Тонкопленочный материал диэлектрика затвора с высокой диэлектрической проницаемостью и способ его получения (варианты)

Изобретение относится к области металлооксидных полупроводниковых технологий. Сущность изобретения: в тонкопленочном материале диэлектрика затвора с высокой диэлектрической проницаемостью в качестве материала диэлектрика используют твердые растворы на основе сложных оксидов - перовскитоподобных барийлантаноидных полититанатов BaLn₂(Ti_1-xM_x)₄O₁₂, BaLn₂(Ti_1-xM_x)₃O₁₀, BaLn₂(Ti_1-xM_x)₂O₈ (Ва, Ln) (Ti_1-x-yM_xTa_y)O₅ (Ln=La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Y; M=Zr, Hf), где х, у=0÷1. Предложены способы получения данного материала. Техническим результатом изобретения является создание тонкопленочного материала, обеспечивающего эффективную толщину оксидного диэлектрика затвора в МОП структурах не более 1,5 нм при физической толщине пленки более 3 нм, при уровне токов утечки не более 0,1 А/см². 4 н. и 1 з.п. ф-лы, 1 табл.

 

Настоящее изобретение относится к области металлооксидных полупроводниковых (МОП) технологий, к получению тонкопленочных материалов диэлектрика затвора с высокой диэлектрической проницаемостью, заменяющих оксид кремния, и может быть использовано в транзисторных устройствах с высокой степенью интегрирования.

Микросхемы на основе металлооксидных полупроводников являются фундаментом множества электронных устройств, таких как сотовые телефоны и персональные компьютеры. Технологии МОП, по которым производятся интегральные схемы с высоким быстродействием и низким энергопотреблением, широко применяются в электронных устройствах. В современных транзисторных МОП технологиях достижение высокой степени интегрирования элементов определяет необходимость уменьшения размеров составляющих элементов.

В настоящее время технологии МОП подошли к пределу, определяемому фундаментальными физическими ограничениями. В современных интегральных схемах, изготавливаемых по техпроцессу с нормой 130 nm, толщина диэлектрика затвора в транзисторах при использовании оксида кремния SiO₂ составляет менее 2.5 nm. При дальнейшем масштабировании технологии интегральных схем (ИС) на меньшие габариты и для достижения высокого быстродействия толщина диэлектрика из оксида кремния также должна быть уменьшена. Соответственно для технологии МОП с нормами менее 100 nm требуются диэлектрические слои толщиной менее 1.7 nm. Однако при толщине диэлектрика менее ˜3 nm ток утечки возрастает на порядок величины при снижении толщины на каждые 0.2 nm (S.I.Association, The International Technology Roadmap for Semiconductorts, Sematech, Austin, 2000; M.Hirose, M.Koh, W.Mizubayashi et al. Semicond. Sci.TechnoL, 15, 485, 2000; Y.Taur, D.A.Buchanan, W.Chen et al. IEDM Tech. Dif. 593, 1994). Вследствие этого, в современных чипах до 40% энергии может теряться из-за токов утечек. Учитывая требования к надежности ИС, это препятствует дальнейшему развитию миниатюризации ИС.

Использование более толстых диэлектрических слоев из материалов, имеющих более высокую диэлектрическую проницаемость в сравнении с диэлектрической проницаемостью диоксида кремния (ε=3.9), позволяет решить проблемы снижения токов утечки, энергопотребления и тепловыделения в высокоинтегрированных полупроводниковых устройствах (G.D.Wilk, R.M.Wallace, J.M.Antony, J. Appl. Phys, 89, 5243, 2001; KJ.Hubbard, D.G.Scholm, J. Mater. Res., 11, 2757, 1996).

Известно, что в качестве материала диэлектрика затвора может быть использован оксид алюминия Al₂O₃ с диэлектрической проницаемостью ε=9÷12 (Патенты США 6638399; 6620670; 6579767; 6706581; 6686248; 6693004; 6713358; 6706581; 6716707; 6717226; 6653246; 6645882). Однако высокая плотность ловушек зарядовых состояний и достаточно низкая диэлектрическая проницаемость оксида алюминия Al₂О₃ определяют ограниченные возможности применения пленок Al₂О₃ в реальных МОП устройствах (R.Ludeke, M.T.Cuberes, E.Cartier, Appl. Phys. Lett, 76, 2886, 2001).

Известно также использование оксидов лантана и редкоземельных элементов с ε=30÷150 (Патенты США 6693004; 6713358; 6689675; 6706581; 6689675; 6703277; 6716707; 6716645; 6717226; 6653246; 6645882). Недостатком, препятствующим непосредственному использованию этих оксидов в качестве материала диэлектрика затвора, является их гигроскопичность (J.Kwo, M.Honh, B.Busch et al., J. Crystal Growth, 251, 645-650, 2003). При отжиге в окислительной среде наблюдали также образование SiO₂ и силиката иттрия на интерфейсных границах с подложкой и затвором (J.Kwo, M.Hong, B.Busch et al., J.Cryst. Growth, 251, 645, 2003). В случае оксида лантана установлено формирование промежуточного слоя силиката лантана. Итогом формирования таких слоев, имеющих низкую диэлектрическую проницаемость, является значительное падение емкости (J.-P.Maria, D.Wicaksana, A.I.Kingon et al., Appl.Phys.Lett., 90, 3476, 2001).

Известно применение в качестве материала затвора также сложных сегнетоэлектрических (СЭ) оксидов BaTiO₃, PbTiO₃, SrTiO₃, PbZrO₃ Pb₃Ge₅O₁₁ с ε=20÷200 (Патенты США 6693004; 6703277; 6713358; 6716707; 6717226; 6716645), а также оксидов на основе сегнетоэлектриков-релаксоров Pb(Sc_xТа_1-х)О₃, Pb(Zn_1/3Nb_2/3)О₃, Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃, величина диэлектрической проницаемости которых может меняться в пределах от 20÷200 до 1000÷5000 (Патенты США 6693004; 6713358; 6716707).

Недостатком СЭ оксидов (Ва, Sr)TiO₃, PbTiO₃, SrTiO₃, PbZrO₃ является узкий диапазон термической стабильности диэлектрической проницаемости, эти оксиды имеют также высокие диэлектрические потери за счет переключения спонтанной поляризации и склонны к двойникованию, что определяет повышенную концентрацию дефектов. Микрогетерогенность материалов твердых растворов на основе сегнетоэлектриков-релаксоров, неизбежная в случае гетеровалентных катионных замещений, определяет формирование сегнетоэлектрических областей нанометровых размеров в неполярной матрице, повышенные потери и повышенную концентрацию дефектов. Для пленок этих оксидов на кремнии также характерно образование слоев оксида кремния на границе между кремниевой подложкой и диэлектриком.

Наиболее близкими к материалам, предлагаемым в настоящем изобретении, являются оксидные материалы HfO₂, ZrO₂, Та₂О₅ и TiO₃ с ε=20÷40 (Патенты США 6633062; 6632729; 6580115; 6693004; 6624093; 6621114; 6620713; 6664577; 6664160; 6664116; 6713358; 6686248; 6689675; 6703277; 6706581; 6706581; 6689675; 6716707; 6716645; 6717226).

Помимо недостаточно высокой диэлектрической проницаемости, недостатком оксидов ZrO₂, HfO₂, Та₂О₅ является плохая совместимость с материалом затвора. При получении слоев этих оксидов наблюдали неконтролируемое формирование слоя диоксида кремния с низкой диэлектрической проницаемостью, определяющего значительное падение емкости. К недостаткам предложенных материалов относится также большой температурный коэффициент диэлектрической проницаемости, кроме того, оксид TiO₂ легко восстановливается при низком парциальном давлении кислорода (B.H.Lee, L.Kang, R.Nieh et al., Appl.Phys.Lett, 77, 1926, 2000; C.M.Perkins, B.B.Triplett, P.C.McIntyre et al., Appl. Phys. Lett, 78, 16, 2001). (J.-P.Maria, D.Wicaksana, A.I.Kingon et al., Appl.Phys.Lett., 90, 3476, 2001).

Среди современных методов получения пленок диэлектрика затвора метод лазерного испарения является одним из наиболее привлекательных для получения тонких пленок высокого качества (Патенты США 6689675; 6689702; 6693004; 6703277; 6713358; 6713846). Скорости напыления очень высоки, что определяет идентичность состава пленок составу мишени. Можно регулировать количество нанесенных слоев и толщину пленки, варьировать парциальное давление кислорода на стадии высокотемпературного отжига пленок с целью предотвращения окисления кремния. Процесс напыления пленки можно проводить при низкой температуре подложки, близкой к комнатной, что позволяет предотвращать диффузию компонентов материалов затвора, диэлектрической пленки и кремниевой подложки и получать аморфные пленки, что гарантирует снижение токов утечки.

При получении многокомпонентных оксидов широко применяют золь-гель метод, который обеспечивает высокую чистоту оксидов, высокую гомогенность состава, обеспечивает возможность получения аморфных и поликристаллических пленок, порошков и керамик высокой чистоты с низкой концентрацией дефектов (W.W.Davison, R.C.Buchanan, in: Advances in Ceramics, 26: editors M.F.Yan, K.Niwa, U.M.O'Bryan, Jr., W.S.Young. Amer.Ceram.Soc., Columbus, OH, 1989, p.513).

В последнее десятилетие широко применяется метод получения простых и сложных оксидов путем гидролиза растворов алкоголятов металлов, позволяющий точно выдерживать стехиометрию и регулировать морфологию продуктов (Golubko N.V., M.I.Yanovskaya, Golubko L.A. et al, J.Sol-Gel Sci. And Technology, 20, 135, 2001). Разработаны также способы, предполагающие частичную замену алкоксидов более дешевыми и устойчивыми карбоксилатами (Sol-gel technology for Thin Films, Fibers, Preforms, Electronics and Specialty Shapes/Ed. Klein L.C.: Park Ridge, USA, 1988; Mohallem N.D.S., Aegerter M.A., Materials Research Society. Symposia Proceedings, 121, 515, 1988), a также методы, объединяющие метод разложения металлоорганических соединений с элементами золь-гель метода (Щеглов П.А., Меньших С.А., Рыбакова Л.Ф., Томашпольский Ю.Я. Неорганические материалы, 36, 470, 2000). Однако получение заявляемых соединений гидролизом растворов алкоголятов или соосаждением солей металлов не описано.

Технической задачей настоящего изобретения является создание тонкопленочного материала с высокой диэлектрической проницаемостью, обеспечивающего эффективную толщину t_eff оксидного диэлектрика затвора в МОП структурах t_eff≤1.5 nm при физической толщине пленки более 3 nm, при уровне токов утечки ≤0.1 A/cm².

Технической задачей настоящего изобретения является также создание эффективных вариантов способа получения сложных полититанатов BaLn₂(Ti_1-xM_x)₄O₁₂, BaLn₂(Ti_1-xM_x)₃O₁₀, BaLn₂(Ti_1-xM_x)₂O₈, (Ba, Ln)(Ti_1-x-yM_xTa_y)O₅ (x, у=0÷1) в виде или растворов, используемых для получения тонких пленок с заданными свойствами и морфологией, которые определяются условиями термообработки, или порошков, используемых для получения мишеней.

Сущность изобретения состоит в том, что в качестве тонкопленочного материала с высокой диэлектрической проницаемостью используют твердые растворы на основе перовскитоподобных барийлантаноидных полититанатов BaLn₂(Ti_1-xM_x)₄O₁₂, BaLn₂(Ti_1-xМ_х)₃О₁₀, BaLn₂(Ti_1-xM_x)₂O₈ (Ba, Ln)(Ti_1-x-yM_xTa_y)O₅ (Ln=La, Се, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Y; M=Zr, Hf; x, у=0÷1). Для получения тонких пленок из данного материала на кремниевой подложке используют растворы, полученные или золь-гель методом, и/или лазерный метод нанесения с использованием мишени, приготовленной по золь-гель технологии.

Полученные материалы характеризуются высокой диэлектрической проницаемостью ε˜80÷110, низкими потерями и низким температурным коэффициентом диэлектрической проницаемости, что обеспечивает достижение эффективной толщины t_eff≤1.5 nm при физической толщине пленки t≥3 nm. Использование заявленных вариантов способа получения пленок: гидролизным или соосаждением и/или лазерным способом нанесения, обеспечивает получение преимущественно аморфных пленок, что обеспечивает снижение тока утечки J_L на 3-4 порядка в сравнении с J_L поликристаллических пленок (J.Kwo, M.Hong, B.Busch et al., J. Crystal Growth, 251, 645, 2003). Таким образом, предлагаемое решение позволяет получить пленки С эффективной толщиной t_eff оксидного иэлектрика затвора t_eff≤1.5 nm, характеризующиеся низкими токами утечки, что позволяет обеспечить внедрение производственного МОП процесса с проектной нормой менее 100 нанометров.

Перовскитоподобные оксиды на основе барийлантаноидных полититанатов BaLn₂Ti₄O₁₂, BaLn₂Ti₃О₁₀, BaLn₂Ti₂O₈ составляют своеобразную промежуточную группу между диэлектрическими и сегнетоэлектрическими материалами. Для них характерны высокая диэлектрическая проницаемость ε˜80÷100, обеспечиваемая фононным механизмом поляризации, высокая термостабильность в сочетании с высокой термической стабильностью, и существенно более низкие потери в сравнении с СЭ оксидами (D.Kolar, Z.Stadler, S.Gaberscek, D.Suvorov, Ber. Dtsch. Keram. Ges., 55, 364, 1978; Л.Г.Гассанов, Б.А.Ротенберг, Т.Н.Нарытник и др. Электронная техника, сер. электроника СВЧ, 6 (330), 21, 1981; Мудролюбова Л.П., Ротенберг Б.А., Картенко Н.Ф. и др.. Неорганические материалы, 17, 683, 1981; D.Kolar, S.Gaberscek, B.Volavsek, J.Solid State Chem., 38, 158, 1981; Ю.М.Поплавко, В.И.Бутко, А.Г.Белоус и др., ФТТ, 26, 2851, 1984; X.M.Chen, Y.Suzuki, N.Sato, J.Mater.Scii., Mater. Electron, 6, 10, 1995; K.M.Cruickshank, X.Jing, G.Wood, et al., J.Amer.Ceram.Soc, 79, 1605, 1996; H.Ohsato, H.Kato, M.Mizuta et al., Jpn. J. Appl. Phys., 34, 5413, 1995; Y.J.Wu, X.M.Chen, J. Eur. Ceram. Soc, 19, 1123, 1999).

На основе барийлантаноидных полититанатов разработаны высокодобротные высокочастотные материалы (Л.П.Мудролюбова, Т.Ф.Лимарь, Т.П.Фрадкина и др. Керамический материал для термостабильных конденсаторов, АС СССР №831761, БИ 1981, №19; Л.П.Мудролюбова, Т.Ф.Лимарь, В.Е.Козель, Б.А.Ротенберг, Керамический материал, АС СССР №832608, БИ 1981, №19; Л.П.Мудролюбова, Б.А.Ротенберг, А.Н Борщ и др. Керамический материал, АС СССР №596557, БИ 1978, №9; Л.П.Мудролюбова, А.Н.Борщ, К.Е.Лискер и др. Керамический материал для изготовления высокочастотных конденсаторов, АС СССР №628134, БИ 1978, №38).

Присутствие в составе сложных перовскитов оксидов ZrO₂, HfO₂, Та₂O₅, согласно термодинамическим расчетам, повышает стабильность этих оксидов в контакте с кремнием (K.J.Hubbard, D.G.Scholm, J.Mater.Res, 11, 2757, 1996; G.D.Wilk, R.M.Wallace, J.M.Antony, J.Appl.Phys., 89, 5243, 21001).

Получение заявленных соединений на основе барийлантаноидных тетратитанатов осуществляют путем гидролиза в инертной атмосфере алкоксидов металлов водой или водно-спиртовой смесью в одну или две последовательные стадии при мольном соотношении воды к сумме алкоголятов 1-15 и выдержке полученной реакционной смеси при определенной температуре в течение определенного промежутка времени. В качестве алкоксидов используют Ba(OR)₂ (R=Me, Et, ⁱPr, Bu, ОС₂Н₄OCH₃), Ln (OR)₃ (Ln=La, Се, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Но, Er, Yb, Lu, Y; R=Me, Et, ⁱPr, Bu, OC₂H₄ОСН₃), M(OR)₄ (M=Ti, Zr, Hf, R=Me, Et, ⁱPr, Bu, ОС₂Н₄OCH₃) в виде их растворов в соответствующем спирте с концентрацией 1-30 вес.%, а выдержку осуществляют при 20-90°С в течение 0.5-4 часов для достижения полной растворимости компонентов. Использование растворов вышеперечисленных алкоксидов с концентрацией выше 30 вес.% приводит к получению более вязких растворов, что приводит в случае использования растворов для нанесения пленок к формированию склонных к растрескиванию пленок толщиной более 10 nm.

При использовании солей металлов синтез материала осуществляют путем соосаждения из смеси растворов солей соответствующих металлов, взятых в стехиометрических количествах, в присутствии добавленного пептизатора при его мольном соотношении к сумме катионов металлов 0.05÷1. В качестве солей используют растворимые соли бария, титана, циркония, гафния и металлов ряда лантана в виде их растворов в воде с концентрацией 1-30 вес.%, в качестве пептизатора - лимонную, уксусную или щавелевую кислоты или аммиак NH₄OH.

Создание эффективного метода получения сложных полититанатов BaLn₂(Ti_1-xM_x)₄O₁₂, BaLn₂(Ti_1-xM_x)₃O₁₀, BaLn₂(Ti_1-xM_x)₂O₈ (Ba, Ln)(Ti_1-x-yM_xTa_y)O₅ достигается использованием в качестве исходных компонентов для получения диэлектриков алкоксидов и солей металлов - доступных, легко дозируемых, в виде их растворов соответственно в спирте или воде с концентрацией 1-30 вес.%, смешением их в стехиометрических количествах, выдерживанием раствора до или после гидролиза (осаждения) в течение 0.5-4 часов при температуре 20-90°С. Указанные интервалы времени и температуры выдержки раствора обеспечивают полноту гидролиза и конденсации.

Изменение концентрации растворов алкоксидов и солей металлов, времени и температуры выдержки до и после гидролиза (осаждения) позволяет регулировать фазовый состав и морфологию образующегося продукта и получать диэлектрик с заданными свойствами, сохраняющимися в процессе дальнейшей термообработки.

Сущность предлагаемого способа состоит в том, что гидролизу или соосаждению водой или водно-спиртовой смесью, в присутствии пептизатора подвергаются растворы алкоксидов металлов в спирте и солей металлов в воде, взятых в стехиометрических количествах, с концентрацией 1-30 вес.%. Реакционные смеси выдерживают в течение 0.5-4 часов при температуре 20-90°С для обеспечения полного гидролиза и конденсации. Образующийся осадок отделяют от маточного раствора центрифугированием и высушивают при 120°С на воздухе. При получении пленок исходные или гидролизованные растворы наносят на подложку из кремния обмакиванием подложки в раствор или нанесением на вращающуюся подложку.

В литературе не описаны методики получения сложных полититанатов вышеописанного состава при гидролизе или соосаждении растворов алкоголятов или солей металлов, что позволяет сделать вывод о том, что заявляемый способ соответствует критериям «новизна» и «изобретательский уровень».

Пример 1.

8.92 г изопропилата лантана La(OPrⁱ)₃ и 8.04 г изопропилата титана Ti(OPrⁱ)₄ растворяют при перемешивании в 100 мл абсолютного изопропилового спирта, помещают полученный раствор в колбу с обратным холодильником, мешалкой и капельной воронкой и выдерживают при температуре 80°С и непрерывном перемешивании в течение 1 часа в атмосфере аргона. Затем смесь охлаждают, добавляют в нее 3.02 г изопропилата бария Ва(OPrⁱ)₂ и выдерживают при температуре 65°С и непрерывном перемешивании в течение 30 минут. Полученный раствор охлаждают до комнатной температуры и по каплям при интенсивном перемешивании добавляют смесь, состоящую из 1.6 г дистиллированной воды и 10 мл абсолютного изопропилового спирта. Полученную суспензию отделяют от маточного раствора центрифугированием и используют для получения порошков для мишеней и нанесения пленок обмакиванием кремниевой подложки в раствор. По данным рентгенофазового и микрорентгеноспектрального анализов, пленки и порошки представляет собой аморфную фазу BaLa₂Ti₄O₁₂.

Пример 2.

Опыт проводят в условиях примера 1, используя 4.46 г La(OPrⁱ)3, 4.02 г Ti(OPrⁱ)₄, 1.51 г Ва(OPrⁱ)₂ и 0.13 г Н₂О. Полученную суспензию используют для формирования пленок обмакиванием кремниевой подложки в раствор или нанесением капель раствора на вращающуюся подложку и получения порошков для мишеней.

Пример 3.

4.47 г ацетата лантана La(СН₃СОО)₃·2Н₂O и 8.04 г изопропилата титана Ti(OPrⁱ)₄, растворяют при перемешивании в 100 мл абсолютного изопропилового спирта и помещают полученный раствор в колбу с обратным холодильником, мешалкой и капельной воронкой. 1.81 г ацетата бария Ва(СН₃СОО)₂ растворяют в 20 мл дистиллированной воды и добавляют полученный раствор к ранее приготовленному раствору титана и лантана при перемешивании. Затем к полученной смеси добавляют по каплям 7 мл 25% раствора NH₄OH, смесь нагревают до 85°С и выдерживают при этой температуре в течение 30 минут. Полученный раствор охлаждают до комнатной температуры, суспензию отделяют от маточного раствора центрифугированием и используют для формирования пленок нанесением капель раствора на вращающуюся подложку и для получения порошков, используемых для приготовления мишеней, материал которых подвергают действию лазерного пучка эксимерного лазера Lumonics TE-861 (λ=308 nm) с целью формирования пленки на кремниевой подложке по известной методике.

Таблица. Характеристики пленок соединений сложных оксидов металлов на кремниевой подложке, полученных из растворов по примеру 3*.

Состав	Толщина пленки t, nm	Диэлектрическая проницаемость ε	Эффективная толщина пленки teff, nm	Ток утечки JL, A/cm2 (U=l V)
BaNd2Ti4O12	3.0	85±5	1.3	0.1
BaLa2Ti4О12	4.0	110±5	1.4	0.1
BaPr2Ti4О12	3.0	90±5	1.4	0.1
* здесь s - диэлектрическая проницаемость материала оксида, t - физическая толщина диэлектрической пленки. Эффективную толщину оксида teff определяют по формуле teff=t·(3.9/ε).

Таким образом, представленные данные показывают, что совокупность признаков заявляемого способа (концентрация раствора и выдержка при определенной температуре в течение определенного промежутка времени, обеспечивающие условия формирования гомогенного раствора) обеспечивает получение материала пленки с заявленными характеристиками.

1. Тонкопленочный материал диэлектрика затвора с высокой диэлектрической проницаемостью, отличающийся тем, что в качестве материала диэлектрика используют твердые растворы на основе сложных оксидов - перовскитоподобных барийлантаноидных полититанатов BaLn₂(Ti_1-xM_x)₄O₁₂, BaLn₂(Ti_1-xM_x)₃O₁₀, BaLn₂(Ti_1-xM_x)₂O₈ (Ba, Ln) (Ti_1-x-yM_xTa_y)O₅ (Ln=La, Се, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Y; M=Zr, Hf), здесь x, y=0÷1.

2. Способ получения тонкопленочного материала по п.1, осуществляемый гидролизом в инертной атмосфере стехиометрической смеси алкоголятов металлов с последующим формированием пленки на кремниевой подложке обмакиванием подложки в раствор или нанесением капель раствора на вращающуюся подложку, отличающийся тем, что в качестве алкоголятов металлов используют Ba(OR)2 (R=Me, Et, ⁱPr, Bu, ОС₂Н₄OCH₃), Ln (OR)₃ (Ln=La, Ce, ⁱPr, Nd, Sm, Eu, Gd, Ho, Yb, Y; R=Me, Et, ⁱPr, Bu, OC₂H₄OCH₃) и B(OR)₄ (B-Ti, Zr, Hf,R=Me, Et, 'Pr, Bu, ОС₂Н₄OCH₃) в виде их растворов в соответствующем спирте с концентрацией 1÷30 вес.%, гидролиз проводят водой или водно-спиртовой смесью в одну или две последовательные стадии при мольном соотношении воды или вводно-спиртовой смеси к сумме алкоголятов 1÷15 и выдержке полученной реакционной смеси при температуре 20÷90°С в течение 0,5÷4 ч.

3. Способ получения тонкопленочного материала по п.1, осуществляемый путем соосаждения солей с последующим формированием пленки на кремниевой подложке обмакиванием подложки в раствор или нанесением капель раствора на вращающуюся подложку, отличающийся тем, что используют стехиометрические смеси водорастворимых солей бария, титана, циркония, гафния и металлов ряда лантана в виде их растворов с концентрацией 1÷30 вес.% в присутствии пептизатора при его мольном соотношении к сумме катионов металлов 0,05÷1.

4. Способ по п.3, отличающийся тем, что в качестве пептизатора используют или слабые кислоты - лимонную, уксусную или щавелевую, или водный раствор аммиака.

5. Способ получения тонкопленочного материала по п.1 путем лазерного испарения материала мишени с последующей конденсацией частиц материала на кремниевой подложке, отличающийся тем, что используют мишень, приготовленную из порошков материалов, полученных по п.2 или 3.