Способ уменьшения фона в ионном источнике тлеющего разряда

Использование: в масс-спектрометрии при элементном анализе твердых веществ, газов и жидкостей с высокой чувствительностью. Техническим результатом изобретения является увеличение производительности и чувствительности анализа. Сущность изобретения: в способе уменьшения уровня фона ионного источника тлеющего разряда, содержащего полый катод, включающем уменьшение интенсивности десорбции загрязнений с поверхности деталей разрядной камеры путем снижения плотности плазмы в разрядной камере при уменьшении давления плазмообразующего газа. Новым является то, что в качестве полого катода используют катод, изготовленный из геттерного материала, и распыляют его в разрядной камере непосредственно перед анализом образца. В качестве геттерного материала могут быть использованы тугоплавкие металлы с минимальным числом изотопов, например Та, Nb, Со. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

 

Изобретение относится к области аналитической химии, к анализу чистых веществ, и может быть использовано в масс-спектрометрии тлеющего разряда при элементном анализе твердых веществ, газов и жидкостей с высокой чувствительностью.

В ионном источнике тлеющего разряда происходит трансформация анализируемого вещества в ионы. Основной недостаток такого источника - очень высокий уровень фона газов и углеводородов. Этот фон ограничивает чувствительность элементного анализа.

Для снижения уровня фона применяется длительное распыление анализируемого образца в разрядной камере при ее непрерывной откачке и охлаждение источника до температуры жидкого азота (Inorganic Mass Spectrometry. Ed. by: F.Adams, R.Gijbels, R. van Grieken. Chemical Analysis v.95. J.Wiley & Sons, 1988. стр.85). Этот метод позволяет уменьшить уровень фона приблизительно на порядок, но резко снижает производительность анализа.

Известен способ уменьшения уровня фона за счет уменьшения интенсивности десорбции загрязнений с поверхности деталей разрядной камеры путем снижения плотности плазмы в разрядной камере уменьшением давления плазмообразующего газа. Это уменьшение достигается сужением вершины полого катода, для чего было предложено на вершину полого катода устанавливать колпачок с отверстием. (РФ патент 2211502, МПК 7 H 01 J 27/02, опуб. 27.08.2003, бюлл.24.). При этом в полом катоде вблизи отверстия образуется плазменная «пробка», которая обеспечивает перепад давлений плазмообразующего газа между разрядной камерой и полым катодом. В результате разряд сосредотачивается в катодной полости, его интенсивность вне катода уменьшается.

Плазменная «пробка» позволяет уменьшить уровень фона воды, газовых примесей и углеводородов приблизительно на порядок, но для элементного анализа веществ с высокой чувствительностью этого недостаточно.

Высокий уровень фона источника обусловлен адсорбцией газов, воды и углеводородов на поверхности деталей при подготовке источника и образца к анализу.

При возникновении тлеющего разряда низкотемпературная плазма «лижет» внутренние поверхности разрядной камеры и десорбирует слабо связанные с поверхностью адсорбированные загрязнения.

Изобретение решает задачу уменьшения фона ионного источника тлеющего разряда, техническим результатом которой является увеличение производительности и чувствительности анализа.

Поставленная задача решается тем, что в известном способе уменьшения уровня фона ионного источника тлеющего разряда, содержащего полый катод, включающем уменьшение интенсивности десорбции загрязнений с поверхности деталей разрядной камеры путем снижения плотности плазмы в разрядной камере при уменьшении давления плазмообразующего газа, новым является то, что в качестве полого катода используют катод, изготовленный из геттерного материала, и распыляют его в разрядной камере непосредственно перед анализом образца.

При распылении геттерного металла его атомы осаждаются на внутренних поверхностях разрядной камеры и связываются с атомами и молекулами газовых примесей, воды и углеводородов. При этом образуются химические соединения: нитриды, оксиды, карбиды с большой энергией связи. Энергия, которую получают ионы в низкотемпературной плазме тлеющего разряда, недостаточно, чтобы разорвать эту связь. В результате резко уменьшается скорость поступления в плазму загрязнений, адсорбированных на внутренних поверхностях разрядной камеры.

Совместное использование эффекта плазменной «пробки» и распыления геттерного металла в разрядной камере позволяет уменьшить уровень фона воды, газовых примесей и углеводородов на четыре порядка. При этом нет необходимости в охлаждении разрядной камеры источника жидким азотом. Это позволяет значительно увеличить производительность анализа.

С точки зрения масс-спектрометрии наиболее целесообразно использовать в качестве геттерного металла тугоплавкие металлы с минимальным числом изотопов - Та, Nb, Co.

Изобретение иллюстрируется, но не исчерпывается следующим примером:

Пример 1. Измерение фона проводилось в ионном источнике тлеющего разряда, содержащего полый катод, с внутренним диаметром 15 мм, изготовленный из ниобия. На вершине полого катода имеется колпачок с отверстием 12 мм, благодаря которому вблизи отверстия возникает плазменная «пробка».

На фиг.1 приводится масс-спектр стандартного источника тлеющего разряда при низкой чувствительности системы регистрации. Наблюдаются интенсивные линии газовых примесей и углеводородов с характерной для них периодичностью. Линия с м/е=19 (Н3O) по интенсивности близка к линии плазмообразующего газа - аргона. Также велика интенсивность линии с м/е=29 (N2Н). С увеличением чувствительности системы регистрации линии углеводородов той или иной интенсивности появляются на каждой масс-спектральной линии даже в области тяжелых масс. При этом образуются мультиплеты. Для их разделения необходимо увеличивать разрешающую способность масс-анализатора, что всегда связано с потерей чувствительности.

Пример 2. Измерение фона проводилось в ионном источнике тлеющего разряда, содержащего полый катод, с внутренним диаметром 15 мм, изготовленный из тантала. На вершине полого катода имеется колпачок с отверстием 12 мм, благодаря которому вблизи отверстия возникает плазменная «пробка».

Перед получением масс-спектра в полом катоде зажигался тлеющий разряд при токе разряда 100 мА. Разряд продолжался в течение 10 мин. Затем был сделан масс-спектр, приведенный на фиг.2. Чувствительность системы регистрации при получении обоих масс-спектров была одинаковой. Интенсивность линий газовых примесей и углеводородов резко уменьшилась.

Проведенные измерения показали, что уровень фона воды, газовых примесей и углеводородов упал на четыре порядка. Подавляющее число линий в масс-спектре относится к аргону и его изотопам (линии с м/е=36-42 - это аргон и гидрид аргона, м/е=20 - двухзарядный аргон, м/е=80 - молекулярный аргон, линия с м/е=27 - алюминий, м/е=63, 65 - медь - материалы, из которых сделаны детали источника и образец).

Использование предлагаемого изобретения открывает возможность стыковать ионный источник тлеющего разряда с времяпролетными и квадрупольными анализаторами низкого разрешения, что позволяет существенно уменьшить стоимость аналитических приборов. Источник позволяет также автоматизировать анализ веществ и увеличить производительность анализа.

1. Способ уменьшения уровня фона ионного источника тлеющего разряда, содержащего полый катод, включающий уменьшение интенсивности десорбции загрязнений с поверхности деталей разрядной камеры путем снижения плотности плазмы в разрядной камере уменьшением давления плазмообразующего газа, отличающийся тем, что в качестве полого катода используют катод, изготовленный из геттерного материала, и распыляют его в разрядной камере непосредственно перед анализом образца.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве геттерного металла используют тугоплавкие металлы с минимальным числом изотопов, например Та, Nb, Co.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к ионно-плазменной технике, в частности к источникам ионов с замкнутым дрейфом электронов, которые могут быть использованы при конструировании источников, формирующих ленточные пучки ионов инертных и химически активных газов.

Изобретение относится к технике получения низкотемпературной плазмы в больших вакуумных объемах. .

Изобретение относится к клапанам и предназначено преимущественно для быстрого и точного регулирования газовой среды накопительных камер инжекторов холодной плазмы, в реакторах для синтеза легких ядер, при давлении газа на входе клапана не более 10 мм ртутного столба.

Изобретение относится к области ускорительной техники и может быть использовано для формирования высокоэнергетичных пучков многозарядных ионов различных элементов в установках для ионной имплантации, а также в качестве инжекторов ускорителей тяжелых ионов.

Изобретение относится к плазменной технике, а более конкретно к устройствам, предназначенным для получения интенсивных пучков ионов, которые могут использоваться в ионно-лучевых технологиях.

Изобретение относится к устройствам электронно-ионной технологии, в частности к газоразрядным устройствам для ионной очистки и травления материалов, и может найти применение при изготовлении элементной базы микроэлектроники из многокомпонентных материалов.

Изобретение относится к ионным источникам для циклотронов (внутренним, закрытого типа) и может использоваться в циклотронной технике. .

Изобретение относится к оптике заряженных частиц и может быть использовано в энерго- и масс-анализе

Изобретение относится к технике формирования ионных пучков с широкой апертурой пучка ионов, а именно к источникам ионов на основе основного и вспомогательного разрядов

Изобретение относится к физике взаимодействия ускоренных частиц с поверхностью вещества и может быть использовано для создания источника нанокластеров металлов, физические свойства которых обусловливают их широкое применение в науке и технике

Изобретение относится к технике генерации пучков отрицательных ионов и может быть использовано в ускорителях заряженных частиц, системах нагрева плазмы и других устройствах

Изобретение относится к инжекционной технике, применяемой для создания мощных ионных пучков

Изобретение относится к плазменной технике, а именно к источникам получения пучка ионов, и может быть использовано в ионно-лучевых технологиях для модификации поверхностей изделий и для нанесения на них тонких пленок SiC, AIN, твердых растворов на их основе и т.д

Изобретение относится к технике получения электронных и ионных пучков и может быть использовано в электронных и ионных источниках, генерирующих пучки с большим поперечным сечением

Изобретение относится к физике взаимодействия ионов с поверхностью вещества

Изобретение относится к области приборостроения. Технический результат - увеличение светосилы ионного источника тлеющего разряда за счет уменьшения диффузионных потерь ионов в разрядной камере. Источник тлеющего разряда содержит размещенные с зазором и соосно цилиндрические полый анод, имеющий профилированную донную часть, и полый катод, размещенный в полости анода со стороны его открытого торца, совместно образующие разрядную камеру. Выходом камеры является осевое отверстие для вытягивания ионов и откачки, образованное в донной части полого анода. Профиль донной части анода выполнен с возможностью одновременной самофокусировки электронного потока из полого катода в зону осевого отверстия разрядной камеры и формирования параболического электрического поля на выходе из камеры, при этом донная часть анода, обращенная внутрь камеры, имеет форму выпуклого конуса, а обращенная наружу - поверхность вогнутой сферической формы. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области плазменных двигателей. Устройство содержит, по меньшей мере: один главный кольцевой канал (21) ионизации и ускорения, при этом кольцевой канал (21) имеет открытый конец, анод (26), находящийся внутри канала (21), катод (30), находящийся снаружи канала на его выходе, магнитную цепь (4) для создания магнитного поля в части кольцевого канала (21). Магнитная цепь содержит, по меньшей мере, кольцевую внутреннюю стенку (22), кольцевую наружную стенку (23) и дно (8), соединяющее внутреннюю (22) и наружную (23) стенки и образующее выходную часть магнитной цепи (4), при этом магнитная цепь (4) выполнена с возможностью создания на выходе кольцевого канала (21) магнитного поля, не зависящего от азимута. Технический результат - повышение вероятности ионизирующих столкновений между электронами и атомами инертного газа. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 6 ил.
Наверх