Способ получения гетерогенного p-n перехода на основе наностержней оксида цинка

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано для разработки новых более совершенных наноприборов, таких как фотодетекторы, сенсоры, полевые транзисторы, светодиоды и т.д. Изобретение обеспечивает повышение качества р-n перехода за счет получения совершенного р-n перехода на основе совместимых друг с другом компонентов, в котором отсутствует его закорачивание. Сущность изобретения: способ получения гетерогенного р-n перехода на основе наностержней оксида цинка включает выращивание методом газофазного осаждения вертикально ориентированных и смыкающихся у основания наностержней оксида цинка на проводящей подложке из легированного кремния, с последующим осаждением на них оксида никеля до образования сплошного слоя на кончиках наностержней. Осаждение оксида никеля на наностержни оксида цинка проводят под углом к продольной оси наностержней оксида цинка, предотвращающим осаждение оксида никеля в основание наностержней. 4 з.п. ф-лы.

 

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано для разработки новых наноприборов на основе р-n перехода, таких как фотодетекторы, сенсоры, полевые транзисторы, светодиоды и т.д.

Известен способ получения гетерогенного р-n перехода, включающий последовательное осаждение на полупроводниковую подложку эпитаксиальных пленок оксида цинка и оксида никеля (Hiromichi Ohta, Masao Kamiya, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, HideoHosono, UV-detector based on pn-heterojunction diode composed of transparent oxide semiconductors, p-NiO/n-ZnO, Thin Solid Films, 445 (2003) 317-321).

Однако р-n переход, получаемый на основе такой структуры, не удовлетворяет требованиям современной техники.

Известен способ получения гетерогенного p-n перехода, в котором на полупроводниковой пленке, расположенной на изолирующей подложке из оксида алюминия выращивают наностержни оксида цинка таким образом, что между наностержнями имеются зазоры, которые заполнены диэлектриком для исключения закорачивания p-n перехода при осаждении электрического контакта. В качестве материалов полупроводниковой пленки р-типа проводимости были взяты полупроводник III-V групп, II-VI и IV/группы. (Yi Gyu-Chul, Park Won-Il, p-n heterojunction stmcture of zinc oxide - based nanorod and semiconductor thin film, preparation thereof, and nanodevices comprising same, WO 2004114422).

Однако изготовление вышеописанной структуры зачастую приводит к окислению поверхности полупроводниковой пленки р-типа проводимости, что ухудшает свойства p-n перехода.

Известен принятый за прототип способ получения гетерогенного p-n перехода на основе наностержней оксида цинка и полупроводниковой пленки, включающий выращивание методом газофазного осаждения вертикально ориентированных и смыкающихся у основания наностержней оксида цинка на проводящей подложке из легированного кремния, с последующим осаждением на них оксида никеля до образования сплошного слоя на кончиках наностержней (RU. Пат №2323872, МПК В82В 1/00, опубл. 10.05.2008).

Однако при осаждении оксида никеля на наностержни оксида цинка велика вероятность закорачивания образующегося p-n перехода из-за попадания оксида никеля на основания наностержней, что значительно снижает качество p-n перехода.

Задачей, на решение которой направлено данное изобретение, является увеличение качества p-n перехода.

Поставленная задача решается способом получения гетерогенного p-n перехода на основе наностержней оксида цинка, включающем выращивание методом газофазного осаждения вертикально ориентированных и смыкающихся у основания наностержней оксида цинка на проводящей подложке из легированного кремния, с последующим осаждением на них оксида никеля до образования сплошного слоя на кончиках наностержней, новизна которого заключается в том, что осаждение оксида никеля на наностержни оксида цинка проводят под углом к продольной оси наностержней оксида цинка, предотвращающим осаждение оксида никеля в основание наностержней.

Наиболее технологично проводить осаждение оксида никеля электоронно-лучевым или магнетронным методом.

Оптимально в качестве легированного кремния брать кремний с удельным сопротивлением 0,1-0,001 Ом·см.

Наилучшие результаты получают при соблюдении отношения длины к диаметру наностержней оксида цинка, равному 10-100.

Наиболее качественные переходы получают при осаждении оксида никеля на наностержни оксида цинка под углом к продольной оси наностержней, составляющем 10-70°.

Технический результат, получаемый при осуществлении способа, состоит в получении совершенного р-n перехода на основе совместимых друг с другом компонентов, в котором отсутствует его закорачивание.

Приведенные ниже примеры иллюстрируют, но не ограничивают применение данного изобретения.

Пример 1

На проводящей подложке из сильно легированного кремния с удельным сопротивлением 0,1 Ом·см методом газофазного осаждения выращивались вертикально ориентированные и смыкающиеся у основания наностержни оксида цинка диаметром 100 нм с отношением их длины к диаметру - 40-60. При этом контакт к наностержням осуществлялся через подложку. После чего под углом к продольной оси наностержней оксида цинка, предотвращающим осаждение оксида никеля в основание наностержней, примерно 25° электоронно-лучевым методом проводили осаждение оксида никеля до образования сплошного слоя на кончиках наностержней.

Полученный p-n переход характеризовался высоким пробойным напряжением, закорачивания не наблюдалось.

Пример 2

На проводящей подложке из сильно легированного кремния с удельным сопротивлением 0,001 Ом·см методом газофазного осаждения выращивались вертикально ориентированные и смыкающиеся у основания наностержни оксида цинка диаметром 300 нм с отношением их длины к диаметру - 20-30. При этом контакт к наностержням осуществлялся через подложку. После чего под углом к продольной оси наностержней оксида цинка, предотвращающим осаждение оксида никеля в основание наностержней, примерно 30° электоронно-лучевым методом проводили осаждение оксида никеля до образования сплошного слоя на кончиках наностержней.

Полученный p-n переход характеризовался высоким пробойным напряжением, закорачивания не наблюдалось.

Пример 3

На проводящей подложке из сильно легированного кремния с удельным сопротивлением 0,01 Ом·см методом газофазного осаждения выращивались вертикально ориентированные и смыкающиеся у основания наностержни оксида цинка диаметром 60 нм с отношением их длины к диаметру - 80-100. При этом контакт к наностержням осуществлялся через подложку. После чего под углом к продольной оси наностержней оксида цинка, предотвращающим осаждение оксида никеля в основание наностержней, примерно 35° магнетронным методом проводили осаждение оксида никеля до образования сплошного слоя на кончиках наностержней.

Полученный p-n переход характеризовался высоким пробойным напряжением, закорачивания не наблюдалось.

Пример 4

На проводящей подложке из сильно легированного кремния с удельным сопротивлением 0,005 Ом·см методом газофазного осаждения выращивались вертикально ориентированные и смыкающиеся у основания наностержни оксида цинка диаметром 400 нм с отношением их длины к диаметру - 10-20. При этом контакт к наностержням осуществлялся через подложку. После чего под углом к продольной оси наностержней оксида цинка, предотвращающим осаждение оксида никеля в основание наностержней, примерно 25-45° магнетронным методом проводили осаждение оксида никеля до образования сплошного слоя на кончиках наностержней.

Полученный p-n переход характеризовался высоким пробойным напряжением, закорачивания не наблюдалось.

Как видно из приведенных примеров, предлагаемый способ позволяет практически со 100% выходом получать совершенные p-n переходы на основе совместимых компонентов, что в свою очередь позволяет использовать их для разработки новых более совершенных наноприборов.

1. Способ получения гетерогенного р-n перехода на основе наностержней оксида цинка, включающий выращивание методом газофазного осаждения вертикально ориентированных и смыкающихся у основания наностержней оксида цинка на проводящей подложке из легированного кремния, с последующим осаждением на них оксида никеля до образования сплошного слоя на кончиках наностержней, отличающийся тем, что осаждение оксида никеля на наностержни оксида цинка проводят под углом к продольной оси наностержней оксида цинка, предотвращающим осаждение оксида никеля в основание наностержней.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что осаждение оксида никеля проводят электоронно-лучевым или магнетронным методом.

3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве легированного кремния берут кремний с удельным сопротивлением 0,1-0,001 Ом·см.

4. Способ по п.1, отличающийся тем, что отношение длины к диаметру наностержней оксида цинка составляет 10-100.

5. Способ по п.1, отличающийся тем, что осаждение оксида никеля на наностержни оксида цинка проводят под углом к продольной оси наностержней, составляющим 10-70°.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления многоэлементных ИК-фотоприемников. .

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для изготовления датчиков скорости потока газа и жидкости в аэродинамике, химии, биологии и медицине.

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к легированным марганцем тройным арсенидам кремния и цинка, расположенным на монокристаллической подложке кремния, которые могут найти применение в устройствах спинтроники, для инжекции электронов с определенным спиновым состоянием.

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при изготовлении миниатюрных полупроводниковых магнитодиодов для измерительных устройств, основанных на применении гальвано-магнитных принципов преобразования информации.

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов на основе арсенида галлия. .

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов на основе арсенида галлия. .

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении микроактюаторов, микрофонов, полевых транзисторов, электретных элементов и др.

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров. .

Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых приборов и интегральных схем, в частности, к способам изготовления приборов с использованием эпитаксиального наращивания кремния в атмосфере водорода.

Изобретение относится к технологии изготовления биполярных планарных транзисторов с полным диффузионным эмиттером. .

Изобретение относится к области микрометаллургии, в частности к процессу получения литых микропроводов в стеклянной изоляции. .

Изобретение относится к области порошковой металлургии, в частности к производству керамического ядерного топлива, и может быть использовано в ядерных технологиях.

Изобретение относится к измерительной технике, к способам оптико-физических измерений, базирующихся на эллипсометрии, и предназначено для контроля состава материала по толщине выращиваемых слоев с градиентом состава.
Изобретение относится к технологии получения наноалмазов, имеющих большое промышленное значение в электронике в качестве высокотемпературных полупроводников, высокочувствительных счетчиков в сложных дозиметрических установках с мощным твердотельным лазером и т.д.

Изобретение относится к химии фуллеренов, а именно к методам получения высокоэффективных магниторелаксационных систем для ЯМР-томографии на основе водорастворимых эндометаллофуллеренов.

Изобретение относится к области катализаторов для топливных элементов, в частности к катализатору для катода топливного элемента, а также к способу его получения. .
Изобретение относится к способу получения лекарственного средства на основе биологически активного вещества, который включает присоединение биологически активного вещества к нейтральному носителю, при этом в качестве нейтрального носителя используют металлические или полупроводниковые наночастицы, а в качестве биологически активного вещества используют бактериородопсин в терапевтически эффективном количестве, молекулы которого пришивают к поверхности наночастиц с образованием лигандной оболочки.

Изобретение относится к офтальмологии и может быть использовано для коррекции положения верхнего века и лагофтальма различного генеза. .

Изобретение относится к технологии производства приборов микро- и наноэлектроники, связанной с травлением и выращиванием структур на поверхности материалов, в т.ч.

Изобретение относится к медицине
Наверх