Полупроводниковое устройство

Авторы патента:

Иностранец Дитрих Армгарт

Германска Демократическа Республика

H01L27/12 - с подложкой из неполупроводника, например диэлектрика

О Л И С А Н И Е 243676

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 15.1Х.1967 (№ 1184032/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет 16.XI.1966

Опубликовано 05.V.1969, Бюллетень № 16

Дата опубликования опчсания 18. IX.1969

Кл. 21g, 11/02

МПК Н 011

УДК 621.382(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Автор изобретения

Иностранец

Дитрих Армгарт (Германская Демократическая Республика) Заявитель

ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО

Предмет изобретения

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в особенности к активным и пассивным структурным элементам в микроминиатюрных полупроводниковых функциональных блоках.

Известные полупроводниковые устройства со слоями различной проводимости не выдерживают больших пробивных напряжений из-за того, что р вЂ” n-переходы искривлены вблизи места выхода на поверхность.

С целью повышения надежности полупроводниковых устройств в интегральном микроминиатюрном исполнении, в предлагаемом устройстве критические р вЂ” и-переходы выполнены перпендикулярно к изоляционному слою, В полупроводниковой пластине делают односторонние углубления, осаждают тонкий непроводящий слой, прерываемый в зоне активных структурных элементов, с последующим наращиванием высоколегированного полупроводникового слоя, который отделяют по крайней мере в тех местах, где нет активного элементаа.

Полупроводниковое устройство изображено на чертеже.

Оно содержит непроводящий слой 1 ЯОг, контактные площадки 2, высоколегированный

5 полупроводниковый слой 8, толстый непроводящий слой 4 и поликристаллический кремниевый слой б.

B такой конструкции критические р вЂ” и-пе10 реходы расположены перпендикулярно к изоляционному слою SION, что позволяет повысить их пробивное напряжение. Таким образом могут быть изготовлены как триодные, так и четырехслойные структуры.

Полупроводниковое устройство со слоями

20 различной проводимости, отличающееся тем, что, с целью повышения пробивного напряжения переходов, критические р вЂ” n-переходы выполнены перпендикулярно к изоляционному слою.

243076

Составитель О. Б. Федюкина

Редактор Б. Б. Федотов Техред А. А. Камышникова Корректор А. С. Колабин

Заказ 2379/11 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Похожие патенты:

Патент 233103 // 233103

Способ изготовления тонкопленочных или твердых схем // 191662

Многокристальный модуль // 2140688

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении различных полупроводниковых микросхем

Структура - кремний на изоляторе для сбис (варианты) // 2149482

Планарная совмещенная нейроструктура для убис кни // 2175460

Способ изготовления гибридной интегральной схемы // 2003207

Полевой транзистор // 2029415

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при создании элементной базы сверхпроводниковой микроэлектроники и, в частности, полностью сверхпроводниковых интегральных схем

Прибор с интегральной схемой // 679168

Интегральный инвертор и способ его изготовления // 698454

Хлоралюминий-(3,3',3'',3'''-тетрахлор)-фталоцианин в качестве основы полупроводникового материала для фотоэлектрических преобразователей // 1614465

Гибридная интегральная схема // 1808148

Интегральная схема свч // 2556271

Изобретение относится к интегральным схемам СВЧ и может быть использовано в электронной технике СВЧ. Интегральная схема СВЧ, содержащая диэлектрическую подложку, выполненную из алмаза, элементы интегральной схемы - активные и пассивные элементы, линии передачи, выводы, на обратной стороне диэлектрической подложки выполнено металлизационное покрытие, при этом элементы интегральной схемы электрически соединены и заземлены согласно ее электрической схемы. На лицевой стороне упомянутой диэлектрической подложки дополнительно выполнен слой кристаллического полуизолирующего кремния толщиной не более 10 мкм, а элементы интегральной схемы - активные и пассивные элементы, линии передачи, выводы выполнены на поверхности этого слоя кристаллического полуизолирующего кремния, при этом элементы интегральной схемы выполнены монолитно, в упомянутой диэлектрической подложке и слое кристаллического полуизолирующего кремния выполнены сквозные металлизированные отверстия, а заземлена интегральная схема посредством этих сквозных металлизированных отверстий. Техническим результатом является улучшение электрических характеристик и повышение их воспроизводимости, повышение надежности, снижение массогабаритных характеристик, уменьшение трудоемкости изготовления интегральной схемы СВЧ. 5 з.п. ф-лы, 7 ил., 1 табл.