Способ производства распыляемых мишеней из литых дисилицидов тугоплавких металлов и устройство для его реализации

Изобретение относится к области металлургии цветных металлов и может быть использовано при производстве распыляемых металлических мишеней для нанесения тонкопленочной металлизации СБИС различного назначения в микроэлектронике. Способ производства распыляемых мишеней заключается в использовании жидкофазного синтеза компонентов кремния и тугоплавких металлов до получения стехиометрических дисилицидов тугоплавких металлов оптимальной структуры и состава в литом состоянии (не в виде порошков). Затем производят магнетронное распыление мишени особой конструкции, обеспечивающей формирование пленок дисилицида необходимого состава. Способ предполагает, что в слитках дисилицида содержание кремния соответствует эвтектической концентрации. Устройство для осуществления способа содержит мишень из компонентов кремния и тугоплавкого металла, при этом распыляемая цилиндрическая или прямоугольная пластина мишени представляет из себя мозаичную конструкцию, собранную из слитков высокочистого дисилицида тугоплавкого металла, закрепленных на медном основании ультразвуковой пайкой. Устройство также может состоять из одного или нескольких слитков дисилицида тугоплавкого металла цилиндрического сечения, если распыление производится точечным источником (лазер, электронный луч). Технический результат: повышение качества и надежности барьерных и проводящих пленок дисилицидов тугоплавких металлов (Ti, Zr, Hf, V, Nb, Та, Cr, Мо, W, Fe, Ni, Co) путем использования для распыления литых материалов высокой чистоты. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 4 табл., 2 ил.

 

Изобретение относится к области производства распыляемых металлических мишеней для микроэлектроники. Дисилициды тугоплавких металлов представляют значительный интерес в связи с их большими возможностями как материала низкоомных контактов, электродов затворов, межсоединений и диффузионных барьерных слоев между кремниевой подложкой и металлизацией из алюминиевых сплавов в интегральных схемах.

В настоящее время используются две основные промышленные технологии получения пленок силицидов. Первая - напыление чистых металлических пленок на поверхность Si с последующим высокотемпературным отжигом (до 1000°С), приводящим к получению силицидных слоев. Однако при использовании этой технологии в производстве сверхбольших интегральных схем (СБИС) с субмикронными размерами возможно возникновение проблем, связанных с деградацией мелкозалегающих р-n переходов из-за диффузии атомов примеси в пленку силицида при отжиге и, как следствие, увеличения контактного сопротивления. Вторая технология - магнетронное распыление мишеней, изготовленных из силицидов. Для изготовления таких мишеней обычно используется технология порошковой металлургии, в результате чего возможно неконтролируемое загрязнение распыляемых мишеней и ухудшение электрофизических свойств получаемых пленок.

Наиболее близкими к заявленному объекту являются патенты США №6562207 от 13.05.2003, №5418071 от 01.01.2001 и №6300265 от 22.06.2000 (прототипы), которые принципиально едины в способе получения распыляемых мишеней, заключающемся в использовании методов порошковой металлургии: смешивании порошков исходных компонентов и прессовании их при температуре, давлении и выдержке, достаточных для образования однофазных микроструктур. Однако синтез тугоплавких соединений (например, стехиометрического дисилицида тугоплавких металлов) методами порошковой металлургии имеет ряд существенных недостатков.

- Поскольку изделия получают с помощью комплекса операций, включающих смешивание порошков компонентов, прессование и отжиг смеси, в материале происходит накопление неконтролируемых примесей, т.е. загрязнение мишеней примесями предопределено самим способом изготовления.

- В силу невысокой скорости диффузионных процессов, равновесие в реальном времени не достигается, поэтому компоненты в распыляемой мишени распределены неравномерно, а микроструктура получается многофазной, что приводит к получению пленок со структурной и химической неоднородностью.

- Затруднено получение высокой плотности материала, а прокламируемые в патентах плотности на уровне 85-95% и выше от теоретической плотности не являются реальными, поскольку не учитывается скрытая пористость и выделение газовых примесей в объем мишени при нагреве ее до 250-300°С, а распыление таких мишеней сопровождается неконтролируемой нестабильностью электрофизических свойств напыленных тонких пленок.

- При распылении металлокерамических мишеней, плазменный поток мелкодисперсных ионизированных частиц наносимого вещества сопровождается потоком крупных нейтральных частиц, осаждающихся на поверхности напыленных пленок и резко снижающих качество пленок из-за образования «проколов» и других дефектов.

- Синтез металлокерамических соединений по порошковым технологиям с использованием экстремальных давления, вакуума и выдержки связан со значительным аппаратным и технологическим усложнением и удорожанием всего процесса изготовления мишеней.

Техническая задача - повышение качества и стабильности электрофизических свойств силицидов переходных металлов путем получения литых мишеней со 100% плотностью. Это достигается тем, что глубокая очистка от примесей и жидкофазный синтез и получение литых силицидов осуществляется благодаря использованию вакуумной электронно-лучевой зонной плавки, вакуумной индукционной плавки и электромагнитной плавки смеси компонентов в вакууме или газовой атмосфере во взвешенном состоянии.

Предлагаемый метод получения литых дисилицидов тугоплавких металлов позволяет синтезировать массивные образцы значительно более высокой чистоты по сравнению с порошковыми, так как в качестве исходных материалов используют высокочистые монокристаллы тугоплавких металлов, выращенные методом электронно-лучевой зонной плавки, и монокристаллический кремний высокой чистоты, а их жидкофазный синтез производят бестигельным методом с помощью плавки во взвешенном состоянии (в электромагнитном поле). В результате указанных вакуумно-металлургических процессов удается получать слитки высокочистых соединений с высокой плотностью. Однако даже указанный метод получения слитков не позволяет избежать проблем, связанных с природой литых силицидов, выражающейся в их повышенной хрупкости и твердости. Поэтому литье силицидов производят в специальные изложницы, позволяющие получать образцы с заданными формой, размерами и качеством поверхности, которые нуждаются лишь в минимальной финишной механической обработке.

Детальное описание изобретения

В литературе представлены данные по микроструктуре силицидов различных составов, их свойствам, технологии получения и областям применения. Более половины всех элементов периодической системы элементов реагирует с кремнием с образованием одного или более силицидов. В Таблице 1 приведены данные по температуре и концентрации кремния в эвтектике для дисилицидов тугоплавких металлов (Ti, Zr, Hf, V, Nb, Та, Cr, Mo, W, Fe, Ni, Co).

Таблица 1. Температуры и концентрации эвтектик в системах металл-кремний.
Силицид TiSi2 ZrSi2 HfSi2 VSi2 NbSi2 TaSi2 CrSi2 MoSi2 WSi2 FeSi2 CoSi2 NiSi2
T°C 1350 1350 1300 1385 1295 1385 1300 1410 1440 1308 1195 966°C
Ат.%Si 86,0 90,0 91,8 97,0 95,0 99,0 87,0 97,0 99,2 73,0 23,0 46,0

По фазовым диаграммам систем металл-кремний можно определить температуру и концентрации компонентов в эвтектике, а затем массу исходных компонентов (кремния и металла) и температуру образования дисилицидов нужного стехиометрического состава путем синтеза в жидкой фазе.

Удельное электросопротивление дисилицидов является наиболее важным критерием при оценке возможности их использования в качестве токопроводящих систем СБИС. Субмикронные размеры элементов обусловливают чрезвычайно высокие требования к чистоте, а также к химической и структурной однородности наносимых пленок дисилицидов. В связи с этим получение исходных металлов высокой чистоты в соответствии с результатами изучения физико-химических закономерностей рафинирования являлось одной из основных задач. Тугоплавкие металлы при высоких температурах характеризуются активным взаимодействием с газами: кислородом, парами воды, азотом, окисью углерода, углеводородом и др. Основными методами контролируемого понижения содержания примесей внедрения в металлах являются высокотемпературный отжиг и плавка в высоком вакууме, в ходе которых растворенные атомы примесей диффундируют к поверхности образца и десорбируются с нее. Комбинация высокого вакуума и высоких температур при отсутствии «загрязняющих» материалов в контакте с расплавом - необходимые условия для глубокой очистки тугоплавких металлов. Наиболее полно этим требованиям отвечает электронно-лучевая плавка (ЭЛП) в глубоком вакууме. Этот процесс является оптимальным для глубокого рафинирования и получения поликристаллических слитков металлов высокой чистоты. Специфической разновидностью этого метода является электронно-лучевая зонная плавка (ЭЛЗП), позволяющая получать монокристаллы высокочистых металлов.

Индукционный нагрев использовали в технологической цепочке дважды: (1) для спекания и (2) для плавления. Спекание заключается в том, что в кварцевый тигель, продуваемый аргоном, загружают кусочки кремния и металла, далее производят нагрев до оплавления компонентов и затем нагрев прекращают. Получают компактный слиток (королек), состоящий из смеси силицидов, металла и кремния. Затем слиток подвергают плавке во взвешенном в электромагнитном поле состоянии.

Основные преимущества левитации:

- интенсивное перемешивание расплава, обеспечивающее равномерное распределение компонентов расплава в объеме,

- отсутствие контакта с огнеупорным материалом,

- высокие скорости кристаллизации,

- возможность получения слитка заданной формы,

- возможность ведения плавки в вакууме или любой газовой атмосфере,

- контролируемая продолжительность плавки.

Перечисленные преимущества метода особенно важны при работе с такими тугоплавкими и высокореакционными металлами как Ti, Zr, Hf, V, Nb, Та, Cr, Mo, W, Fe, Ni, Co.

Для приготовления силицидов исходные металлы подвергали двукратному вакуумному рафинированию методом электронно-лучевой зонной плавки, в результате чего получали металлы чистотой 99,99%-99,999%. Использовали кремний аналогичной чистоты. Исходные образцы весом 20 г готовили из смеси кусочков кремния и металла (Таблица 2), которую сначала сплавляли в кварцевых тиглях, а полученный слиток переплавляли во взвешенном состоянии. После небольшой выдержки в вакууме, расплав кристаллизовали в медной изложнице, получая слиток нужной формы и с гладкими поверхностями. В зависимости от конструкции мишени, получали слитки цилиндрического (для лазерного распыления), прямоугольного (для магнетронного распыления) и ромбического (для мишеней с «замком») сечения.

Таблица 2. Данные для жидкофазного синтеза дисилицидов.
Силицид Тпл, °C м. % Si В эвтектике Содержание компонентов, г
металл соединение металл кремний
TiSi2 1665 1540 54 9,2 10,8
ZrSi2 1865 1600 38 12,4 7,6
VSi2 1900 1750 52 9,6 10,4
NbSi2 2500 1930 40 12,0 8,0
TaSi2 3000 2200 23 15,4 4,6
CrSi2 1890 1550 50 10,0 10,0
MoSi2 2650 2100 37 12,6 7,4
WSi2 3410 2165 25 15,0 5,0
FeSi2 1539 1220 50 10,0 10,0
NiSi2 1453 1150 50 10,0 10,0
CoSi2 1496 1326 50 10,0 10,0

Слитки дисилицидов тугоплавких металлов размером 4х10х40 мм, полученные методами левитации, подвергали незначительной финишной механической обработке: удалению прибыльной части и шлифовке поверхностей с целью удаления поверхностных дефектов. Эти слитки являются составными элементами магнетронной мишени. Крепление элементов к медному основанию производили с помощью ультразвуковой пайки. По этой методике изготовлены различные мишени из стехиометрических дисилицидов вышеуказанных металлов диаметром 76 - 152 мм (Фиг.1 и 2), прямоугольные мишени размером 20×114×260 мм для установки «Магна», мишени для лазерной абляции и электронного испарения. Следует отметить, что в результате получали именно дисилициды стехиометрического состава, что подтверждено рентгенофазным анализом. Локальный рентгеноспектральный анализ шлифов, вырезанных из разных частей слитка, выявил мелкозернистую структуру и однородность литых образцов по обоим компонентам на всей площади шлифа.

В Таблице 3 приведены удельные электросопротивления дисилицидов тугоплавких металлов в виде тонких пленок и литых образцов.

Таблица 3. Удельное сопротивление дисилицидов тугоплавких металлов.
Дисилицид Удельное сопротивление, мкОм·см
пленка литая мишень
TiSi2 13,0 16,9
ZrSi2 40,0 75,8
HfSi2 150,0 62,0
VSi2 67,0 66,5
NbSi2 55,0 50,4
TaSi2 60,0 46,1
MoSi2 67,0 21,6
WSi2 50,0 50,0
FeSi2 350,0 250,0
NiSi2 50,0 45,0
CoSi2 30,0 16,0

Пример реализации способа

Реализацию способа осуществляли, в частности, на слитках стехиометрического дисилицида вольфрама, который является наиболее проблемным в плане получения тонких пленок с воспроизводимыми характеристиками. С целью более детального изучения особенностей получения литых дисилицидов и изготовления из них составных мишеней, а также изучения процесса нанесения тонких пленок WSi2 магнетронным распылением, пленки наносили тремя способами: (1) лазерным испарением литого

WSi2, (2) магнетронным распылением составных литых WSi2 мишеней, (3) магнетронным со-распылением вольфрамовой и кремниевой мишеней.

В качестве исходных материалов для получения WSi2 использованы кремний и вольфрам высокой чистоты (5N). Для приготовления металлических мишеней из высокочистого W для магнетронного распыления и со-распыления, производили рафинирование металлов методом электронно-лучевой плавки с плавающей зоной в высоком вакууме. Содержание примесей контролировали методами искровой спектрометрии и атомной абсорбции.

Слитки необходимой формы и размеров получали с помощью вакуумной высокочастотной левитации смеси исходных компонентов. Суть метода состоит в подвешивании твердого образца весом ~20 г в электромагнитном поле и расплавлении его наведенными электрическими токами.

В случае получения тонких пленок методом лазерной абляции прямоугольные мишени WSi2 размером 10×15×5 мм или цилиндрические мишени WSi2 размером 5×15 мм испаряли с помощью твердотельного Nd-лазера с волной 1,06 мкм, в качестве подложек для нанесения пленок силицидов использовали Si(100), Si(111), MgO, ZrO2 и Al2O3. Температуру подложек изменяли в диапазоне 100-750°С; время напыления 5-20 минут, толщина пленок 15-200 нм.

Составные мишени для магнетронного распыления готовили из слитков WSi2 размером 4×10×40 мм3, закрепленных на цилиндрическом или прямоугольном медном основании (фиг.1 и 2). Магнетронное распыление включало очистку литых мишеней и подложек распылением в Ar. Пленки получали распылением составных литых мишеней WSi2 в промышленной установке Лада-35 при вакууме 2×10-2 мм рт. ст. и мощности постоянного тока 0,26 кВт. Параллельно производили совместное магнетронное распыление двух мишеней (вольфрамовой и кремниевой), получены и исследованы пленки со стехиометрическим WSi2. Толщина пленок составляла 200-250 нм. Ренгенофазный анализ литых образцов выполняли с помощью дифрактометра Siemens D-500 (Ψ=25°, Fe-07). Локальный ренгеноспектральный анализ образцов проводили с помощью JXA-5. Реакция между пленкой и пластиной (подложкой), а также распределение элементов изучали с помощью ионного распыления и оже-электронной спектроскопии на приборе JAMP-10S. Фазовый состав пленок WSi2 исследовали с помощью дифрактометрического комплекса D/max-RC Rigaku в геометрии Брэгга с асимметричным углом падения. Угол падения рентгеновских лучей (CuKα) был 0,1-5°. Электронно-микроскопические исследования выполняли с помощью микроскопов JSM-35S и Stereoscan 240. Как элементный состав, так и распределение элементов по глубине пленок WSi2 толщиной 100 нм проводили с помощью обратного резерфордовского рассеяния ионов гелия с энергией 1,5 МэВ.

Локальный рентгеновский спектральный анализ литых мишеней показал, что образцы являются гомогенными, с тетрагональной структурой. Фазовый анализ пленок, полученных в результате лазерного распыления (абляции) литых мишеней

WSi2 на подложки кремния (100) и (111), показал, что при температурах до 400°С образуется аморфный WSi2. Выше этой температуры происходит кристаллизация, в результате чего образуется смесь тетрагональной фазы с небольшим количеством полупроводящей гексагональной фазы. По мере дальнейшего повышения температуры, количество гексагональной фазы уменьшается. При 700°С пленка становится полностью тетрагональной с металлическим типом проводимости. При 750°С вновь появляется небольшое количество второй фазы (W5Si3).

Таблица 4. Межплоскостные расстояния dhkl WSi2 металлокерамических и литых мишеней в сравнении с данными для пленок, напыленных на подложки Si(100) лазерным и магнетронным распылением литых мишеней
Данные Порошк. Литая Пленка Пленка
[1] мишень мишень (л.н.)* (м.р.)**
hkl d d d d d
002
101
110
103
004
112
200
114
105
211
006
213
204
3,908
2,970
2,270
2,020
1,961
1,961
1,603
1,485
1,412
1,407
1,304
1,258
1,241
3,911
2,970
2,270
2,025
1,963
1,963
1,606
1,485
1,412
1,407
1.305
1,258
1,241
3,907
2,970
2,268
2,026
1,964
1,964
1,606
1,484
1,413
1,407
1,304
1,258
1,240
3,928
2,962
2,263
2,025
1,965
1,965
1,601
1,483
-
1,409
1.308
1,255
-
3,927
2,970
2,269
2,025
-
1,964
1,608
1,484
1,410
-
-
1,257
-
*(л.н.) - лазерное напыление, **(м.р.) - магнетронное распыление.
[1] - Powder Diffraction File, Int. Center for Diffraction Data, USA. 1987, card 11-0195.

Сравнение межплоскостных расстояний для линий на дифракционных картинах спеченных и литых мишеней, а также для пленок, напыленных из литых мишеней лазерным и магнетронным методами, приведено в Таблице 4. Как видно, фазовые составы пленок соответствуют составам материала мишеней. Пленки были однофазными по всей глубине и состояли из тетрагональной WSi2 фазы.

Удельное электросопротивление литых мишеней WSi2 составляло ~50 мк·Ом см, что ниже 70-120 мк·Ом см для порошковой мишени. Электросопротивление контактов к проводящим слоям n-типа на образцах без поликремниевого подслоя под слоями WSi2 было невоспроизводимым и имело разброс до 20 м·Ом для 50 контактов. Образцы с поликремниевым подслоем имели значительно меньший разброс в величине электросопротивления. Так, RAl-n+=360-400 кОм для 50 контактов на образце, отожженном при 900°С, тогда как RAl-n+=1,4-1,8 кОм для 50 контактов на образце, отожженном при 1000°С. В то же время, RAl-polySi=600-700 кОм для 100 контактов на образцах, отожженных при 900°С; а на образцах, отожженных при 1000°С, RAl-polySi=3,3-3,5 кОм для 100 контактов. Все n+-р-соединения по периметру поверхности около 16000 мкм2 и 2120 контактов имели токи утечки ниже чем 0,04 нА при напряжении 15 В. С повышением напряжения токи утечки увеличивались монотонно до 0,1 нА при 20 В; однако при 21-22 В соединения имели пробои.

Итак, получение литых дисилицидов тугоплавких металлов высокой чистоты массивных размеров является известной металлургической проблемой, поскольку все силициды тугоплавких металлов чрезвычайно хрупки и тверды. Кроме того, известные методы получения силицидов не позволяют производить силициды заданного стехиометрического состава с высокой чистотой конечного изделия, т.е. распыляемой мишени. Поэтому литые силициды высокой чистоты, прошедшие вакуумную обработку в расплавленном состоянии, имеющие высокую удельную плотность и высокую чистоту по примесям, должны удовлетворять всем основным требованиям, предъявляемым к распыляемым материалам в микроэлектронике. В приведенном примере реализации способа показаны преимущества нанесения пленок WSi2 магнетронным распылением литых составных WSi2 мишеней. Условия магнетронного распыления литых мишеней обеспечивают получение монофазных тетрагональных WSi2 пленок с оптимальным удельным электросопротивлением 50 мк·Ом см. В силу этого, оптимальным решением указанной выше проблемы можно считать составные литые магнетронные мишени из дисилицидов тугоплавких металлов высокой чистоты, которые позволяют решить две основные задачи: получение стехиометрических дисилицидов тугоплавких металлов и достижение высокой чистоты.

1. Способ производства составной мишени из дисилицидов тугоплавких металлов (Ti, Zr, Hf, V, Nb, Та, Cr, Mo, W, Fe, Ni, Co), заключающийся в жидкофазном синтезе компонентов (металла и кремния) методом непосредственного их взаимодействия в расплаве с использованием вакуумно-металлургических процессов, отличающийся тем, что используют измельченные монокристаллы компонентов, прошедших глубокое вакуумное рафинирование многократным переплавом, затем изготовление слитков дисилицидов тугоплавких металлов проводят с помощью плавки во взвешенном состоянии, производя затвердевание расплава в медных изложницах нужной формы.

2. Способ производства составной мишени из дисилицидов тугоплавких металлов по п.1, отличающийся тем, что слитки дисилицида тугоплавкого металла имеют эвтектическое содержание кремния, обеспечивающее получение пленок дисилицида данного металла с оптимальной структурой и составом.

3. Устройство для осуществления способа по п.1 или 2, включающее магнетронную мишень в виде распыляемой цилиндрической или прямоугольной пластины из дисилицида тугоплавкого металла, закрепленной на медном основании, отличающееся тем, что распыляемая пластина мишени представляет из себя мозаичную конструкцию, собранную из прямоугольных слитков дисилицида тугоплавкого металла, закрепленную на медном основании ультразвуковой пайкой.

4. Устройство для осуществления способа по п.1 или 2, отличающееся тем, что распыляемая мишень для лазерного или электронного распыления состоит из одного или нескольких слитков дисилицида тугоплавкого металла цилиндрического или прямоугольного сечения.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве интегральных микросхем на активных и пассивных подложках и элементов дифракционной оптики на криволинейных поверхностях.

Изобретение относится к лесному хозяйству и может быть использовано в лесоводстве для подготовки семенного материала к посеву, в частности для стимулирования проращивания семян хвойных деревьев.

Изобретение относится к способу изготовления подложки, снабженной слоем резиста с рельефной структурой, воспроизводящей дифракционную структуру. .

Изобретение относится к способам для зажигания, формирования и удержания плазмы из газов, используя катализатор. .

Изобретение относится к источникам ВУФ-фотонов и химически активных частиц, предназначенным для поверхностной обработки ВУФ-излучением, а также для плазмохимического травления и наращивания материалов на подложках с большой общей обрабатываемой площадью.

Изобретение относится к области электронной техники и его применение может быть особенно перспективным для нужд специальной электрометаллургии, а именно электронно-лучевой плавки металлов и сплавов.

Изобретение относится к порошковой металлургии, а именно к дисперсно-упроченным композиционным материалам на основе меди. .

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к получению легированных материалов на основе железа. .

Изобретение относится к машиностроению, в частности к изготовлению поликристаллических элементов из порошков алмаза и/или кубического нитрида бора. .
Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности, к спеченным антифрикционным материалам на основе меди. .
Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к производству спеченных сплавов, которые могут быть использованы для изготовления бижутерии, наградных знаков, монет, изделий декоративно-прикладного искусства.
Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к получению порошковых материалов на основе алюминидов металлов методом СВС. .
Изобретение относится к способам получения порошка металлических материалов с квазикристаллической структурой. .
Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к композиционным материалам на основе алюминия. .

Изобретение относится к области металлургии, а именно к способу выплавки жаропрочных сплавов на основе никеля, и может быть использовано при выплавке безуглеродистых жаропрочных сплавов для литья лопаток газотурбинных двигателей и других деталей с монокристаллической структурой.

Изобретение относится к области металлургии, а именно к способу выплавки жаропрочных сплавов на основе никеля, и может быть использовано при выплавке безуглеродистых жаропрочных сплавов для литья лопаток газотурбинных двигателей и других деталей с монокристаллической структурой.

Изобретение относится к области металлургии, в частности к способу получения литейных сплавов типа ВКНА на основе интерметаллида Ni3Al, которые могут быть использованы при изготовлении изделий, работающих длительное время при высоких температурах в окислительных средах

Изобретение относится к области металлургии цветных металлов и может быть использовано при производстве распыляемых металлических мишеней для нанесения тонкопленочной металлизации СБИС различного назначения в микроэлектронике

Наверх