Способ получения нанопорошка селенотеллурида цинка


 


Владельцы патента RU 2415805:

Учреждение Российской академии наук Институт физики твердого тела РАН (ИФТТ РАН) (RU)

Способ получения нанопорошка селенотеллурида цинка состава ZnSe1-xTex относится к области получения сцинтилляционных материалов и может быть использован в нанотехнологиях, связанных с применением нанопорошков. Технический результат - получение нанопорошка селенотеллурида цинка состава ZnSe1-xTex (х=0,02-0,03), обладающего люминесценцией в диапазоне длин волн 600-640 нм. Получение нанопорошка селенотеллурида цинка проводится путем осаждения из газовой фазы в потоке гелия. При этом источник испарения имеет состав ZnSe1-xTex (х=0,08-0,12), температура источника испарения составляет 1130-1190°С, температура в зоне осаждения 110-150°С, а скорость потока гелия должна находится в интервале 4000-5000 мл/мин. Таким образом получается нанопорошок селенотеллурида цинка, имеющий состав ZnSe1-xTex (х=0,02-0,03) с размером частиц основной фракции 2-10 нм. 1 ил., 1 табл.

 

Изобретение относится к области получения сцинтилляционных материалов и может быть использовано в нанотехнологиях, связанных с применением полупроводниковых нанопорошков.

Селенотеллурид цинка - широко распространенный сцинтиллятор, применяемый для регистрации ультрафиолетового, рентгеновского и гамма-излучений. Оптимальный состав материала - ZnSe1-xTex(x=0,02-0,03), а основной метод изготовления - выращивание объемных кристаллов из расплава модифицированным способом Бриджмена. Следует отметить, что при х<0,02 интенсивность люминесценции ZnSe1-xTex падает, а при х>0,03 обычно не наблюдается существенного увеличения интенсивности, но растет себестоимость материала (стоимость теллура выше, чем стоимость селена).

Быстрое развитие нанотехнологий вызывает интерес к нанокристаллам сцинтилляторов, в частности к нанопорошкам.

Известен способ получения нанокристаллов ZnSe1-xTex [Li С., Nishikawa К., Ando M., Enomoto H., Murase N. Synthesis of Cd-free water-soluble ZnSe(1-x)Te(x) nanocrystals with high luminescence in the blue region. J. Colloid Interface Sci., 321(2):468-476, 2008](аналог). Способ включает получение наночастиц ZnSe1-xTex (0≤х≤0,5) с размерами около 2 нм путем осаждения из растворов сложного состава с последующей тепловой обработкой и позволяет изготавливать нанокристаллы ZnSe1-xTex, покрытые оболочкой из сульфида цинка. Основной недостаток способа - невозможность выделения нанокристаллов ZnSe1-xTex в чистом виде из-за неизбежного осаждения из раствора толстого слоя ZnS на поверхности наночастиц ZnSe1-xTex при тепловой обработке. Существенным недостатком также является люминесценция таких нанокристаллов в голубой области видимого спектра (максимум полосы соответствует длине волны 448 нм). Чистый ZnSe1-xTex люминесцирует в диапазоне длин волн 600-640 нм, т.е. в красной области видимого спектра. Соответственно, существующая регистрирующая техника, разработанная для применения со сцинтилляторами на основе ZnSe1-xTex, предназначена для работы именно в этом спектральном диапазоне.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является способ получения нанопорошка теллурида цинка-кадмия состава Cd0.9Zn0.1Te [Н.Н.Колесников, В.В.Кведер, Д.Н.Борисенко, Е.Б.Борисенко, В.К.Гартман, А.В.Тимонина. Способ получения нанопорошка теллурида цинка-кадмия состава Cd0.9Zn0.1Te. Патент РФ на изобретение №2307785] (прототип), включающий осаждение из газовой фазы в потоке гелия с использованием реактора с источником испарения. При этом источник испарения имеет состав Cd0.5Zn0.5Te, температура источника паров составляет 800-850°С, температура в зоне осаждения нанопорошка 540-610°С, а скорость потока гелия 1000-1500 мл/мин.

Основным недостатком этого способа является то, что он не позволяет получать нанопорошок ZnSe1-xTex.

Задачей данного изобретения является получение нанопорошка селенотеллурида цинка с составом ZnSe1-xTex (х=0,02-0,03), обладающего люминесценцией в диапазоне длин волн 600-640 нм.

Эта задача решается в предлагаемом способе получения нанопорошка селенотеллурида цинка путем осаждения из газовой фазы в потоке гелия с использованием реактора с источником испарения. При этом источник испарения имеет состав ZnSe1-xTex (х=0,08-0,12), температура источника испарения 1130-1190°С, температура в зоне осаждения 110-150°С, а скорость потока гелия 4000-5000 мл/мин.

Такой способ позволяет получать нанопорошок селенотеллурида цинка состава ZnSe1-xTex (х=0,02-0,03) и с размером частиц 2-10 нм. Нанопорошок обладает люминесценцией в диапазоне длин волн 600-640 нм (максимум полосы соответствует длине волны 630 нм), что иллюстрируется чертежом, где представлены спектры люминесценции объемного кристалла ZnSe0.979Te0.021 и нанопорошка селенотеллурида цинка того же состава, полученные при оптическом (ультрафиолетовом, длина волны 285 нм) возбуждении. Следует отметить, что интенсивность люминесценции нанопорошка примерно в 2 раза выше, чем у объемного кристалла, что хорошо видно на графике.

Состав источника испарения выбран экспериментально, что иллюстрируется таблицей.

Как видно из таблицы, строка 1, при составе источника испарения ZnSe1-хТех (х=0,07) состав нанопорошка в зоне осаждения не соответствует заданному. Такое низкое содержание теллура в нанопорошке (ZnSe1-xTex, х=0,009) приводит к значительному снижению интенсивности люминесценции.

При увеличении содержания теллура в материале источника испарения до ZnSe1-xTex (х=0,08) состав нанопорошка в зоне осаждения соответствует заданному (строка 2 таблицы) и остается в требуемом интервале х=0,02-0,03 при дальнейшем увеличении концентрации теллура в материале источника вплоть до ZnSe1-xTex (x=0,12) (строки 3 и 4 таблицы). Однако уже при составе источника ZnSe1-xTex (x=0,13) состав нанопорошка выходит за границу заданного интервала. При этом наблюдается осаждение не только нанопорошка ZnSe1-xTex, но и соосаждение наночастиц теллурида цинка. Следует отметить, что присутствие свободного ZnTe в ZnSe1-xTex значительно ухудшает сцинтилляционные характеристики материала, так как теллурид цинка частично поглощает излучение с длинами волн в интервале 600-640 нм.

Состав источника испарения Состав нанопорошка в зоне осаждения
1 ZnSe1-xTex (х=0,07) ZnSe1-xTex (х=0,009)
2 ZnSe1-xTex (x=0,08) ZnSe1-xTex (х=0,021)
3 ZnSe1-xTex (х=0,10) ZnSe1-xTex (х=0,026)
4 ZnSe1-xTex (х=0,12) ZnSe1-xTex (х=0,029)
5 ZnSe1-xTex (х=0,13) Смесь нанопорошка ZnSe1-xTex (х=0,034) и наночастиц теллурида цинка

Эти экспериментальные результаты можно объяснить следующим. В литературе многократно описана полная или частичная диссоциация халькогенидов цинка на компоненты при испарении (см., например, N.N.Kolesnikov, R.В.James, N.S.Berzigiarova, M.P.Kulakov. HPVB and HPVZM shaped growth of CdZnTe, CdSe and ZnSe crystals. X-ray and gamma-ray detectors and applications IV. Proc. SPIE, 2002, v. 4787, p.93-104). В условиях предлагаемого процесса испаряющийся материал источника диссоциирует с образованием паров теллурида цинка и селенида цинка. Пары, переносимые в зону осаждения потоком гелия, вновь реагируют с образованием селенотеллурида цинка. Однако скорости переноса паров ZnSe и ZnTe различны и температуры конденсации паров также не совпадают (теллурид цинка конденсируется при более высокой температуре, чем ZnSe). Поэтому теллурид цинка осаждается, в основном, в коллекторе перед зоной осаждения (со стороны реактора), и лишь часть паров ZnTe попадает в зону осаждения, где реагирует с газообразным ZnSe. (Чистый ZnTe по окончании процесса может быть извлечен из коллектора и повторно использован для синтеза материала-источника). Содержание паров ZnTe в зоне осаждения и, следовательно, концентрация теллура в нанопорошке растет пропорционально с увеличением содержания Те в источнике паров. При относительно небольших концентрациях теллура в источнике, т.е. при составах источника ZnSe1-xTex (х≤0,12), реакция паров ZnSe и ZnTe в зоне осаждения протекает полностью, но при дальнейшем росте содержания паров ZnTe в зоне осаждения полнота протекания реакции уже не обеспечивается в условиях процесса и происходит соосаждение наночастиц селенотеллурида цинка и чистого ZnTe.

Температура источника испарения 1130-1190°С выбрана экспериментально. При температурах ниже 1130°С материал источника диссоциирует, однако ZnTe практически не испаряется и в зоне осаждения образуется только нанопорошок ZnSe. При температурах выше 1190°С возрастает скорость испарения источника, что приводит к более интенсивному поступлению паров ZnTe в зону осаждения и вызывает соосаждение наночастиц селенотеллурида цинка и ZnTe.

Температура в зоне осаждения 110-150°С выбрана экспериментально. При температурах ниже 110°С нанопорошок не образуется. В зоне осаждения растут микрокристаллы с размерами от 0,3-0,5 до 1-3 мкм. При температурах выше 150°С нанопорошок не образуется, так как пары ZnSe и ZnTe практически не реагируют в газовой фазе, а уносятся потоком гелия в коллектор за зоной осаждения, где они конденсируются раздельно.

Скорость потока гелия 4000-5000 мл/мин выбрана экспериментально. При снижении скорости ниже 4000 мл/мин подача паров от источника в зону осаждения существенно замедляется и скорость образования нанопорошка теллурида цинка-кадмия падает ниже целесообразной. При увеличении скорости потока выше 5000 мл/мин значительная часть паров не успевает реагировать в зоне осаждения и уносится потоком гелия в коллектор за зоной осаждения.

Пример 1.

Навеска селенотеллурида цинка с составом ZnSe0,92Te0,08 помещается в зону испарения реактора. Реактор разогревается так, что температура в зоне испарения составляет 1190°С, а в зоне осаждения равна 150°С. В реактор подается газообразный гелий со скоростью 5000 мл/мин. По окончании процесса из зоны осаждения извлекается нанопорошок селенотеллурида цинка с составом ZnSe0,979Te0,021 и с размером частиц основной фракции 6-10 нм. Нанопорошок обладает люминесценцией в диапазоне длин волн 600-640 нм (максимум полосы соответствует длине волны 630 нм).

Пример 2.

Навеска селенотеллурида цинка с составом ZnSe0,9Te0,1 помещается в зону испарения реактора. Реактор разогревается так, что температура в зоне испарения составляет 1160°С, а в зоне осаждения равна 130°С. В реактор подается газообразный гелий со скоростью 4500 мл/мин. По окончании процесса из зоны осаждения извлекается нанопорошок селенотеллурида цинка состава ZnSe0,974Te0,026 и с размером частиц основной фракции 4-8 нм. Нанопорошок обладает люминесценцией в диапазоне длин волн 600-640 нм (максимум полосы соответствует длине волны 630 нм).

Пример 3.

Навеска селенотеллурида цинка с составом ZnSe0,88Te0,12 помещается в зону испарения реактора. Реактор разогревается так, что температура в зоне испарения составляет 1130°С, а в зоне осаждения равна 110°С. В реактор подается газообразный гелий со скоростью 4000 мл/мин. По окончании процесса из зоны осаждения извлекается нанопорошок селенотеллурида цинка с составом ZnSe0.971Te0.029 и с размером частиц основной фракции 2-6 нм. Нанопорошок обладает люминесценцией в диапазоне длин волн 600-640 нм (максимум полосы соответствует длине волны 630 нм).

Способ получения нанопорошка селенотеллурида цинка с составом ZnSe1-xTex осаждением из газовой фазы в потоке гелия с использованием реактора с источником испарения, отличающийся тем, что источник испарения имеет состав ZnSe1-xTex (х=0,08-0,12), а процесс проводится при температуре источника испарения 1130-1190°С, температуре в зоне осаждения 110-150°С и скорости потока гелия 4000-5000 мл/мин.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к обработке металлов давлением с использованием интенсивной пластической деформации и предназначено для получения нанокристаллической структуры материалов с увеличенным уровнем механических свойств.
Изобретение относится к области получения алмазов в нанометровом диапазоне характерных размеров. .

Изобретение относится к области приготовления металл-углеродных композиций. .

Изобретение относится к катализаторам для производства углеродных нанотрубок. .

Изобретение относится к способу изучения поверхности тела методом атомно-силовой микроскопии и может применяться в нанотехнологиях и материаловедении. .

Изобретение относится к области электронной техники, микро- и наноэлектроники и может быть использовано для исследования энергетического спектра электронных состояний, носителей заряда в отдельно взятых наноструктурах или нанообъектах, локального исследования дефектов с глубокими уровнями в полупроводниковых материалах.

Изобретение относится к области машиностроительной керамики, в частности к керамоматричному композиционному материалу на основе карбида кремния, упрочненного углеродными волокнами.

Изобретение относится к области нанотехнологии, преимущественно для получения кластеров кремния, которые могут быть использованы в различных отраслях производства, например, в оптоэлектронике, для изготовления солнечных батарей, в медицине, биотехнологии и т.п.

Изобретение относится к плазмохимической промышленности, в том числе к плазмохимическому синтезу с использованием индукционных разрядов трансформаторного типа низкого давления.

Изобретение относится к способу получения модифицированного неорганического кислородсодержащего зернистого материала
Изобретение относится к слоям или покрытиям, препятствующим осаждению кристаллов на субстрате

Изобретение относится к области разработки металлизированных смесевых твердых топлив

Изобретение относится к средствам вычислительной техники и может быть использовано в оптических устройствах обработки информации при разработке и создании оптических вычислительных машин и приемопередающих устройств
Изобретение относится к синтетической полимерной химии
Изобретение относится к медицине, конкретно к фармакологии и эндокринологии
Изобретение относится к области медицины и реабилитации (восстановительного лечения) и может быть использовано для антисептической обработки поверхностей изделий из полимерных материалов медицинского назначения, используемых в малой ортопедии
Изобретение относится к области порошковой металлургии редких металлов (цирконий, гафний, ниобий, тантал), используемых в производстве жаропрочных коррозионно- и радиационно стойких сплавов для атомной, авиационной, химической промышленности, высокодисперсных и электролитических порошков для пиротехники и электроники

Изобретение относится к области получения оптических сред, включая среды с избирательным пропусканием, с высокой лучевой прочностью
Наверх