Способ получения оксида галлия

Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Расплавленный металлический галлий взаимодействует с водой при диспергировании, с подачей перекиси водорода концентрацией более 30 мас.% с равномерной скоростью 200-250 мл/ч на килограмм расплавленного галлия в течение 3-6 часов до окисления галлия. Взаимодействие проводят в одну стадию при соотношении галлия к воде (0,8-1,0):(1,2-1,5). Полученный кристаллогидрат галлия сушат и прокаливают до получения оксида галлия. Заявленное изобретение позволяет получить мелкодисперсньй оксид галлия с выходом фракции менее 1 мкм более 85% и с остаточным содержанием металлического галлия <0,0001%, существенно сократить энергозатраты, упростить оборудование и исключить вредные стоки. 1 з.п. ф-лы, 2 табл.

 

Изобретение относится к способам получения окиси галлия, которая может быть использована для изготовления специальных оптических стекол и сложных оксидных соединений.

Известен способ получения оксида галлия, включающий растворение технического галлия марки Гл-1 в 30% щавелевой кислоте марки ХЧ при нагревании до 100°С. Растворение ведут в течение 6-ти часов при перемешивании и поддержании постоянным уровня раствора. Затем раствор фильтруют, упаривают досуха и прокаливают в муфельной печи в течение 3-х часов при температуре 800°С. Полученный оксид галлия имел следующий примесный состав, мас.%: Cu 1·10-4, Ni 1·10-4, Fe 5·10-4, Al 5·10-4, SO4 и NO3 - не обнаружены.

Такой оксид галлия соответствует марке ОСЧ. (См. а.с. СССР №916404, C01G 15/00, опубл. 30.03.82 г.).

Преимуществом способа является то, что из технического галлия получают оксид галлия марки ОСЧ.

Недостатком способа является многостадийность процесса, высокие энергозатраты.

Известен способ получения оксида галлия путем взаимодействия металлического галлия с водой в автоклаве при температуре свыше 200°С при давлении 200-300 бар с получением гидроокиси галлия и его последующей прокалкой (см. патент ФРГ №2517292, C01G 15/00, 1976 г.).

Недостатком способа является сложное аппаратурное оформление процесса, невозможность получения оксида галлия высокой чистоты из-за загрязнения оксида контейнерным материалом автоклава.

Известен способ получения гидроокисей рассеянных элементов, в частности галлия, включающий автоклавную обработку исходного галлия 2н соляной кислотой в присутствии 30% перекиси водорода, при соотношении кислоты и перекиси водорода 1:1, при температуре 180°C в течение 2,5 часов (см. а.с. СССР №447367, C01G 15/00, 1974 г.).

Известен способ получения оксида галлия, включающий электроискровое диспергирование металлического галлия в воде при напряжении 150-200 В и емкости конденсатора разрядного контура 0,1-1,0 мкф, при температуре воды 20-25°C с получением суспензии гидроокиси галлия. Суспензию отстаивают и помещают в кварцевый сосуд, установленный в автоклаве. Нагревают автоклав до 200°С, устанавливают давление 75-80 бар, через 10 мин нагрев прекращают и затем полученный продукт прокаливают до оксида галлия (см. a.c. CCCP №1013408, C01G 15/00, 1983 г.). Способ принят за прототип.

Оба указанные выше способа получения оксида галлия имеют общие недостатки - автоклавный процесс, сложное аппаратурное оформление, высокая энергоемкость, использование кислот, наличие вредных выбросов и, что самое главное, невысокое качество получаемого оксида галлия.

Техническим результатом заявленного изобретения является получение ультрадисперсного порошка оксида галлия, упрощение аппаратурного оформления процесса, существенное снижение энергоемкости, повышение качества получаемого оксида галлия, за счет снижения содержания примесных компонентов до получения продукта с содержанием оксида галлия не менее 99,999% по массе.

Технический результат достигается тем, что в способе получения оксида галлия, включающем взаимодействие расплавленного металлического галлия с водой при диспергировании с получением гидрооксосоединения галлия, прокаливание полученного продукта до получения оксида галлия, согласно изобретению взаимодействие галлия с водой проводят в одну стадию при соотношении галлия к воде (0,8-1,0):(1,2-1,5), а диспергирование ведут при подаче с равномерной скоростью 200-250 мл/ч перекиси водорода на килограмм расплавленного галлия в течение 3-6 часов до окисления галлия с образованием кристаллогидрата галлия, после чего кристаллогидрат галлия сушат и прокаливают до получения оксида галлия. При этом используют перекись водорода с концентрацией более 30 мас.%, подачу перекиси водорода ведут с равномерной скоростью, а прокалку осуществляют при температуре 1000-1100°С.

Сущность способа заключается в следующем.

Заявленная совокупность признаков, а именно окисление расплавленного галлия водой с одновременным диспергированием и подачей в зону реакции перекиси водорода, обеспечивает возможность проводить процесс окисления без использования автоклава, а соотношение галлия и воды и количество вводимой перекиси водорода приводят к полному окислению галлия в более мягких условиях и в одну стадию, по сравнению с прототипом, где процесс ведут в две стадии, сначала окисление проводят с использованием электроискрового диспергирования металлического галлия в воде, а потом в автоклаве.

Другой особенностью изобретения является окисление галлия не до гидроокиси галлия с формулой Ga(ОН)3 как в прототипе, а до кристаллогидрата с формулой GaO2H. Это отличие играет существенную роль в достижении технического результата.

Так, прокаливание кристаллогидрата галлия приводит к получению ультрадисперсного оксида галлия с выходом фракции менее 1 мкм выше 85%.

Заявленные параметры процесса позволяют достичь полного окисления галлия в одну стадию и получить оксид галлия с остаточным содержанием галлия менее 0,0001 мас.%.

Обоснование параметров.

Соотношение между металлическим галлием и водой, а также объем и скорость подачи перекиси водорода определяют возможность интенсивного протекания окисления галлия и поддержания оптимальной скорости окисления за счет разогрева смеси в результате экзотермической реакции окисления галлия до кристаллогидрата. При уменьшении нижнего предела содержания расплавленного галлия менее 0,8 и увеличении верхнего предела содержания воды выше 1,5 снижается температура процесса и скорость окисления галлия, окисление осуществляется не полностью. При увеличении верхнего предела содержания расплавленного галлия более 1 и снижении нижнего предела содержания воды менее 1,2 диспергирование галлия ухудшается, что приводит к низкому выходу окисленного галлия.

Уменьшение расхода перекиси водорода ниже 200 мл/ч на килограмм расплавленного галлия приводит к снижению температуры процесса и степени окисления галлия, что препятствует полному окислению металлического галлия до кристаллогидрата. Увеличение расхода перекиси водорода выше 250 мл/ч на килограмм расплавленного галлия приводит к повышению температуры процесса, в результате происходит образование крупной фракции кристаллогидрата галлия, что приводит к укрупнению фракционного состава конечного оксида галлия.

Время диспергирования и введения перекиси водорода определяет полноту образования кристаллогидрата галлия. При проведении процесса менее трех часов возможна неполнота окисления. Осуществление процесса более шести часов нецелесообразно, так как идет непроизводительный расход реагентов.

Термическая обработка при температуре ниже 1000°С не позволяет полностью окислить следы металлического галлия в гидроокиси галлия, а превышение температуры более 1100°С способствует спеканию частиц оксида галлия, увеличению дисперсности конечного оксида галлия.

Помимо всего существенным преимуществом заявленного изобретения является простота осуществления его в промышленном масштабе. Так как, чем больше количество расплавленного галлия участвует в процессе, тем стабильнее протекает процесс окисления галлия и получения оксида. Это определяет высокую производительность процесса. Осуществление основной стадии процесса окисления галлия протекает без подвода тепла, а только за счет экзотермической реакции взаимодействия галлия с водой и перекисью водорода. Это определяет высокую экономическую выгоду изобретения. И это важное положительное свойство изобретения идет в добавление к низкой стоимости реагентов, простоте аппаратурного оформления и к наилучшим показателям по качеству получаемого оксида галлия.

Примеры осуществления способа.

Пример №1. Металлический галлий в количестве 1000 г расплавляли в воде при температуре 90°С и после расплавления диспергировали с помощью роторной мешалки при подаче в зону реакции перекиси водорода. После пяти часов окисления полученный кристаллогидрат галлия сушили и прокаливали. По окончании процесса готовый оксид галлия анализировали на содержание металлического галлия и дисперсный состав.

Результаты осуществления способа при различных значениях заявленных параметров представлены в таблице 1.

Таблица 1
№ опыта Соотношение галлия к воде (по весу) Перекись водорода, мл/ч Температура прокалки кристаллогидрата, °С Количество фракции оксида галлия менее 1 мкм Содержание металлического галлия, % по весу
1 0,8:1,5 200 1000 86 <0,0001
2 1:1,2 250 1100 85 <0,0001
3 1:1.5 200 1000 85 <0,0001
4 0,8:1,5 250 1100 85 <0,0001
5 1,1:1,3 225 1000 80 0,02
6 0,5:1,5 200 1000 83 0,04
7 0,8:2 250 1100 80 <0,001
8 0,8:1 200 900 83 0,03
9 0,9:1,4 250 1200 80 0,0001
10 0,9:1,4 175 1000 84 0,03
11 0,9:1,4 275 1000 84 0,0001

Пример №2. Процесс получения оксида галлия осуществляли как в примере №1, но в качестве исходного брали 4000 г металлического галлия

Результаты осуществления способа при различных значениях заявленных параметров представлены в таблице 2.

Таблица 2
№ опыта Соотношение галлия к воде (по весу) Перекись водорода, мл/ч Температура прокалки кристаллогидрата, °С Количество фракции оксида галлия менее 1 мкм Содержание металлического галлия, % повесу
1 0,8:1,5 800 1000 86 <0,0001
2 1:1,2 1000 1100 85 <0,0001
3 1:1,5 800 1000 85 <0,0001
4 0,8:1,5 1000 1100 85 <0,0001
5 1,1:1,3 900 1000 80 0,02
6 0,5:1,5 800 1000 83 0,04
7 0,8:2 1000 1100 80 <0,001
8 0,8:1 800 900 83 0,03
9 0,9:1,4 1000 1200 80 0,0001
10 0,9:1,4 700 1000 84 0,03
11 0,9:1,4 1100 1000 84 0,0001

Заявленный способ позволяет получить мелкодисперсную окись галлия с выходом фракции менее 1 мкм более 85% и с остаточным содержанием металлического галлия <0,0001%.

Таким образом, заявленное изобретение позволяет получить следующий положительный эффект.

1. Возможность получения ультрадисперсной окиси галлия с минимальным содержанием металлического галлия.

2. Существенное сокращение энергозатрат.

3. Существенное упрощение оборудования.

4. Исключение вредных стоков.

1. Способ получения оксида галлия, включающий взаимодействие расплавленного металлического галлия с водой при диспергировании с получением гидрооксосоединения галлия, прокаливание полученного продукта до получения оксида галлия, отличающийся тем, что взаимодействие галлия с водой проводят в одну стадию при соотношении галлия к воде (0,8-1,0):(1,2-1,5), а диспергирование ведут при подаче перекиси водорода с равномерной скоростью 200-250 мл/ч на килограмм расплавленного галлия в течение 3-6 ч до окисления галлия с образованием кристаллогидрата галлия, после чего его сушат и прокаливают до получения оксида галлия.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют перекись водорода с концентрацией более 30 мас.% подачу перекиси водорода ведут с равномерной скоростью, а прокалку осуществляют при температуре 1000-1100°С.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к способам получения оксида галлия для использования при изготовлении специальной керамики, керамических покрытий и сложных оксидных соединений, используемых в оптике.

Изобретение относится к способам синтеза полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения GaN. .

Изобретение относится к получению порошка нитрида галлия, который может быть использован в качестве компонента керамики при изготовлении полупроводниковых элементов конструкций.

Изобретение относится к квантовой электронике и лазерной технологии и может быть использовано в ядерной физике для разделения изотопов. .
Изобретение относится к области материаловедения. .

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к тройным теллуридам железа и индия, которые могут найти применение как ферромагнитные материалы при создании постоянных магнитов, а также в многофункциональных приборах и интегральных схемах.
Изобретение относится к неорганической химии. .
Изобретение относится к области технологии получения и легирования неорганических веществ и может быть использовано в микроэлектронике, полупроводниковом приборостроении.

Изобретение относится к области выделения и очистки таллия, в том числе изотопно-обогащенного, полученного методом электромагнитной сепарации

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к четверному соединению меди, галлия, хрома и селена, которое может найти применение в многофункциональных приборах и схемах, работающих на взаимосвязи магнитного и электрического полей

Изобретение относится к области химической технологии неорганических материалов

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к легированным марганцем и цинком антимонидам индия, которые могут найти применение в спинтронике, где электронный спин используется в качестве активного элемента для хранения и передачи информации, формирования интегральных и функциональных микросхем, конструирования новых магнито-оптоэлектронных приборов

Изобретение относится к области получения нано- и микрочастиц оксидов металлов в сверхкритической воде и может найти применение в получении материалов и соединений высокой чистоты и с уникальными свойствами
Изобретение относится к неорганической химии, а именно к получению сульфидов р-элементов III группы Периодической системы, являющихся перспективными материалами для полупроводниковой оптоэлектронной техники и инфракрасной оптики. Сульфиды р-элементов III группы Периодической системы получают взаимодействием серы и соответствующего р-элемента в вакуумированной кварцевой ампуле, при этом р-элемент используют в виде соответствующего йодида, синтез ведут в 2х-секционной ампуле, исходные компоненты помещают в нижнюю секцию, которую нагревают до температуры 250-400°С, после чего полученный сульфид прокаливают при температуре не выше 700°С. За счет проведения синтеза при достаточно низкой температуре способ позволяет существенно снизить загрязняющее действие материала аппаратуры. Изобретение позволяет получать особо чистые сульфиды р-элементов III группы Периодической системы, в которых содержание примесей переходных металлов, по данным масс-спектрального анализа, не превышает 0.5 ppm wt. Максимально возможный выход продукта составляет 82-97%. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 3 пр.

Изобретение относится к повышающим теплопроводность или электропроводность частицам оксида цинка. Частицы представлены следующей формулой (1): ZnMn+ xO1+nx/2 · aH2O (1) где Mn+ означает трехвалентный или четырехвалентный металл, x и a удовлетворяют соотношению 0,002<x<0,05 и 0≤a<0,5, соответственно, n означает валентность металла. Частицы характеризуются содержанием столбчатых частиц 80% или более. Также предложены способ получения частиц оксида цинка, обожженные частицы (А) и (В), смоляные композиции (А) и (В). Изобретение позволяет получить частицы оксида цинка, используемые для улучшения электропроводности или теплопроводности смол. 6 н. и 7 з.п. ф-лы, 12 ил., 5 табл., 3 пр.

Изобретение относится к технологии получения изделий оптоэлектроники и солнечной энергетики, а именно к раствору для гидрохимического осаждения полупроводниковых пленок сульфида индия(III). Раствор содержит соль индия(III), винную кислоту, тиоацетамид, гидроксиламин солянокислый при следующих концентрациях реагентов, моль/л: соль индия(III) - 0,01-0,2; тиоацетамид - 0,01-0,5; винная кислота - 0,005-0,2; гидроксиламин солянокислый - 0,005-0,15. Изобретение позволяет получить пленки сульфида индия(III), характеризующиеся более высокими величинами толщин при одновременном сохранении высокого качества поверхности пленок. 1 табл., 2 пр.

Способ получения йодида таллия из сырья с большим содержанием примесей может быть использован для производства йодида таллия особой чистоты. Способ позволяет использовать в качестве сырья отходы производства, содержащие в своем составе йодид таллия или йодид таллия с большим содержанием примесей. Способ гарантирует качество продукта особой чистоты. Сущность изобретения: получение йодида таллия особой чистоты осуществляют в две стадии: на первой стадии получают раствор тетрайодоталата натрия; на второй стадии после проведения фильтрации раствора в него дозируют раствор гидроперекиси натрия и осаждают йодид таллия, заключительную очистку йодида таллия от растворимых примесей выполняют обработкой осадка йодида таллия ионообменными смолами.
Наверх