Мощный вч и свч широкополосный транзистор



Мощный вч и свч широкополосный транзистор
Мощный вч и свч широкополосный транзистор

 


Владельцы патента RU 2402836:

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (RU)

Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Сущность изобретения: мощный ВЧ и СВЧ широкополосный транзистор содержит ряд из N транзисторных ячеек, первые металлизированные площадки которых соединены первой проводящей лентой с входным электродом корпуса, а вторые металлизированные площадки соединены второй проводящей лентой с общим электродом корпуса, причем между местами соединения лент с металлизированными площадками в лентах имеются выемки. Длина или ширина хотя бы одной проводящей дорожки между выемками в хотя бы одной проводящей ленте отличаются от длин и ширин других проводящих дорожек между выемками, а индуктивности проводящих дорожек с отличающейся длиной и шириной между выемками от контакта с металлизированной площадкой до места соединения с проводящей лентой удовлетворяют определенному условию. Изобретение позволяет увеличить ширину полосы рабочих частот транзистора. 1 ил.

 

Заявляемое изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено в конструкциях мощных ВЧ и СВЧ полупроводниковых приборов.

Известен мощный ВЧ- и СВЧ-транзистор (Zoroglu D.S. Low Parasitic Microwave Package / D.S.Zoroglu. - US Patent 3784884, Int. C1. H01L 5/00; US C1. 317/234 R. - 8.06.74), содержащий ряд из N транзисторных ячеек, каждая из которых включает в себя две металлизированных площадки, на первую из которых через проволочный проводник подается потенциал входного электрода (эмиттерного в схеме с общей базой, электрода затвора в схеме с общим истоком и т.п.), а на вторую через проволочный проводник подается потенциал одного из двух оставшихся электродов, чаще - общего электрода (базового в схеме с общей базой и т.п.).

Недостатком такого транзистора является большая паразитная индуктивность проводников, соединяющих металлизированные площадки с соответствующими электродами корпуса, что приводит к снижению коэффициента усиления по мощности транзистора [1] и сужению его полосы частот [2].

Наиболее близким по совокупности признаков является мощный СВЧ-транзистор (Кожевников В.А. Мощные низковольтные СВЧ-транзисторы для подвижных средств связи / В.А.Кожевников, В.В.Асессоров, А.В.Асессоров, В.И.Дикарев // Радио. - 1999 - №11. - С.33-34), в котором первые металлизированные площадки транзисторных ячеек соединены с входным электродом корпуса проводящей лентой, а вторая проводящая лента соединяет вторые металлизированные площадки транзисторных ячеек с другим электродом корпуса. Проводящая лента представляет собой фольгу на полиимидной основе [3]. Это позволяет повысить коэффициент усиления по мощности транзистора за счет снижения паразитной индуктивности соединения вторых металлизированных площадок с электродом общего вывода и расширить полосу частот транзистора за счет уменьшения индуктивности первого звена его входной согласующей цепи, включающей в себя индуктивности соединений первых и вторых металлизированных площадок с соответствующими электродами корпуса транзистора. На краях проводящих лент вблизи мест их контактов с металлизированными площадками имеются выемки, что позволяет уменьшить паразитные емкости между проводящими лентами и активными областями транзисторного кристалла, а также обеспечить более надежное соединение проводящих лент с металлизированными площадками.

Совпадение резонансных частот входных цепей транзисторных ячеек препятствует достижению максимальной ширины полосы рабочих частот транзистора.

Реактивные элементы входной цепи какой-либо транзисторной ячейки из их общего количества N представляют собой последовательно соединенные индуктивности входного электрода LB (индуктивность соединения первой металлизированной площадки с конденсатором входной согласующей LC-цепи Cвх) и общего электрода LО (индуктивность соединения шины общего электрода усилителя со второй металлизированной площадкой), а также емкость конденсатора входной согласующей LC-цепи Cвх. В свою очередь,

LВ=LПЛ1+LВЭ,

где LПЛ1 - индуктивность первой проводящей ленты, LВЭ - индуктивность входного электрода корпуса между местами соединений с первой проводящей лентой и конденсатором входной согласующей цепи;

LО=LПЛ2+LОЭ,

LПЛ2 - индуктивность второй проводящей ленты, LОЭ - индуктивность общего электрода корпуса между местами соединений со второй проводящей лентой и шиной нулевого потенциала усилительного каскада.

Индуктивности LПЛ1, LПЛ2, LОЭ и емкость Cвх являются общими для всех транзисторных ячеек, следовательно, резонансные частоты входных цепей всех ячеек равны:

В приближении равномерного распределения входной мощности по транзисторным ячейкам частотный коэффициент передачи мощности входной цепью транзистора может быть представлен как среднее арифметическое частотных коэффициентов передачи мощности входных цепей его отдельных ячеек [4]:

При совпадении резонансных частот входных цепей транзисторных ячеек результирующая резонансная кривая входной цепи транзистора будет иметь наименьшую ширину.

Заявляемое изобретение предназначено для создания дополнительных резонансных максимумов входных согласующих LC-звеньев транзисторных ячеек в полосе рабочих частот транзистора за счет изменения индуктивностей входных согласующих LC-звеньев отдельных транзисторных ячеек.

Технический результат - увеличение ширины полосы рабочих частот транзистора.

Технический результат решается тем, что в известном мощном ВЧ и СВЧ широкополосном транзисторе, содержащем ряд из N транзисторных ячеек, первые металлизированные площадки которых соединены первой проводящей лентой с входным электродом корпуса, а вторые металлизированные площадки соединены второй проводящей лентой с общим электродом корпуса, причем между местами соединения лент с металлизированными площадками в лентах имеются выемки, согласно изобретению длина или ширина хотя бы одной проводящей дорожки между выемками в хотя бы одной проводящей ленте отличаются от длин и ширин других проводящих дорожек между выемками, а индуктивности проводящих дорожек с отличающейся длиной и шириной между выемками от контакта с металлизированной площадкой до места соединения с проводящей лентой удовлетворяют условию:

где n=1, … k - номер транзисторной ячейки из общего количества 1≤k≤N транзисторных ячеек, металлизированные площадки которых контактируют с проводящими дорожками с отличными от других проводящих промежутков длинами или ширинами, Ln1 и Ln2 - соответственно индуктивности проводящих дорожек в первой и второй проводящих лентах, контактирующих с металлизированными площадками n-й транзисторной ячейки, fmin - нижняя граница полосы рабочих частот транзистора, Δf -ширина полосы рабочих частот транзистора, Cвх - емкость конденсатора входной согласующей цепи транзистора; Lвх=LПЛ1+LПЛ2+LВЭ+LОЭ; LПЛ1 и LПЛ2 - соответственно индуктивности первой и второй проводящих лент; LВЭ - индуктивность входного электрода корпуса между местами соединений с первой проводящей лентой и конденсатором входной согласующей цепи; LОЭ - индуктивность общего электрода корпуса между местами соединений со второй проводящей лентой и шиной нулевого потенциала усилительного каскада.

Получаемый при осуществлении изобретения технический результат, а именно увеличение ширины полосы рабочих частот транзистора, достигается за счет того, что придание индуктивностям входных согласующих LC-звеньев k транзисторных ячеек значений, отличных от индуктивностей LC-звеньев остальных N-k ячеек, за счет формирования в проводящих лентах дорожек с различными индуктивностями в соответствии с выражением (2) приводит к появлению дополнительных k максимумов частотной зависимости коэффициента передачи мощности КРСЦ(f) входной согласующей цепи в диапазоне Δf рабочих частот транзистора, по одному на каждый из k поддиапазонов шириной Δf/k. В результате вид зависимости КРСЦ(f) стремится к равноколебательному, что позволяет при заданной неравномерности КРСЦ(f) в полосе Δf расширять полосу частот, увеличивая k.

На чертеже схематично показан заявляемый мощный ВЧ и СВЧ широкополосный транзистор.

Мощный ВЧ и СВЧ широкополосный транзистор состоит из проводящего основания корпуса 1, выполняющего в данном случае функцию общего электрода корпуса, с отверстиями 2 для крепления к теплоотводу, с расположенной на основании диэлектрической теплопроводящей подложкой 3 с участками металлизации 4, на которых размещены полупроводниковый кристалл 5, входной 6 и выходной 7 электроды, а также металлическая балка 8. На полупроводниковом кристалле 5 сформированы транзисторные ячейки 9, первые металлизированные площадки 10 которых соединены первой проводящей лентой 11 с входным электродом 6, а вторые металлизированные площадки 12 соединены второй проводящей лентой 13 с балкой 8, в свою очередь, соединенной с общим электродом 1 посредством металлизации 4. В проводящих лентах 11 и 13 вблизи мест их присоединения к металлизированным площадкам 10 и 12, входному электроду 6 и балке 8 сделаны выемки 14, причем у мест присоединения к отдельным металлизированным площадкам 10 и 12 ширина и длина выемок варьируются. Это приводит к тому, что проводящие дорожки 15 между выемками 14 у мест присоединения к металлизированным площадкам 10 и 12 различных транзисторных ячеек различаются своей длиной и шириной.

При работе мощного ВЧ и СВЧ широкополосного транзистора в составе каскада усиления мощности в составе входной цепи каждой из N транзисторных ячеек оказывается индуктивность:

Lвх n=Ln1+Ln2+LПЛ1+LПЛ2+LВЭ+LОЭ; n=1, …, N.

Индуктивности Ln1 и Ln2 некоторого количества k из N проводящих дорожек, образованных выемками различной длины и ширины в проводящих лентах вблизи мест присоединения лент к площадкам металлизации транзисторных ячеек, оказываются отличными одна от другой и от индуктивностей оставшихся N-k дорожек. Таким образом, индуктивности входных цепей Lвх n k транзисторных ячеек будут различаться между собой и от N-k одинаковых индуктивностей входных цепей транзисторных ячеек, что приведет к появлению в полосе рабочих частот транзистора k резонансных максимумов входных LC-звеньев транзисторных ячеек, не совпадающих с центральной частотой f0, на которую приходится N-k резонансных максимумов входных LC-звеньев транзисторных ячеек.

Выполнение условий неравенства (2) исключает концентрацию дополнительных k резонансных максимумов в узком относительно ширины полосы рабочих частот Δf частотном интервале и обеспечивает формирование таких максимумов слева и справа от f0. В итоге максимум частотной зависимости коэффициента передачи мощности входной согласующей цепью КРСЦ(f0) уменьшится, а функция КРСЦ(f) будет меньше убывать с ростом |f-f0|, что обеспечивает увеличение ширины полосы рабочих частот транзистора Δf.

Литература

1. Никишин В.И. Проектирование и технология производства мощных СВЧ-транзисторов / В.И.Никишин, Б.К.Петров, В.Ф.Сыноров и др. - М.: Радио и связь, 1989. - С.18.

2. Там же, с.46.

3. Асессоров В.В. Бескорпусной СВЧ-транзистор на гибком носителе / В.В.Асессоров, А.В.Асессоров, С.А.Еремин // Тез. докл. IV Всероссийской научно-технической конференции с международным участием "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники". - Таганрог, 1997. - С.75.

4. Булгаков О.М. Потери мощности во входных цепях оконечных каскадов широкополосных мощных СВЧ транзисторных радиопередатчиков / О.М.Булгаков // Радиотехника (Москва). - 2000. - №9. - С.79-82.

Мощный ВЧ и СВЧ широкополосный транзистор, содержащий ряд из N транзисторных ячеек, первые металлизированные площадки которых соединены первой проводящей лентой с входным электродом корпуса, а вторые металлизированные площадки соединены второй проводящей лентой с общим электродом корпуса, причем между местами соединения лент с металлизированными площадками в лентах имеются выемки, отличающийся тем, что длина или ширина хотя бы одной проводящей дорожки между выемками в хотя бы одной проводящей ленте отличаются от длин и ширин других проводящих дорожек между выемками, а индуктивности проводящих дорожек с отличающейся длиной и шириной между выемками от контакта с металлизированной площадкой до места соединения с проводящей лентой удовлетворяют условию:

где n=1, … k - номер транзисторной ячейки из общего количества 1<k<N транзисторных ячеек, металлизированные площадки которых контактируют с проводящими дорожками с отличными от других проводящих промежутков длинами или ширинами, Ln1 и Ln2 - соответственно индуктивности проводящих дорожек в первой и второй проводящих лентах, контактирующих с металлизированными площадками n-й транзисторной ячейки, fmin - нижняя граница полосы рабочих частот транзистора, Δf - ширина полосы рабочих частот транзистора, Свх - емкость конденсатора входной согласующей цепи транзистора; Lвх=LПЛ1+LПЛ2+LВЭ+LОЭ; LПЛ1 и LПЛ2 - соответственно индуктивности первой и второй проводящих лент; LВЭ - индуктивность входного электрода корпуса между местами соединений с первой проводящей лентой и конденсатором входной согласующей цепи; LОЭ - индуктивность общего электрода корпуса между местами соединений со второй проводящей лентой и шиной нулевого потенциала усилительного каскада.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре и в микроэлектромеханических системах.

Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре и в микроэлектромеханических системах.

Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре, и в микроэлектромеханических системах.

Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре и в микроэлектромеханических системах.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено в конструкциях мощных ВЧ- и СВЧ-полупроводниковых приборов. .

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в конструкциях мощных ВЧ- и СВЧ-полупроводниковых приборов. .

Изобретение относится к области конструирования и производства мощных СВЧ-транзисторов. .

Изобретение относится к цифровой технике и может быть использовано в качестве запоминающего устройства. .

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено в конструкциях мощных СВЧ полупроводниковых приборов. .

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и позволяет увеличить коэффициент усиления по мощности ВЧ и СВЧ транзистора, в котором на противоположных сторонах одной из обкладок конденсатора внутреннего входного согласующего LC-звена располагаются контакты проводников (КП), соединяющих обкладку с эмиттерным выводом корпуса, и КП, соединяющих ее с эмиттерными областями транзисторных ячеек (ТЯ), причем некоторые из последних КП располагаются на металлизированных полосках (МП), ограниченных краем обкладки и перпендикулярными ему выемками

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и позволяет увеличить коэффициент усиления по мощности мощной высокочастотной транзисторной структуры (ТС), в соединении эмиттерных областей (ЭО) которой с конденсатором входной согласующей цепи, сформированным на поверхности той же полупроводниковой подложки, реализованы различные стабилизирующие сопротивления (СС)

Изобретение относится к технологии микроэлектроники

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании интегральных схем с элементами нанометровых размеров

Изобретение относится к микроэлектронике

Изобретение относится к электронным компонентам микросхем. Светотранзистор с высоким быстродействием, выполненный в виде биполярного транзистора с p-n-p или n-p-n-структурой, согласно изобретению в нем p-n-переход, на котором электроны переходят из p зоны в n зону, сформирован в виде светоизлучающего, а n-p-переход, на котором электроны переходят из n зоны в p зону - в виде фотопоглощающего, при этом они образуют интегральную оптопару внутри самого транзистора. Изобретение обеспечивает повышение быстродействия биполярных транзисторов в импульсном режиме работы. 1 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники. Биполярный транзистор СВЧ на основе гетероэпитаксиальных структур включает последовательно размещенные на подложке из монокристаллического кремния р-типа проводимости буферный слой из A1N, слой из поликристаллического алмаза, имеющий толщину, по меньшей мере, равную 0,1 мкм, нелегированный буферный слой из GaN, субколлекторный слой из GaN n+типа проводимости, коллектор из GaN n-типа проводимости, базу из твердого раствора AlуGa1-уN, промежуточный слой из AlуGa1-уN р+типа проводимости, эмиттер, включающий AlxGa1-xN n-типа проводимости, контактные слои, омические контакты и слои изолирующего диэлектрического покрытия из поликристаллического алмаза. Кроме того, составы слоев из AlxGa1-xN и AlуGa1-уN выполнены различающимися и с неодинаковой концентрацией легирующей примеси. Изобретение позволяет повысить выходную СВЧ-мощность, уменьшить значения емкости эмиттера, сопротивления базы, емкости коллектор-база, граничных состояний гетеропереходов и обеспечивает повышенные значения эффективности эмиттера, предельной частоты, а также обеспечивает эффективный отвод тепла от активной области транзистора. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для усиления СВЧ-электромагнитных колебаний. СВЧ-транзистор содержит базовую подложку из кремния, теплопроводящий поликристаллический слой алмаза, гетероэпитаксиальную структуру, буферный слой, исток, затвор, сток и омические контакты. При этом базовая подложка из кремния выполнена толщиной не более 10 мкм, слой теплопроводящего поликристаллического алмаза имеет толщину по меньшей мере равную 0,1 мм, а на поверхности гетероэпитаксиальной структуры, изготовленной из SiGe, последовательно размещены между истоком, затвором и стоком дополнительный слой теплопроводящего поликристаллического алмаза и барьерные слои из двуокиси гафния и из оксида алюминия, при этом барьерные слои из двуокиси гафния и оксида алюминия имеют суммарную толщину 1,0-4,0 нм, а, кроме того, они размещены под затвором, непосредственно на барьерном канале. Технический результат изобретения заключается в получении высоких значений напряжения пробоя, уровня СВЧ-мощности, низких значений шумов, теплового сопротивления, токов утечки и потребляемой мощности. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Наверх