных признаков в заявленном объекте, изложенных в формуле изобретения.

Следовательно, заявленное изобретение соответствует требованию «новизна».

Для проверки соответствия заявленного изобретения требованию изобретательского уровня был проведен дополнительный поиск известных решений с целью выявления признаков, совпадающих с отличительными от прототипа признаками заявленного изобретения, результаты которого показывают, что заявленное изобретение не следует для специалиста явным образом из известного уровня техники, так как не выявлены технические решения, в которых высокая равномерность межэлектродного расстояния в ячейках ГИП обеспечивалась бы за счет того, что межэлектродное расстояние в ячейках образовано путем формирования матричной структуры и параллельных разделительных диэлектрических элементов, толщины которых выбирают согласно заданному соотношению.

Следовательно, заявленное изобретение соответствует требованию «изобретательский уровень».

Предлагаемое изобретение поясняется чертежом. На чертеже представлены основные этапы процесса изготовления блока арматуры ГИП.

На диэлектрической пластине 1 (фиг.1) формируют первую диэлектрическую матрицу 2 (чертеж а). Затем последовательно формируют люминофорные элементы 3 на диэлектрической пластине 1 в отверстиях первой диэлектрической матрицы 2 и вторую диэлектрическую матрицу 4 с пазами 5 на первой диэлектрической матрице 2 (чертеж б). После этого в пазы 5 второй диэлектрической матрицы 4 наматывают первые проводники 6 (чертеж в) и формируют на второй диэлектрической матрице 4 третью диэлектрическую матрицу 7 толщиной 0,25÷0,75 величины межэлектродного расстояния, на которую параллельно первым проводникам 6 наносят разделительные диэлектрические элементы 8, образующие с третьей диэлектрической матрицей 7 межэлектродное расстояние (чертеж г). Затем на разделительные диэлектрические элементы 8 наматывают ортогонально первым проводникам 6 вторые проводники 9 (чертеж д).

Образование межэлектродного расстояния известным способом путем формирования диэлектрических матриц приводит к большому разбросу величины межэлектродного расстояния как в пределах одной ячейки, так и по всему полю индикации. Следствием этого является то, что в группе ячеек, расположенных вдоль проводников, например, катодов в процессе работы ГИП при низких и средних яркостях свечения ячеек, наблюдаются темные полосы. Данный недостаток вызван тем, что в этих зонах катоды не покрыты полностью свечением разряда из-за увеличения величины межэлектродного расстояния.

Исключение разброса величины межэлектродного расстояния достигается за счет того, что при формировании межэлектродного расстояния на третью диэлектрическую матрицу толщиной 0,25÷0,75 межэлектродного расстояния наносят разделительные диэлектрические элементы в виде ребер, которые технологически просто формируются с высокой точностью.

Экспериментально установлено, что толщина третьей диэлектрической матрицы, используемой для формирования межэлектродного расстояния, должна составлять 0,25÷0,75 от величины межэлектродного расстояния.

Если толщина третьей диэлектрической матрицы будет меньше 0,25 от величины межэлектродного расстояния, то при формировании разделительных диэлектрических элементов на третьей диэлектрической матрице, проводимом в направлении, ортогональном первым проводникам, происходит «неуправляемое» попадание диэлектрической пасты на люминофорные элементы, что приводит к их «загрязнению» и, как следствие, к снижению яркости и большому ее разбросу от ячейки к ячейке.

Если при формировании межэлектродного расстояния толщина третьей диэлектрической матрицы будет больше 0,75 межэлектродного расстояния, то не удается полностью выравнить величину межэлектродного расстояния в ячейках по полю индикации ГИП, в результате чего появляются темные полосы при работе ГИП в режиме низких и средних яркостей.

Пример конкретного выполнения.

На стеклопластине размером 200×200×3 мм через сетчатый трафарет формируют первую диэлектрическую матрицу толщиной 0,06 мм с отверстиями размером 2,5×2,5 мм, шагом 3 мм в количестве 64×64 элемента. Диэлектрические матрицы и разделительные диэлектрические элементы выполняют из пасты, включающей порошки легкоплавкого стекла С82-3 и алунда в соотношении 60: 40 и органическое связующее на основе этилцеллюлозы в количестве 20%. После сушки первой диэлектрической матрицы в ее отверстиях на стеклопластине формируют люминофорзы в количестве 20%. После сушки первой диэлектрической матрицы в ее отверстиях на стеклопластине формируют люминофорные элементы толщиной 0,07 мм. После чего на первой диэлектрической матрице через сетчатый трафарет формируют вторую диэлектрическую матрицу толщиной 0,08 мм с пазами глубиной 0,08 мм и длиной 1,7 мм с шагом 3 мм в направлении первых проводников. Проводят сушку и наматывают первые проводники из проволоки 47 НХР диаметром 0,12 мм таким образом, чтобы в каждом пазу было равномерно расположено по 3 витка проволоки. Затем также через сетчатые трафареты формируют третью матрицу толщиной 0,125 мм и на ней параллельно первым проводникам формируют первые разделительные диэлектрические элементы толщиной 0,125 мм. Проводят термообработку при температуре 500°С и наматывают на разделительные диэлектрические элементы ортогонально первым проводникам вторые проводники из проволоки 47 НХР диаметром 0,12 мм по одному витку проволоки, при этом межэлектродное расстояние составляет 0,25 мм.

В ГИП, включающей блок арматуры, изготовленный согласно указанному способу, разброс межэлектродного расстояния в ячейках и по полю индикации не превышает 5 мкм. Темные полосы в процессе работы ГИП отсутствуют.

Таким образом, предложенное изобретение позволяет создать блоки арматуры ГИП высокого качества, повышая тем самым качество ГИП, изготавливаемых на их основе.

Способ изготовления блока арматуры ГИП, заключающийся в формировании на диэлектрической пластине первой диэлектрической матрицы и люминофорных элементов, формировании на первой диэлектрической матрице второй диэлектрической матрицы с пазами, в которые наматывают первые проводники, формировании на второй диэлектрической матрице третьей диэлектрической матрицы, наматывании вторых проводников ортогонально первым проводникам, отличающийся тем, что на третью диэлектрическую матрицу толщиной 0,25÷0,75 величины межэлектродного расстояния наносят параллельно первым проводникам разделительные диэлектрические элементы, образующие с третьей диэлектрической матрицей межэлектродное расстояние, и наматывают на разделительные диэлектрические элементы вторые проводники.