Способ изготовления сильфона

Изобретение относится к области обработки металлов давлением и может быть использовано при изготовлении тонкостенных одногофровых сильфонов. Изготовляют тонкостенную трубную заготовку и формируют из нее одногофровый сильфон. Производят межоперационную термообработку для снятия внутренних напряжений, калибрующее механическое воздействие и окончательную термообработку сильфона для обеспечения геометрических размеров и придания металлу заданных механических свойств. Перед окончательной термообработкой осуществляют калибрующее механическое воздействие до обеспечения разновысотности гофра по диаметру менее 0,08 мм. Повышается качество. 2 з.п. ф-лы.

 

Изобретение относится к технологии изготовления тонкостенных одногофровых сильфонов, используемых, в частности, в сборной трубе ротора газовой центрифуги.

Известен способ изготовления одногофрового сильфона, включающий изготовление трубной заготовки, радиальную формовку гофра посредством жидкости, подаваемой в полость трубной заготовки, образующей внутренний герметизированный объем матрицы и осевую осадку заготовки в матрице при приложении внутреннего давления жидкости на 3-6% меньше, чем при радиальной формовке (см. патент N2192325, МПК В21D 15/00, 51/12).

Недостаток способа в том, что он не обеспечивает изготовление сильфона с высотой гофра высокой точности и малой разновысотностью гофра по окружности.

Известен способ изготовления тонкостенного сильфона, включающий изготовление тонкостенных трубных заготовок, сборку трубных заготовок, их совместное деформирование с формированием гофра сильфона и последующую термическую обработку сильфона для обеспечения заданных механических свойств металла и геометрических размеров сильфона (см. патент N2164188, МПК В21D 15/00, С22F 1/10). Способ принят за прототип.

Недостаток способа в том, что при окончательной термообработке гофр сильфона изменяется по высоте непредсказуемо, что не позволяет изготовить сильфон с высотой гофра высокой точности и разновысотностью менее 0,08 мм. Поскольку одногофровый сильфон является высоконагруженным элементом трубы ротора, высота и разновысотность гофра должны быть высокой точности.

Выбраковка по высоте и разновысотности, не удовлетворяющей заданным требованиям, составляет до 40% от числа изготавливаемых одногофровых сильфонов.

Предлагаемым изобретением решается задача повышения качества тонкостенных одногофровых сильфонов.

Технический результат, получаемый при осуществлении изобретения, заключается в обеспечении высоты гофра сильфона высокой точности и разновысотности гофра менее 0,08 мм.

Указанный технический результат достигается тем, что в известном способе изготовления сильфона, включающем изготовление тонкостенной трубной заготовки, формирование из трубной заготовки одногофрового сильфона, межоперационную термообработку для снятия внутренних напряжении, калибрующее механическое воздействие и окончательную термообработку сильфона для обеспечения геометрических размеров и придания металлу заданных механических свойств, новым является то, что перед окончательной термообработкой осуществляют калибрующее механическое воздействие до обеспечения разновысотности гофра по диаметру менее 0,08 мм, механическое воздействие осуществляют путем приложения деформирующего усилия к вершине гофра или по профилю гофра и радиусам сопряжения полок гофра с обечайками сильфона одновременно.

Введение в способ изготовления сильфона калибрующего механического воздействия на гофр сильфона перед окончательной термообработкой позволяет обеспечить необходимую точность высоты гофра и разновысотность гофра по окружности менее 0,08 мм.

На основании вышеизложенного можно сделать вывод о том, что предлагаемое изобретение обладает "новизной" и "изобретательским уровнем".

Способ осуществляется следующим образом.

Последовательно из толстостенной трубной заготовки за 3 или 4 операции ротационного выдавливания изготавливают тонкостенную трубную заготовку. После каждой операции ротационного выдавливания заготовки разрезают на кольца, которые подвергают термообработке при температуре закалки 810°...840°C для снятия напряжения и обеспечения внутреннего диаметра. После последней операции термообработки получают тонкостенную трубную заготовку с размерами: длина - 60 мм, внутренний диаметр - 125,6 мм, толщина стенки - 0,12 мм.

Из полученной заготовки формируют сильфон путем воздействия эластичной среды на внутреннюю поверхность трубной заготовки и последующей прикатки радиусов сопряжения полок гофра и обечаек сильфона. После обрезки торцевых припусков сильфон подвергают закалке на аустенитной термофиксирующей оправке при температуре 810°...840°С. После закалки сильфон измеряют по высоте и разновысотности гофра. Сильфоны с отступлениями по высоте и разновысотности гофра сверл допустимых значений устанавливают на оправку и при вращении сильфона гофр сильфона подвергают калибрующему механическому воздействию по высоте путем приложения деформирующего усилия инструмента к вершине гофра или по профилю гофра и радиусам сопряжения полок гофра с обечайками сильфона одновременно, после чего сильфон подвергают старению на термофиксирующей аустенитной оправке.

Таким образом, предложенный способ позволяет обеспечить высокую точность высоты гофра и разновысотность гофра менее 0,08 мм.

1. Способ изготовления сильфона, включающий изготовление тонкостенной трубной заготовки, формирование из трубной заготовки одногофрового сильфона, межоперационную термообработку для снятия внутренних напряжений, калибрующее механическое воздействие и окончательную термообработку сильфона для обеспечения геометрических размеров и придания металлу заданных механических свойств, отличающийся тем, что перед окончательной термообработкой осуществляют калибрующее механическое воздействие до обеспечения разновысотности гофра по диаметру менее 0,08 мм.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что механическое воздействие осуществляют путем приложения деформирующего усилия к вершине гофра.

3. Способ по п.1, отличающийся тем, что механическое воздействие осуществляют путем приложения деформирующего усилия по профилю гофра и радиусам сопряжения полок гофра с обечайками сильфона одновременно.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии изготовления тонкостенных одногофровых сильфонов. .

Изобретение относится к энергетическому машиностроению и может быть использовано, в частности, при изготовлении теплообменного аппарата и составляющих его элементов.

Изобретение относится к обработке металлов давлением, а именно к устройствам для выполнения кольцевых гофр на трубчатых заготовках (обечайках) жаровых труб котлоагрегатов.

Штамп // 2243052
Изобретение относится к области обработки металлов давлением, в частности к устройствам для получения сильфонов или изделий с гофрами на цилиндрических поверхностях.

Изобретение относится к обработке металлов давлением, а именно к способу изготовления одногофрового сильфона с цилиндрическими обечайками. .

Изобретение относится к области обработки металлов давлением, в частности к способу изготовления сильфонов для трубопроводов, подвергающихся в процессе эксплуатации температурным деформациям в результате колебания температур или остановки, при транспортировке различных средств в трубопроводах, сосудах и аппаратах от 60С до +700С.

Изобретение относится к обработке металлов давлением, в частности к оборудованию для изготовления на трубах кольцевых гофров. .

Изобретение относится к обработке металлов давлением, в частности к устройствам для выполнения кольцевых гофров на обечайках при изготовлении гофрированных труб котлоагрегатов.

Изобретение относится к обработке металлов давлением, в частности к оборудованию для изготовления на трубах кольцевых гофров. .

Изобретение относится к области обработки металлов давлением, в частности к способам изготовления высокопрочных сильфонов для эксплуатации при высоких давлениях и температурах

Изобретение относится к обработке металлов давлением, в частности к технологии производства изделий из особотонкостенных многослойных трубных заготовок, преимущественно из титановых сплавов, и может быть использовано в машиностроении и других отраслях промышленности

Изобретение относится к области машиностроения, в частности для формообразования сильфонов, преимущественно из титановых сплавов

Изобретение относится к способам изготовления многослойных сильфонов для приборов и компенсирующих соединительных устройств трубопроводных коммуникаций транспортных средств и промышленного оборудования

Изобретение относится к области обработки металлов давлением, в частности к прокатному производству

Изобретение относится к машиностроению и может быть использовано при профилировании тонкостенных цилиндрических полых изделий холодным накатыванием

Изобретение относится к области обработки металлов давлением, конкретно - к трубопрофильному производству

Изобретение относится к обработке металлов давлением, а именно к способам штамповки осесимметричных деталей из особо тонкостенных трубных заготовок. Эластичной средой в жестких матрицах последовательно формируют гофры раздачей внутренним давлением эластичной среды при осевом перемещении свободного конца трубной заготовки. Причем материал трубной заготовки выбирают в соответствии с его относительным удлинением после разрыва δ, определяемым по приведенной в формуле зависимости. Повышается качество штампуемых сильфонов из трубных заготовок. 1 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления устройств для подвижного соединения трубопроводов - сильфонов. Способ изготовления сильфона включает обработку его поверхности очисткой, сушкой и нанесение раствора ФПАВ (фторсодержащего поверхностно-активного вещества). На поверхность наносят раствор ФПАВ с концентрацией от 0,1 до 5,0 мас. % во фторорганическом растворителе, а затем проводят сушку. Нанесение проводят либо после стадии формирования заготовок для сильфонов, либо после стадии формовки и сушки сильфонов. ФПАВ выбирают из класса перфторполиоксапропилен- или перфторполиоксаэтиленкарбоновых кислот или их смеси (молекулярная масса ФПАВ от 3000 до 7500), которые растворены во фторорганическом растворителе, например в хладоне 113 или в перфторэтилизопропилкетоне. Нанесение ФПАВ проводят при температуре 20-60°C в течение 50-60 минут. Технический результат: увеличение рабочих ресурсов готовых сильфонов. 3 з.п. ф-лы, 1 табл.
Наверх