Способ изготовления матрицы

 

246259

ОПИСАН ИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Саоз Советскив

Социалистическиз

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 06.XI.1967 (№ 1197693/22-1) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 11 VI.1969. Бюллетень № 20

Дата опубликования описания 20.XI.1969

Кл. 48а, 7/00

МПК С 23Ъ

УДК 621.357.69(088.8) Комитет оо делам изобретеиий и открытий ори Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

Л. В. Воробьев, А. Я. Малеева и В. М. Вайнштейн

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЦЫ

Изобретение относится к области гальванопластического получения различных изделий.

Известен способ изготовления матрицы для гальванопластического получения мелкоструктурной сетки, включающий серебрение стеклянной подложки с последующим нанесением светочувствительного слоя.

По предложенному способу на серебряный слой наносят бороздки, соответствующие структуре сетки, которые заполняют слоем электропроводящего неметаллического материала, после чего производят термообработку матрицы в вакууме при температуре 250—

500 С и удаляют серебряный подслой травлением.

Это позволяет значительно повысить срок службы матрицы и улучшить качество получаемых сеток.

Описываемый способ заключается в следующем.

На серебряный подслой, покрывающий стеклянную подложку, наносят бороздки, соответствующие структуре сетки. Затем на поверхность матрицы напыляют катодным распылением слой окиси индия с добавками окислов олова, циркония или титана, причем содержание окиси индия должно быть не меньше 60%.

В качестве проводящего неметаллического материала можно также использовать двуокись олова с добавлением окислов сурьмы или ниобия, количество которых в смеси не превышает 20%. Напыление осуществляют в атмосфере, состоящей из кислорода и инертного газа.

Кислорода в газовой смеси должно быть не

5 меньше 20%.

Матрицу подвергают термической обрабогке в вакууме с остаточным давлением 10 з—

10 л м рт. ст. при температуре 250 — 500 С.

После этого матрицу обрабатывают раствором

10 концентрированной азотной кислоты, которая стравливает серебряный подслой, и проводящая пленка остается только в штрихах матрицы.

Таким образом, можно изготовить постоян15 ную стеклянную матрицу с проводящим неметаллическим слоем в штрихах. На такую матрицу производят многократное гальваническое осаждение и получают с одной матрицы до 100 сеток высокого качества.

Предмет изобретения

Способ изготовления матрицы для гальванопластического получения мелкоструктурных сеток на стеклянной подложке с нанесенным

25 на ее поверхность слоем серебра, отличсиои1ийся тем, что, с целью повышения срока службы матрицы и улучшения качества получаемых сеток, на серебряный слой наносят бороздки, соответствующие структуре сетки, 30 которые заполняют слоем электропроводящего

246259

Составитель Л. Казакова

Редактор Н. Л. Корченко Техред А. А. Камышникова Корректор Г. С. Мухина

Заказ 2865/2 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений н открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 неметаллического материала, после чего производят термообработку матрицы в вакууме при температуре 250 †5 С и удаляют серебряный подслой травлением.

Способ изготовления матрицы Способ изготовления матрицы 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к гальванопластике, в частности к гальванопластическому изготовлению перфорированных тонкостенных изделий

Изобретение относится к области гальванопластики и может быть использовано для изготовления сложных моделей

Изобретение относится к области гальванопластики, в частности к электролитическому формообразованию сложнопрофилированных деталей с переменной толщиной стенки

Изобретение относится к области гальванопластики, в частности к электролитической формовке сложнопрофилированных деталей с переменной толщиной стенки

Изобретение относится к литейному производству и может быть использовано при изготовлении литейных форм преимущественно для многократной отливки мелкоразмерных изделий со сложным рельефом поверхности

Изобретение относится к области нанотехнологии для микроэлектроники

Изобретение относится к области гальванопластики и может быть использовано в микроэлектронике при изготовлении магнитных и немагнитных масок для напыления тонких слоев органики, металлов и диэлектриков органических светоизлучающих диодов

Изобретение относится к области гальванотехники и направлено на формирование электропроводящего подслоя на диэлектрических моделях и формах для электрохимического осаждения металлов

Изобретение относится к гальванопластическому изготовлению матриц пресс-форм
Наверх