Способ получения пленки окисла кремния sio2

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленочных диэлектриков, для маскирования поверхности кремниевых пластин при проведении диффузионных процессов. Сущность изобретения: пленку окисла кремния получают с использованием газовой фазы, в состав которой входят азот, кислород и водород при соотношении компонентов:

N2=400 л/ч, H2=75 л/ч, O2=750 л/ч при температуре рабочей зоны 1000°С. Контроль проводится на установке «MPV-SP». Разброс по толщине полученной пленки окисла кремния на пластинах составляет 3,5÷4,0%. Изобретение обеспечивает получение равномерной и ненарушенной пленки окисла кремния без примесей.

 

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленочных диэлектриков, для маскирования поверхности кремниевых пластин при проведении диффузионных процессов, из которых наиболее широко используемым является диоксид кремния (SiO2).

Известен способ термического окисление кремния в парах воды для получения защитных диэлектрических пленок на кремнии [1].

Известен способ получения пленки окисла кремния для получения защитных диэлектрических пленок на кремнии.

Недостатком является неравномерность наращивания пленки окисла кремния на поверхности кремниевых подложек.

Известен другой способ термического окисления кремния в сухом кислороде, который отличается от окисления в парах воды тем, что в первом случае веществом, диффундирующим сквозь растущую пленку оксида, является не вода, а ионы кислорода [1].

Недостатком является неравномерность наращивания пленки окисла кремния и получения пористого слоя.

Известен способ, который представляет собой комбинацию двух процессов окисления: в парах воды и в сухом кислороде при температуре 1000-1200°С.

Недостатком является то, что неравномерная толщина пленки окисла кремния на поверхности пластин и скорость роста оксидной пленки в сухом кислороде меньше, чем в парах воды, а также пленки окисла кремния SiO2, выращенные во влажном кислороде, обладают худшими электрическими и защитными свойствами, чем слои, выращенные в сухом кислороде.

Целью изобретения является получение равномерной и ненарушенной пленки окисла кремния без примесей.

Поставленная цель достигается использованием газовой фазы, в состав которой входят азот, кислород и водород.

Сущность способа заключается в том, что на поверхности пластины подложки формируют слой пленки окисла кремния за счет горения водорода и сухого кислорода в среде азота при соотношении газов:

N2=400 л/ч;

H2=75 л/ч;

O2=500-750 л/ч.

Температура рабочей зоны 1000°С.

Контроль проводится на установке «MPV-SP». Разброс по толщине полученной пленки окисла кремния на пластинах составляет 3,5÷4,0%.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.

ПРИМЕР 1: Процесс проводят в однозонных диффузионных печах типа на установке СДОМ-1/100 при температуре (1000°С) и с применением кварцевой трубы. Кремниевые пластины размещены на кварцевой лодочке с соблюдением расстояния между пластинами. Кремниевые подложки предварительно нагревают до температуры 850°С, при расходе азота N2=500 л/ч. Сухое окисление при расходе азота N2=400 л/ч проводят в течение 10 мин. После чего пускают Н2 на поджиг с расходом водорода (H2=50 л/ч) и кислорода O2=500 л/ч, а затем происходит горение водорода и кислорода в течение 1 минуты, при котором образуется окисная пленка.

Контроль проводится на установке «MPV-SP». Разброс по толщине полученной пленки окисла кремния на пластинах составляет 5,0÷5,5%.

ПРИМЕР 2: Способ осуществляют аналогично условию примера 1. Процесс проводят при следующем расходе газов, л/ч:

N2=400 л/ч;

Н2=65 л/ч;

O2=650 л/ч.

Температура рабочей зоны 1000°С.

Контроль проводится на установке «MPV-SP». Разброс по толщине полученной пленки окисла кремния на пластинах составляет 4,5÷5,0%.

ПРИМЕР 3: Способ осуществляют аналогично условию примера 1. Процесс проводят при следующем расходе газов, л/ч:

N2=400 л/ч;

Н2=75 л/ч;

O2=750 л/ч.

Температура рабочей зоны 1000°С.

Контроль проводится на установке «MPV-SP». Разброс по толщине полученной пленки окисла кремния на пластинах составляет 3,5÷4,0%.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом позволяет получать равномерный, чистый без примесей и ненарушенный слой пленки окисла кремния.

Литература

1. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. / Ред. А.И. Курносова, В.В. Юдина. М.: "Высшая школа", 1996, с.387.

Способ получения пленки окисла кремния (SiO2), включающий получение окисла кремния из газовой фазы, в состав которой входят азот, водород и кислород, отличающийся тем, что кремниевые пластины подвергают обработке при соотношении компонентов
N2=400 л/ч; Н2=75 л/ч; O2=750 л/ч;
рабочая температура 1000°С, после чего проводится контроль на установке «MPV-SP», разброс по толщине полученной пленки окисла кремния на пластинах составляет 3,5÷4,0%.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения защитных пленок. .
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления пленок с пониженной дефектностью. .
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения тонкопленочных конденсаторов. .

Изобретение относится к технологии осаждения диоксида кремния на подложке из раствора при низких температурах таким образом, чтобы получить гомогенный рост диоксида кремния.
Изобретение относится к области технологии полупроводниковых приборов. .
Изобретение относится к области металлооксидных полупроводниковых технологий. .

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. .

Изобретение относится к микро- и наноэлектронике и может быть использовано в производстве СБИС, полевых нанотранзисторов, а также устройств оптической волоконной связи.
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленок, содержащих бор на поверхности полупроводниковых материалов
Изобретение относится к области нанотехнологий и может быть использовано для изготовления сенсорных датчиков, приборов контроля составов газовых смесей, оптических приборов, в оптоэлектронике, наноэлектронике

Изобретение относится к технологии арсенид-галлиевой микроэлектроники, в частности к методам электрической пассивации поверхности полупроводниковых соединений и твердых растворов групп АIIIBV, и может быть использовано для снижения плотности поверхностных состояний как на свободной поверхности полупроводника, так и на границе раздела металл-полупроводник и диэлектрик-полупроводник
Изобретение относится к технологии получения защитных пленок полупроводниковых приборов и интегральных схем

Изобретение относится к технологии выращивания оксидных слоев и может быть использовано при создании защитных либо пассивирующих покрытий на поверхности металла или полупроводника

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и может быть использовано в производстве твердотельных газовых датчиков паров углеводородов
Изобретение относится к технологии изготовления мощных транзисторов, в частности к методам получения защитных пленок для формирования активных областей p-n переходов
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, с пониженной плотностью дефектов

Изобретение относится к технологии полупроводниковой микро- и наноэлектроники, а именно к золь-гель технологии получения сегнетоэлектрических тонких стронций-висмут-тантал-оксидных пленок на интегральных микросхемах, применяемых в частности в устройствах энергонезависимой памяти типа FRAM. Техническим результатом изобретения является обеспечение однородности изготавливаемой сегнетоэлектрической пленки, упрощение контроля над процессом приготовления золя и увеличение срока хранения исходного золя, снижение энергоемкости процесса и снижение его стоимости. В золь-гель способе формирования сегнетоэлектрической стронций-висмут-тантал-оксидной пленки готовят исходные растворы хлорида стронция, хлорида висмута и хлорида тантала. Каждый полученный раствор подвергают ультразвуковой обработке в течение 20-40 минут, выдерживают в течение суток при комнатной температуре и фильтруют. Смешивают растворы в один и выдерживают его в течение суток при комнатной температуре. Образуется пленкообразующий раствор, который наносят на подложку, сушат подложку с нанесенным пленкообразующим раствором при температуре 50-450°С и отжигают пленку в присутствии кислорода при температуре 700-800°С в течение 1-2 часов. В результате получают сегнетоэлектрическую стронций-висмут-тантал оксидную пленку. 5 ил.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты поверхности p-n-переходов. Изобретение обеспечивает получение равномерной поверхности, уменьшение температуры и длительности процесса. В способе защиты p-n-переходов на основе окиси бериллия защита поверхности p-n-переходов осуществляется на основе пленки окиси бериллия вакуумным катодным распылением. Создание защитной пленки проводится в печи при температуре 1000°C, температура кристалла 600°С. Окись бериллия в виде порошка, а в качестве несущего агента используется галоген HBr. Устанавливается перепад температур между источником окиси бериллия и полупроводниковым кристаллом. Расстояние между источником окиси бериллия и кристаллом равно 12 см. Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина пленки окиси бериллия δ=0,8±0,1 мкм.
Наверх