Способ получения кубического нитрида бора, обладающего световой эмиссией



Способ получения кубического нитрида бора, обладающего световой эмиссией
Способ получения кубического нитрида бора, обладающего световой эмиссией
Способ получения кубического нитрида бора, обладающего световой эмиссией
C30B1/12 - Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J 3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L);

Владельцы патента RU 2394757:

Государственное научно-производственное объединение "Научно-практический центр Национальной академии наук по материаловедению" (BY)

Изобретение относится к получению материалов, способных интенсивно излучать свет в широком диапазоне спектра под воздействием фото-, электронного и

электровозбуждения, стабильно в условиях высоких температур, радиации и химически агрессивных средах. Изобретение может быть использовано при изготовлении световых эмиттеров и детекторов излучения. В ростовую шихту на основе гексагонального нитрида бора добавляют активаторы - соединения РЗЭ, имеющие температуру плавления меньшую, чем температура синтеза КНБ, в количестве 0,05÷15% от веса ростовой шихты. Затем воздействуют высоким давлением и температурой. Получают КНБ в виде микропорошков, порошков, кристаллов, керамических образцов. Для получения световой эмиссии в ультрафиолетовой области в качестве активатора используют соединения гадолиния; в ультрафиолетовой, синей и желтой - соединения церия; в оранжевой - соединения самария; в инфракрасной - соединения неодима, празеодима, эрбия, иттербия или гольмия. Для получения КНБ, обладающего электролюминесценцией, в шихту дополнительно вводят серу или селен. Изобретение позволяет расширить спектральный диапазон световой эмиссии КНБ. 6 з.п. ф-лы, 3 ил.

 

Изобретение относится к области получения материалов под высоким давлением, а более конкретно, кубического нитрида бора (cBN), способного интенсивно излучать свет в широком диапазоне спектра под воздействием фото-, электронного и

электровозбуждения, стабильно в условиях высоких температур, радиации и химически агрессивных средах. Материал предназначен для использования в качестве фосфоров, конвертирующих фосфоров, световых эмиттеров, детекторов излучения, работающих в УФ-, фиолетовом, синем, желтом, оранжевом, и ИК-диапазонах.

Кубический нитрид бора (КНБ), полупроводник с наибольшей шириной запрещенной зоны (ΔЕ = 6.4 эВ) в группе АIIIBV (GaN:ΔЕ=3.4 эВ, A1N:ΔЕ=6.2 эВ), ближайший аналог алмаза (ΔЕ=5. эВ), превосходит последний по ширине запрещенной зоны, термической, радиационной и химической стойкости, возможности формирования n- и p-типов проводимости.

Известен способ [1] получения КНБ активированного РзЭ путем ионной имплантации монокристаллов и тонких пленок КНБ ионами Еu и Tm [1], обладающих световой эмиссией в голубом и красном диапазонах спектра при электронном возбуждении (катодолюминесценция). Недостатком указанного способа является дороговизна и многоступенчатость процесса (получение КНБ, химическое выделение, имплантация, посттермическая обработка), а также узкий диапазон получаемой световой эмиссии.

Наиболее близким по технической сущности к заявляемому объекту является способ получения КНБ, активированного РЗЭ, обеспечивающего световую эмиссию в зеленой и красной спектральной областях, описанный в [2] и состоящий в том, что ростовую шихту, на основе гексагонального нитрида бора и активатора (фториды европия и тербия), подвергают действию высокого давления (Р = 5.5 ГРа ) и температуры (1500°С ) в течение 50-80 часов. Указанный способ выбран за прототип. Недостатком прототипа является то, что в результате получаются только монокристаллы КНБ, которые обладают световой эмиссией в ограниченном спектральном диапазоне, а также дороговизна способа получения.

Задачей, решаемой настоящим изобретением, является расширение спектрального диапазона световой эмиссии КНБ до УФ, фиолетового, синего, желтого, оранжевого, и ИК-диапазонов при фото-, электро- и электронном возбуждении, а также увеличение количества морфологических форм КНБ, обладающих указанной световой эмиссией.

Поставленная задача решается тем, что в способе получения КНБ, обладающего световой эмиссией, ростовую шихту на основе гексагонального нитрида бора и активатора - соединения РЗЭ, обеспечивающего КНБ световую эмиссию в зеленой и красной спектральной областях, подвергают действию высокого давления и температуры. Новым, по мнению авторов, является то, что в качестве активатора используют соединения с температурой плавления меньше, чем температура синтеза КНБ, взятые в интервале 0.05-15 вес.% от веса ростовой шихты, обеспечивающих КНБ световую эмиссию в ультрафиолетовой, синей, желтой, оранжевой и инфракрасной областях спектра, при этом для получения световой эмиссии в ультрафиолетовой области спектра в качестве активатора используются соединения гадолиния; для получения световой эмиссии в ультрафиолетовой, синей и желтой областях спектра в качестве активатора используются соединения церия; для получения световой эмиссии в оранжевой области спектра используют соединения самария; для получения световой эмиссии в инфракрасной области используют соединения неодима, празеодима, эрбия, иттербия и гольмия; дополнительно к перечисленным соединениям РЗЭ в ростовую шихту добавляют примеси, например серу или селен в количестве, обеспечивающем КНБ электронную проводимость; что КНБ получают в виде микропорошков, порошков, кристаллов, керамических образцов.

Проиллюстрировать сущность изобретения можно следующим образом. Легирование нитридов III группы редкоземельными элементами (РЗЭ) является одной из перспективных возможностей создания световых эмиттеров, с эмиссией в широком спектральном диапазоне, не подверженной температурному тушению. Чем шире запрещенная зона нитрида, тем шире спектральный диапазон световой эмиссии, тем меньше ее температурное тушение. Излучательные электронные переходы (типа 4f-4f, 4f-5d) на трехвалентных ионах различных редкоземельных элементов, инкорпорированных в различные кристаллические матрицы, являются источниками световой эмиссии в виде линейчатых спектров или широких полос в УФ, видимом или ИК-диапазонах. Указанные электронные переходы запрещены для свободных ионов, но оказываются разрешенными при внедрении ионов в кристаллическую матрицу. Влияние той или иной кристаллической матрицы лимитирует возможности использования светового эмиттера или фосфора в том или ином практическом приложении.

Помимо того, что кубический нитрид бора обладает набором вышеперечисленных уникальных свойств и обладает наибольшей шириной запрещенной зоны в группе нитридов, он может быть активирован примесями редкоземельных элементов в широком диапазоне концентраций, что позволяет существенным образом увеличить интенсивность световой эмиссии на ионах РЗЭ, по сравнению с другими нитридами. Основанием для этого прогноза служит практический вывод, полученный для GaN, в который, по причине жесткости кристаллической решетки соединения удается инкорпорировать ионы РЗЭ, не ассоциированные друг с другом в большей концентрации, чем в другие кристаллические матрицы. Кубический нитрид бора имеет более жесткую кристаллическую решетку, чем GaN.

Использование соединений РЗЭ с температурой плавления меньшей, чем температура синтеза cBN, позволяет расплавить указанные соединения в процессе синтеза и ввести отдельные неассоциированные друг с другом ионы РЗЭ непосредственно в кристаллическую решетку cBN, синтезируемого в любых морфологических формах. Примеси (сера, селен и т.д.) внедряются в кристаллическую решетку cBN независимо от ионов РЗЭ, не образуя с последними соединений, так как в условиях синтеза cBN сульфиды редкоземельных элементов (которые по природе являются тугоплавкими) химически получены быть не могут. Являясь донорными примесями в кристаллической решетке cBN, с валентностью 6, S и Se, например, в случае замещения азота (валентность 5) или бора (валентность 3) обеспечивают материалу только электронную проводимость.

При фотовозбуждении люминесценция на ионах РЗЭ в cBN возбуждается путем передачи энергии световых квантов электронам f-оболочек ионов РЗЭ резонансно или через существующие в материале дефектные состояния собственной природы, или (при высокоэнергетичном лазерном возбуждении с λ>190 нм (6.4 эВ)) через запрещенную зону ΔЕ. В случае возбуждения электронами, энергия которых превышает существенным образом ΔЕ, - через все упомянутые каналы одновременно.

При электровозбуждении (электролюминесценция) прикладываемое электрическое поле сообщает электронам проводимости энергию, и горячие электроны посредством удара сообщают f-электронам необходимую энергию. Получение электролюминесценции на материалах открывает возможности для их применения в качестве элементной базы в приборах и устройствах. Во все случаях возбуждения f-электроны переходят в возбужденное состояние с последующим переходом в основное состоянием с испусканием света в различных спектральных диапазонах в зависимости от используемых РЗЭ. В заявляемом способе Gd в cBN обеспечивает УФ узкополосую люминесценцию с максимумом при ~315 нм; Се - широкополосую УФ, фиолетовую и синюю/голубую, пригодную для использования в настраиваемых источниках света в диапазоне 250-450 нм; Tb - зеленую, Sm и Eu - красную, Nd, Pr, Yb, Er, Но - инфракрасную и т.д. Люминесценция является термостабильной, практически не зависит от температуры в диапазоне 7-1300 К, устойчива к химически агрессивным средам и радиационным воздействиям.

Преимуществом заявляемого способа являются расширенный диапазон световой эмиссии (УФ, фиолетовый, синий, желтый, оранжевый, ИК-диапазоны дополнительно к зеленому и красному), стабильной и не подверженной термическому тушению в температурном диапазоне 7-1300 К, устойчивой в условиях повышенной радиации и химически агрессивных сред, которую можно получить на КНБ в различных морфологических формах (микропорошки, порошки, кристаллы и керамика), по сравнению со способом-прототипом, в котором получена только зеленая и красная световая эмиссия и только на монокристаллах КНБ. Кроме этого, заявляемый способ позволяет получить материалы на основе КНБ, на которых можно получить электролюминесценцию в вышеупомянутых спектральных диапазонах.

Пример 1

Давлением 40-50 кбар и температурой 1400-1800°С в течение временной выдержки 5-30 минут воздействовали на смесь гексагонального нитрида бора, катализаторов Mg и Li3N и ацетата неодима (Nd(О2С2Н3)3×Н2О, взятого в количестве 10 вес.% от веса ростовой шихты. В результате были получены прозрачные кристаллы кубического нитрида бора размером 100-500 мкм. При возбуждении лазерным излучением с длиной волны λ=630 на монокристаллах была зарегистрирована интенсивная фотолюминесценция, в спектрах которой регистрировались спектральные особенности с максимумами при 880 и 1060 нм (ИК-область) (фиг.1).

Пример 2

Давлением 40-50 кбар и температурой 1400-1800°С в течение временной выдержки 5-30 минут воздействовали на смесь гексагонального нитрида бора и катализаторов Li3N Mg и оксалата самария (Sm(С2O4)3×9Н20, взятого в количестве 7 вес.% от веса ростовой шихты. В результате были получены прозрачные кристаллы кубического нитрида бора размером 100-500 мкм. При возбуждении лазерным излучением с длиной волны λ=325 нм на монокристаллах была зарегистрирована интенсивная дискретная фотолюминесценция (оранжевый и красный цвета), в спектрах которой регистрировались спектральные особенности в диапазоне 550-750 нм ( фиг.2).

Пример 3

Давлением 65-70 кбар и температурой 2000°С в течение временной выдержки 25 сек воздействовали на смесь гексагонального нитрида бора и нитрата гадолиния (Gd(NO3)3×6Н2О, взятого в количестве 5 вес.% от веса ростовой шихты. При возбуждении лазерным излучением с длиной волны λ=244 нм на кристаллах была зарегистрирована интенсивная фотолюминесценция узкая полоса при 315 нм (УФ-область) (фиг.3).

Пример 4

Давлением 40-50 кбар и температурой 1400-1800°С в течение временной выдержки 5-30 сек воздействовали на смесь гексагонального нитрида бора, катализатора Li3N, оксалата тулия (Tm(С2O4)3×10Н2O), взятого в количестве 10 вес.% от общего веса ростовой шихты, а также порошка серы, взятого в количестве 3 вес.% от общего веса ростовой шихты. Были получены микропорошки cBN светло-желтого цвета. Из микропорошков спекали керамические образцы без использования пластификаторов и активаторов спекания. Были получены компактные образцы толщиной от 0.5-1 мм, диаметром 6-10 мм. После полировки торцевых поверхностей образца и нанесения двух контактов на одну из них к ним приложили электрическое напряжение U=50-70 V. Была зарегистрирована электролюминесценция с пиком интенсивности при 475 нм голубого цвета.

Пример 5

Давлением 65-70 кбар и температурой 2000°С в течение временной выдержки 25 сек воздействовали на смесь гексагонального нитрида бора и нитрата эрбия (Еr(NО3)3×6Н2О, взятого в количестве 3 вес.% от веса ростовой шихты. Были получены кристаллы КНБ высотой 6 мм, диаметром 6-10 мм. При возбуждении лазерным излучением с длиной волны λ=630 нм на кристаллах была зарегистрирована интенсивная фотолюминесценция с узкой полосой при 1535 нм (ИК-область).

Пример 6

Давлением 40-50 кбар и температурой 1400-1600°С в течение временной выдержки 20 сек воздействовали на смесь гексагонального нитрида бора, катализаторов Li3N и ацетата неодима (Nd(O2С2Н3)3×Н2О, взятого в количестве 15 вес.% от веса ростовой шихты. В результате были получены микропорошки кубического нитрида бора зернистостью 2-5 µ. При возбуждении лазерным излучением с длиной волны λ=630 на микропорошках была зарегистрирована интенсивная фотолюминесценция, в спектрах которой регистрировались спектральные особенности с максимумами при 880 и 1060 нм (ИК-область) (фиг.1).

Пример 7

Давлением 40-50 кбар и температурой 1400-1600°С в течение временной выдержки 30 сек воздействовали на смесь гексагонального нитрида бора, катализатора Li3N и ацетата самария (Sm(O2С2Н3)3×Н2О, взятого в количестве 0.05 вес.% от веса ростовой шихты. В результате были получены микропорошки кубического нитрида бора зернистостью 5-7 мкм. При возбуждении лазерным излучением с длиной волны λ=325 на микропорошках была зарегистрирована не очень интенсивная фотолюминесценция в красной области.

Пример 8

Давлением 40-50 кбар и температурой 1400-1600°С в течение временной выдержки 30 сек воздействовали на смесь гексагонального нитрида бора, катализатора Li3N и нитрата церия (Се(NО3)3×6Н2O, взятого в количестве 0.02 вес.% от веса ростовой шихты. В результате были получены микропорошки кубического нитрида бора зернистостью 5-7 µ. При возбуждении лазерным излучением с длиной волны λ=244 на микропорошках не была зарегистрирована фотолюминесценция.

Пример 9

Давлением 65-70 кбар и температурой 2000°С в течение временной выдержки 25 сек воздействовали на смесь гексагонального нитрида бора и нитрата церия (Се(NО3)3×6Н2O, взятого в количестве 18 вес.% от веса ростовой шихты. Были получены кристаллы КНБ высотой 6 мм, диаметром 6-10 мм. При возбуждении лазерным излучением с длиной волны λ=244 нм на кристаллах была зарегистрирована интенсивная фотолюминесценция в области 250-450 нм (УФ-синяя области).

Пример 10

Давлением 40-50 кбар и температурой 1400-1600°С в течение временной выдержки 30 сек воздействовали на смесь гексагонального нитрида бора, катализаторов Li3N и LiOH и нитрата церия (Се(NО3)3×6Н2О), взятого в количестве 5 вес.% от веса ростовой шихты. В результате были получены микропорошки кубического нитрида бора зернистостью 1-5 мкм. При возбуждении лазерным излучением с длиной волны λ=325 на микропорошках была зарегистрирована фотолюминесценция в желтой области спектра.

Пример 11

Давлением 65-70 кбар и температурой 2000°С в течение временной выдержки 25 секунд воздействовали на смесь гексагонального нитрида бора, катализатора и фторида празеодима (РrF3), взятого в количестве 5 вес.% от веса ростовой шихты. При возбуждении лазерным излучением с длиной волны λ=488 нм на микропорошках cBN была зарегистрирована интенсивная фотолюминесценция с максимумом при 1.3, 1.6, 2.2, 2.4, 4 и 5 мкм (в инфракрасной области спектра).

Пример 12

Давлением 65-70 кбар и температурой 2000°С в течение временной выдержки 35 секунд воздействовали на смесь гексагонального нитрида бора, катализатора и фторида иттербия (YbF3), взятого в количестве 7 вес.% от веса ростовой шихты. При возбуждении излучением лазерного диода с длиной волны λ=960 нм на микропорошках cBN была зарегистрирована интенсивная фотолюминесценция с максимумом при 1,0 мкм (в инфракрасной области спектра).

Пример 13

Давлением 65-70 кбар и температурой 2000°С в течение временной выдержки 35 секунд воздействовали на смесь гексагонального нитрида бора, катализатора и ацетата гольмия (Nd(O2С2Н3)3×Н2О), взятого в количестве 7 вес.% от веса ростовой шихты. При возбуждении излучением лазерного диода с длиной волны λ=488 нм на микропорошках cBN была зарегистрирована интенсивная фотолюминесценция с максимумом при 1,95 мкм (в инфракрасной области спектра).

Пример 14

Давлением 40-50 кбар и температурой 1400-1800°С в течение временной выдержки 5-30 сек воздействовали на смесь гексагонального нитрида бора, катализатора Li3N, фторида самария (SmF3) 10 вес.% от общего веса ростовой шихты, а также порошка селена, взятого в количестве 4 вес.% от общего веса ростовой шихты. Были получены микропорошки cBN светло-желтого цвета. Из микропорошков спекали керамические образцы без использования пластификаторов и активаторов спекания. Были получены компактные образцы толщиной от 0.5-1 мм, диаметром 6-10 мм. После полировки торцевых поверхностей образца и нанесения двух контактов на одну из них к ним приложили электрическое напряжение U=50-70 V. Была зарегистрирована электролюминесценция с пиком интенсивности красного цвета.

Литература

1. U.Vetter. Lanthanide Doped Wide Band Gap Semiconductors: Intra-4f Luminescence and Lattice Location Studies. Dr.'s Dissertation. Gottingen 2003, 171р.

2. Nakayama, T.Taniguchi, Y.Kubota, K.Watanabe, S.Hishita, H.Kanda. Characterization of luminous-cubic boron-nitride single-crystals doped with Eu3+ and Tb3+ ions. Appl. Phys. Lett. 211913, 2005.

1. Способ получения кубического нитрида бора (КНБ), обладающего световой эмиссией, заключающийся в действии высокого давления и температуры на ростовую шихту на основе гексагонального нитрида бора и активатора - соединения РЗЭ, обеспечивающего световую эмиссию, отличающийся тем, что в качестве активатора используют соединения с температурой плавления меньше, чем температура синтеза КНБ, взятые в количестве 0,05-15% от веса ростовой шихты и обеспечивающие световую эмиссию в ультрафиолетовой, или синей, или желтой, или оранжевой, или инфракрасной областях спектра.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что для получения световой эмиссии в ультрафиолетовой области спектра в качестве активатора используют соединения гадолиния.

3. Способ по п.1, отличающийся тем, что для получения световой эмиссии в ультрафиолетовой, синей и желтой областях спектра в качестве активатора используют соединения церия.

4. Способ по п.1, отличающийся тем, что для получения световой эмиссии в оранжевой области спектра используют соединения самария.

5. Способ по п.1, отличающийся тем, что для получения световой эмиссии в инфракрасной области используют соединения неодима, празеодима, эрбия, иттербия и гольмия.

6. Способ по любому из предыдущих пп.2-5, отличающийся тем, что в ростовую шихту добавляют примеси, например, серу или селен, в количестве, обеспечивающем КНБ электролюминесценцию.

7. Способ по любому из предыдущих пп.2-6, отличающийся тем, что КНБ получают в виде микропорошков, порошков, кристаллов, керамических образцов.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к устройствам для получения полупроводников и предназначено, в частности, для производства коротковолновых оптоэлектронных полупроводниковых приборов, работающих при высоких температурах в агрессивных средах.
Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии материалов для создания устройств отображения и обработки информации. .

Изобретение относится к конструкции устройств, специально предназначеных для выращивания кристаллов из газовой фазы путем химических реакций реакционноспособных газов.
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов из паров, в частности к выращиванию монокристаллов нитрида алюминия конденсацией испаряемого или сублимируемого материала.

Изобретение относится к выращиванию кристаллов из паров, в частности к выращиванию монокристаллов нитрида алюминия конденсацией испаряемого и сублимируемого материала.

Изобретение относится к технологии получения монокристалла нитрида на кремниевой пластине и светоизлучающего устройства на его основе. .

Изобретение относится к технологии выращивания полупроводниковых материалов на подложке путем химических реакций реакционноспособных газов и может быть использовано в полупроводниковой промышленности.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых материалов и приборов методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, а именно к изготовлению гетероструктур на основе элементов III группы и приборов на их основе, таких как белые светодиоды, лазеры и т.д.

Изобретение относится к объемному монокристаллу нитрида, в частности предназначенному для использования в качестве подложки для эпитаксии, пригодной для использования в оптоэлектронике для производства оптоэлектронных полупроводниковых устройств на основе нитридов, в частности для изготовления полупроводниковых лазерных диодов и лазерных устройств.

Изобретение относится к химической технологии получения соединений алюминия, а именно к технологии получения нитевидного нитрида алюминия AlN в виде нитевидных кристаллов, пригодных для изготовления сенсорных зондов на кантилеверах атомно-силовых микроскопов, применяемых при исследовании морфологии и топографии поверхности, адгезионных и механических свойств элементов микроэлектроники, объектов нанобиотехнологий и особо при высокотемпературных измерениях в нанометаллургии.
Изобретение относится к получению изделий из монокристаллических металлов и их сплавов и может быть использовано в энергетике, радиотехнике, радиоэлектронике. .

Изобретение относится к монокристаллу SiC и способу его получения, в частности монокристаллу SiC, который используется как субстратный тонкий слой для высокотемпературного полупроводникового электронного элемента, например, светопроводящего диода, ULSI (схемы с ультраширокими возможностями), выпрямительного элемента, усилительного элемента и оптического чувствительного элемента, и к способу его получения.

Изобретение относится к металлургии, преимущественно к технологии получения монокристаллических постоянных магнитов на основе Fe-Co-Cr-Mo. .

Изобретение относится к выращиванию кристаллов в твердом состоянии методом пластической деформации - рекристаллизационного отжига. .

Изобретение относится к области создания люминесцентных наноструктурных композиционных керамических материалов на основе альфа-оксида алюминия и алюмомагниевой шпинели и может быть использовано при разработке светоизлучающих и светосигнальных устройств (например, светофоров), излучающих определенный цветовой тон видимого спектра.
Наверх