Прибор для поверхностного монтажа

Авторы патента:

Барановский Дмитрий Моисеевич (RU)

Ветохин Роман Владимирович (RU)

H01L21/78 - с последующим разделением подложки на несколько отдельных приборов (резка, изменяющая физические свойства поверхности или форму полупроводниковых элементов,H01L 21/304)

Владельцы патента RU 2316846:

Барановский Дмитрий Моисеевич (RU)

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в производстве электронных приборов и интегральных схем. Техническим результатом изобретения является повышение надежности и уменьшение габаритных размеров прибора. Сущность изобретения: в приборе для поверхностного монтажа, состоящем из диэлектрического основания с металлизированными переходными отверстиями, на нижней стороне которого расположены монтажные площадки, а на верхней стороне - элементы проводящего рисунка, к которым подключены один или более электронных компонентов, находящихся внутри тела корпуса, сформированного герметизирующим компаундом, монтажные площадки, металлизация переходных отверстий и участок соответствующих элементов проводящего рисунка, прилегающий к переходному отверстию, покрыты сплошным слоем облуживаемого материала, полностью заполняющим металлизированные переходные отверстия, образуя монолитные перемычки, которые одной или несколькими своими гранями могут выходить на боковые грани прибора для поверхностного монтажа. 5 ил.

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в производстве электронных приборов и интегральных схем.

Известен прибор для поверхностного монтажа, состоящий из диэлектрического основания, на нижней стороне которого расположены монтажные площадки, а на верхней стороне - элементы проводящего рисунка, к которым подключены один или более электронных компонентов, находящихся внутри тела корпуса, сформированного герметизирующим компаундом, нанесенным на поверхность диэлектрического основания. Электрическое соединение монтажных площадок и соответствующих им элементов проводящего рисунка осуществляется через перемычки, образованные металлизацией переходных отверстий, лежащими вне проекции тела корпуса на диэлектрическое основание и имеющими форму, близкую к форме полого цилиндра [1] и/или полуцилиндра [2], и/или четвертицилиндра [3] в зависимости от расстояния, на котором проходит их осевая линия от боковой поверхности диэлектрического основания.

Целью изобретения является повышение надежности и уменьшение габаритных размеров прибора для поверхностного монтажа.

Повышение надежности электрического соединения монтажных площадок и соответствующих им элементов проводящего рисунка прибора для поверхностного монтажа достигается тем, что монтажные площадки, металлизация переходных отверстий и участок соответствующих элементов проводящего рисунка, прилегающий к переходному отверстию, покрыты сплошным слоем облуживаемого материала, который полностью заполняет металлизированные переходные отверстия, образуя монолитные перемычки. Кроме того, благодаря полному заполнению облуживаемым материалом металлизированных переходных отверстий размер диэлектрического основания прибора для поверхностного монтажа уменьшен до размера проекции тела корпуса на плоскость диэлектрического основания. При этом монолитные перемычки одной или несколькими своими гранями в зависимости от расстояния, на котором проходит их осевая линия от боковой поверхности диэлектрического основания, могут выходить на боковые грани прибора для поверхностного монтажа.

На фиг.1 в качестве примера возможной конструкции представлен прибор для поверхностного монтажа, состоящий из диэлектрического основания 1, на нижней стороне которого расположены монтажные площадки 2, а на верхней - элементы 3 проводящего рисунка, к которым подключен электронный компонент 4, находящийся внутри тела корпуса 5. Электрическое соединение монтажных площадок 2 и соответствующих им элементов 3 проводящего рисунка осуществляется через металлизацию переходных отверстий 6 и монолитную перемычку 7. Выходящие на боковую грань прибора для поверхностного монтажа соответствующие боковые грани тела корпуса 5, диэлектрического основания 1, монолитной перемычки 7 и металлизации переходного отверстия 6 лежат в одной плоскости.

Предлагаемый прибор для поверхностного монтажа может быть получен с привлечением приемов известного группового способа изготовления микросхем [4]. На фиг.2 показано общее диэлектрическое основание 8, на верхней стороне которого сформированы элементы проводящего рисунка 3, соединенные с монтажными площадками прибора, находящимися на нижней стороне диэлектрического основания, через металлизацию переходных отверстий 6. Для получения монолитных перемычек 7, показанных на фиг.3, металлизацию переходных отверстий 6 и участки соответствующих элементов проводящего рисунка 3, прилегающие к переходным отверстиям, покрывают сплошным слоем, например, припоя, так, что он полностью заполняет металлизированные переходные отверстия, образуя монолитные перемычки 7. Далее, к элементам проводящего рисунка 3 подключают электронные компоненты 4. Затем (фиг.4) на всю поверхность общего диэлектрического основания 8 сплошным слоем наносят герметизирующий компаунд 9. Сформированную таким образом единую заготовку разделяют на части, получая приборы для поверхностного монтажа 10 (фиг.5). При этом линии разделения на части единой заготовки могут проходить по осевой линии монолитной перемычки 7.

Источники информации

1. Патент WO 01/7810 A2, 18.10.2001.

2. Патент US 6593598 B2, 15.07.2003.

3. Патент US 6534799 B1, 18.03.2003.

4. Патент RU 2244364 C1, 10.01.2005.

Прибор для поверхностного монтажа, состоящий из диэлектрического основания с металлизированными переходными отверстиями, на нижней стороне которого расположены монтажные площадки, а на верхней стороне - элементы проводящего рисунка, к которым подключены один или более электронных компонентов, находящихся внутри тела корпуса, сформированного герметизирующим компаундом, нанесенным на поверхность диэлектрического основания, отличающийся тем, что монтажные площадки, металлизация переходных отверстий и участок соответствующих элементов проводящего рисунка, прилегающий к переходному отверстию, покрыты сплошным слоем облуживаемого материала, полностью заполняющим металлизированные переходные отверстия, образуя монолитные перемычки, которые одной или несколькими своими гранями могут выходить на боковые грани прибора для поверхностного монтажа.

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в производстве микросхем. .

Способ обработки структур "кремний на сапфире" // 2185685

Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов и может быть использовано при создании структур "кремний на сапфире", предназначенных для изготовления дискретных приборов и интегральных схем, стойких к воздействию дестабилизирующих факторов, например к радиации.

Интегральная схема и способ ее изготовления // 2117418

Способ изготовления датчиков давления // 2075137

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении малогабаритных полупроводниковых датчиков давления. .

Способ получения тонких монокристаллических полупроводниковых слоев на изоляторе или другом полупроводниковом материале // 2071145

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в новом технологическом процессе: изготовлении структур кремний на изоляторе или кремний на арсениде галлия (через окисел) путем прямого соединения полупроводниковых пластин.

Устройство для закрепления изделий, преимущественно полупроводниковых пластин в установках для разделения их на кристаллы // 2047934

Изобретение относится к электроадгезионным захватам и предназначено для фиксации пластин и подложек из электропроводящих и диэлектрических материалов при обработке, ориентированном разделении на отдельные кристаллы, подготовке к операциям сборки и монтажа.

Устройство для закрепления изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, в установках для разделения их на кристаллы // 2047933

Устройство для приклейки пластин к адгезионному пленочному носителю // 2036537

Способ изготовления полупроводниковых кристаллов // 2035086

Изобретение относится к микроэлектронике. .

Способ изготовления полупроводниковых кристаллов // 2035085

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 2321101

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении чувствительных элементов датчиков давлений

Способ изготовления чипов мощных нитридных свч-транзисторов // 2339116

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и может быть использовано при изготовлении мощных СВЧ-транзисторов с использованием гетероструктур на основе нитридов III группы

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Способ формирования граней чипа для мозаичных фотоприемных модулей // 2509391

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и предназначено для сборки мозаичных фотоприемных модулей. В способе формирования граней чипа для мозаичных фотоприемных модулей наносят защитное покрытие на планарную сторону приборной пластины, после чего, используя лазер, производят скрайбирование и осуществляют раскалывание приборной пластины. Защитное покрытие наносят толщиной, обеспечивающей поглощение лазерного излучения с плотностью энергии меньшей порога плавления в материале защитного покрытия и препятствование его воздействия на полупроводниковый материал. Скрайбирование, формирующее грань, осуществляют с использованием многопроходного режима. В каждом проходе приборной пластины скорость ее движения выбирают из условия отсутствия на поверхности больших зон расплава материала за счет перекрытия световых пятен от импульсного излучения, а также отсутствия уменьшения ширины канавки за счет осаждения расплава. При скрайбировании формируют канавку симметричной V-образной формы, направляя излучение по нормали к поверхности приборной пластины и получая канавку со стенками, образующими с поверхностью приборной пластины тупой угол α, или асимметричной V-образной формы, путем отклонения оптической оси лазерной системы, генерирующей требуемое излучение для скрайбирования, от нормали к поверхности приборной пластины в поперечном направлении формируемой канавки, получая канавку со стенкой со стороны чипа, образующей с поверхностью приборной пластины угол менее величины α и не более 180°-α. В результате достигается повышение эффективности преобразования изображений в мозаичном фотоприемном модуле и расширение области его применения. 5 з.п. ф-лы, 9 ил., 2 пр.

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 2511054

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве электронных приборов. В способе изготовления полупроводникового прибора в полупроводниковой пластине прошивают переходные сквозные отверстия, поверхности отверстий, образовавшиеся сколы, лицевую и обратную поверхности полупроводниковой пластины селективно покрывают изоляционным слоем, поверх изоляционного слоя наносят металлические проводники, необходимые для проведения электротермотренировки и полного контроля всех кристаллов, после электротермотренировки и полного контроля пластину разрезают на кристаллы, годные из которых используют для корпусирования. Изобретение обеспечивает групповую электротермотренировку и полный контроль кристаллов в составе полупроводниковой пластины, что значительно удешевляет производство полупроводниковых приборов. 8 з.п. ф-лы, 5ил.

Структурный блок с лазерным треком; способ изготовления такого структурного блока // 2542056

Группа изобретений касается структурного блока, имеющего в качестве линии инициирования разлома лазерный трек, который состоит из углублений, полученных от лазерного луча, для подготовки последующего разделения этого структурного блока на отдельные конструктивные элементы. Тем самым обеспечивается то, что при разделении на отдельные части разлом всегда происходит вдоль этого лазерного трека, предотвращаются разломы, отклоняющиеся от лазерного трека, и после разламывания формируются ровные и не имеющие осыпаний края излома. Причем расстояние между двумя расположенными рядом углублениями от лазера меньше или равно диаметру этих углублений от лазера, соответственно измеренному на поверхности структурного блока. При этом лазерный трек скомбинирован с выемкой в отдельном конструктивном элементе. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 6 ил.

Способ изготовления высокочувствительных многоэлементных твердотельных преобразователей изображения // 2559302

Изобретение относится к способам изготовления структур высокочувствительных многоэлементных твердотельных преобразователей изображения - многоэлементных фотоприемников. Технический результат заключается в разработке надежного процесса вскрытия контактных окон при котором минимизируется вероятность замыкания металлических электродов контактных площадок с кремниевой подложкой и снижаются требования к допустимому значению поверхностного сопротивления подзатворного диэлектрика, благодаря чему обеспечивается существенное повышение выхода годных фотоприемников. Способ изготовления высокочувствительного многоэлементного твердотельного преобразователя изображения включает этап изготовления приборной пластины, этап соединения приборной пластины с пластиной-носителем, этап обработки обратной стороны приборной пластины, этап вскрытия контактных окон, этап разделения на чипы и формирования внешних выводов. На этапе вскрытия контактных окон сначала вытравливают окна в слое кремния приборной пластины, расположенные над контактными площадками, большие по размеру, чем размер контактных площадок, при этом используют преимущественно щелочные травители, а затем вскрывают контактные окна в слое диэлектрика, расположенного над контактной площадкой преимущественно методом реактивного ионного травления, используя в качестве травителей фторзамещенные углеводороды. 5 ил.

Способ создания сквозных микроканалов с диаметрами микронных и субмикронных размеров в кристалле кремния с помощью лазерных импульсов // 2592732

Использование: для создания сквозных микро- и субмикронных каналов в кристалле кремния. Сущность изобретения заключается в том, что способ создания сквозных микроканалов с диаметрами микронных и субмикронных размеров в кристалле кремния с помощью лазерных импульсов заключается в прошивке отверстия в кристалле кремния лазерным методом за счет наведения фокального пятна на поверхность кристалла и многоступенчатом перемещении этого пятна в направлении к входной поверхности кристалла, при этом для получения микроканалов с диаметрами микронных и субмикронных размеров в кристалле кремния используют инфракрасный фемтосекундный хром-форстерит лазер, а многоступенчатое перемещение фокального пятна в направлении к входной поверхности кристалла проводят с длиной волны излучения 1240 нм, при которой длина пробега фотона в структуре кремния равна 1 см, а энергия кванта меньше ширины запрещенной зоны. Технический результат: обеспечение возможности упрощения способа создания сквозных микро- и субмикронных каналов в кристалле кремния для создания чипов, имеющих возможность охлаждения внутренних слов структуры.

Способ изготовления микроэлектронного узла на пластичном основании // 2597210

Изобретение относится к технологии производства многокристальных модулей, микросборок с внутренним монтажом компонентов. Технический результат - уменьшение трудоемкости изготовления, расширение функциональных возможностей и повышение надежности микроэлектронных узлов. Достигается тем, что в способе изготовления микроэлектронного узла на пластичном основании перед установкой бескорпусных кристаллов и чип-компонентов соединяют круглую пластину по внешней ее части с опорным металлическим кольцом, наносят тонкий слой кремнийорганического полимера. Устанавливают бескорпусные кристаллы чип-компоненты, ориентируясь на ранее сформированный топологический рисунок, герметизируют кремнийорганическим полимером, достигая толщины полимера равной высоте кольца. Удаляют основание - круглую металлическую пластину, закрепляют дополнительную круглую металлическую пластину с обратной стороны микроэлектронного узла. Проводят коммутацию методом вакуумного напыления металлов или фотолитографией. Наносят слой диэлектрика, второй слой металлизации, защитный слой кремнийорганического полимера. Наносят паяльную пасту на выходные площадки микроэлектронного узла, удаляют дополнительную круглую металлическую пластину с кольцом - проводят вырезку микроэлектронного узла из технологической оснастки. 1 ил.

Способ изготовления эпитаксиального слоя кремния на диэлектрической подложке // 2618279

Изобретение относится к области формирования эпитаксиальных слоев кремния на изоляторе. Способ предназначен для изготовления эпитаксиальных слоев монокристаллического кремния n- и p-типа проводимости на диэлектрических подложках из материала с параметрами кристаллической решетки, близкими к параметрам кремния с помощью химической газофазной эпитаксии. В качестве материала подложки могут использоваться, в частности, лейкосапфир (корунд), шпинель, алмаз, кварц. Способ заключается в расположении подложки в реакторе, нагреве рабочей поверхности подложки до 900-1000°C, подаче потока реакционного газа, содержащего инертный газ-носитель и моносилан, наращивании кремния до образования начального сплошного слоя на рабочей поверхности подложки, добавлении к потоку реакционного газа потока галогенсодержащего реагента и формировании эпитаксиального слоя кремния требуемой толщины. Начальный сплошной слой кремния наращивают со скоростью от 3000 /мин до 6000 /мин. После формирования данного слоя на рабочей поверхности подложки расход потока реакционного газа уменьшают, снижая скорость роста на 500-2000 /мин. К потоку реакционного газа добавляют поток насыщенного пара галогенида кремния или газообразного галогенсилана, значение расхода которого задают таким образом, чтобы скорость роста кремниевого слоя вернулась к значениям 3000-6000 /мин. Технический результат изобретения - получение слоя кремния высокого качества и снижение себестоимости процесса изготовления. 3 ил., 1 пр.