Способ генерации в вакууме электромагнитного излучения в терагерцовом диапазоне

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к генерированию электромагнитного излучения в терагерцовом диапазоне. Сущность изобретения: в способе генерации в вакууме электромагнитного излучения в терагерцовом диапазоне, заключающемся в рассеивании пучка электронов на углеродной наноструктуре в виде нанотора с магнитным потоком во внутренней полости, значения которого равны 2·10-7 Гс·см2, пучок электронов направляют вдоль оси нанотора, а магнитный поток во внутренней полости нанотора сформирован при этом в процессе выращивания его во внешнем однородном магнитном поле. Технический результат изобретения состоит в разработке способа генерации в вакууме электромагнитного излучения в терагерцовом диапазоне в отсутствие классического силового воздействия на излучающие частицы. 1 ил.

 

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к генерированию электромагнитного излучения в терагерцовом диапазоне, и может быть использовано в системе накачки в лазерах на квантовых каскадах, как средство визуализации или обнаружения «захвата» нанокольцами магнитного потока в экспериментах с электронным микроскопом, а также для регистрации и контроля возникновения намагниченного состояния в наноструктурах из ферромагнитных материалов.

Аналогов технических решений, позволяющих генерировать в вакууме электромагнитное излучение в терагерцовом диапазоне, не установлено.

Задача изобретения - разработка способа генерации в вакууме электромагнитного излучения в терагерцовом диапазоне в отсутствие классического силового воздействия на излучающие частицы.

Технический результат от использования изобретения заключается в реализации поставленной задачи.

Технический результат достигается тем, что способ генерации в вакууме электромагнитного излучения в терагерцовом диапазоне заключается в том, что пучок электронов рассеивают на углеродной наноструктуре в виде нанотора с магнитным потоком во внутренней полости, значения которого равны нецелому числу его квантов, причем пучок электронов направляют вдоль оси нанотора перпендикулярно магнитному потоку.

Магнитный поток во внутренней полости нанотора может быть сформирован в процессе его выращивания во внешнем однородном магнитном поле.

На чертеже изображена схема системы, в которой был апробирован предлагаемый способ.

Система включает вакуумную камеру 1, где установлены источник питания 2 (значение ЭДС ~40 В), источник электронов, нагреваемый катод 3, к которому подключена анодная сетка 4, служащая одновременно диафрагмой для ограничения пучка электронов, нанотор 5 и два детектора 6, 7 инфракрасного излучения с фильтрами, пропускающими компоненту излучения с циркулярной поляризацией. Нанотор 5 размещен с расположением его оси перпендикулярно анодной сетке 4 на расстоянии ~5 см от последней. Один детектор 6 инфракрасного излучения размещен по ходу пучка электронов, направленных вдоль оси нанотора на выходе из его внутреннего кольца. Другой детектор 7 инфракрасного излучения размещен по ходу электронов, отклоненных от направления оси нанотора. Детекторы представляют собой приемник ИК-излучения с принципиальной схемой на транзисторах, в котором рабочим элементом является фотодиод (например, ФД320, ФД236-01).

Для осуществления способа с использованием техники молекулярной эпитаксии во внешнем однородном магнитном поле были выращены два идентичных нанотора в виде углеродной нанотрубки диаметром ~36 нм, свернутой в кольцо диаметром ~690 нм. Причем первый нанотор выращен при индукции поля B1~2·104 Гс, второй - при индукции В2~4·104 Гс. Значение магнитного потока Ф1 во внутренней полости первого нанотора, захваченного в процессе его выращивания, при индукции поля В~2·104 Гс и площади S поперечного сечения нанотрубки диаметром d~36 нм=36·10-7 см составляло Ф1~2·10-7 Гс·см2 (Ф=B·S=В·π·d2/4). Значение магнитного потока Ф2 во внутренней полости второго нанотора, захваченного в процессе его выращивания, при индукции поля В~4·104 Гс получали равным кванту магнитного потока, а именно Ф2~4·10-7 Гс·см2.

Для генерации электромагнитного излучения первый нанотор с магнитным потоком Ф1~2·10-7 Гс·см2 помещался в вакуумную камеру 2, где создавалось состояние сверхвысокого вакуума с остаточным давлением ~10-7 торр. Температура в камере 1 поддерживалась на уровне 4-5 К для исключения теплового дрейфа электронного пучка. Сверхвысокий вакуум создавался при помощи турбомолекулярного насоса АТР100.

Подачей на источник питания 4 ускоряющего напряжения со значением ЭДС ~40 В формируют пучок электронов, ускоренных до энергии ~40 эВ и направленных на нанотор 5.

При этом электроны, которые проходят внутри кольца нанотора вдоль его оси, испытывают влияние эффекта Ааронова-Бома, и детектор 6 фиксирует электромагнитное излучение. Детектором 7 наличие электромагнитного излучения не отмечалось.

В рамках эксперимента наблюдалось электромагнитное излучение с правой поляризацией и длиной волны 1100 нм.

При попытке генерирования электромагнитного излучения в условиях, описанных выше, и использовании второго нанотора с магнитным потоком во внутренней полости при значении, равном кванту магнитного потока Ф2~4·10-7 Гс·см2, излучение детектором 6 не отмечалось.

Способ генерации в вакууме электромагнитного излучения в терагерцовом диапазоне, заключающийся в рассеивании пучка электронов на углеродной наноструктуре в виде нанотора с магнитным потоком во внутренней полости, значения которого равны 2·10-7 Гс·см2, при этом пучок электронов направляют вдоль оси нанотора, а магнитный поток во внутренней полости нанотора сформирован в процессе выращивания во внешнем однородном магнитном поле.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано при разработке или изготовлении газовых лазеров, в том числе, лазеров на парах металлов, с поперечной накачкой, работающих как в режиме генерации, так и в режиме усиления когерентного излучения.

Изобретение относится к области лазерной техники и может быть использовано, например, в физике низкотемпературной плазмы и биологии. .

Изобретение относится к области квантовой электроники и может быть использовано в газоразрядных устройствах, в частности в электроразрядных импульсно-периодических лазерах с поперечным разрядом.

Изобретение относится к области лазерной техники и может быть использовано в различных отраслях, в частности при разработке и изготовлении лазерных устройств для обработки материалов с высокой средней мощностью и яркостью излучения.

Изобретение относится к области квантовой физики и может быть использовано при создании лазерных систем на базе фотодиссоционных квантовых генераторов. .

Изобретение относится к области лазерной техники и может быть использовано в оптической локации, дальнометрии, оптическом зондировании атмосферы. .

Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано при создании плоских компактных газовых лазеров, предназначенных для накачки нелинейных сред, обращающих волновой фронт зондирующего лазерного излучения в лазерных комплексах противодействия.

Изобретение относится к лазерной технике и может быть использовано для создания лазера на парах стронция. .

Изобретение относится к области квантовой электроники, в частности к электродным системам газовых ТЕ-лазеров. .

Изобретение относится к литографическим источникам света для изготовления интегральных схем, в частности, к источникам света на основе газоразрядных лазеров для литографии, используемой в производстве интегральных схем.

Изобретение относится к области квантовой электроники и лазерных технологических систем

Изобретение относится к лазерным электронно-лучевым приборам, сканирующим полупроводниковым лазерам с накачкой электронным пучком, которые применяются, в частности, в измерительной и медицинской технике

Изобретение относится к квантовой электронике и может быть применено в мощных лазерах, например в газопроточных электроразрядных импульсно-периодических, размещаемых на различных транспортных средствах и генерирующих излучение во время движения

Изобретение относится к лазерной технике и может быть использовано при создании газодинамического тракта непрерывного химического лазера с выхлопом лазерного газа в атмосферу, а также элементов системы восстановления давления (СВД) этих лазеров

Изобретение относится к области квантовой электроники, в частности к газовым лазерам ТЕ-типа с высокой частотой следования импульсов, таким как эксимерные, азотные, СО2-лазеры

Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано в системах оптической связи по открытому атмосферному каналу с подвижными и стационарными объектами, рассредоточенными на местности

Изобретение относится к области радиотехники, в частности к источникам питания гелий-неоновых лазеров, и может быть использовано для повышения точности стабилизации их лазерного излучения

Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано в атмосферных лазерных линиях связи с повышенной скрытностью передачи информации
Наверх