Способ получения синтетических минералов

Изобретение относится к области получения синтетических минералов и может быть использовано в технике и ювелирном деле. Способ синтеза искусственных минералов осуществляют тигельным методом, включающим обработку шихты плазменным факелом плазмоторона с образованием расплава, подачу капель расплава в тигель потоком плазмообразующего газа с последующей кристаллизацией, при этом предварительно на дно тигля помещают затравку, а синтез ведут при мощности плазмотрона 12 кВт и расходе шихты 2-3 г/мин с одновременным отжигом закристаллизованного на затравке расплава в кольцевой печи в течение 2-3 часов при 1000°С. Предварительное размещение затравки на дне тигля обеспечивает ускоренный рост кристаллов и более высокую производительность процесса. Одновременный отжиг искусственных минералов существенно снижает напряжение в конечном продукте. Преимущества способа заключаются также в упрощении аппаратурного оформления технологической линии синтеза и снижении энергоемкости производства. 1 ил., 4 табл.

 

Изобретение относится к области получения синтетических минералов и может быть использовано в технике и ювелирном деле.

Известен способ получения синтетических минералов по методу Вернейля [1], заключающийся в смешивании компонентов шихты заданного состава, подаче в печную камеру шихты из воронки, просыпании тонкодисперсного порошка через плазменный факел до спекания и кристаллизации на керамическом штифте, на который заранее помещают затравку. При этом кристалл «растет» в вертикальном направлении по мере подачи материала. Отжиг осуществляют в печной камере путем выведения штифта с затравкой из зоны синтеза.

Недостатками способа являются длительность синтеза, значительные напряжения в растущих кристаллах, возникающие при высоких температурах обычного пламени, в результате чего образуется большое количество отходов при вырезке деталей из конечного продукта.

Известен способ получения минералов по методу Чохральского [1], заключающийся в предварительном опускании вала с затравкой в расплав, полученный в тигле, с последующим поднятием стержня с затравкой из расплава со скоростью 1-50 мм/ч.

Недостатки данного способа заключаются в образовании значительных напряжений в конечном продукте, возможности отрыва затравки от вала, сложности аппаратурного оформления (необходимо использовать приспособление, обеспечивающее вертикальное перемещение и вращение вала с затравкой с частотой 30-150 об-1).

Наиболее близким аналогом заявленного изобретения является способ получения синтетических минералов тигельным методом, включающий обработку шихты плазменным факелом плазмотрона с образованием расплава, подачу капель расплава в тигель потоком плазмообразующего газа и последующую кристаллизацию [2].

Недостатками известного способа являются низкая скорость синтеза и сложность аппаратурного оформления процесса, что обусловлено необходимостью предварительного смешивания тонкодисперсного порошка шихты с вспомогательным потоком плазмообразующего газа (аргона).

Целью изобретения является устранение вышеуказанных недостатков, повышение скорости роста кристаллов, снижение напряжений в конечном продукте, упрощение аппаратурного оформления и уменьшение энергоемкости процесса синтеза.

Установка получения искусственных минералов в факеле низкотемпературной плазмы изображена на чертеже.

Тонкодисперсный порошок шихты 1 по трубопроводу 2 подается потоком аргона (Ar) в плазменную горелку 4 электродугового плазмотрона, где в плазменном факеле образуется расплавленный поток частиц 7, который накапливается в тигле 10 и катализируется на затравке 9. Тигель 10 с закристаллизованным расплавом, помещенный на огнеупорный столик 11 с подъемным механизмом 14, подвергается отжигу в трубной печи 8 с термоизоляцией 13 и силитовыми нагревателями 12. Для наблюдения процесса получения синтетических минералов предусмотрена система охлаждаемых кварцевых стекол 5. Для отвода отработанного плазмообразующего газа аргона в установке предусмотрена вытяжная вентиляция 3.

Отличительным признаком предлагаемого способа является предварительное размещение затравки на дне тигля, что позволяет подавать расплав с большей производительностью, чем в способах Вернейля и Чохральского и обеспечивает ускоренный рост кристалла. Процесс синтеза осуществляется с одновременным отжигом закристаллизованного на затравке расплава, что существенно снижает напряжение в конечном продукте.

Проведенный анализ известных способов получения синтетических минералов позволяет сделать заключение о соответствии заявляемого изобретения критерию «новизна».

Изобретательский уровень подтверждается тем, что размещение затравки на дне тигля и отжиг закристаллизованного на затравке расплава позволяют получить высококачественный продукт с гораздо более низкими напряжениями, чем в известном способе, а также увеличить скорость роста кристалла, следовательно, снизить себестоимость конечного продукта при повышении его качества. Полученные предлагаемым способом искусственные минералы (лейкосапфир, рубин, шпинель и др.) имеют конкурентоспособные преимущества по сравнению с зарубежными и отечественными аналогами.

Оптимальными условиями синтеза, найденными экспериментально, являются мощность работы плазмотрона 12 кВт при расходе шихты 2-3 г/мин. При данных параметрах работы плазмотрона скорость роста кристаллов составляет 2,4-3,0 мм/мин (табл.1).

Влияние температуры и времени отжига на величину напряжений в кристаллах показано в табл.2.

Таблица 2

Влияние технологических параметров на величину напряжений в кристаллах
№ п/пТемпература отжига, °СВремя отжига, чНапряжение, МПа
18001

2

3

4
5,1

4,6

3,8

3,5
29001

2

3

4
4,5

3,6

2,7

2,5
310001

2

3

4
1,8

1,2

1,1

1,0
411001

2

3

4
2,1

1,8

1,75

1,70

Пример 1. Синтез лейкосапфира

Как известно [1], лейкосапфир является прозрачной разновидностью корунда, а его цветные разновидности - сапфир и рубин - драгоценными минералами.

Исходным материалом служил порошок оксида алюминия (Al2О3) зернового состава 20-100 мкм, который помещали в порошковый питатель и по трубопроводу подавали в плазменную горелку ГН-5р электродугового плазмотрона УПУ-8М. Параметры работы плазмотрона следующие: мощность - 12 кВт, расход порошка оксида алюминия - 2-3 г/мин, аргона - 2,5 м3/ч при давлении 0,25 МПа.

Полученный расплав накапливался и кристаллизовался в тигле на затравке из лейкосапфира в виде таблетки ⊘ 20 мм и толщиной 4 мм со скоростью 2,4-3,0 мм/мин.

Одновременно синтезировали лейкосапфир по известному методу [2]. Затем по стандартным методикам определяли фазовый состав, плотность, микротвердость, показатель преломления и напряжения в конечном продукте.

Сравнительные характеристики лейкосапфира, полученного известным [2] и предлагаемым способами, приведены в табл.3.

Пример 2. Синтез шпинели синего цвета

Как известно [1], благородная шпинель состава MgAl2O4 является драгоценным минералом.

Исходным материалом служила стехиометрическая смесь оксидов алюминия и магния (Al2О3·MgO2) зерновым составом от 20 до 100 мкл, красящим компонентом - оксид железа (Fe2О3). Компоненты смешивали в шаровой мельнице с уралитовыми шарами в течение 30 минут. Исходный состав шихты имел состав (мас.%): Al2O3 - 72,84; MgO - 27,04. Оксид железа вводился в шихту в количестве 0,12 мас.%. Аргоновая плазма восстанавливала Fe3+ до Fe2+. Двухвалентное железо окрашивало шпинель в синий и васильковые цвета.

Шихту помещали в порошковый питатель и подавали по трубопроводу с плазмообразующим газом аргоном в плазменную горелку ГН-5р электродугового плазмотрона УПУ-8М. Расплав подавали на затравку из голубой шпинели в виде таблетки ⊘ 15 мм и толщиной 4 мм, помещенную на дно тигля. Параметры работы плазмотрона следующие: мощность - 12кВт, расход аргона - 0,25 МПа при давлении 0,25 МПа. Расход воды на охлаждение - 0,6 м3/ч.

Полученный расплав кристаллизовался на затравке со скоростью 2,5-2,9 мм/ч.

Сравнительные характеристики шпинели, полученной известным [2] и предлагаемым способами, представлены в табл.4.

Таблица 4

Свойства шпинели, полученной известным и предлагаемым способами
№ п/пСвойстваЕд. измеренияИзвестный способПредлагаемый способ
1Показатель преломления-1,723-1,7261,724-1,727
2ПлотностьКг/м33589-36303592-3598
3МикротвердостьГПа17,89-17,9918,12
4НапряжениеМПа9-171,2-1,8
5Отходы при обработке%72-7818-23
6Цвет черты-БелыйБелый

Список использованных источников

1. Вильке К.Т. Выращивание кристаллов. - М.: Недра, 1977. С.388-402.

2. Патент RU 2248933 C1, 27.03.2005.

Способ синтеза искусственных минералов тигельным методом, включающий обработку шихты плазменным факелом плазмотрона с образованием расплава, подачу капель расплава в тигель потоком плазмообразующего газа с последующей кристаллизацией, отличающийся тем, что предварительно на дно тигля помещают затравку, а синтез ведут при мощности плазмотрона 12 кВт и расходе шихты 2-3 г/мин с одновременным отжигом закристаллизованного на затравке расплава в кольцевой печи в течение 2-3 ч при 1000°С.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии полупроводниковых соединений типа AIIIBV. .
Изобретение относится к технологии производства бездислокационных пластин полупроводникового кремния, вырезаемых из монокристаллов, выращиваемых методом Чохральского, и применяемых для изготовления интегральных схем и дискретных электронных приборов.

Изобретение относится к технологии полупроводниковых соединений АIIIВV. .

Изобретение относится к технологии производства кристаллов теллурида кадмия, которые могут быть использованы в радиолокационной технике, а также для изготовления элементов инфракрасной оптики.

Изобретение относится к производству изделий, имеющих шпинельную кристаллическую структуру, в том числе таких изделий как були, пластины и подложки, а также к созданию активных устройств, в которые они входят.

Изобретение относится к области получения цветных алмазов, используемых, например, в декоративных целях. .
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов гранатов и может быть использовано в лазерной технике, магнитной микроэлектронике (полупроводники, сегнетоэлектрики) и для ювелирных целей.

Изобретение относится к технологии получения сверхтвердого монокристаллического алмаза. .

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к способам приготовления атомно-гладких поверхностей полупроводников. .
Изобретение относится к области обработки синтетических, тугоплавких ограненных кристаллов, в частности фианитов (кристаллов на основе диоксида циркония и/или гафния, стабилизированных оксидом иттрия).

Изобретение относится к области получения синтетических минералов и может быть использовано в технике и ювелирном деле. .

Изобретение относится к технологии получения дисперсных оксидных соединений, в частности литий марганец оксида LiхMn 2O4, литий никель оксида Liх NiO2, литий кобальт оксида LixCoO2 , применяемых преимущественно для изготовления катодных масс в ячейках литий-ионных аккумуляторов.
Изобретение относится к технологии производства катализаторов. .
Изобретение относится к производству высокодисперсных оксидов металлов или металлоидов из галогенидов. .
Изобретение относится к технологии получения особо чистых тонкодисперсных оксидов элементов, непосредственно к плазмохимическому методу синтеза простых и двойных оксидов ряда элементов, например, таких как диоксид циркония, оксид алюминия, диоксид титана, диоксид циркония, легированный оксидом иттрия и др.

Изобретение относится к технике газового разряда и может быть использовано при разработке устройств для защитных оксидных покрытий на холодных катодах газовых лазеров.

Изобретение относится к способам получения частиц нанометрового размера, которые находят применение в различных областях науки и техники, в частности, наночастицы оксидов металлов могут использоваться в медицине в качестве компонент оболочки микрокапсул для прецизионной доставки лекарств к больным органам

Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Способ синтеза наноразмерных частиц порошка диоксида титана включает газофазную реакцию галогенида титана и кислорода в канале плазменного реактора и последующее охлаждение продуктов реакции в закалочном узле. Пары тетрахлорида титана непосредственно перед подачей в узел инжекции реагентов плазменного реактора смешивают с осушенным кислородсодержащим газом. Осуществляют раздельное управление расходами реагентов перед подачей их в узел инжекции плазменного реактора. Реагенты в канал плазменного реактора подают при температуре 293-700 K. Полученный полупродукт газофазной реакции, содержащий наночастицы диоксида титана, подвергают закалке во встречном потоке осушенного кислородсодержащего закалочного газа. При этом формируют фракционный и фазовый состав наночастиц диоксида титана путем изменения расхода закалочного газа. Для этого изменяют расстояние между срезами сопел закалочного узла в радиальном направлении подачи закалочного газа или изменяют угол подачи закалочного газа в пределах 10-25° относительно радиального направления подачи закалочного газа. Расход закалочного газа при этом превышает суммарный расход смеси газов в канале плазменного реактора. Изобретение позволяет получать особо чистый диоксид титана требуемого фракционного и фазового состава, например рутил или анатаз, с высокой производительностью. 2 ил., 2 пр.
Изобретение относится к области абразивной обработки и может быть использовано при изготовлении абразивных инструментов на органических термореактивных связках, предназначенных для шлифования металлов и сплавов
Изобретение относится к области абразивной обработки и может быть использовано при изготовлении абразивных инструментов для шлифования заготовок из различных металлов и сплавов

Изобретение относится к области получения синтетических минералов и может быть использовано в технике и ювелирном деле

Наверх