Способ заполнения углеродных нанотрубок водородом

Изобретение относится к области обработки наноструктур. Сущность изобретения: в способе заполнения водородом углеродных нанотрубок, прошедших термохимическую активацию в парах сульфида цинка, заполнение проводят при температуре 25°С в течение 24 часов под давлением водорода 78-80 атм. Техническим результатом изобретения является увеличение количества водорода, запасаемого в нанотрубках. 1 табл.

 

Изобретение относится к области обработки наноструктур.

Исследования углеродных нанотрубок (УНТ) как перспективных материалов-аккумуляторов водорода показывают, что важными факторами, определяющими количество водорода, запасаемого в УНТ, являются условия заполнения трубок водородом (температура, время и давление). С экономической точки зрения целесообразны невысокие температуры и давления при относительно небольшом времени заполнения.

Известен способ заполнения водородом УНТ, термохимически активированных обработкой в парах сульфида цинка [Патент РФ №2296046, опубл. 27.03.2007 г., бюл.9] - прототип. Способ изложен в описании изобретения, в примере, и состоит в заполнении УНТ водородом под давлением в 100 атм при температуре 25°С в течение 24 часов. Параметры такого процесса полностью соответствуют критерию экономической целесообразности. Недостатком способа является низкое содержание водорода в УНТ, не превышающее 4,1% (мас.).

Задачей настоящего изобретения является увеличение количества водорода, запасаемого при температуре 25°С за 24 часа в углеродных нанотрубках, прошедших термохимическую активацию в парах сульфида цинка.

Эта задача решается в предлагаемом способе заполнения углеродных нанотрубок водородом путем проведения процесса под давлением 78-80 атм.

Способ позволяет запасать в УНТ от 4,9 до 5,3% (мас.) водорода. Такое количество запасенного водорода не может быть объяснено физической адсорбцией водорода, а химическое взаимодействие его с УНТ при комнатной температуре маловероятно. В условиях предлагаемого способа предположительно происходит образование водородных кластеров между слоями УНТ, прошедших термохимическую активацию в парах сульфида цинка.

Параметры процесса выбраны экспериментально. При давлениях водорода ниже 78 и выше 80 атм количество водорода, запасенного в УНТ, резко падает, что подтверждается результатами, представленными в таблице.

Можно полагать, что при давлениях водорода ниже 78 атм не происходит образование водородных кластеров или их содержание мало. При давлениях водорода выше 80 атм вероятно происходит быстрое разрушение кластеров из-за нарушения структуры стенок УНТ, имеющих, вследствие взаимодействия с парами сульфида цинка в процессе термохимической активации, большее содержание оборванных связей в сравнении с нанотрубками, активированными другими методами или не подвергавшимися активации.

Таблица
Давление Н2 в процессе заполнения УНТ, атм Количество Н2, запасенного в УНТ, % (мас.)
1. 30 0,8±0,7
2. 40 1,1±0,7
3. 50 1,4±0,7
4. 60 1,9±0,7
5. 70 2,4±0,7
6. 75 3,1±0,7
7. 77 3,8±0,7
8. 78 4,9±0,7
9. 79 5,1±0,7
10. 80 5,3±0,7
11. 81 4,2±0,7
12. 85 3,6±0,7
13. 90 3,4±0,7
14. 100 3,3±0,7

Пример 1:

УНТ, термохимически активированные в парах сульфида цинка, заполняют водородом под давлением 78 атм, при температуре 25°С в течение 24 часов. Затем измеряют волюметрическим методом количество водорода, выделившегося из УНТ при прогреве нанотрубок до 300°С. Полученное значение принимают за количество водорода, запасенное УНТ в процессе заполнения. Вычисленное из этих данных содержание водорода, запасенного в УНТ, составляет 4,9±0,7% (мас.).

Пример 2:

УНТ, термохимически активированные в парах сульфида цинка, заполняют водородом под давлением 79 атм, при температуре 25°С в течение 24 часов. Затем измеряют волюметрическим методом количество водорода, выделившегося из УНТ при прогреве нанотрубок до 300°С. Полученное значение принимают за количество водорода, запасенное УНТ в процессе заполнения. Вычисленное из этих данных содержание водорода, запасенного в УНТ, составляет 5,1±0,7% (мас.).

Пример 3:

УНТ, термохимически активированные в парах сульфида цинка, заполняют водородом под давлением 80 атм, при температуре 25°С в течение 24 часов. Затем измеряют волюметрическим методом количество водорода, выделившегося из УНТ при прогреве нанотрубок до 300°С. Полученное значение принимают за количество водорода, запасенное УНТ в процессе заполнения. Вычисленное из этих данных содержание водорода, запасенного в УНТ, составляет 5,3±0,7% (мас.).

Способ заполнения водородом углеродных нанотрубок, прошедших термохимическую активацию в парах сульфида цинка, под давлением водорода при температуре 25°С в течение 24 ч, отличающийся тем, что заполнение проводится под давлением водорода 78-80 атм.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области офтальмологии и может быть использовано для хирургической коррекции миопического астигматизма. .

Изобретение относится к области машиностроения и приборостроения и может быть использовано в производстве различных видов технологического оборудования, приборов и металлической упаковки.
Изобретение относится к технологии получения наноматериалов, в частности наночастиц теллурида кадмия, и может быть использовано для создания оптических приборов, детекторов ионизирующих излучений, катализаторов.

Изобретение относится к кузнечно-прессовому оборудованию, в частности к машинам для холодной объемной обработки методом локального деформирования с предварительной пластификацией металла заготовок.
Изобретение относится к получению частиц платино-титановых сплавов нанометрового размера. .
Изобретение относится к биотехнологии. .
Изобретение относится к промышленности строительных материалов и может быть использовано при изготовлении изделий из доломитовых безобжиговых жаростойких бетонов, получаемых без предварительного обжига.
Изобретение относится к промышленности строительных материалов и может быть использовано при изготовлении изделий из хромомагнезитовых безобжиговых жаростойких бетонов.
Изобретение относится к промышленности строительных материалов и может быть использовано при изготовлении изделий из магнезитовых бесцементных жаростойких бетонов, получаемых без предварительного обжига.
Изобретение относится к промышленности строительных материалов и может быть использовано при изготовлении изделий из шамотных жаростойких бетонов, получаемых без предварительного обжига.

Изобретение относится к изготовлению наноструктурированных материалов воздействием концентрированных потоков энергии и может быть использовано при получении наноразмерных пористых структур
Изобретение относится к химической технологии получения нанопорошков композиционных материалов на основе оксидов свинца, титана и циркония, используемых для получения керамики со специальными свойствами

Изобретение относится к способу и устройству ионно-плазменного нанесения многокомпонентных пленочных покрытий

Изобретение относится к области производства прочных композиционных материалов
Изобретение относится к области нанотехнологий и может быть использовано для изготовления сенсорных датчиков, приборов контроля составов газовых смесей, оптических приборов, в оптоэлектронике, наноэлектронике

Изобретение относится к способам получения наночастиц и может быть использовано при осуществлении процессов нанесения высокоэффективных каталитических нанопокрытий
Изобретение относится к обработке металлов давлением и может быть использовано для изготовления многослойных металлических листов, в том числе с субмикро- и наноразмерной структурой

Изобретение относится к химии элементоорганических пероксидов, являющихся перспективными материалами для получения модифицированных полимеров
Изобретение относится к области изготовления материала с полностью контролируемыми свойствами, а именно материала с порами контролируемого размера и формы

Изобретение относится к получению полупроводниковых квантовых точек типов ядро и ядро-оболочка методом коллоидного синтеза, которые могут быть использованы в производстве различных люминесцентных материалов, а также в качестве основы для производства сверхминиатюрных светодиодов, источников белого света, одноэлектронных транзисторов, нелинейно-оптических устройств, фоточувствительных и фотогальванических устройств
Наверх