Пленочный полевой триод

Авторы патента:

H01L29/772 - полевые транзисторы

т -1 с-н т „, О П И С-"Х Н И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

243738

Сова Соеетоииа

Социилиотннееиии

РаепуОдие

К ЛВтО СКОМЬ СВИДЕтЕЛЬСтВМ

Зависимое от а вт. свидетельства №

Заявлено 15.IV,1968 (№ 1232221/26-25) Кл. 21g, 11/02 с присоединением заявки №

Пр;иоритет

Опубликовано 14Х.1969. Бюллетень № 17

Дата опубликования описания 26.IX.1969

МПК Н Oll

УДК 621.382.322 (088.8) Комитет по делам иао6ретений и открытий при Соеете Миииотрое

СССР

Авторы изобретения

1О. 3. Бубнов, М. С. Лурье, Г, А. Филаретов и П. Д. Токарев

Заявитель

ПЛЕНОЧНЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРИОД

Предмет изобретения

Изобретение относится к области электронной техники и может быть применено в вычислительных устройствах.

Известны тонкопленочные полевые триоды, у которых параметры нестабильны, что объясняется адсорбцией воды и кислорода на поверхности полупроводн ика из атмосферы остаточных газов промышленных вакуумных установок.

Стабилизация параметров пленочных полевых триодов достигается нанесением химически активного промежуточного слоя обедненной кислородом моноокиси германия. Предлагаемая конструкция пленочного полевого триода имеет структуру, в которой моноокись германия нанесена на полупроводниковую пленку сульфида или соленида кадмия под диэлектрический слой затвора. Толщина химически активной пленки моноокиси германия на границе раздела полупроводник вЂ” диэлекто рик составляет 200 А.

В результате связывания кислорода и воды в предлагаемой структуре триода резко снижается релаксация пленочного полевого триода. Стабильность полученных полевых триодов по сравнению с известными значительно возрастает. Относительная нестабильность полученных IlJIpHO÷íûõ полевых триодов составляет 0,02 вЂ” 0,2.

Пленочный полевой триод со структурой ме15 талл-диэлектрик-полупроводник, например алюминий-окись кремния-сульфид кадмия, отличающийся тем, что, с целью стабилизации его параметров, между полупроводником и диэлектриком расположен подслой обедненной

20 кислородом моноокиси германия.

Похожие патенты:

Полевой транзистор // 2189665

Полевой транзистор // 2222845

Изобретение относится к полупроводниковым приборам и может быть использовано в радиотехнических, СВЧ-устройствах и т.д

Полупроводниковая гетероструктура полевого транзистора // 2316076

Изобретение относится к гетероструктурам полупроводниковых приборов, главным образом полевых транзисторов

Транзистор с ограничением тока и способ его изготовления // 2370855

Изобретение относится к силовым вертикальным транзисторам, содержащим МОП-структуру, изготавливаемую с применением двойной диффузии, имеющим электроды истока (эмиттера) и затвора на одной поверхности подложки, а электрод стока (коллектора) - на противоположной поверхности подложки

Вертикальный полевой транзистор // 2402105

Изобретение относится к области твердотельной электроники и может использоваться при создании устройств, предназначенных для усиления, генерирования и преобразования ВЧ- и СВЧ-колебаний

Полевой транзистор на гетероструктуре // 2093924

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полевым транзисторам на гетероструктурах с селективным легированием (ПТ ГСЛ)

Полевой транзистор // 1031379

Изобретение относится к электронной технике, в частности к конструкции полевых транзисторов

Мдп-транзистор // 1774795

Изобретение относится к аналоговой технике и может быть использовано в МДП-усилительных и коммутационных устройствах, предназначенных для функционирования при криогенных температурах

Мдп-транзистор // 1809707

Изобретение относится к электронной технике, преимущественно к производству МДП СБИС

Полупроводниковый прибор и способ его изготовления // 2507634

Изобретение относится к области полупроводниковой техники. Полупроводниковый прибор включает утоненную подложку из монокристаллического кремния р-типа проводимости, ориентированного по плоскости (111), с выполненным на ней буферным слоем из AlN, поверх которого выполнена теплопроводящая подложка в виде осажденного слоя поликристаллического алмаза толщиной, равной по меньшей мере 0,1 мм, на другой стороне подложки выполнена эпитаксиальная структура полупроводникового прибора на основе широкозонных III-нитридов, исток из AlGaN, затвор, сток из AlGaN, омические контакты к истоку и стоку, припой в виде слоя, включающего AuSn, медный пьедестал и фланец. При этом между истоком, затвором и стоком выполнен слой изолирующего поликристаллического алмаза. Изобретение обеспечивает повышение надежности полупроводникового прибора и увеличение срока его службы, а также позволяет упростить изготовление прибора с высоким значением теплоотвода от активной части. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 7 ил.