Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства

Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства предназначен для хранения информации при отключенном питании. На полупроводниковой подложке с истоком и стоком между последними выполнены туннельный слой, дополнительный туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и затвор. При этом дополнительный туннельный и блокирующий слои выполнены из материала с высоким значением диэлектрической проницаемости, от 5 до 2000, превосходящим диэлектрическую проницаемость материала туннельного слоя, выполненного из SiO₂. В результате обеспечивается снижение напряжения (до 4В) и времени (до 10^-7с) записи/стирания информации, увеличение времени хранения информации (до 12 лет). 6 з.п. ф-лы, 1 ил.

 

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам (ЭППЗУ), сохраняющим информацию при отключенном питании (флэш-память), и может быть использовано в устройствах памяти вычислительных машин, микропроцессорах, флэш-памяти, в портативных электронных устройствах, таких как цифровые видеокамеры и фотоаппараты, плееры, электронные карточки (смарт-карты).

Известен флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства (J.Bu, V.Y.White «Design consideration in scaled SONOS nonvolatile memory devices» Solid State Electronics, v.45, p.113-120, 2001), содержащий полупроводниковую подложку с выполненными в ней истоком и стоком, на которой между последними последовательно выполнены туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и затвор. При этом использована кремниевая подложка р-типа, туннельный слой выполнен из оксида кремния толщиной 2,0 нм, запоминающий слой выполнен из нитрида кремния толщиной 4,0 нм, блокирующий слой выполнен из оксида кремния толщиной 5,0 нм.

Время перепрограммирования в приведенном флэш элементе памяти составляет 10^-3 с, а напряжение перепрограммирования - от 9 до 10 В.

К недостаткам известного технического решения относится большое время перепрограммирования и высокая величина напряжения перепрограммирования, а также ограниченное время хранения информации при температуре 300 К. Последнее обусловлено явлением стекания заряда через относительно тонкий (порядка 2,0 нм) туннельный SiO₂. При этом увеличение толщины туннельного SiO₂ приводит к уменьшению окна памяти (разница пороговых напряжений в состояниях «0» и «1»). Первые из указанных недостатков обусловлены наличием относительно тонкого (порядка 5,0 нм) блокирующего слоя, толщина которого способствует туннельной инжекции носителей заряда из проводящего затвора, что приводит к уменьшению накопленного, за счет инжекции из подложки, заряда в запоминающем слое.

Известен флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства (V.A.Gritsenko, К.A.Nasyrov, D.V.Gritsenko, Yu.N.Novikov, J.H.Lee, J.-W.Lee, C.W.Kirn, H.Wong «Modeling of a EEPROM device based on silicon quantum dots embedded in high-k dielectrics» Microelectronic engineering, v.81, p.530-534, 2005), содержащий полупроводниковую подложку с выполненными в ней истоком и стоком, на которой между последними последовательно выполнены туннельный слой, блокирующий слой и затвор. При этом в качестве блокирующего слоя использован слой с высокой диэлектрической проницаемостью - ZrO₂. Активную роль в функции запоминания выполняют кремниевые нанокластеры, встроенные в блокирующий слой ZrO₂, и расположены на поверхности туннельного слоя. В качестве материала подложки использован кремний. Блокирующий слой из ZrO₂ выполнен толщиной 8,0 нм, размер кремниевого нанокластера - 5,0 нм, толщина туннельного SiO₂ - 5,0 нм.

К недостаткам известного технического решения относится высокое напряжение перепрограммирования, относительно большое время перепрограммирования, ограниченное время хранения информации при температуре 300 К. Данный флэш элемент памяти обладает достаточно толстым туннельным слоем SiO₂, порядка 5 нм. В результате это обуславливает большое время перепрограммирования, порядка 10^-3 с, и напряжение перепрограммирования. Из-за большого энергетического барьера для дырок на границе Si/SiO₂ такая структура не позволяет инжектировать и накапливать в запоминающей среде положительный заряд. Толстый туннельнный слой понижает разницу пороговых напряжений в состояниях «0» и «1», приводя к уменьшению окна памяти.

Ближайшим техническим решением к заявляемому является флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства (патент РФ на изобретение №2310929, МПК 8 G11C 14/00), содержащий полупроводниковую подложку с выполненными в ней истоком и стоком, на которой между истоком и стоком последовательно выполнены туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и проводящий затвор. В качестве материала подложки использован кремний. Туннельный слой выполнен из оксида кремния, толщиной от 3,5 до 8,0 нм. Запоминающий слой выполнен в виде плавающего затвора из поликремния, толщиной от 4,0 до 300 нм. Блокирующий слой выполнен из диэлектрика с высокой диэлектрической проницаемостью (ε от 5 до 2000), толщиной от 7,0 до 100 нм.

К недостаткам этого технического решения относится высокое напряжение перепрограммирования, относительно большое время перепрограммирования, ограниченное время хранения информации при температуре 300 К. Ограничение времени хранения информации происходит из-за стекания заряда через относительно тонкий (порядка 2,0 нм) туннельный SiO₂. При этом увеличение толщины туннельного SiO₂ приводит к уменьшению окна памяти (разница пороговых напряжений в состояниях «0» и «1»). Для понижения напряжения перепрограммирования необходимо уменьшить толщину туннельного слоя, однако это приведет к стеканию заряда, то есть уменьшению времени хранения. Для уменьшения времени перепрограммирования также требуется уменьшение толщины туннельного слоя, однако это также приведет к стеканию заряда, то есть уменьшению времени хранения.

Перепрограммирование этих типов флэш элементов памяти ЭППЗУ основано на эффекте Фаулера-Нордгейма или на горячих электронах.

Техническим результатом изобретения является:

- понижение напряжения записи/стирания информации (до 4÷7 В);

- уменьшение времени записи/стирания информации (до 10^-6-10^-7 с);

- увеличение времени хранения информации (до 10-12 лет) при температуре 300 К с окном памяти через 12 лет порядка 3В.

Технический результат достигают тем, что во флэш элементе памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства, содержащем полупроводниковую подложку с выполненными в ней истоком и стоком, на которой между истоком и стоком выполнены туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и затвор, между туннельным слоем и запоминающим слоем выполнен дополнительный туннельный слой из материала с высоким значением диэлектрической проницаемости, превосходящим диэлектрическую проницаемость материала туннельного слоя.

Во флэш элементе памяти туннельный слой выполнен из оксида кремния толщиной от 1,5 до 4,0 нм.

Во флэш элементе памяти дополнительный туннельный слой выполнен из материала со значением диэлектрической проницаемости от 5 до 2000, толщиной от 7,0 до 100 нм.

Во флэш элементе памяти в качестве материала для дополнительного туннельного слоя использован диэлектрик из приведенного перечня материалов: ВаТа₂O₆, Ba_xSr_1-хTiO₃, Ва_хSr_1-хNbO₆, PbZn_xNb_1-хО₃, PbZr_xTi_1-xO₃, LiNbO₃, Bi_1-xLa_xTi₃O₁₂, Bi₂Sr₂CuO_x, Bi₄Ti₃O₁₂, SrBi₂Та₂O₉, SrBi₂Ta_xV_1-xO₉, SrTi_1-xNb_xO₃, Sr₂Nb₂O₇, SrTa₂O₆, SrZrO₃, PbTiO₃, LaAlO₃, КТаО₃, TiO₂, Ta₂O₅, AlTa_yO_z, TaO_xN_y, HfO₂, HfSiO_xN_y, HfO_xN_y, Er₂O₃, La₂O₃, ZrO₂, ZrO_xN_y, ZrSiO_x, Gd₂O₃, Y₂O₃, SiO_xN_y, Al₂О₃, AlO_xN_y.

Во флэш элементе памяти блокирующий слой выполнен из материала со значением диэлектрической проницаемости от 5 до 2000, толщиной от 7,0 до 100 нм.

Во флэш элементе памяти в качестве материала для блокирующего слоя использован диэлектрик из приведенного перечня материалов: ВаТа₂O₆, Ва_хSr_1-хTiO₃, Ba_xSr_1-xNbO₆, PbZn_xNb_1-xO₃, PbZr_xTi_1-xO₃, LiNbO₃, Bi_1-xLa_xTi₃O₁₂, Bi₂Sr₂CuO_x, Bi₄Ti₃O₁₂, SrBi₂Ta₂O₉, SrBi₂Ta_xV_1-xO₉, SrTi_1-xNb_xO₃, Sr₂Nb₂O₇, SrTa₂O₆, SrZrO₃, PbTiO₃, LaAlO₃, КТаО₃, TiO₂, Ta₂O₃, Al_xTa_yO_z, TaO_xN_y, HfO₂, HfSiO_xN_y, HfO_xN_y, Er₂О₃, La₂О₃, ZrO₂, ZrO_xN_y, ZrSiO_x, Gd₂O₃, Y₂O₃, SiO_xN_y, Al₂О₃, AlO_xN_y.

Во флэш элементе памяти запоминающий слой выполнен из поликремния, или нитрида кремния, или оксинитрида кремния, толщиной от 4,0 до 300,0 нм.

Сущность изобретения поясняется нижеследующим описанием и чертежом, на котором схематически изображен флэш элемент памяти ЭППЗУ, где 1 - полупроводниковая подложка, 2 - исток, 3 - сток, 4 - первый туннельный слой, 5 - второй (дополнительный) туннельный слой, 6 - запоминающий слой, 7 - блокирующий слой, 8 - затвор.

Достижение указанного технического результата обеспечивается следующим образом.

Основным фактором, влияющим на длительность и величину перепрограммирующего импульса, является величина инжекционного тока через туннельный слой. Чем выше величина тока, тем меньше время записи/стирания информации. При этом величина инжекционного тока зависит от толщины туннельного слоя и желательно, по возможности, выполнять данный слой меньшей толщиной. Уменьшение толщины туннельного слоя позволяет уменьшить величину напряжения перепрограммирования. Однако уменьшение его толщины вызывает стекание заряда из запоминающего слоя в режиме «хранения». Инжекционный ток через туннельный слой зависит от величины электрического поля. Повышение величины электрического поля в туннельном слое возможно, в частности, за счет выполнения блокирующего слоя из материалов с большей диэлектрической проницаемостью, чем у материала туннельного слоя.

Блокирующий слой, выполненный из материала со значением диэлектрической проницаемости, большим по сравнению со значением диэлектрической проницаемости материала туннельного слоя, приводит к усилению электрического поля в туннельном слое при подаче перепрограммирующего импульса напряжения. Значительное электрическое поле в туннельном слое ведет к увеличению тока инжекции электронов и дырок из полупроводниковой подложки. Этот инжекционный ток позволяет накапливать заряд в запоминающем слое при использовании перепрограммирующего импульса меньшего напряжения и меньшей длительности.

Наличие второго, дополнительного, туннельного слоя (5), выполненного из материала со значением диэлектрической проницаемости, превосходящим значение диэлектрической проницаемости материала первого туннельного слоя (4), позволяет уменьшить толщину первого туннельного слоя, тем самым еще больше усилить электрическое поле в нем. Усиление электрического поля в туннельном слое (4) способствует увеличению инжекционного тока из полупроводниковой подложки (1), что позволяет снизить величину и длительность импульса перепрограммирования.

Время хранение информации, заряда в запоминающем слое, определяется толщиной второго туннельного и блокирующего слоев и их диэлектрической проницаемостью, чем выше их значения, тем больше время хранения. Для надежного и длительного хранения эти слои должны быть выполнены из диэлектрика с высокой диэлектрической проницаемостью и достаточно толстыми, чтобы обеспечить время хранения информации 10 лет при 300 К.

При этом существенным условием является выполнение дополнительного туннельного слоя из материала с диэлектрической проницаемостью, превосходящей по своей величине диэлектрическую проницаемость материала туннельного слоя. Именно такая разница этих параметров приводит к достижению указанного технического результата. Выполнение первого туннельного слоя (4) из материала с меньшей диэлектрической проницаемостью, чем у второго туннельного и блокирующего слоев, обуславливает высокое электрическое поле в нем и, следовательно, значительный инжекционный в режиме перепрограммирования.

Диэлектрическая проницаемость оксида кремния, из которого выполнен первый туннельный слой (4), составляет величину 3,9. Значения диэлектрической проницаемости материала второго туннельного и блокирующего слоев должны быть больше данной величины. Выполнение данного условия обеспечивается путем использования в качестве диэлектрика для второго туннельного и блокирующего слоев материала, например: ВаТа₂O₆, Ва_хSr_1-хTiO₃, Ba_xSr_1-xNbO₆, PbZn_xNb_1-хО₃, PbZr_xTi_1-xO₃, LiNbO₃, Bi_1-xLa_xTi₃O₁₂, Bi₂Sr₂CuO_x, Bi₄Ti₃O₁₂, SrBi₂Ta₂O₉, SrBi₂Ta_xV_1-xO₉, SrTi_1-xNb_xO₃,

Sr₂Nb₂O₇, SrTa₂O₆, SrZrO₃, PbTiO₃, LaAlO₃, КТаО₃, TiO₂, Ta₂O₅, Al_xTa_yO_z, TaO_xN_y, HfO₂,

HfSiO_xN_y, HfO_xN_y, Er₂O₃, La₂O₃, ZrO₂, ZrO_xN_y, ZrSiO_x, Gd₂O₃, Y₂O₃, SiO_xN_y, Al₂О₃, AlO_xN_y. Значения диэлектрических проницаемостей указанных материалов лежат в интервале от 5 до 2000.

Таким образом, первый туннельный слой может быть выполнен достаточно тонким за счет наличия дополнительного туннельного слоя. Это позволяет снизить величину напряжения и времени перепрограммирования. В то же время достаточно толстый второй, дополнительный, туннельный слой обеспечивает длительное время хранения информации.

Флэш элемент памяти ЭППЗУ содержит полупроводниковую подложку (1), исток (2), сток (3), первый туннельный слой (4), второй, дополнительный, туннельный слой (5), запоминающий слой (6) и затвор (8).

Флэш элемент памяти ЭППЗУ имеет транзисторную структуру, в которой на полупроводниковой подложке (1) с планарной стороны выполнены исток (2) и сток (3). Между истоком (2) и стоком (3) на этой же стороне подложки (1) последовательно выполнены первый туннельный слой (4), второй туннельный слой (5), запоминающий слой (6), блокирующий слой (7) и затвор (8).

В качестве полупроводниковой подложки (1) может быть использована кремниевая подложка n- или р-типа проводимости. Исток (2) и сток (3) выполнены из материала с противоположным типом проводимости.

Первый туннельный слой (4) из оксида кремния выполнен толщиной 1,5÷4,0 нм. Диэлектрические свойства его и указанная толщина обеспечивают ему необходимые инжекционные свойства для инжекции электронов/дырок в запоминающий слой (6) в режиме записи/стирания. Выполнение туннельного слоя (4) толщиной более 4,0 нм вызывает нежелательное увеличение длительности и амплитуды перепрограммирующего импульса в связи с падением напряжения на нем. Второй (дополнительный) туннельный слой (5) из диэлектрика с высокой диэлектрической проницаемостью выполняют толщиной 7,0÷100,0 нм как наиболее оптимальной для усиления электрического поля в первом туннельном слое (4), улучшении его инжекционных свойств в режиме перепрограммирования и предотвращения явления стекания заряда из запоминающего слоя (6) через систему туннельных слоев (4) и (5) в подложку (1) в режиме «хранения». Для слоя (5) в качестве диэлектрика могут быть использованы материалы с высокой диэлектрической проницаемостью: ВаТа₂O₆,

Ba_xSr_1-хTiO₃, Ba_xSr_1-xNbO₆, PbZn_xNb_1-хО₃, PbZr_xTi_1-хО₃, LiNbO₃, Bi_1-xLa_xTi₃O₁₂, Bi₂Sr₂CuO_x, Bi₄Ti₃O₁₂, SrBi₂Ta₂O₉, SrBi₂Ta_xV_1-xO₉, SrTi_1-xNb_xO₃, Sr₂Nb₂O₇, SrTa₂O₆, SrZrO₃, PbTiO₃, LaAlO₃, КТаО₃, TiO₂, Ta₂O₅, Al_xTa_yO_z, TaO_xN_y, HfO₂, HfSiO_xN_y, HfO_xN_y, Er₂O₃, La₂О₃, ZrO₂, ZrO_xN_y, ZrSiO_x, Gd₂O₃, Y₂O₃, SiO_xN_y, Al₂О₃, AlO_xN_y.

Запоминающий слой (6) выполнен из поликремния, или нитрида кремния, или оксинитрида кремния. Приведенные материалы обеспечивают запоминающему слою (6) способность захватывать и накапливать заряд. Толщина его составляет 4,0÷300,0 нм.

Блокирующий слой (7) выполняют из материалов, обладающих высокой диэлектрической проницаемостью. Например: ВаТа₂O₆, Ba_xSr_1-хTiO₃, Ba_xSr_1-xNbO₆, PbZn_xNb_1-хО₃, PbZr_xTi_1-хО₃, LiNbO₃, Bi_1-xLa_xTi₃O₁₂, Bi₂Sr₂CuO_x, Bi₄Ti₃O₁₂, SrBi₂Ta₂O₉, SrBi₂Ta_xV_1-xO₉, SrTi_1-xNb_xO₃, Sr₂Nb₂O₇, SrTa₂O₆, SrZrO₃, PbTiO₃, LaAlO₃, КТаО₃, TiO₂, Ta₂O₅, Al_xTa_yO_z, TaO_xN_y, HfO₂, HfSiO_xN_y, HfO_xN_y, Er₂O₃, La₂O₃, ZrO₂, ZrO_xN_y, ZrSiO_x,

Gd₂O₃, Y₂O₃, SiO_xN_y, Al₂О₃, AlO_xN_y.

Толщина блокирующего слоя (7) составляет от 7,0 до 100 нм. Толщина блокирующего слоя (7) менее 7,0 нм вызывает «паразитную» туннельную инжекцию носителей заряда из проводящего электрода (затвор (8)), которая приводит к уменьшению заряда, накопленного в запоминающем слое (6) за счет инжекции из полупроводниковой подложки (1). Толщина блокирующего слоя (7) более 100,0 нм вызывает увеличение «паразитного» падения напряжения на блокирующем слое (7) и ведет к уменьшению электрического поля в первом туннельном слое (4) и, как следствие, к уменьшению заряда, накопленного в запоминающем слое (6).

Для обеспечения хранения заряда, например, в течение 10 лет при температуре 300 К толщины второго туннельного слоя (5) и блокирующего слоя (7) должны быть примерно одинаковыми.

Затвор 8 выполняют из поликремния, или тугоплавкого металла (например, вольфрама), или силицида тугоплавкого металла (силицида вольфрама).

Флэш элемент памяти ЭППЗУ работает следующим образом.

Исходное пороговое напряжение флэш элемента памяти ЭППЗУ (транзистора) имеет небольшую отрицательную величину, транзистор находится в проводящем состоянии (логическая «1»). Запись информации (логический «0») осуществляют подачей на затвор 8 (см. чертеж) относительно подложки (1), например, р-типа проводимости, положительного напряжения с амплитудой, обеспечивающей напряженность электрического поля в туннельном слое (4), равной по величине (9÷14)×10⁶ В/см. При этом происходит туннелирование электронов из подложки (1) в основном через первый туннельный слой (4) в запоминающий слой (6) и последующий захват электронов в запоминающем слое (6), выполненном из поликремния, или нитрида кремния, или оксинитрида кремния. Захват электронов приводит к накоплению отрицательного заряда и переводит флэш элемент памяти (транзистор) в непроводящее состояние (поскольку канал транзистора находится в непроводящем состоянии) с высоким положительным пороговым напряжением, соответствующим логическому «0».

Перепрограммирование флэш элемента памяти ЭППЗУ (запись логической «1») осуществляют приложением к затвору (8) относительно подложки (1) отрицательного напряжения. При этом в запоминающей среде (запоминающий слой 6) и в первом туннельном слое (4) создается электрическое поле, стимулирующее уход захваченных электронов в подложку (1) и инжекцию дырок из подложки (1). В результате инжектированные дырки захватываются запоминающим слоем (6) и в нем накапливается положительный заряд. Наличие положительного заряда в запоминающем слое (6) обуславливает сдвиг порогового напряжения в направлении отрицательного потенциала, и канал транзистора (флэш элемента памяти ЭППЗУ) переходит в проводящее состояние, что соответствует логической «1».

Наличие высокой диэлектрической проницаемости ε у блокирующего слоя (7) и второго, дополнительного, туннельного слоя (5) приводит к тому, что падение напряжения на них, по сравнению с падением напряжения на первом туннельном слое (4), будет меньше в ε/ε_SiO2 раз, а падение напряжения на первом туннельном слое (4) из оксида кремния, соответственно, больше. Ток инжекции электронов через туннельный слой (4) в элементе памяти с дополнительным туннельным слоем (5) и блокирующим слоем (7), которые изготовлены из диэлектрика с высокой диэлектрической проницаемостью, существенно (на порядки) выше. Это позволяет уменьшить напряжение и длительность перепрограммирующего импульса. В то же время достаточно толстые второй туннельный и блокирующий слои предотвращают стекание заряда из запоминающего слоя в режиме «хранения». Таким образом, происходит достижение указанного технического результата для флэш элемента памяти ЭППЗУ, в котором перепрограммирование осуществляется путем туннельной инжекции электронов и дырок из полупроводниковой подложки (1) в запоминающий слой (6).

Уменьшение напряжения и длительности перепрограммирующего импульса также возможно для флэш элемента памяти ЭППЗУ, в котором перепрограммирование осуществляется путем инжекции горячих электронов из канала полупроводниковой подложки в запоминающий слой.

1. Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства, содержащий полупроводниковую подложку с выполненными в ней истоком и стоком, на которой между истоком и стоком выполнены туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и затвор, отличающийся тем, что между туннельным слоем и запоминающим слоем выполнен дополнительный туннельный слой из материала с высоким значением диэлектрической проницаемости, превосходящим диэлектрическую проницаемость материала туннельного слоя.

2. Флэш элемент памяти по п.1, отличающийся тем, что туннельный слой выполнен из оксида кремния толщиной от 1,5 до 4,0 нм.

3. Флэш элемент памяти по п.1, отличающийся тем, что дополнительный туннельный слой выполнен из материала со значением диэлектрической проницаемости от 5 до 2000, толщиной от 7,0 до 100,0 нм.

4. Флэш элемент памяти по п.3, отличающийся тем, что в качестве материала для дополнительного туннельного слоя использован диэлектрик из приведенного перечня материалов: ВаТа₂О₆, Ba_xSr_1-xTiO₃, Ba_xSr_1-xNbO₆, PbZn_xNb_1-xO₃, PbZr_xTi_1-xO₃, LiNbO₃, Bi_1-xLa_xTi₃O₁₂, Bi₂Sr₂CuO_x, Bi₄Ti₃O₁₂, SrBi₂Ta₂O₉, SrBi₂Ta_xV_1-xO₉, SrTi_1-xNb_xО₃,
Sr₂Nb₂O₇, SrTa₂O₆, SrZrO₃, PbTiO₃, LaAlO₃, KTaO₃, TiO₂, Ta₂O₅, Al_xTa_yO_z, TaO_xN_y, HfO₂,
HfSiO_xN_y, HfO_xN_y, Er₂O₃, La₂O₂, ZrO₂, ZrO_xN_y, ZrSiO_x, Gd₂О₃, Y₂O₃, SiO_xN_y, Al₂О₃, AlO_xN_y.

5. Флэш элемент памяти по п.1, отличающийся тем, что блокирующий слой выполнен из материала со значением диэлектрической проницаемости от 5 до 2000, толщиной от 7,0 до 100,0 нм.

6. Флэш элемент памяти по п.5, отличающийся тем, что в качестве материала для блокирующего слоя использован диэлектрик из приведенного перечня материалов: ВаТа₂О₆, Ba_xSr_1-xTiO₃, Ba_xSr_1-xNbO₆, PbZn_xNb_1-xO₃, PbZr_xTi_1-xO₃, LiNbO₃,
Bi_1-xLa_xTi₃O₁₂, Bi₂Sr₂CuO_x, Bi₄Ti₃O₁₂, SrBi₂Ta₂O₉, SrBi₂Ta_xV_1-xO₉, SrTi_1-xNb_xO₃, Sr₂Nb₂O₇, SrTa₂O₆, SrZrO₃, PbTiO₃, LaAlO₃, КТаО₃, TiO₂, Та₂O₅, Al_xTa_yO_z, TaO_xN_y, HfO₂, HfSiO_xN_y, HfO_xN_y, Er₂O₃, La₂O₃, ZrO₂, ZrO_xN_y, ZrSiO_x, Gd₂O₃, Y₂O₃, SiO_xN_y, Al₂О₃, AlO_xN_y.

7. Флэш элемент памяти по п.1, отличающийся тем, что запоминающий слой выполнен из поликремния, или нитрида кремния, или оксинитрида кремния толщиной от 4,0 до 300,0 нм.