Способ обнаружения скрытых дефектов матричного или линейного кремниевого моп мультиплексора



Способ обнаружения скрытых дефектов матричного или линейного кремниевого моп мультиплексора
Способ обнаружения скрытых дефектов матричного или линейного кремниевого моп мультиплексора
Способ обнаружения скрытых дефектов матричного или линейного кремниевого моп мультиплексора
Способ обнаружения скрытых дефектов матричного или линейного кремниевого моп мультиплексора
Способ обнаружения скрытых дефектов матричного или линейного кремниевого моп мультиплексора

 


Владельцы патента RU 2415493:

Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (RU)

Изобретение относится к технологии изготовления и способам тестирования МОП мультиплексоров. Сущность изобретения: в способе обнаружения скрытых дефектов матричного или линейного кремниевого МОП мультиплексора, заключающемся в том, что на кремниевой пластине с годными МОП мультиплексорами вскрывают окна в защитном слое окисла к металлизированным площадкам истоков МОП транзисторов и подложке, наносят слой индия толщиной, равной высоте индиевых столбиков, необходимой для стыковки МОП мультиплексора со столбиками кристалла фоточувствительного элемента, формируют на слое индия рельеф высотой 3…4 мкм в местах будущих столбиков, формируют область индия, которая закорачивает все истоки МОП транзисторов на подложку, проводят контроль годных кристаллов с обнаружением скрытых дефектов формируют индиевые столбики высотой, необходимой для стыковки МОП мультиплексора со столбиками кристалла фоточувствительного элемента. Способ прост и является частью технологического процесса изготовления столбиков. 5 ил.

 

Изобретение относится к технологии изготовления и способам тестирования МОП мультиплексоров.

В настоящее время широко используется способ изготовления гибридных ИК МФПУ методом перевернутого монтажа фоточувствительных элементов с МОП мультиплексором при помощи индиевых столбиков. После стыковки часто обнаруживаются электрические дефекты МОП мультиплексора, не фиксируемые до стыковки. Например, электрическое короткое замыкание исток-стока входного МОП транзистора в ячейке считывания фотосигнала.

Известно, что для выявления упомянутого выше дефекта используется введение дополнительных МОП транзисторов между истоками и подложкой в каждой ячейке, которые при открывании закорачивают все истоки ["Low-Bias CTIA Multiplexer for 1024 Element InGaAs Line Sensors". Walter F.Kosonocky and etc. SPIE v.2226, p.152, 23.06.1994 г.].

Указанный метод обнаружения дефектов имеет следующий недостаток: введение дополнительных МОП транзисторов и управляющих шин к ним уменьшает полезную площадь в ячейке и снижает процент выхода годных.

Задачей изобретения является упрощение технологии тестирования кремниевых МОП мультиплексоров на предмет обнаружения электрических дефектов.

Технический результат достигается тем, что:

на металлизированные площадки истоков, вскрытые в окисле, наносят слой индия толщиной 9…10 мкм, равной высоте In столбиков, необходимой для последующей стыковки МОП мультиплексора со столбиками кристалла фоточувствительного элемента;

- при помощи фотолитографической обработки по слою индия толщиной 9…10 мкм формируют индиевый рельеф высотой 3…4 мкм в местах будущих In столбиков;

- при помощи фотолитографической обработки формируют в каждой матрице область индия с рельефом, которая закорачивает все истоки МОП транзисторов на подложку;

- контролируют функционирование мультиплексора и фиксируют наличие дефектов, в том числе и электрические закоротки исток-сток, которые не проявлялись при контроле функционирования без индия;

- далее методом фотолитографии формируют индиевые столбики высотой, равной толщине напыленной пленки индия 9…10 мкм.

Последовательность технологической цепочки предлагаемого способа иллюстрируется на фиг.1-5, где

1 - фрагмент кремниевой пластины с годным кристаллом МОП мультиплексора;

2 - слой защитного окисла;

3 - контактные окна к металлизированным площадкам истоков МОП транзисторов;

4 - контактное окно к подложке;

5 - слой индия толщиной 9…10 мкм;

6 - слой индия с рельефом высотой 3…4 мкм в местах будущих столбиков;

7 - область индия, сформированная фотолитографической обработкой, для закорачивания всех истоков МОП транзисторов мультиплексора на подложку;

8 - контактные площадки для контроля функционирования МОП мультиплексора;

9 - индиевые столбики высотой 9…10 мкм.

Способ обнаружения скрытых дефектов МОП мультиплексоров осуществляется в следующей последовательности:

- на кремниевой пластине с годными МОП мультиплексорами вскрывают окна в защитном слое окисла к металлизированным площадкам истоков МОП транзисторов и подложке (фиг.1);

- напыляют слой индия толщиной 9…10 мкм, равной высоте In столбиков, необходимой для последующей стыковки МОП мультиплексора со столбиками кристалла фоточувствительного элемента (фиг.2);

- проводят фотолитографическую обработку по слою индия для создания рельефа высотой 3…4 мкм в местах будущих столбиков (фиг.3);

- проводят фотолитографическую обработку по оставшемуся слою индия для получения области индия, которая закорачивает все истоки МОП транзисторов на подложку (фиг.4);

- проводят контроль функционирования годных МОП мультиплексоров с выявлением скрытых дефектов - закороток исток-сток;

- осуществляют фотолитографическую обработку по слою индия для формирования столбиков, резка пластин на кристаллы, осуществляется травление индия для формирования столбиков высотой 9…10 мкм (фиг.5).

Предлагаемый способ обнаружения дефектов гармонично вписывается в технологию изготовления МОП мультиплексоров.

Изготовлены экспериментальные образцы кремниевых МОП мультиплексоров с проведением тестирования на предмет обнаружения скрытых дефектов методом закорачивания истоков МОП транзисторов на подложку слоем индия.

Способ обнаружения скрытых дефектов матричного или линейного кремниевого МОП мультиплексора, заключающийся в том, что на кремниевой пластине с годными МОП мультиплексорами вскрываются окна в защитном слое окисла к металлизированным площадкам истоков МОП транзисторов и подложке, наносится слой индия толщиной, равной высоте индиевых столбиков, необходимой для стыковки МОП мультиплексора со столбиками кристалла фоточувствительного элемента, формируют на слое индия рельеф высотой 3÷4 мкм в местах будущих столбиков, формируют область индия, которая закорачивает все истоки МОП транзисторов на подложку, проводят контроль годных кристаллов с обнаружением скрытых дефектов, формируют индиевые столбики высотой, необходимой для стыковки МОП мультиплексора со столбиками кристалла фоточувствительного элемента.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к устройствам, используемым в полупроводниковом производстве, и может быть применено для климатических испытаний готовых полупроводниковых приборов при одновременном измерении их электрических параметров.

Изобретение относится к методам определения коэффициента диффузии примесных атомов в полупроводнике и позволяет по данным вольт-фарадной характеристики p-n перехода и математической модели процесса диффузии, в результате которого создан p-n переход, определять концентрационные профили введенной в полупроводник примеси.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в автоматизированных системах контроля, анализа и управления групповыми технологическими процессами изготовления резистивных компонентов интегральных схем микроэлектронной аппаратуры.
Изобретение относится к процессам обработки поверхности кремниевых пластин для выявления эпитаксиальных дефектов дислокаций. .

Изобретение относится к испытаниям сохраняемости инфракрасного (ИК) многоэлементного фотоприемного устройства (МФПУ), содержащего клеевые соединения в вакуумированной полости, с рабочей температурой фоточувствительных элементов ниже температуры окружающей среды, предназначенного для регистрации ИК-излучения.

Изобретение относится к измерительной технике, к способам оптико-физических измерений, базирующихся на эллипсометрии, и предназначено для контроля состава материала по толщине выращиваемых слоев с градиентом состава.

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля профиля легирования в полупроводниках. .

Изобретение относится к области тестирования МОП мультиплексоров. .

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в производстве оптоэлектронных и оптических компонентов на этапах проектирования изделий и тестирования заготовок.

Изобретение относится к области металлургии, в частности к иридиевым сплавам для проволочной заготовки для штырей зонда

Изобретение относится к технологии изготовления и способам тестирования МОП мультиплексоров

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при исследовании как полупроводниковых материалов, так и полупроводниковых приборов, созданных на их основе

Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для бесконтактного определения времени жизни неравновесных носителей заряда в тонких полупроводниковых пластинках

Изобретение относится к области измерительной техники, к измерению электрофизических параметров (ЭФП) полупроводниковых транзисторных структур и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к устройствам контроля и диагностики полупроводниковых изделий (ППИ), таких как диоды, транзисторы и интегральные схемы

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для контроля надежности металлизации, а именно металлической разводки, при производстве интегральных микросхем
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для контроля качества проводящих слоев и поверхностей полупроводниковых пленок, применяемых при изготовлении изделий микроэлектроники
Наверх