Способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов



Способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов
Способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов

 


Владельцы патента RU 2402783:

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" (RU)

Способ предназначен для использования на выходном и входном контроле качества полупроводниковых диодов и оценки их температурных запасов. На исследуемый диод подают импульсы греющего тока постоянной амплитуды. В промежутках между импульсами греющего тока пропускают постоянный начальный ток. Величину Q-1, обратную скважности импульсов греющего тока, изменяют по гармоническому закону с частотой Ω. На частоте Ω измеряют амплитуду изменения греющей мощности Pm1(Ω), амплитуду температурочувствительного параметра в промежутках между импульсами греющего тока и определяют сдвиг фаз между ними. Модуль теплового импеданса диода определяют по формуле

где КТ - температурный коэффициент прямого напряжения диода при протекании постоянного начального тока. Фаза импеданса равна сдвигу фаз между температурочувствительным параметром и первой гармоникой. Технический результат направлен на повышение точности измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов. 2 ил.

 

Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров полупроводниковых диодов и может быть использовано на выходном и входном контроле качества изготовления полупроводниковых диодов и для оценки их температурных запасов.

Известен способ измерения теплового сопротивления переход-корпус полупроводниковых диодов, заключающийся в том, что на контролируемый диод подают импульсы греющей мощности фиксированной длительности и амплитуды, а в промежутках между импульсами измеряют изменение температурочувствительного параметра UТП, например прямого напряжения диода при пропускании через него малого измерительного тока (см., например, ГОСТ 19656, 18-84 Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления).

Недостатком способа является низкая точность, обусловленная большой погрешностью измерения импульсного напряжения UТП(t) из-за влияния переходных тепловых и электрических процессов при переключении полупроводникового диода из одного режима - режима разогрева, в другой - режим измерения (см., например, Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. - М: Сов. радио, 1980. С.51).

Наиболее близким по технической сущности к заявленному изобретению (прототипом) является способ определения теплового сопротивления переход-корпус полупроводниковых диодов (см. патент РФ №2178893 на изобретение «Способ определения теплового сопротивления переход-корпус полупроводниковых диодов». /В.А.Сергеев, опубликовано 27.01.2002 г.), заключающийся в том, что на контролируемый диод подаются импульсы греющего тока постоянной амплитуды Im, определяют величину импульсной греющей мощности Pm, а в промежутках между греющими импульсами тока через диод пропускают постоянный начальный ток Iнач и измеряют изменение прямого напряжения диода, по величине которого и определяют тепловое сопротивление переход-корпус диода, при этом величину, обратную скважности греющих импульсов тока Q-1u·fсл, где τu - длительность греющих импульсов тока, fсл - частота их следования, увеличивают по линейному закону Q-1=SQt с крутизной SQ, измеряют скорость ϑ изменения прямого напряжения диода при протекании через него начального тока и определяют тепловое сопротивление переход-корпус диода по формуле:

где KT - температурный коэффициент прямого напряжения диода при протекании через него постоянного начального тока.

Недостатками известного технического решения является большая погрешность измерения теплового сопротивления, обусловленная малой крутизной изменения средней греющей мощности, и невозможность измерения теплового импеданса полупроводникового диода на заданной частоте изменения греющей мощности.

Технический результат - повышение точности измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов.

Технический результат достигается тем, что на контролируемый полупроводниковый диод подаются греющие импульсы тока амплитудой Im, в промежутках между греющими импульсами тока через диод пропускают постоянный начальный ток Iнач и измеряют изменение прямого напряжения на диоде, по величине которого и определяют тепловое сопротивление полупроводникового диода. Отличие состоит в том, что величину, обратную скважности греющих импульсов тока Q-1u/Tслu·fсл, где τu - длительность греющих импульсов тока, Тсл, fсл - период и частота их следования соответственно, изменяют по гармоническому закону вида где - среднее значение величины обратной скважности, а - коэффициент, определяющий глубину модуляции греющей мощности, Ω - частота модуляции греющей мощности, измеряют амплитуду первой гармоники греющей мощности Рm1(Ω) и амплитуду первой гармоники температурочувствительного параметра - прямого напряжения на р-n-переходе при протекании через него начального тока и сдвиг фазы между ними φ(Ω) на частоте модуляции греющей мощности, по измеренным значениям определяют тепловой импеданс полупроводникового диода на частоте модуляции греющей мощности по формуле:

Сущность предлагаемого решения состоит в том, что при подаче на полупроводниковый диод греющих импульсов тока амплитудой Im средняя за период следования греющих импульсов тока мощность , рассеиваемая диодом, определяется выражением

где Pm=ImUm - импульсная греющая мощность, Um - прямое напряжение диода, при протекании через него греющего импульса тока и при постоянной импульсной греющей мощности (Pm=const) средняя мощность будет изменяться по закону изменения величины обратной скважности Q-1(t)=τu·fсл. При изменении Q-1(t) по гармоническому закону вида средняя мощность будет также изменяться по гармоническому закону вида

где - постоянная составляющая греющей мощности, - первая гармоника изменения греющей мощности на частоте Ω модуляции.

Известно, что в приближении одномерной линейной теплоэлектрической модели полупроводникового диода, представляющей m последовательно соединенных RC-цепочек, при разогреве полупроводникового диода переменной мощностью спектр температуры р-n перехода может быть представлен в виде

где Pm(ω) - спектр греющей мощности, рассеиваемой полупроводниковым диодом, - тепловой импеданс диода, RTi, τТi - тепловое сопротивление и тепловая постоянная времени соответствующего слоя конструкции полупроводникового диода, φ(ω) - фаза теплового импеданса, равная сдвигу фаз между температурой и греющей мощностью (Сергеев В.А. Методы и средства измерения тепловых параметров полупроводниковых приборов и интегральных схем. // Электронная промышленность. - 2004. - №1. - С.45-48).

В результате через некоторое время после начала подачи греющих импульсов, превышающее три тепловых постоянных времени переход-корпус τTn-к полупроводникового диода (t>3τTn-к), в полупроводниковом диоде установится регулярный режим и температура Tп(t) p-n-перехода полупроводникового диода будет пульсировать относительно некоторого квазистационарного значения , изменяющегося с частотой Ω модуляции греющей мощности:

где φ сдвиг фаз между переменной составляющей греющей мощности и переменной составляющей температуры p-n-перехода, -среднее значение температуры p-n-перехода, Tm - амплитуда гармонической составляющей температуры p-n-перехода на частоте Ω модуляции греющей мощности. При выполнении условия fслτТп-к>>1 величина пульсаций температуры p-n-перехода δTп(t) будет на несколько порядков меньше Тm:δTп(t)<<Tm (см., например, Давидов П.Д. Анализ и расчет тепловых режимов полупроводниковых приборов. - М: Энергия, 1967 г., с.100÷116). Поскольку прямое напряжение на p-n-переходе при малом токе линейно уменьшается с увеличением температуры с известным (отрицательным) температурным коэффициентом KT, то огибающая напряжения на p-n-переходе в паузах между греющими импульсами будет повторять (с обратным знаком) изменение переменной составляющей температуры р-n-перехода, а амплитуда огибающей с учетом (5) будет равна:

Откуда и получаем выражение (2) для теплового импеданса.

Погрешность определения теплового импеданса при известном температурном коэффициенте будет определяться погрешностью определения амплитуды гармоник и Рm1(Ω) сдвига фаз между ними. При использовании методов цифровой фильтрации, в частности быстрого преобразования Фурье, указанные погрешности определяются числом отсчетов (то есть числом греющих импульсов тока) за период TM=1/2πΩ модуляции греющей мощности: n=TM/Tсл.

Возможны различные способы реализации гармонического закона изменения величины обратной скважности. Наиболее простым для аппаратной реализации является вариант широтно-импульсной модуляции греющих импульсов тока, когда частота их следования постоянна fсл=const, а длительность меняется по закону вида: τuku0(1+acosΩt). Предлагаемый вариант способа может быть реализован с помощью устройства, структурная схема которого показана на фиг.1, а эпюры, поясняющие принцип работы устройства, - на фиг.2.

Устройство содержит контакты 1 для подключения контролируемого диода, источник 2 постоянного начального тока Iнач, генератор греющих импульсов тока 3, устройство управления 4, управляемые аналого-цифровые преобразователи 5 и 6 и вычислитель 7.

Способ осуществляют следующим образом. После установки диода в контактную колодку 1 через него пропускают постоянный начальный ток Iнач от источника 2. Генератор импульсов 3 по сигналу устройства управления 4 начинает вырабатывать последовательность греющих импульсов тока заданной амплитуды Im и постоянной частоты fсл (фиг.2а), которые подаются в контролируемый полупроводниковый диод. Моменты времени tk=kTсл начала k-го импульса и его длительность τuku0(1+acosΩtk) определяются управляющими импульсами UУ1 (фиг.2б) и UУ2 (фиг.2в) устройства управления. Через некоторое время, превышающее три постоянных времени переход-корпус диода, в диоде установится регулярный режим и температура р-n-перехода будет пульсировать относительно некоторого квазистационарного значения (фиг.2г), изменяющегося по гармоническому закону. Изменение прямого напряжения Um(t) диода показаны на фиг.2д. Прямое напряжение диода подается на входы аналого-цифровых преобразователей 5 и 6. АЦП 5 преобразует в цифровой код прямое напряжение диода Um(t) во время протекания греющих импульсов тока в моменты времени , определяемые управляющими импульсами UУ3 (фиг.2е) устройства управления 4, где Δtom1 - некоторое фиксированное время задержки запуска первого АЦП. Цифровые отсчеты прямого напряжения диода Um(k) передаются в оперативную память вычислителя 7, где формируется массив значений прямого напряжения диода {Um(k)}. Второй АЦП 6 преобразует в цифровой код температурочувствительный параметр - прямое напряжение диода во время паузы между греющими импульсами тока при протекании начального тока Iнач в моменты времени , определяемые управляющими импульсами UУ4 (фиг.2ж) устройства управления, где Δtom2 - некоторое фиксированное время задержки запуска второго АЦП. Цифровые отсчеты передаются в оперативную память вычислителя 7, где формируется массив значений температурочувствительного параметра . Для повышения точности преобразование измеряемых величин осуществляется в течение нескольких (3-5) периодов модуляции греющей мощности и получают N=(3÷5)ТМсл цифровых отсчетов измеряемых величин. Вычислитель 7 вычисляет значения импульсной мощности для каждого k-го греющего импульса тока путем умножения Um(t) на значение амплитуды греющих импульсов тока Im:Pm(k)=Im·Um(k) и формирует массив значений импульсной мощности {Pm(k)}. По массивам данных {Pm(k)} и методом дискретного преобразования Фурье вычислитель 7 определяет амплитуду и фазу гармоник греющей мощности Pm1 и φP температурочувстсвительного параметра и φT, далее вычисляет модуль и фазу теплового импеданса полупроводникового диода по формулам:

Способ измерения теплового импеданса переход-корпус полупроводниковых диодов, заключающийся в подаче на р-n переход контролируемого диода импульсов тока постоянной амплитуды Im, в промежутках между которыми через диод пропускают постоянный начальный ток, в определении величины греющей мощности Р и измерении изменения температурочувствительного параметра прямого напряжения диода при протекании постоянного начального тока, отличающийся тем, что величину, обратную скважности греющих импульсов тока
,
где τu - длительность греющих импульсов тока;
fсл - частота их следования,
изменяют по гармоническому закону с частотой Ω, измеряют амплитуду изменения греющей мощности Pm1(Ω) и амплитуду - температурочувствительного параметра на частоте Ω и сдвиг фаз между ними и определяют модуль теплового импеданса диода по формуле
,
где КТ - температурный коэффициент прямого напряжения диода при протекании постоянного начального тока;
а фаза теплового импеданса равна сдвигу фаз между температурочувствительным параметром и первой гармоникой.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к испытаниям сохраняемости инфракрасного (ИК) многоэлементного фотоприемного устройства (МФПУ), содержащего клеевые соединения в вакуумированной полости, с рабочей температурой фоточувствительных элементов ниже температуры окружающей среды, предназначенного для регистрации ИК-излучения.

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к технике измерения тепловых параметров полупроводниковых приборов после изготовления. .

Изобретение относится к технологии радиоэлектронной аппаратуры и может быть использовано для контроля параметров полупроводниковых диодов при их производстве. .
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности интегральных схем (ИС), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ИС как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.
Изобретение относится к области контроля и может быть использовано для ускоренного контроля качества изготовления полупроводниковых приборов химическим способом, в частности диэлектрических пленок резистивных компонентов гибридных интегральных схем.
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых приборов, и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых приборов как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.
Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации полупроводниковых изделий (ППИ), и может быть использовано для отбраковки из партии полупроводниковых изделий, менее стойких к электростатическим разрядам.

Изобретение относится к области испытаний изделий электронной техники и может быть использовано для оценки качества и надежности изделий микро- и наноэлектроники, применяемых в аппаратуре с длительными сроками эксплуатации.

Изобретение относится к области микроминиатюризации и технологии радиоэлектронной аппаратуры и может быть использовано для контроля параметров полупроводниковых диодов при их производстве

Изобретение относится к области силовой электроники и предназначено для неразрушающего контроля тиристоров

Изобретение относится к измерительной технике, применяемой для измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов с использованием зондирующего электромагнитного излучения сверхвысокой частоты (СВЧ), и может быть применено для определения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниковых пластинах и слитках бесконтактным СВЧ методом

Изобретение относится к радиационной технике и может быть использовано для проведения испытаний интегральных микросхем различных типов и классов на радиационную стойкость в условиях воздействия импульсных и стационарных ионизирующих излучений, генерируемых соответствующими установками

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых структур, а также для анализа структур, оказавшихся у потребителя

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для испытания безотказности электронных и иных устройств, модель отказов которых соответствует экспоненциальному закону

Изобретение относится к области технологии контроля радиоэлектронной аппаратуры и может быть использовано для контроля параметров двуханодных стабилитронов при их производстве
Наверх