Патент ссср 237269

 

йАТЕ11ТЫ-т : ..1вн чЕСХЛ% оибттиатека МЬА (11) 23726

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 27.11.67 (21) 1199141/26-25 (51) М. Кл. Н 011 11 1О с присоединением заявки ¹

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изоеретений и отнрытий (32) Приоритет

Опубликовано 25.05.74. Бюллетень ¹ 19

Дата опубликования описания 21.10.74 (53) УДК 621.383:621. .382.333 (088.8) (72) Авторы изобретения

В. М. Курцин, А. Н. Думаневич и В. E. Челноков (71) Заявитель (54) ФОТОТИPИСТОР

Четырехслойную структуру, лежащую в основе тиристора, можно перевести во включенное состояние, воздействуя на нее светом, с энергией фотонов, достаточной для фотоионизации атомов полупроводникового материала.

Известные фототиристоры имеют номинальный ток 1 — 10 а, напряжение переключения

100 †3 в.

Цель изобрегения — создание тиристорной структуры, управляемой световым импульсом малой мощности, работающей при токе 10—

10е а и напряжении -1000 в и более.

Конструкция такого фототиристора на ток

101 — 10е а должна обеспечить включение структуры световым импульсом небольшой мощности, надежные омические контакты в структуре для подвода к ней тока (101 †> а) и высокое пробивное напряжение.

На чертеже представлен предлагаемый фототиристор.

Фототиристор содержит металлические электроды 1 и 2 в форме дисков, изготовленные из материала с коэффициентом термического расширения, близким к коэффициенту расширения материала полупроводниковой структуры, служащие для присоединения мощных токоподводов, и полупроводниковую четырехслойную структуру 3.

В освсщасмой части структуры выполнено углубление 4, например, конусообразной формы.

Металлические электроды 1 и 2 соединены со структурой сплавами, обеспечивающими хороший омический и электрический контакт.

Верхний контакт имеет одно или несколько отверстий (форма отверстий может быть различная — круг, звезда, прямоугольник и т. д.) для доступа свегового потока на различные

10 участки полупроводниковой структуры. От размеров, формы и количества отверстий зависят параметры прибора.

Скорость поглощения света экспоненциально умсньшается с глубиной проникновения, 15 величина фототока определяется расстоянием между ближайшими р — а переходом и местом генерации носителей. В связи с этим для повышения световой чувствительности структуры необходимо сокращать расстояние меж20 ду поверхностью и р — и переходами, оказывающими максимальное влияние на механизм переключения. Это достигается выполнением освещаемой площади полупроводниковой структуры в виде углубления, например, ко25 нусообразной формы.

Возможно также использование многослойных структур с числом слоев более четырех. В этом случае, принимая во внимание механизм действия подобных структур, можно получить

30 благодаря разделеншо функций р — n nepe237269

Предмет изобретения

//

Составитель О. Федюкииа

Техред Л. Акимова Корректор Н. Стельмах

Редактор И. Грузова

Заказ 2781/3 Изд. Ко 918 Тираж 760 Подписное

111-1ИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 ходов высоковольтные приборы при сохранении высокой световой чувствительности.

Фототиристор, состоящий из многослойной полупроводниковой структуры, например, n—

p — 12 — р типа с присоединенными к ней с помощью сплавов металлическими электродами, служащими для присоединения токоподводов, и с открытой для светового потока частью поверхности структуры, отличающийся тем, что, с целью обеспечения управления

5 структурой с помощью светового импульса небольшой мощности, в освещаемой части структуры выполнено углубление, например, конусообразной формы, проникающее на один или несколько слоев.