Способ определения экспозиции засветки фоторезистов

Авторы патента:

H01L21/3105 - последующая обработка

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

23239!

Союз Советскиз

Социалистических

Республик. -;1-;

1,л. 21g, 11/02

Зав11симос от авт, свидетельства М

Заявлено 19.IX.1967 (№ 1184237(26-25) с присоединением заявки МвЂ”

Приоритет

МПК Н 01l Д1 621.384.4(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Опубликовано 11.XI 1.1968. Бюллетень Л 1 за 1969 г.

Дата опубликования описания З.IV.1969

Авторы изобретения

Г. И. Журавлев и Ю. И. Кольцов

Заявитель

СПОСОЬ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭКСПОЗИЦИИ ЗАСВЕТКИ

ФОТОРЕЗИСТОВ

Предмет изобретения

Изобрстение относится к области микроэл ектр он и ки.

В настоящее время экспозицию определяют путем подбора выдержки при засветке методом последовательного приближения. Для этого необходимо ка>кдыи раз проводить процесс фотолитографии от начала до конца, чтобы выявить недодсржку или передержку. и первое, и второе существенно ухудшает показатели,процесса и выпускаемых изделий, а са» метод подбора экспозиции путем последовательного приблия;ения требует большой затраты времени и материала, Предложенный способ определения экспозиции по инфракрасным спектрам поглощения пленки фоторезиста непосредственно на полупроводниковом материале (пластинках германия, кремния и др.) не имеет этих недостатков.

Способ заключается в следующем.

Фоторезистам, представляющим собой производные диасосдинений или азидов, свойственно сильное поглощение в области 2000вЂ”

2500 сл-1, обусловленное валентными колебаниями Cally и СМз-групп. При облучении ультрафиолетовым или видимым светом, или обоими вместе эти материалы необратимо.распадаются, давая продукты, не имеющие указанных функциональных групп в молекулах.

В результате в этой же области спектра отсутствуст характерное для этих групп поглсщение. Определение времени исчезновения полосы поглощения в инфракрасном спектре в области 2000 вЂ” 2500 с,11-1 при облучении фоторезиста позволяет фиксировать экспозицию засветки. Благоприятным фактором являс гся прозрачность полупроводниковых матерна IQB (германия, кремния и др.) в области поглощения С 1. и Слз-гр пп.

10 П р и м ер. Определение экспозиции засос;иll бисфснолсульфоэфира нафтохинонд11аз11да, Облучение пленки, полученной из диокс lHoBoI.o раствора фоторезист» н;- крсмнс 1ой пластинке толщиной 200 11к марки КДБ-10.

15 вслось ультрафиолетовым светом в кювет иом отделении спектрофотомстра УН11КАМ-200.

На нем же производилась и регистрация инфракрасного спектра. Полоса поглощсния валентных колебаний С -групп молекул да 1но20 го продукта наблюдается при час" оте

2130 сл1 1, Время исчезновения этой полосы (экспозиция засветки) составило 20 кин.

Способ позволяет улучшить воспроизводимость и увеличить выход годной llpo3vKIII10.

Способ определения экспозиции засветки фоторезистов на основе диасоединений и ази30 дов в процессе фотолитографии, от,гпчаю циа232391

Составитель А. Б. Кот

Техред Л. Я. Левина Корректор Н. В. Босняцкая

Редактор О. Филиппова

Заказ 421)2 Тираж 427 Подписное

ЦПИИПИ КоМ1 тета по дслаги изобретений и открытий при Совете Министров CCCi

Москва, Центр, пр. Серова, д, 4

Типография, гр. Сапунова, 2 ся тем, что, с целью улучшения воспроизводимости и увеличения выхода годных приборов, полупроводниковьш эпитаксиальный материал с нанесенным на него фоторезистом облучают ультрафиолетовым или видимым светом, причем экспозицию определяют по времени исчезновения полосы поглощения, пленки фоторезиста в области 2000 вЂ” 2500 см-1.

Способ определения экспозиции засветки фоторезистов

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты слоем стекла поверхности кристаллов р-n-переходов от различных внешних воздействий

Структура металл-диэлектрик-полупроводник на основе соединений a3b5 и способ ее формирования // 2420828

Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления полупроводниковых приборов на основе МДП-структур соединений А3В5

// 354681

Способ получения линейных изображений // 447110

Способ формирования фоторезистивной маски для плазменного травления // 1099776

Способ изготовления структур мдп-интегральных микросхем // 1651697

Способ изготовления фоточувствительной серебро-палладиевой резистивной пленки // 2558599

Изобретение относится к оптоэлектронике, в частности к способу изготовления фоточувствительных материалов и устройств. Способ изготовления фоточувствительной серебро-палладиевой резистивной пленки включает формирование на поверхности диэлектрической подложки слоя резистивной пасты, состоящей из оксида серебра Ag2O, палладия, мелкодисперсных частиц стекла и органической связки. Сформированный слой сушат и вжигают в воздушной атмосфере при температуре от 605 до 700°С. С поверхности полученной пленки удаляют стеклянный слой путем испарения мощным импульсным лазерным излучением с длиной волны, лежащей в области поглощения стекла. Предпочтительным является использование лазерного излучения с длиной волны, соответствующей максимуму поглощения стекла. Техническим результатом является расширение спектрального диапазона работы фоточувствительной серебро-палладиевой резистивной пленки. 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 пр.

Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек, содержащих пленки диэлектрика оксида кремния и поликремния // 2573672

Изобретение относится к новой водной полирующей композиции для полирования полупроводниковых подложек, содержащих пленки диэлектрика оксида кремния и поликремния, а также необязательно содержащих пленки нитрида кремния. Указанная водная полирующая композиция содержит (A) по меньшей мере один тип абразивных частиц, (В) от 0,001 до 5,0 мас.% по меньшей мере одного растворимого в воде полимера, (С) по меньшей мере один анионный фосфатный диспергирующий агент. Абразивные частицы (А) содержат или состоят из диоксида церия, положительно заряжены при диспергировании в водной среде, свободной от компонента (C) и имеющей pH в интервале от 3 до 9, что подтверждается электрофоретической подвижностью. Компонент (B) по меньшей мере это один растворимый в воде полимер, выбран из группы, состоящей из линейных и разветвленных гомополимеров и сополимеров алкиленоксидов. Изобретение относится и к способу полирования подложек для электрических, механических и оптических устройств с применением указанной водной полирующей композиции. Полирующая композиция по изобретению обладает значительно улучшенной селективностью оксид/поликремний и обеспечивает получение полированных пластин, имеющих превосходную глобальную и локальную плоскостность. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 6 табл., 9 пр.

Способ изготовления мдп-структур на основе inas // 2611690

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано при их изготовлении на основе МДП-структур на InAs. Подложку InAs подвергают предварительной обработке, включающей очистку поверхности ее от загрязнений и естественного окисла. После чего на подложке в вакуумной камере проводят формирование диэлектрического слоя посредством анодного окисления подложки - анодирование рабочей поверхности подложки в плазме. По завершении анодирования на диэлектрический слой напыляют слой металла. Предварительную обработку проводят при условиях, обеспечивающих полную очистку поверхности от загрязнений и естественного окисла с достижением стабильности и инертности рабочей поверхности в условиях отсутствия воздействия окислительной среды, плазмы. Анодирование осуществляют с использованием окислительной газовой среды с составом Ar:O2:CF4 в соотношении (80-х)% : 20% : x%, где х - количество CF4, равное от 5% до 20%. В качестве плазмы используют плазму таунсендовского разряда в нормальном и переходном режиме его горения. При этом подложку помещают на расстоянии от катода, выбираемом с учетом соблюдения условия стационарности газоразрядной плазмы. Давление окислительной газовой среды поддерживают обеспечивающим стабильное горение разряда с формированием в разрядном промежутке латерально однородного разряда. В результате обеспечивается снижение величины встроенного заряда до значений менее 5×1011 см-2, улучшается однородность по толщине и химическому составу диэлектрического слоя на большей площади исходной пластины. 12 з.п. ф-лы, 4 ил.

Способ подготовки поверхности insb подложки для выращивания гетероструктуры молекулярно-лучевой эпитаксией // 2613487

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов - для изготовления фокальных диодных фотоприемных матриц на подложках InSb. В способе подготовки поверхности InSb подложки для выращивания гетероструктуры молекулярно-лучевой эпитаксией сначала проводят предварительную обработку поверхности подложки InSb с модификацией состава окисного слоя для обеспечения в дальнейшем полного удаления окислов. Модификацию состава окисного слоя осуществляют, подвергая подложку воздействию жидкой среды с рН менее двух. За счет этого растворяют в большей степени окислы индия и обогащают поверхность легколетучими окислами сурьмы. После модификации окисного слоя остаточный окисный слой удаляют в вакуумной камере установки молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием термообработки и подачи к поверхности подложки потока сурьмы. В результате обеспечивается соблюдение вакуумной гигиены при выращивании слоев структур, предотвращается возможность загрязнения поверхности подложек InSb, достигается снижение шероховатости, возникающей при подготовке поверхности подложек, обеспечивается требуемая гладкость. 5 з.п. ф-лы, 2 ил.