Корпус интегральной схемы

Использование: электронная техника, при конструировании планарных металлокерамических корпусов. Сущность изобретения: корпус интегральной микросхемы содержит керамическое основание и структуру планарных выводов, концы которых припаяны к контактным площадкам и изолирующим пластинам многовыводной рамки. Рамка содержит четыре уголка, связанные с внешней стороны наружными пластинами, в центральной части которых расположены группы планарных выводов, выполненные в виде полос с шагом, равным шагу расположения контактных площадок, изолирующих пластин, припаянных к уголкам. Предложенная конструкция корпуса интегральной микросхемы надежна в эксплуатации и обеспечивает целостность внешних выводов при проведении сборочных операций входного контроля. 4 ил.

 

Изобретение относится к электронной техники, в частности к микроэлектронному конструированию, и может быть использовано при проектировании планарных металлокерамических корпусов.

Известен корпус интегральной микросхемы, содержащий керамическое основание с размещенной на нем интегральной схемой, защищенной от влияния внешних дестабилизирующих факторов крышкой, а также структуру внешних выводов, которые в одном случае зафиксированы специальной пластиной, а в другом случае остаются свободными относительно кромок основания (1).

Известен также корпус многокристального модуля, включающий подложку, выполненную монолитно с основанием, внешние выводы, подсоединенные к внешним контактным площадкам. Однако концы внешних выводов остаются свободными и формируются в соответствии с выбранным методом монтажа корпуса многокристального модуля (2).

Наиболее близким к заявленному изобретению по совокупности признаков (прототипом) является корпус интегральной микросхемы, содержащий многослойное керамическое основание с контактными площадками, в монтажном отверстии основания смонтирована интегральная схема, расположенная между теплопроводящим и изолирующим слоями, корпус снабжен также структурой внешних выводов, концы которых свободны относительно кромок основания (3).

Все перечисленные выше конструкции корпусов обладают недостатками, связанными с технологией изготовления указанных конструкций корпусов, особенно многовыводных корпусов с малым шагом расположения контактов, а именно с вероятностью повреждения концов выводов и нарушения шага их расположения.

В действующих производствах корпусов микросхем, в процессе перемещения интегральной микросхемы по линейке технологического процесса, изготавливаемые корпуса помещают в специальную тару-спутник, чтобы предотвратить механические повреждения выводов. Применение тары-спутника в технологическом процессе ее изготовления и контроле электрических параметров интегральной схемы в планарном металлокерамическом корпусе приводит к необходимости введения операций затаривания (после отделения технологической рамки) и растаривания (перед упаковкой для отправки потребителю), что усложняет возможность автоматизации процесса и приводит к удорожанию производств.

Задача, решаемая настоящим изобретением, состоит в устранении указанных недостатков и создании корпуса интегральной схемы, способного сохранить целостность выводов в ходе технологических операций, что будет способствовать надежности и снижению стоимости изделий.

Для решения этой задачи в предлагаемом корпусе интегральной микросхемы, содержащим керамическое основание с размещенными на его поверхности контактными площадками и структуру планарных выводов, в соответствии с изобретением и в отличие от прототипа корпус снабжен изолирующей многовыводной рамкой прямоугольной формы, состоящей из связанных между собой уголками наружных пластин, на которых размещены группы планарных выводов, выполненных в виде полос с шагом, равным шагу расположения контактных площадок основания, и изолирующих пластин, припаянных к уголкам со стороны основания, при этом концы планарных выводов закреплены на изолирующих пластинах и контактных площадках посредством пайки.

Изобретение поясняется чертежами, где изображены:

на фиг.1 - поперечный разрез корпуса;

на фиг.2 - корпус интегральной схемы в плане, вид А;

на фиг.3 - корпус интегральной схемы, линии обрубки наружных пластин;

на фиг.4 - внешние выводы с наружной пластиной, вид Б.

Корпус интегральной схемы содержит керамическое основание 1 и структуру планарных выводов 2. Концы выводов 2 припаяны к контактным площадкам 3 основания 1 и изолирующим пластинам 4 многовыводной рамки 5.

Многовыводная рамка 5 содержит уголки 6, связанные с внешней стороны наружными пластинами 7. С внутренней стороны к уголкам 6 припаяны изолирующие пластины 4 из диэлектрического материала.

Технологический процесс изготовления данного корпуса предусматривает операции, связанные с предварительной центровкой основания корпуса и многовыводной рамки с последующей пайкой выводов к изолирующим пластинам и контактным площадкам основания.

Предварительно изготовленная многовыводная рамка 5 выполнена в виде единой замкнутой конструкции из металлического листа толщиной 0,2 мм. Специальной обработкой формируются четыре уголка, которые связаны между собой наружными пластинами 7, а также четыре группы полос внешних выводов 2.

Шаг расположения полос внешних выводов в группе равен шагу расположения контактных площадок 3 основания 1 и равен 0,5 мм. Ширина полосы вывода равна 0,27 мм.

Наружние пластины 7, которые можно назвать технологическими, соединены с уголками 6 тонкими перемычками, облегчающими отделение наружных пластин после проведения всего комплекса технологических и контрольных операций, освобождают закрепленные концы внешних выводов для последующего монтажа. Выполнение корпуса интегральной микросхемы как единого целого с многовыводной рамкой увеличивает жесткость всей конструкции корпуса, а также обеспечивает целостность внешних выводов в процессе изготовления, испытаний и при проведении сборочных операций и операций входного контроля.

Источники информации

1. Патент US № 5034568, кл. H01L23|02, 1991 г.

2. Патент РФ № 2091906, кл. H01L23|03, 1991 г.

3. Патент UK Patent Application GB № 2098001А, кл. H01L13|02, 1992 г.

Корпус интегральной схемы, содержащий керамическое основание с размещенными на его поверхности контактными площадками и структурой планарных выводов, отличающийся тем, что корпус снабжен изолирующей многовыводной рамкой прямоугольной формы, состоящей из связанных между собой уголками наружных пластин, на которых размещены группы планарных выводов, выполненных в виде полос с шагом, равным шагу расположения контактных площадок основания, и изолирующих пластин, припаянных к уголкам со стороны основания, при этом концы планарных выводов закреплены на изолирующих пластинах и контактных площадках посредством пайки.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при разработке корпусов интегральных схем. .

Изобретение относится к силовой полупроводниковой технике и может быть использовано при создании новых приборов силовой полупроводниковой электроники. .

Изобретение относится к термореактивным композициям смол, предназначенным для использования в качестве термореактивных композиций герметиков, быстро заполняющих пустоты в полупроводниковом устройстве, таком, как блок перевернутых чипов, который включает полупроводниковый чип, укрепленный на подложке носителя, обеспечивающий надежное соединение полупроводника с монтажной платой при кратком термическом отверждении.

Изобретение относится к радиоэлектронной и цифровой электронно-вычислительной технике, в частности к микроэлектронному конструированию, и может быть использовано при проектировании многокристальных модулей на основе полупроводниковых подложек.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при конструировании и изготовлении корпусов интегральных микросхем (ИМС). .

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано для размещения интегральных и гибридных микросхем и защиты их от проникновения влаги и агрессивных сред из окружающей среды.

Изобретение относится к конструированию корпусов интегральных микросхем. .

Изобретение относится к электронной технике, а именно к металлокерамическим корпусам для полупроводниковых приборов СВЧ

Изобретение относится к электронной технике

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при разработке корпусов интегральных схем типа «Package SOJ"

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при разработке керамических корпусов интегральных схем с устройствами для съема тепла
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и предназначено для производства корпусов мощных биполярных и полевых ВЧ- и СВЧ-транзисторов

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и предназначено для производства корпусов биполярных и полевых мощных многокристальных ВЧ- и СВЧ-транзисторов

Изобретение относится к области светотехники, в частности к светодиодным лампам с круговым обзорным освещением

Изобретение относится к силовому полупроводниковому модулю

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления корпуса мощного полупроводникового прибора СВЧ включает изготовление высокотеплопроводного основания и рамки из металла или сплава металлов, изготовление выводов, совмещение рамки с выводами и высокотеплопроводного основания, герметичное соединение их высокотемпературной пайкой, последующее расположение в корпусе, по меньшей мере, одного кристалла активного элемента и, по меньшей мере, одной согласующей интегральной схемы, по меньшей мере, одного полупроводникового прибора и соединение их низкотемпературной пайкой. Высокотеплопроводное основание изготавливают, по меньшей мере, с одним выступом на его лицевой стороне, дополнительно изготавливают компенсаторный элемент из металла или сплава металлов с заданным температурным коэффициентом линейного расширения. При совмещении рамки с выводами и высокотеплопроводного основания высокотемпературный припой располагают только между высокотеплопроводным основанием и рамкой с выводами, а упомянутое герметичное соединение осуществляют одновременно с соединением компенсаторного элемента с высокотеплопроводным основанием при температуре 650-1100°C. Технический результат - улучшение отвода тепла и снижение потерь СВЧ в корпусе и соответственно повышение выходной мощности полупроводникового прибора СВЧ, повышение надежности, выхода годных и технологичности. 7 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл.
Наверх