Аппарат для осаждения материалов из газовойфазы

 

ЧФтбнтно-т.-;х:; чс-;.

ОПИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ роев Соеетокив

Социалиотичеокил

Реоаублиа

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

I(Äz. I2g, 17/32

Заявлено 25.I I I.1968 (№ 1227849/22-1) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 11.VI.1969. Бюллетень № 20

Дата опубликования описания 11.XI.1969

МПК Во»

УДЕ. 621.315.592 002.5 (088.8) Комитет оо делам ивобретеиий и открытиЯ ори Совете Миииотрое

СССР

Л вторы изобретения Н. В. Басалаев, В. С. Малороссиянов, В. И. Остапенко, E. М. Барштак и Е. И. Антонов

Заявитель

АППАРАТ ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ ИЗ ГАЗОВОИ

ФАЗЫ

Предмет изобретения

В известных аппаратах для получения полупроводниковых материалов осаждением из газовой фазы горизонтально расположенные стержневые основы, на которые производится осаждение, крепятся каждая в двух токовводах, проходящих через стенки камеры, в связи с чем число токовводов вдвое превышает число основ. Жесткое крепление концов стержней приводит к их деформации.

Отличием описываемого аппарата является то, что стержни расположены в одной горизонтальной плоскости, соединены между собой последовательно при помощи элементов из электропроводного материала и установлены свободно на электроизолированных опорах, в качестве которых могут служить токовводы.

Это дает возможность уменьшить число токовводов на группу стержней, расположенных в одной горизонтальной плоскости, и исключить их деформацию в процессе осаждения.

На чертеже изображен описываемый аппарат.

Стержневые основы 1, на которые производится осаждение, помещены горизонтально в полости герметичной камеры 2. На каждую группу стержней, расположенных в одной горизонтальной плоскости, приходится по два токоввода 8, введенных в полость камеры на всю ее длину. Стержневые основы установлены свободно, концы их опираются на токовводы, снабженные в этой части электроизоляцией. Стержни в каждой группе соединены последовательно при помощи перемычек 4 из электропроводного материала. Ток -подводится к группе стержней через контакты 5.

Лппарат может быть применен для получения стержней полупроводникового кремния водородным восстановлением его хлоридов.

После установки и соединения основ камеру уплотняют, продувают инертным газом, затем водородом, разогревают основы и осуществляют подачу паро-газовой смеси.

1. Лппарат для осаждения материалов из газовой фазы на нагретых стержневых осно2р вах, включающий герметичную камеру с введенными в ее полость электродами и горизон тально расположенными в полости камеры стержнями из одноименного с. осаждаемым материала, соединенными с токовводами, от25 личаюи1ийся тем, что, с целью уменьшения числа токовводов и исключения деформации стержней, стержни расположены в одной горизонтальной плоскости, соединены между собой последовательно при помощи элементов

5ð из электропроводного материала и установле245731 на электроиаолпрованных опо 1 ппография, пр. Сапунова, 2 ны свободно р ах.

2. Аппарат по и. 1, отлича>ощийся тем, что опорами служат токовводы.

Плача пароалФой смеси

Составитель Т. Г. Фирсова

Рсдактор И. Д, Корченко Текред А. А. Камышникова Корректор Г. И. Тарасова

Заказ 2762 13 Тира>к 480 Подво свое

ЦИИИПИ Комитета по делам изобрс>ск,п1 и открьпий прп Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Аппарат для осаждения материалов из газовойфазы Аппарат для осаждения материалов из газовойфазы 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к получению полупроводниковых материалов, в частности к получению стержней поликристаллического кремния как исходного сырья для выращивания монокристаллов кремния

Изобретение относится к способам получения поликристаллического кремния водородным восстановлением трихлорсилана по замкнутому технологическому циклу с регенерацией тетрахлорида кремния из отходящей газовой фазы гидрированием до получения трихлорсилана

Изобретение относится к химической технологии, а именно к способам получения поликристаллического кремния из хлорсиланов по замкнутому технологическому циклу с выделением хлорсиланов, водорода, хлористого водорода, полисиланхлоридов

Изобретение относится к производству полупроводниковых материалов, в частности к получению исходного поликристаллического кремния осаждением на нагретые основы в процессе водородного восстановления хлорсиланов
Изобретение относится к области получения кремния и может быть использовано в производстве кремния полупроводниковой или электронной чистоты

Изобретение относится к химической технологии, а именно к способам получения поликристаллического кремния из хлорсиланов посредством их восстановления водородом на разогретых кремниевых стержнях, и может быть использовано в технологии получения поликристаллического кремния

Изобретение относится к производству полупроводниковых материалов, в частности к получению исходного поликристаллического кремния осаждением на нагретые стержни (основы) в процессе водородного восстановления хлорсиланов

Изобретение относится к производству полупроводниковых материалов, в частности к получению исходного поликристалличсского кремния осаждением на нагретые стержни (основы) в процессе водородного восстановления хлорсиланов

Изобретение относится к области цветной металлургии, в частности к формированию защитных покрытий из газовой фазы на изделиях сложной конфигурации при термическом разложении паров тетракарбонила никеля на защищаемой поверхности, и может найти применение для металлизации как металлических, так и неметаллических деталей с повышенной хрупкостью

Изобретение относится к области цветной металлургии, в частности к формированию защитных покрытий, и может найти применение для металлизации деталей, полученных как с помощью металлообработки, так и порошковой металлургией

Изобретение относится к области металлургии, в частности к способу эксплуатации вакуумной установки с изменениями давления между рабочим и окружающим пространством

Изобретение относится к устройству и способу вакуумного осаждения для образования осажденных в вакууме пленок на несущей пленке и может найти использование в различных отраслях машиностроения

Изобретение относится к устройству и способу для нанесения покрытия методом химического осаждения из газовой фазы (CVD) и может найти использование при изготовлении пластмассовых контейнеров с защитным покрытием

Изобретение относится к простой системе химического осаждения из паров и, в частности, к простой системе химического осаждения из паров, оснащенной для создания защитного слоя на деталях реактивного двигателя

Изобретение относится к устройству плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа для образования слоя покрытия на пленке

Изобретение относится к источнику твердого или жидкого материала для реакторов для осаждения из газовой фазы, устройству для установки источника в реакторе для осаждения из газовой фазы и способу установки источника в реакторе

Реактор // 2405063
Изобретение относится к реактору для послойного атомного осаждения

Изобретение относится к устройству для плазменного химического парофазного осаждения пленки на поверхности полосообразной подложки и может найти применение при изготовлении дисплеев

 

Наверх