Нанотехнологический комплекс

Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию и предназначено для замкнутого цикла производства новых изделий наноэлектроники. Нанотехнологический комплекс содержит блок загрузки носителей объектов (носителей зондов и носителей образцов) с объектами (зондами и образцами), блок подготовки объектов, камеру измерения, включающую сканирующий зондовый микроскоп, с первой системой координатного перемещения, на которой закреплен первый держатель носителей зондов, носитель образцов, пространственно сопряженный с носителем зондов, и транспортную систему. Комплекс снабжен блоком формирования структур и блоком локального воздействия, при этом камера измерения включает первую систему координатной установки носителя зондов на первом держателе, вторую систему координатного перемещения, на которой закреплен второй держатель со второй системой координатной установки носителей образцов, при этом первая система координатного перемещения сопряжена со второй системой координатного перемещения первой системой координатной привязки зондов и образцов, блок формирования структур содержит модуль формирования структур, а также третий держатель с третьей системой координатной установки носителей объектов, блок локального воздействия содержит модуль локального воздействия, а также четвертый держатель с четвертой системой координатной установки носителей объектов, при этом четвертый держатель установлен на четвертой системе координатного перемещения, сопряженной с модулем локального воздействия третьей системой координатной привязки модуля локального воздействия с объектом. Подобное выполнение расширяет функциональные возможности нанотехнологического комплекса. 13 з.п. ф-лы, 3 ил.

 

Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию и предназначено для замкнутого цикла производства новых изделий наноэлектроники.

Известен нанотехнологический комплекс, включающий камеру измерения со сканирующим зондовым микроскопом, блок загрузки носителей объектов и транспортную систему [1].

Недостатки этого комплекса заключаются в его ограниченных возможностях по подготовке объектов к измерению, а также по замкнутому циклу изготовления конечного продукта.

Известен также нанотехнологический комплекс, содержащий блок загрузки носителей объектов (носителей зондов и носителей образцов) с объектами (зондами и образцами), блок подготовки объектов, камеру измерения, включающую сканирующий зондовый микроскоп, с первой системой координатного перемещения, на которой закреплен первый держатель носителей зондов, носитель образцов, пространственно сопряженный с носителем зондов, и транспортную систему [2].

Основной недостаток этого комплекса заключается в ограниченных возможностях получения изделий наноэлектроники. Это связано с использованием одной камеры загрузки объектов и одной функциональной камеры, в которой невозможно провести весь цикл формирования конечных изделий.

Задача изобретения заключается в создании нанотехнологического комплекса для замкнутого цикла производства изделий наноэлектроники.

Технический результат заключается в расширении функциональных возможностей нанотехнологического комплекса.

Указанный технический результат достигается тем, что нанотехнологический комплекс, содержащий блок загрузки носителей объектов (носителей зондов и носителей образцов) с объектами (зондами и образцами), блок подготовки объектов, камеру измерения, включающую сканирующий зондовый микроскоп, с первой системой координатного перемещения, на которой закреплен первый держатель носителей зондов, носитель образцов, пространственно сопряженный с носителем зондов, и транспортную систему, снабжен блоком формирования структур и блоком локального воздействия, при этом камера измерения включает первую систему координатной установки носителя зондов на первом держателе, вторую систему координатного перемещения, на которой закреплен второй держатель со второй системой координатной установки носителей образцов, при этом первая система координатного перемещения сопряжена со второй системой координатного перемещения первой системой координатной привязки зондов и образцов, блок формирования структур содержит модуль формирования структур, а также третий держатель с третьей системой координатной установки носителей объектов, блок локального воздействия содержит модуль локального воздействия, а также четвертый держатель с четвертой системой координатной установки носителей объектов, при этом четвертый держатель установлен на четвертой системе координатного перемещения, сопряженной с модулем локального воздействия третьей системой координатной привязки модуля локального воздействия с объектом.

Существует вариант, в котором блок загрузки носителей объектов содержит камеру загрузки носителей зондов и камеру загрузки носителей образцов.

Существует также вариант, в котором носители зондов имеют ориентирующие элементы для установки зондов, а носители образцов - ориентирующие элементы для установки образцов.

Возможны варианты, в которых блок подготовки объектов содержит, по меньшей мере, одну камеру подготовки зондов и (или), по меньшей мере, одну камеру подготовки образцов либо блок подготовки объектов включен в виде блока подготовки зондов в состав камеры загрузки носителей зондов и (или) в виде первого блока подготовки образцов - в состав камеры загрузки носителей образцов, и (или) в виде второго блока подготовки образцов - в состав блока формирования структур, и (или) в виде третьего блока подготовки образцов - в блок локального воздействия, и (или) в виде третьего блока подготовки образцов - в блок локального воздействия.

Возможны также варианты, в которых блок подготовки объектов снабжен источником плазмохимического травления и (или) источником физического травления, и (или) нагревателем объектов, при этом в качестве источника физического травления используют электронную пушку, ионную пушку или источник высокоэнергетичной плазмы.

Существуют также варианты, в которых в блоке формирования структур модуль формирования структур выполнен в виде модуля молекулярно-лучевой эпитаксии, в виде модуля газофазного химического осаждения, в виде модуля локального зондового газофазного осаждения или в виде модуля эпитаксиального роста пленок методом импульсного лазерного осаждения.

Возможны также варианты, в которых в блоке локального воздействия модуль локального воздействия выполнен в виде, по меньшей мере, одного источника ионов и (или), по меньшей мере, одного источника электронов.

На фиг.1 изображена компоновочная схема нанотехнологического комплекса в общем виде.

На фиг.2, фиг.3 представлены варианты компоновки нанотехнологического комплекса.

Нанотехнологический комплекс содержит измерительную камеру 1, сопряженную первой 2 и второй 3 (подробное описание элементов комплекса см. ниже) транспортными системами с камерой загрузки носителей зондов 4 и камерой загрузки носителей образцов 5. Камера 1 посредством третьей транспортной системы 6 состыкована с блоком формирования структур 7, который посредством четвертой транспортной системы 8 сопряжен в свою очередь с блоком локального воздействия 9.

Камера 1 включает сканирующий зондовый микроскоп (СЗМ) 10 с первой системой координатного перемещения 11, на которой закреплен первый держатель 12 с первой системой координатной установки 13 носителей зондов 14 с зондами 15. Носители зондов 14 могут иметь первые ориентирующие элементы 16 для установки зондов 15.

Камера 1 включает также вторую систему координатного перемещения 17, на которой закреплен второй держатель 18 со второй системой координатной установки 19 носителей образцов 20 с образцами 21. Носители образцов 20 могут иметь вторые ориентирующие элементы 22 для установки образцов 21.

Первая система координатного перемещения 11 сопряжена со второй системой координатного перемещения 17 первой системой координатной привязки 23.

Камера 4 включает блок носителей зондов 24, который может быть выполнен в виде кассеты с носителями зондов 14.

Помимо этого камера 4 может содержать первый блок подготовки зондов 25.

Камера 5 включает блок носителей образцов 26, который может быть выполнен в виде кассеты с носителями образцов 20.

Помимо этого камера 5 может содержать блок подготовки образцов 27.

Блок формирования структур 7 содержит модуль формирования структур 28, а также третий держатель 29 с третьей системой координатной установки 30, например, носителей образцов 20. Следует заметить, что вместо носителей образцов 20 могут быть установлены носители зондов 14 (не показано).

В блок 7 может быть введена третья система координатного перемещения 31, сопряженная с модулем 28 второй системой координатной привязки 32.

Блок локального воздействия 9 содержит модуль локального воздействия 33, а также четвертый держатель 34 с четвертой системой координатной установки 35, например, носителей образцов 20. Следует заметить, что вместо носителей образцов 20 могут быть установлены носители зондов 14 (не показаны). Держатель 34 установлен на четвертой системе координатного перемещения 36, сопряженной с модулем 33 третьей системой координатной привязки 37 модуля локального воздействия с объектом.

Возможно введение в блоки 7 и 9 второго 38 и третьего 39 блоков подготовки объектов.

Следует заметить, что представленная на фиг.1 конфигурация комплекса не единственно возможная. Например, возможна подстыковка к блокам 7 и 9 камер по загрузке и подготовке объектов 40 и 41 (фиг.2). Возможен вариант непосредственного соединения блоков 7 и 9 с камерами 5 и 1 (фиг.4). Возможны также и другие варианты.

Более подробно, описанные элементы нанотехнологического комплекса могут выглядеть следующим образом.

Транспортные системы 2, 3, 6 и 8 обычно содержат сверхвысоковакуумные манипуляторы с различным количеством степеней свободы с захватами носителей зондов 14 и носителей образцов 20 (см., например, [1, 2, 3, 4, 5]).

Сканирующий зондовый микроскоп 10 с первой системой координатного перемещения 11 (пьезосканером) представляет собой измерительный модуль, позволяющий, используя взаимодействие зонда с поверхностью образца, получать пространственное разрешение на поверхности образца вплоть до атомарного. Подробно описание СЗМ см. в [5, 6, 7, 8].

Первый держатель 12 с первой системой координатной установки 13 носителей зондов 14 может содержать магнитный захват с ловителями (см., например, [9, 10, 11]) для установки носителей зондов 14.

Первые ориентирующие элементы 16 носителей зондов 14 могут быть выполнены в виде трех базовых упоров, к которым прижимают зонд 15 (кантилевер), выполненный в виде базовой площадки с отверстиями и гибкой консолью на конце [12].

Вторая система координатного перемещения 17 может быть выполнена в виде координатного стола в плоскости образца 21, например, на V-образных направляющих, с обратной связью, осуществляемой, например, интерференционными датчиками [13, 14, 15, 16].

Второй держатель 18 со второй системой координатной установки 19 носителей образцов 20 может быть выполнен в виде платформы с тремя шаровыми опорами, сопрягаемыми, например, с тремя V-образными канавками (не показаны) носителя образца 20 [17, 18].

Вторые ориентирующие элементы 22 носителей образцов 20 могут быть выполнены в виде трех базовых упоров, к которым прижимают образец, например полупроводниковую подложку, базовым срезом и одним из краев [12].

Первая система координатной привязки 23 выполнена в виде электронного блока, подключенного к датчикам системы 17 и датчикам пьезосканера 11 [19, 20], и отслеживающей относительные перемещения зондов и образцов.

Кассеты блока носителей зондов 24 и блока носителей образцов 26 могут быть этажерочного или карусельного типов [1, 2, 5].

Блоки подготовки зондов 25 и блоки подготовки образцов 27 могут быть выполнены в виде блоков нагрева или плазмохимического травления, в виде электронных или ионных пушек, а также в виде источников высокоэнергетичной плазмы [21, 22, 23, 24, 25, 26].

Модуль формирования структур 28 в блоке формирования структур 7 может быть выполнен в виде модуля молекулярно-лучевой эпитаксии [25, 26], в виде модуля газофазного химического осаждения [21, 27, 28], в виде модуля локального зондового газофазного осаждения [29] либо в виде модуля эпитаксиального роста пленок методами импульсного лазерного осаждения [26].

Третий держатель 29 с третьей системой координатной установки 30 может быть аналогичен второму держателю [17, 18]. Однако в случае использования нагреваемого образца и передачи тепла с держателя 29 на носитель 20 за счет теплопроводности установка носителя 20 может осуществляться по всей его плоскости и по наружной геометрии носителя 20 [12].

Третья система координатного перемещения 31, необходимая, например, для локального зондового газофазного осаждения, а также вторая система координатной привязки 32 могут быть аналогичны второй системе координатного перемещения [13, 14, 15, 16] и первой системе координатной привязки [19, 20].

Модуль локального воздействия 33 в блоке локального воздействия 9 может быть выполнен в виде источника ионов или источника электронов [25, 26, 30]. Возможно также использование, например, двух самостоятельных камер с ионным и электронным источниками (не показано).

Четвертый держатель 34 с четвертой системой координатной установки 35 может быть аналогичен второму держателю [17, 18].

Четвертая система координатного перемещения 36, а также третья система координатной привязки 37 могут быть аналогичны второй системе координатного перемещения [13, 14, 15, 16] и первой системе координатной привязки [19, 20].

Помимо такого исполнения четвертая система координатного перемещения 36 может иметь более сложные перемещения, чем перемещения в плоскости образца 21. Например, дополнительным перемещением системы 36 может быть качание плоскости образца 21 для более широкого доступа электронных или ионных пучков к элементам образца 21. Это может быть осуществлено установкой на координатном столе в плоскости образца трех приводов по координате Z [31].

Третий 38 и четвертый 39 блоки подготовки образцов могут быть выполнены в виде блоков плазмохимической очистки [25].

Элементы комплекса, такие как манипуляторы транспортной системы, вакуумные затворы, блоки напуска газов, средства откачки и демпфирования, блоки управления и т.п., не показаны.

Нанотехнологический комплекс работает следующим образом. Устанавливают зонды 15 (фиг.1) в носители 14, которые размещают в кассете 24. Устанавливают образцы 21 в носители 20, которые в свою очередь размещают в кассете 26 камеры 5. Также носители 20 могут быть размещены в камерах 40 и 41. При необходимости, используя блок 25, осуществляют подготовку зондов 15 к измерениям. При использовании в качестве зондов вольфрамовых игл для туннельных измерений целесообразно использовать ионные или электронные пушки. При этом окисел с острий игл успешно снимается при нагреве их, например, электронным пучком свыше 1000°С.

При использовании в качестве зондов кантилеверов целесообразно использовать плазменные источники очистки.

Не исключен вариант подготовки зондов с использованием блока формирования структур 7, например, для нанесения на иглы посредством газофазного химического осаждения, например, магнитного покрытия для последующих магнитных измерений либо формирования нанотрубок, а также других видов финишных заострений [32].

Возможен также вариант, в котором, используя сквозную транспортную систему, подготовку зондов можно проводить в блоке локального воздействия 9. При этом, используя ионный источник 33, можно осуществлять комплексную подготовку кантилеверов, вплоть до изменения формы их гибких балок, а также острий.

Подготовку образцов 21 можно проводить в камере 5, используя блок 27. Одним из наиболее «чистых» способов снятия окисла с полупроводников может являться прямой нагрев образцов при пропускании через них тока [33]. Можно также проводить подготовку образцов в камерах 40 и 41 либо непосредственно в блоках 7 и 9. Например, перед газофазным химическим осаждением можно чистить поверхность образца, используя плазмохимическое травление, либо, повышая энергию плазмы блоком 38, производить «физическое» травление образца за счет «выбивания» частиц с его поверхности.

После проведения подготовки зондов и образцов можно проводить основные технологические операции по изготовлению изделий наноэлектроники.

Один вариант создания новых изделий наноэлектроники может быть основан на эффекте графоэпитаксии для создания несоразмерных кристаллических структур.

В этом случае в блоке локального воздействия 9 на поверхности образца 21 при помощи ионного источника 33 могут формироваться зоны ячеек с размерами, отличными от кристаллической структуры I образца 21, соответствующие размерам кристаллической структуры II предполагаемой эпитаксиальной пленки. Посредством зондового микроскопа 10 может осуществляться контроль размеров структуры II.

После этого в блоке 7 проводят процесс эпитаксиального роста пленки кристаллической структуры II, элементарными зародышами которой будут ячейки с ее характерными размерами.

Подробно процесс графоэпитаксии см. в [34, 35].

Таким образом, можно изготавливать 3-мерные схемы наноэлектроники, а также схемы на основе полупроводниковых соединений А₃В₅.

Второй вариант создания новых изделий может заключаться в формировании в блоке 9 каталитических зон, например никеля на образце 21 при помощи локального ионного разложения металлоорганики. После этого в блоке 7 в определенных местах на образце 21 можно формировать нанотрубки (см., например, [36, 37]).

Используя координатно-связанные зоны нанотрубок можно изготавливать нанотранзисторы, экраны мониторов, радиаторы с высокой теплоотдачей и т.д.

Помимо указанного, с использованием этого комплекса можно будет изготавливать интегральные схемы наноэлектроники на кристаллах алмаза, квантовые приборы на основе эффекта Джозефсона на самоорганизованных периодических структурах и т.п.

Координатную привязку топологических структур на различных этапах их изготовления осуществляют следующим образом.

Погрешность установки зондов 15 в носители 14 δ₁ и погрешность установки образцов 21 δ₂ в носители 20 благодаря использованию элементов 16 и 22 может быть в пределах ± 1 мкм.

Погрешность установки носителей 14 δ₃ в держатель 12 и погрешность установки носителей 20 δ₄ в держатель 18 может быть в пределах ± 2 мкм.

Инструментальная погрешность расположения острия кантилевера относительно его геометрии δ_к может быть в пределах ± 3 мкм (при больших значениях δ_к кантилеверы можно отбраковывать.) Погрешность расположения топологии на образце δ_о при использовании полупроводниковых подложек со шлифованными двумя базовыми срезами может быть в пределах ± 2 мкм.

Температурная относительная погрешность держателей 12 и 18 δ_то за счет осесимметричной конструкции камеры 1 при Δt=1°С составляет величину порядка 1,5 мкм.

Температурная погрешность на образце δ_Т1 ⊘ 100 мм для большинства материалов при Δt=1°С находится в пределах 1 мкм.

Таким образом, рассовмещение острия зонда 15 и элемента первичной топологии образца, например, сформированной вне нанотехнологического комплекса,составит величину:

δ_н=δ₁+δ₂+δ₃+δ₄+δ_к+δ_о+δ_то+δ_Т1=2+2+4+4+6+2+1,5+1=22,5 мкм.

При диапазоне сканирования пьезосканера, равном 50 мкм, обеспечивается гарантированное нахождение элемента топологии, сформированной вне нанотехнологического комплекса.

При полностью замкнутом цикле производства изделий образцы 20 и зонды 15 будут транспортироваться внутри комплекса без съема со своих носителей, то есть в этом случае δ₁=0, δ₂=0. При использовании одного и того же кантилевера δ_к=0.

Погрешность расположения топологии на образце δ_о с учетом использования координатного стола и интерференционных датчиков можно будет довести до ± 1 мкм.

То есть рассовмещение острия зонда 15 и элемента топологии, сформированной внутри комплекса, составит величину:

δ_в=δ₃+δ₄+δ_о+δ_то+δ_т=4+4+2+1,5+1=12,5 мкм.

В этом случае достаточным будет использовать пьезосканер с диапазоном сканирования, равным 20 мкм.

При совмещении острия зонда с топологиями, сформированными внутри комплекса, основная трудность будет связана с автоматическим поиском зоны на подложках ⊘ 100 мм. При использовании координатного стола и датчиков [15, 16] погрешность его положения δ₅ будет в пределах 10 нм. Даже при поддержании температуры внутри камеры 1 в пределах Δt=0,2°С температурная погрешность δ_Т2 будет порядка 0,2 мкм.

То есть режим автоматического поиска зондом топологии после перемещения по образцу на величину порядка 100 мм может быть включен после нахождения реперного знака в зоне большей величины δ_п=δ₅+δ_Т2=0,21 мкм.

Полностью автоматический режим совмещения возможен при формировании первичной сетки реперных знаков, расположенных на расстоянии друг от друга, меньшем диапазона сканирования пьезосканера 11. Знаки эти могут быть сформированы в блоке 9 и представлять собой рельефные элементы, воспринимаемые (учитывая другие технологические операции) зондовой системой. Подробно использование реперных знаков для совмещения топологий см. в [14, 38].

Снабжение комплекса блоком формирования структур и блоком локального воздействия с соответствующим модулем расширяет функциональные возможности комплекса. Включение в камеру измерения первой системы координатной установки носителей зондов на первом держателе и второй системы координатной установки носителей образцов на втором держателе повышает точность первичной ориентации зондов и образцов друг относительно друга. Введение второй системы координатного перемещения, а также сопряжение с ней первой системы координатного перемещения посредством координатной привязки зондов и образцов повышает точность ориентации зонда относительно всей поверхности образца и также расширяет функциональные возможности устройства.

Введение в блок формирования структур третьего держателя с третьей системой координатной установки носителей объектов обеспечивает необходимые условия формирования структур.

Введение в блок локального воздействия четвертого держателя с четвертой системой координатной установки носителей объектов, четвертой системы координатного перемещения и четвертой системы координатной привязки обеспечивает возможность координатного воздействия на образцы.

Выполнение блока загрузки носителей объектов в виде камеры загрузки носителей зондов и камеры загрузки носителей образцов позволяет использовать кассетные загрузки, а также расширяет возможности воздействий в загрузочных камерах на зонды и образцы.

Использование блоков подготовки объектов в различных конфигурациях позволяет модифицировать образцы и зонды перед проведением основных технологических операций. Это может повышать точность измерений, повышать качество основных процессов, а также расширять функциональные возможности комплекса за счет более разнообразного использования зондов.

Применение в качестве модулей формирования структур модулей молекулярно-лучевой эпитаксии, газофазного химического осаждения, локального зондового газофазного осаждения или импульсного лазерного осаждения в совокупности с модулями локального воздействия и измерения позволяет в контролируемой среде создавать новые изделия наноэлектроники.

ЛИТЕРАТУРА

1. Information of Omicron. Multi - mode UHV Scanning Probe Microscope, p.1, 2.

2. Патент RU2158454, H01J 37/26, 2000 г.

3. Патент ЕР0899561, G01N 27/00, 1999 г.

4. Патент US5157256, H01J 37/26, 2991 г.

5. Information of Omicron. UHV Scanning tunnling Microscope.

6. Зондовая микроскопия для биологии и медицины. В.А.Быков и др., Сенсорные системы, т.12, №1, с.99-121, 1998 г.

7. Сканирующая туннельная и атомносиловая микроскопия в электрохимии поверхности. Данилов А.И. Успехи химии, 64 (8), 1995 г., с.818-833.

8. Патент RU2163343, H01J 37/28, 2000 г.

9. Патент US6057546, H01J 37/26, 1991 г.

10. Патент RU2227363, H02N 2/00, 2004 г.

11. Патент RU2254640, H01L 41/00, 2004 г.

12. Патент US5376790, H01J 37/26, 1994 г.

13. Патент US5512808, B26D 3/06, 1996 г.

14. Патент US5508527, G01J 1/00, 1996 г.

15. Двухкоординатный стол, фирмы ALIO Industry - Sales @ alionindustees. com.

16. Патент DE60019399, G01B 11/00, 2005 г.

17. Патент RU2227363, H01L 41/001, 2004 г.

18. Патент RU2254640, H02N 2/001, 2005 г.

19. Положительное решение от 21.02.06. по заявке RU №2004126980.

20. Г.Я.Мирский. «Электронные измерения», М.: «Радио и связь», 439 с., 1986 г.

21. Е.З.Мазель. «Планарная технология кремниевых приборов», М.: «Энергия», 384 с., 1974 г.

22. С.М.Файнштейн. «Обработка и защита поверхности полупроводниковых приборов», М.: «Энергия», 294 с., 1970 г.

23. Патент RU2208845, G12B 21/00, 2003 г.

24. Патент RU2169440, Н05В 3/06, 2001 г.

25. О.С.Моряков. «Элионная обработка», М.: «Высшая школа», 125 с., 1990 г.

26. И.М.Скворцов и др. Технология и температура газовой эпитаксии кремния и германия. М.: «Энергия». 133 с., 1978 г.

27. Патент US5804027, H01J 37/32, 1998 г.

28. С.В.Редькин. Установка СВЧ плазменной обработки пластин большого диаметра. Сборник материалов т.2, ИГХТУ, 2002, с.434-472, ISBN-5-230-01566-7.

29. Патент RU2121730, H01J 37/04, 1999 г.

30. Микролитография, третий всесоюзный семинар, Черноголовка, 251 с., 1990 г.

31. Патент GB2316222, H02N 2/04, 1998 г.

32. Патент RU2220429, G02B 21/00, 2000 г.

33. Патент RU2218562, G01N 27/00, 2001 г.

34. Ю.Д.Третьяков и др. Каталог научно-образовательных ресурсов МГУ. www.msu.su/ru.

35. А.А.Остроушко и др. Физико-химические основы получения твердых материалов электронной техники. Гл.9, 1998 г., http://geg.chem.usu.ru.

36. Углеродные нанотрубки обогнали лучшие прототипы кремниевых транзисторов. http://itnens.com.na.

37. И.В.Золотухин. Углеродные нанотрубки. 1999 г., www.pereplet.ru.

38. Патент US4677296, G01N 23/00, 1987 г.

1. Нанотехнологический комплекс, содержащий блок загрузки носителей объектов (носителей зондов и носителей образцов) с объектами (зондами и образцами), блок подготовки объектов, камеру измерения, включающую сканирующий зондовый микроскоп, с первой системой координатного перемещения, на которой закреплен первый держатель носителей зондов, носитель образцов, пространственно сопряженный с носителем зондов, и транспортную систему, отличающийся тем, что комплекс снабжен блоком формирования структур и блоком локального воздействия, при этом камера измерения включает первую систему координатной установки носителя зондов на первом держателе, вторую систему координатного перемещения, на которой закреплен второй держатель со второй системой координатной установки носителей образцов, при этом первая система координатного перемещения сопряжена со второй системой координатного перемещения первой системой координатной привязки зондов и образцов, блок формирования структур содержит модуль формирования структур, а также третий держатель с третьей системой координатной установки носителей объектов, блок локального воздействия содержит модуль локального воздействия, а также четвертый держатель с четвертой системой координатной установки носителей объектов, при этом четвертый держатель установлен на четвертой системе координатного перемещения, сопряженной с модулем локального воздействия третьей системой координатной привязки модуля локального воздействия с объектом.

2. Комплекс по п.1, отличающийся тем, что блок загрузки носителей объектов содержит камеру загрузки носителей зондов и камеру загрузки носителей образцов.

3. Комплекс по п.2, отличающийся тем, что носители зондов имеют ориентирующие элементы для установки зондов, а носители образцов - ориентирующие элементы для установки образцов.

4. Комплекс по п.1, отличающийся тем, что блок подготовки объектов содержит, по меньшей мере, одну камеру подготовки зондов и (или), по меньшей мере, одну камеру подготовки образцов.

5. Комплекс по п.1, отличающийся тем, что блок подготовки объектов включен в виде блока подготовки зондов в состав камеры загрузки носителей зондов и (или) в виде первого блока подготовки образцов - в состав камеры загрузки носителей образцов и (или) в виде второго блока подготовки образцов - в состав блока формирования структур и (или) в виде третьего блока подготовки образцов - в блок локального воздействия.

6. Комплекс по п.4, отличающийся тем, что блок подготовки объектов снабжен источником плазмохимического травления и (или) источником физического травления, и (или) нагревателем объектов.

7. Комплекс по п.6, отличающийся тем, что в качестве источника физического травления используют электронную пушку.

8. Комплекс по п.6, отличающийся тем, что в качестве источника физического травления используют ионную пушку.

9. Комплекс по п.6, отличающийся тем, что в качестве источника физического травления используют источник высокоэнергетичной плазмы.

10. Комплекс по п.1, отличающийся тем, что в блоке формирования структур модуль формирования структур выполнен в виде модуля молекулярно-лучевой эпитаксии.

11. Комплекс по п.1, отличающийся тем, что в блоке формирования структур модуль формирования структур выполнен в виде модуля газофазного химического осаждения.

12. Комплекс по п.1, отличающийся тем, что в блоке формирования структур модуль формирования структур выполнен в виде модуля локального зондового газофазного осаждения, при этом он снабжен третьей системой координатного перемещения, сопряженной с модулем формирования структур второй системой координатной привязки технологических зондов и образцов относительно друг друга.

13. Комплекс по п.1, отличающийся тем, что в блоке формирования структур модуль формирования структур выполнен в виде модуля эпитаксиального роста пленок методом импульсного лазерного осаждения.

14. Комплекс по п.1, отличающийся тем, что в блоке локального воздействия модуль локального воздействия выполнен в виде, по меньшей мере, одного источника ионов и (или), по меньшей мере, одного источника электронов.