Двухспектральный фотоприемник (варианты)

Изобретение может использоваться, например, для широкопольных теплопеленгационных или тепловизионных приборов, работающих в двух областях спектра. Двухспектральный фотоприемник состоит из n модулей, каждый из которых содержит фоточувствительные элементы, две многоэлементные фоточувствительные линейки, мультиплексор и основание. Первая многоэлементная линейка выполнена чувствительной в одной области спектра и расположена на подложке первого фоточувствительного элемента, а вторая многоэлементная линейка выполнена чувствительной в другой области спектра и расположена на подложке второго фоточувствительного элемента. В одном из изобретений первые фоточувствительные элементы имеют вид трапеции, что позволяет располагать модули так, что фоточувствительные структуры, каждая из которых образована линейками, чувствительными в одной области спектра, имеют вид правильных многоугольников. В другом варианте изобретения вторые фоточувствительные элементы имеют вид прямоугольников, что позволяет располагать модули так, что фоточувствительные структуры имеют вид линейки. Технический результат изобретения заключается в создании двухспектральных крупноформатных многомодульных фоточувствительных структур различной конфигурации. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 6 ил.

 

Предлагаемые устройства относятся к полупроводниковым приборам, чувствительным к инфракрасному (ИК) излучению, и могут использоваться в оптико-электронной аппаратуре различного назначения, в особенности для широкопольных теплопеленгационных или тепловизионных приборов, работающих в двух областях спектра - 2-3 мкм и 3-5 мкм.

Одним из направлений развития оптоэлектроники является создание оптико-электронной аппаратуры, работающей в ИК-области спектра с широкими полями зрения и высоким пространственным разрешением.

Для формирования протяженных фоточувствительных структур применяется модульный принцип конструирования, при котором такая структура набирается из модулей с числом фоточувствительных элементов, ограниченным возможностями технологии. Известно охлаждаемое фотоприемное устройство (ФПУ) типа BD АМ010 (рекламный проспект фирмы Sofradir (Франция), опубл. в декабре 2000 г.), выполненное в виде протяженной фотоприемной структуры для авиационного и космического применения. Данное устройство выполнено в виде линейки, состоящей из пяти модулей, состыкованных с минимальными зазорами и образующих линейку из 1500 фоточувствительных элементов. Каждый модуль включает линейку фоточувствительных элементов (фотодиодов из КРТ, чувствительных в области спектра 3-5 мкм) и считывающий мультиплексор. Недостатком данного устройства является его работа в одной области спектра.

Существенное повышение информативности и расширение возможностей применения оптико-электронной аппаратуры достигается за счет использования не одного, а двух спектральных диапазонов. Фотоприемные устройства, входящие в состав такой аппаратуры, должны быть выполнены в виде протяженных фоточувствительных структур с высоким количеством фоточувствительных элементов, в несколько раз превышающим параметры стандартного телевизионного сигнала (576 или 768).

Известен двухспектральный охлаждаемый фотодетектор (патент US, 5525801А, опубл. 11.06.1996 г.), содержащий две многоэлементные фоточувствительные линейки, каждая линейка по 128 фоточувствительных элемента на основе PbS или PbSe. Указанные линейки расположены параллельно на подложке одного фоточувствительного элемента из кварцевого стекла или подобного материала. Фоточувствительные линейки расположены на противоположных сторонах металлического следа и оптического делителя. Для считывания фотоэлектрических сигналов с каждой линейки через проводные связи фотодетектор содержит два мультиплексора. Подложка расположена на основании, выполненном из теплопроводящего синтетического сапфира и установленном на многоступенчатый термоэлектрический охладитель. Двухспектральный охлаждаемый фотодетектор содержит два фильтра, создающих две области спектра. Так как фоточувствительные элементы двух линеек выполнены из одного и того же материала, предусмотрен оптический делитель, который предотвращает попадание одной области спектра на фоточувствительные элементы двух линеек. Указанное устройство как наиболее близкое к предлагаемым изобретениям принято за прототип. Конструкция известного фотоприемника не позволяет создавать крупноформатные многомодульные фоточувствительные структуры различной конфигурации.

Первой задачей изобретения является создание двухспектрального фотоприемника, являющегося составной частью оптико-электронной аппаратуры (ОЭА), в которой реализован способ развертки изображения с применением конического сканирования внешним наклонным зеркалом, нормаль к которому движется по эллиптическому конусу, а отраженный луч (оптическая визирная ось) - по правильному круговому конусу.

Технический результат достигается тем, что обеспечивается возможность создания двухспектральных крупноформатных многомодульных фоточувствительных структур различной конфигурации, расположенных, например, в виде многоугольника.

Это достигается тем, что двухспектральный фотоприемник состоит из n модулей, где n≥4, и каждый модуль содержит два фоточувствительных элемента, две многоэлементные фоточувствительные линейки, мультиплексоры и основание, при этом первая многоэлементная линейка выполнена чувствительной в одной области спектра и расположена на подложке первого фоточувствительного элемента, имеющего вид трапеции, а вторая многоэлементная линейка выполнена чувствительной в другой области спектра и расположена на подложке второго фоточувствительного элемента, а модули расположены так, что фоточувствительные структуры, каждая из которых образована линейками, чувствительными в одной области спектра, имеют вид правильных многоугольников.

Второй задачей изобретения является создание протяженных фоточувствительных структур с высокой степенью информативности.

Технический результат достигается тем, что обеспечивается возможность создания двухспектральных крупноформатных многомодульных фоточувствительных структур, расположенных в виде линеек.

Это достигается тем, что двухспектральный фотоприемник состоит из n модулей, где n≥4, и каждый модуль содержит два фоточувствительных элемента, имеющих вид прямоугольников, две многоэлементные фоточувствительные линейки, мультиплексоры и основание, при этом первая многоэлементная линейка выполнена чувствительной в одной области спектра и расположена на подложке первого фоточувствительного элемента, а вторая многоэлементная линейка выполнена чувствительной в другой области спектра и расположена на подложке второго фоточувствительного элемента, а модули расположены так, что фоточувствительные структуры, каждая из которых образована линейками, чувствительными в одной области спектра, расположены в виде линеек.

В первом и втором случае фоточувствительные элементы первой линейки могут быть выполнены из селенида свинца, а фоточувствительные элементы второй линейки могут быть выполнены из сульфида свинца, первый и второй фоточувствительные элементы могут быть установлены на коммутационной плате, а мультиплексоры могут быть установлены на фоточувствительные элементы методом перевернутого монтажа с групповой пайкой через индиевые столбики.

Предлагаемые решения поясняются следующими чертежами, где:

фиг.1 - модуль двухспектрального фотоприемника. Главный вид.

Фиг.2 - модуль двухспектрального фотоприемника. Вид сбоку.

Фиг.3 - гибридизация мультиплексора с фоточувствительным элементом через индиевые столбики.

Фиг.4 - многоэлементные фоточувствительные линейки, выполненные из различных материалов.

Фиг.5 - двухспектральный фотоприемник, в котором фоточувствительные структуры имеют вид правильного многоугольника.

Фиг.6 - двухспектральный фотоприемник, в котором фоточувствительные структуры имеют вид двух линеек.

Двухспектральный фотоприемник состоит из n-го количество модулей, каждый из которых включает:

1 - охлаждаемое основание, например, из ковара;

2 - коммутационную плату, установленную на основании;

3, 4 - два фоточувствительных элемента (ФЧЭ), на подложке первого из которых выполнена первая многоэлементная фоточувствительная линейка 5 из селенида свинца, а на подложке второго фоточувствительного элемента выполнена вторая многоэлементная фоточувствительная линейка 6 из сульфида свинца;

7, 8 - мультиплексоры многоканальные, установленные на фоточувствительных элементах методом перевернутого монтажа с групповой пайкой через индиевые столбики 9;

10 - полиимидный микрокабель.

Подложки первого и второго фоточувствительных элементов приклеены на коммутационную плату, задачей которой является вывод электрических соединений с фоточувствительных элементов на одну сторону, а именно на полиимидный микрокабель 10.

С помощью микросхем мультиплексоров 7 и 8, установленных на фоточувствительные элементы методом перевернутого монтажа и групповой пайки на индиевые столбики 9, предварительно выращенные на контактных площадках мультиплексоров и фоточувствительных элементов, осуществляется предварительная обработка и считывание фотоэлектрических сигналов с каждой линейки на один выход.

Установка микросхем мультиплексора методом перевернутого монтажа обеспечивает существенное снижение габаритных размеров. Групповая обработка оснований и подложек ФЧЭ обеспечивает требуемую плоскость расположения ФЧЭ в фокальной плоскости. С помощью специальной технологии прецизионной резки ФЧЭ обеспечиваются минимальные зазоры как между линейками из PbS и PbSe, так и между соседними фотоприемными модулями, образующими непрерывную многомодульную фоточувствительную структуру.

Сочетание описанных особенностей конструкции и технологии позволило создать компактный, технологичный двухспектральный фотомодуль с высоким уровнем фотоэлектрических параметров и повышенным числом фоточувствительных площадок (фоторезисторов), позволяющий набирать в фокальной плоскости протяженные фоточувствительные структуры в виде многоугольников или линеек.

Первая и вторая многоэлементные линейки 5 и 6 одного из модулей двухспектрального фотоприемника расположены в непосредственной близости и практически параллельно и образуют фоточувствительные структуры одного из модулей фотоприемника, работающие в двух областях спектра - 2-3,0 мкм и 3,0-5 мкм.

В первом изобретении один из фоточувствительных элементов имеет вид трапеции, у которой боковые стороны наклонены к основаниям трапеции под углом α, что позволяет соединять n модулей, соприкасающихся между собой боковыми сторонами трапеций. При соединении n модулей фоточувствительные структуры, работающие в разных областях спектра, имеют вид правильных многоугольников. Стороны каждого многоугольника образованы линейками, чувствительными в одной области спектра.

Во втором изобретении второй фоточувствительный элемент имеет вид прямоугольника, и модули соединяют между собой сторонами, свободными от выводов электрических соединений. При этом две фоточувствительные структуры, каждая из которых образована многоэлементными линейками, чувствительными в одной области спектра, имеют вид линеек.

Предлагаемое ФПУ работает следующим образом.

Перед началом работы ФЧЭ 3 и 4 охлаждаются до заданной рабочей температуры. Поток ИК-излучения поступает на фоторезисторы, под действием которого их сопротивление изменяется. Соответствующий этому изменению сигнал в виде приращения тока поступает на входы мультиплексоров 7 и 8, где он усиливается, обрабатывается для получения оптимальной частотной характеристики и коммутируется на один выход.

Сигналы со всех модулей, входящих в состав ФПУ, поступают в оптико-электронную аппаратуру для дальнейшей обработки.

Были изготовлены и испытаны опытные образцы предлагаемого двухспектрального фотоприемника. Первый ФЧЭ представлял собой 256-элементный фоторезистор на основе селенида свинца на подложке из фотостекла. Второй ФЧЭ представлял собой 256-элементный фоторезистор на основе сульфида свинца на подложке из кварцевого стекла. Основание изготовлено из ковара.

Основной параметр фотоприемника - обнаружительная способность D∗λm линейки из PbSe, измеренная на длине волны 4.2 мкм D∗λmax=4·1010 Вт-1 см Гц1/2, a D∗λm линейки из PbS, измеренная на длине волны 2.7 мкм D∗λmax=3·1011 Вт-1 см Гц1/2, что соответствует мировому уровню для приемников этого класса.

1. Двухспектральный фотоприемник, содержащий модуль, состоящий из фоточувствительного элемента, двух многоэлементных фоточувствительных линеек, мультиплексоров и основания, отличающийся тем, что он состоит из n модулей, где n≥4, при этом первая многоэлементная линейка выполнена чувствительной в одной области спектра и расположена на подложке первого фоточувствительного элемента, имеющего вид трапеции, а вторая многоэлементная линейка выполнена чувствительной в другой области спектра и расположена на подложке второго фоточувствительного элемента, а модули расположены так, что фоточувствительные структуры, каждая из которых образована линейками, чувствительными в одной области спектра, имеют вид правильных многоугольников.

2. Двухспектральный фотоприемник по п.1, отличающийся тем, что фоточувствительные элементы первой линейки выполнены из селенида свинца, а фоточувствительные элементы второй линейки выполнены из сульфида свинца.

3. Двухспектральный фотоприемник по п.1, отличающийся тем, что первый и второй фоточувствительные элементы установлены на коммутационной плате.

4. Двухспектральный фотоприемник по п.1, отличающийся тем, что мультиплексоры установлены на фоточувствительные элементы методом перевернутого монтажа с групповой пайкой через индиевые столбики.

5. Двухспектральный фотоприемник, содержащий модуль, состоящий из фоточувствительного элемента, двух многоэлементных фоточувствительных линеек, мультиплексоров и основания, отличающийся тем, что он состоит из n модулей, где n≥4, при этом первая многоэлементная линейка выполнена чувствительной в одной области спектра и расположена на подложке первого фоточувствительного элемента, а вторая многоэлементная линейка выполнена чувствительной в другой области спектра и расположена на подложке второго фоточувствительного элемента, имеющего вид прямоугольника, а модули расположены так, что фоточувствительные структуры, каждая из которых образована линейками, чувствительными в одной области спектра, имеют вид линейки.

6. Двухспектральный фотоприемник по п.5, отличающийся тем, что фоточувствительные элементы первой линейки выполнены из селенида свинца, а фоточувствительные элементы второй линейки выполнены из сульфида свинца.

7. Двухспектральный фотоприемник по п.5, отличающийся тем, что первый и второй фоточувствительные элементы установлены на коммутационной плате.

8. Двухспектральный фотоприемник по п.5, отличающийся тем, что мультиплексоры установлены на фоточувствительные элементы методом перевернутого монтажа с групповой пайкой через индиевые столбики.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к системам с высокой эффективностью регистрации светового излучения при помощи лавинных фотодиодов со схемой гашения гейгеровского разряда.

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при создании фотоприемных устройств (ФПУ) для регистрации и измерения инфракрасного (ИК) излучения как в виде одиночных фотодиодов, так и в виде матриц фотодиодов.

Изобретение относится к устройствам для регистрации отдельных фотонов и может быть использовано в системах оптической волоконной связи, для телекоммуникационных технологий в системах защиты передаваемой информации, диагностике и тестировании больших интегральных схем, в спектроскопии одиночных молекул, астрономии, медицине.

Изобретение относится к инфракрасной технике и технологии изготовления устройств инфракрасной техники

Изобретение относится к фотоэлектронике и может использоваться в пороговых фотоприемных устройствах для регистрации коротких импульсов электромагнитного излучения оптического и инфракрасного (ИК) диапазона

Изобретения могут быть использованы в устройствах для формирования изображения, определения координат исследуемых объектов, оптической пеленгации, автоматического управления, контроля и измерения параметров излучения, экологического мониторинга, медицинской диагностики и неразрушающего контроля. Изобретения направлены на повышение чувствительности и обеспечение оптического управления характеристиками фотовольтаического детектора, в частности динамическим диапазоном и чувствительностью. Указанный результат в части способа достигается тем, что способ предусматривает создание опорной эдс за счет пространственного разделения зарядов, возникающих при облучении структур, формируемых на основе полупроводниковых материалов и включающих в себя потенциальный барьер и массив квантово-размерных объектов в области барьера, излучением с энергией частиц в области фундаментального поглощения в структурах или при инжекции носителей заряда через потенциальный барьер вследствие облучения таких структур излучением с энергией частиц, достаточной для инжекции носителей заряда, облучение квантово-размерных объектов детектируемым электромагнитным излучением, регистрацию изменения эдс при облучении структуры детектируемым электромагнитным излучением. Указанный результат в части устройства достигается тем, что оно содержит формируемую на основе полупроводниковых материалов структуру с потенциальным барьером, в области которого создан массив квантово-размерных объектов, источник опорного излучения для облучения структуры с целью создания опорной эдс и прибор, регистрирующий изменение эдс при облучении устройства детектируемым электромагнитным излучением. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 6 пр., 3 ил.

Группа изобретений относится к нанооптоэлектронике. В фоточувствительной структуре, представляющей собой чувствительную к терагерцовому излучению при температуре эффективного фототока многослойную полупроводниковую гетероструктуру с квантовой ямой, выполненной в виде слоя узкозонного твердого раствора, содержащего Hg и Te и заключенного между барьерными слоями широкозонного трехкомпонентного твердого раствора CdyHg1-yTe, где у составляет величину в предпочтительном интервале от 65% до 72%, узкозонный слой квантовой ямы сформирован из трехкомпонентного твердого раствора Hg1-xCdxTe с содержанием Cd, определяемым величиной x в интервале от 4% до 12%, причем ширина квантовой ямы выбрана для заданного терагерцового поддиапазона частот принимаемого излучения при температуре 4,2K или 77K в зависимости от содержания Cd в соответствии с таблицей 1, представленной в описании изобретения. В случае осуществления заявляемой фоточувствительной структуры в виде целевого терагерцового фотоприемного устройства - селективного фотоприемного устройства, в последнем, содержащем чувствительную к терагерцовому излучению фотоприемную линейку, представляющую собой последовательно распределенные и имеющие эффективную фоточувствительность в различных терагерцовых поддиапазонах при температуре 4,2K или 77K участки многослойной полупроводниковой гетероструктуры с рабочим детекторным слоем на квантовой яме, сформированным из узкозонного трехкомпонентного твердого раствора Hg1-xCdxTe и заключенным между барьерными слоями широкозонного трехкомпонентного твердого раствора CdyHg1-yTe, где у составляет величину в предпочтительном интервале от 65% до 72%, и средство поддержания указанной температуры, для участков многослойной полупроводниковой гетероструктуры с выделенными терагерцовыми поддиапазонами частот принимаемого излучения, задаваемыми следующими интервалами величин энергии принимаемого излучения ħω: 8-16, 16-24, 24-32, 32-40, 40-48, 48-56, 56-64 мЭв, ширина квантовой ямы равна 11 нм при содержании Cd в рабочем детекторном слое на квантовой яме - Hg1-xCdxTe на последовательно распределенных участках фотоприемной линейки в соответствии с указанными терагерцовыми поддиапазонами частот принимаемого излучения при температуре 4,2K, определяемым, соответственно следующими интервалами величин x: 7.1-7.9, 7.9-8.7, 8.7-9.4, 9.4-10.1, 10.1-10.9, 10.9-11.5, 11.5-12.2%, или при температуре 77°K, определяемым, соответственно следующими интервалами величин x: 5-5.9, 5.9-6.7, 6.7-7.5, 7.5-8.3, 8.3-9.0, 9.0-9.8, 9.8-10.5%. Группа изобретений обеспечивает возможность повышения технологичности изготовления целевых терагерцовых фотоприемных устройств за счет создания конструктивных условий функционирования фотоприемного элемента на уровне стабильной высокой чувствительности в различных поддиапазонах в широком интервале частот терагерцового принимаемого излучения при температуре 4,2K или 77K в зависимости от ширины квантовой ямы - толщины рабочего детекторного слоя, выполненного из трехкомпонентного твердого раствора Hg1-xCdxTe, и от содержания Cd (величины x) в интервале от 4% до 12%. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 2 табл., 2 ил.

Изобретение относится к инфракрасной технике и технологии изготовления устройств инфракрасной техники, конкретно к фотоприемным устройствам ИК-диапазона длин волн и к технологии их изготовления. Сущность изобретения состоит в том, что в фоточувствительной к инфракрасному излучению структуре, содержащей последовательно соединенные подложку, верхний слой которой выполнен из CdTe, нижний варизонный слой, изготовленный из Hg1-xCdxTe, в котором значение x плавно уменьшается от значения, находящегося в пределах (хД+0,1)÷1, до значения xД, детекторный слой, изготовленный из Hg1-xCdxTe, где x=xД=0,2-0,3, а также последовательно соединенные верхний варизонный слой, изготовленный из Hg1-xCdxTe, в котором значение x плавно увеличивается от значения xД до значения, находящегося в пределах (xД+0,1)÷1, изолирующий слой, изготовленный из CdTe, диэлектрический слой, изготовленный из SiO2, диэлектрический слой, изготовленный из Si3N4, и верхний, прозрачный для инфракрасного излучения проводящий слой, в детекторный слой дополнительно введены чередующиеся барьерные слои и слои квантовых ям, изготовленные из Hg1-xCdxTe, минимальное количество которых равно трем, с возможным добавлением числа пар чередующихся слоев от 1 до 100, при этом на границах между слоем квантовых ям и барьерным слоем значения x ступенчато изменяются в пределах xБ=0,5-1,0 и xЯ=0-0,15 при толщине каждого из барьерных слоев 20-100 нм и толщине каждого из слоев квантовых ям 5-20 нм. Также предложен способе изготовления предлагаемой структуры. Изобретение обеспечивает возможность расширения диапазона рабочих частот фоточувствительной структуры и расширения области ее применения. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, предназначенным для детектирования и испускания инфракрасного (ИК) излучения при комнатной температуре и может быть использовано, например, в устройствах, измеряющих характеристики сред, содержащих газообразные углеводороды, и в волоконно-оптических датчиках, измеряющих состав жидкости по методу исчезающей волны, для которых указанная полоса совпадает с максимумом фундаментального поглощения измеряемого компонента, например спирта или нефтепродуктов. Полупроводниковый диод для средневолнового инфракрасного диапазона спектра (1) содержит гетероструктуру с подложкой (2) и плоские эпитаксиальные p- и n-области (3, 4), p-n-переход (5), контакты (6, 7), мезу травления (10), при этом контакт (7) к неактивной области (8) расположен сбоку от активной области (9), а его поперечный размер выбирают исходя из максимального размера мезы, а минимальное расстояние между краями мезы и чипа выбирают исходя из размера чипа. Меза имеет расширение в направлении к световыводящей поверхности и имеет, как и контакты, прямоугольную форму с округлениями. Диод согласно изобретению обеспечивает повышенную яркость и фоточувствительность к излучению в средней инфракрасной области спектра. 16 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к области микроэлектроники и касается пассивного беспроводного датчика ультрафиолетового излучения. Датчик включает в себя пьезоэлектрическую подложку, на рабочей поверхности которой в одном акустическом канале находятся приемо-передающий однонаправленный встречно-штыревой преобразователь (ВШП) и два отражательных ВШП. Между отражательными ВШП параллельно поверхности подложки на расстоянии не более длины поверхностной акустической волны на центральной частоте ВШП расположена прозрачная для УФ-излучения диэлектрическая подложка с полупроводниковой пленкой, чувствительной к УФ-излучению. Пленка расположена на поверхности, обращенной к пьезоэлектрической подложке. К приемо-передающему ВШП подсоединена приемо-передающая антенна. Для обеспечения зазора между полупроводниковой пленкой и пьезоэлектрической подложкой расположены опоры, которые размещены вне акустического канала и по обе стороны от него. Технический результат заключается в обеспечении возможности проведения измерений без использования дополнительных схем генерации радиосигнала и источников напряжения. 1 ил.
Наверх