Способ подавления параметрической неустойчивости неоднородной плазмы и устройство для его реализации


 

H05H1/24 - Плазменная техника (термоядерные реакторы G21B; ионно-лучевые трубки H01J 27/00; магнитогидродинамические генераторы H02K 44/08; получение рентгеновского излучения с формированием плазмы H05G 2/00); получение или ускорение электрически заряженных частиц или нейтронов (получение нейтронов от радиоактивных источников G21, например G21B,G21C, G21G); получение или ускорение пучков нейтральных молекул или атомов (атомные часы G04F 5/14; устройства со стимулированным излучением H01S; регулирование частоты путем сравнения с эталонной частотой, определяемой энергетическими уровнями молекул, атомов или субатомных частиц H03L 7/26)

Владельцы патента RU 2427110:

Государственное научное учреждение "Институт физики имени Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси" (BY)

Изобретение относятся к области плазменной техники, в частности к способам нелинейного взаимодействия мощного электромагнитного излучения с плазмой и нагрева плазмы электромагнитным излучением, а также к устройствам для их осуществления. Технический результат - увеличение эффективности нагрева плазмы. Для подавления абсолютной параметрической неустойчивости в плазме, которая возбуждается при нагреве плазмы СВЧ излучением в области резонанса на плазменной частоте, кроме СВЧ волны накачки в подводящий волновод подается дополнительная СВЧ волна, частота которой больше или меньше частоты СВЧ волны накачки на величину порядка 0.95÷1 МГц, а ее мощность равна 1÷10 мВт и составляет 5÷50% от уровня порога развития абсолютной параметрической неустойчивости вынужденного рассеяния назад, возбуждаемой СВЧ волной накачки, что приводит к подавлению абсолютной параметрической неустойчивости более чем на три порядка величины и, как следствие, к увеличению эффективности нагрева плазмы. Устройство содержит объем с неоднородной плазмой в магнитном поле, подводящий и принимающий волноводы, генератор СВЧ волны накачки и генератор дополнительной СВЧ волны, узкополосный фильтр, СВЧ детектор, СВЧ тройник, ферритовые вентили. Выход генератора дополнительной СВЧ волны через ферритовый вентиль подключен к входу СВЧ тройника. Выход генератора СВЧ волны накачки через ферритовый вентиль подключен ко второму входу СВЧ тройника. Выход СВЧ тройника соединен с подводящим волноводом, который подводит СВЧ излучение на двух частотах к плазменному объему. Принимающий волновод через ферритовый вентиль подключен к узкополосному фильтру. Выход фильтра подключен к СВЧ детектору, позволяющему контролировать уровень параметрически рассеянного сигнала. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.

 

Изобретение относятся к области плазменной техники, в частности к способам нелинейного взаимодействия мощного электромагнитного излучения с плазмой и нагрева плазмы электромагнитным излучением, а также к устройствам для их осуществления, и может быть использовано для управления абсолютной параметрической неустойчивостью в неоднородной плазме.

Известны способ и устройство подавления абсолютной параметрической неустойчивости в плазме с использованием гармонической частотной модуляции накачки для управления параметрическими неустойчивостями в плазме [1], содержащие объем с неоднородной плазмой в магнитном поле, волноводный тракт, свип-генератор, генератор зондирующей волны, ВЧ (высокие частоты) генератор, ферритовые вентили. Для достижения максимального подавления абсолютной параметрической неустойчивости необходим ручной подбор частоты модуляции СВЧ (сверхвысокие частоты) мощности свип-генератора.

Наиболее близким по технической сущности к заявляемому изобретению являются способ и устройство подавления абсолютной параметрической неустойчивости в плазме с использованием частотной модуляции СВЧ волны накачки с управлением по обратной связи для управления параметрическими неустойчивостями в плазме [2], содержащие объем с неоднородной плазмой в магнитном поле, подводящий и принимающий волноводы, свип-генератор, генератор зондирующей волны, узкополосный фильтр, СВЧ детектор, СВЧ тройник, ферритовые вентили. Недостатком данного способа и устройства является то, что частотная модуляция волны накачки трудно реализуема при высоких (лазерных) частотах, а также в случае мощных генераторов микроволн.

Задачей данного изобретения является подавление абсолютной параметрической неустойчивости неоднородной плазмы, возбуждающейся при воздействии на плазму мощного электромагнитного излучения (СВЧ и лазерного) с целью увеличения эффективности нагрева плазмы.

Задача решается за счет того, что в предлагаемом способе подавления абсолютной параметрической неустойчивости неоднородной плазмы, возбуждаемой СВЧ волной накачки, в плазму одновременно с СВЧ волной накачки через подводящий волновод подают дополнительную СВЧ волну, частота которой больше или меньше частоты СВЧ волны накачки на величину порядка 0.95÷1 МГц, мощность дополнительной СВЧ волны равна 1÷10 мВт и составляет 5÷50% от уровня порога образования абсолютной параметрической неустойчивости вынужденного рассеяния назад СВЧ волны накачки.

Для осуществления предложенного способа предлагается устройство, включающее объем с неоднородной плазмой в магнитном поле, генератор СВЧ волны накачки, подводящий и принимающий волноводы, узкополосный фильтр, СВЧ детектор, СВЧ тройник, ферритовые вентили, содержит генератор дополнительной СВЧ волны, соединенный с подводящим волноводом через СВЧ тройник.

Предлагаемый способ и устройство для его реализации позволяют уменьшить уровень параметрически рассеянного сигнала более чем на три порядка величины и, как следствие, увеличить эффективность нагрева плазмы.

На чертеже представлена общая схема устройства.

Устройство включает объем 1 с неоднородной плазмой в магнитном поле, подводящий волновод 2, принимающий волновод 3, генератор СВЧ волны накачки 4, генератор дополнительной СВЧ волны 5, узкополосный фильтр 6, СВЧ детектор (анализатор спектра) 7, СВЧ тройник 8, ферритовые вентили 9, 10, 11.

Согласно изобретению выход генератора СВЧ волны накачки 4 через вентиль 11 подключен ко входу В СВЧ тройника 8, а выход генератора дополнительной СВЧ волны 5 через вентиль 9 подключен ко входу А СВЧ тройника 8. Выход СВЧ тройника соединен с подводящим волноводом 2, который подводит СВЧ излучение к плазменному объему 1. Принимающий волновод 3 через СВЧ вентиль 10 подключен к узкополосному фильтру 6. Выход узкополосного фильтра 6 подключен к СВЧ детектору (анализатору спектра) 7.

Устройство работает следующим образом.

Неоднородная вдоль магнитного поля плазма создается в объеме 1. Дополнительно плазма нагревается СВЧ излучением в области гибридного резонанса на плазменной частоте. При мощности выше пороговой (пороговая мощность порядка 20 мВт) возбуждается абсолютная параметрическая неустойчивость вынужденного рассеяния назад, приводящая к снижению эффективности нагрева. Для подавления абсолютной параметрической неустойчивости в плазме одновременно с СВЧ волной накачки в подводящий волновод подается дополнительная СВЧ волна на смещенной частоте, мощность которой меньше пороговой мощности возбуждения абсолютной параметрической неустойчивости вынужденного рассеяния назад. Для получения дополнительной СВЧ волны, подаваемой вместе с СВЧ волной накачки, согласно изобретению, используется генератор дополнительной СВЧ волны 5, частота генерации которого больше или меньше частоты СВЧ волны накачки на величину порядка 0.95÷1 МГц. Мощность генератора дополнительной СВЧ волны ниже порога развития абсолютной параметрической неустойчивости. Рассеянный сигнал накачки через волновод 3 подается на узкополосный фильтр 6 и детектируется СВЧ детектором 7. В процессе фильтрации и детектирования из СВЧ сигнала выделяется ВЧ компонента, несущая информацию о спектре и уровне ионно-звуковых волн, возбуждаемых в результате параметрического рассеяния СВЧ накачки.

При практическом осуществлении модели плазма (концентрация электронов ~1012 см-3) создается в кварцевом баллоне 1 с внутренним диаметром 2r0=1.8 см и длиной около 1 м, наполненном аргоном при давлении ~3 Па и помещенном в магнитное поле напряженностью ~ 3 кГс, СВЧ излучением частотой 9,9 ГГц, в результате электронного циклотронного пробоя.

Дополнительно по волноводу 2 от генератора СВЧ волны накачки 4 к плазме подводится СВЧ излучение частотой 2.35 ГГц и мощностью порядка 40 мВт. Под действием этой мощности в плазме возбуждается абсолютная распадная параметрическая неустойчивость вынужденного рассеяния назад (l0→l'+s), препятствующая дальнейшему нагреву плазмы за счет параметрического отражения волны накачки. При этом в спектре рассеянного сигнала, кроме основной частоты fн, наблюдается сигнал на смещенной частоте fн-fs, (fs~3 МГц).

Для подавления абсолютной параметрической неустойчивости вынужденного рассеяния назад, кроме СВЧ волны накачки на частоте 2.35 ГГц, по подводящему волноводу 2 к плазме подводится дополнительная СВЧ волна на смещенной частоте fд, мощность которой 10 мВт. Эта мощность меньше пороговой мощности возбуждения абсолютной параметрической неустойчивости вынужденного рассеяния назад. Для получения дополнительной СВЧ волны, согласно изобретению, используется генератор дополнительной СВЧ волны 5, частота генерации которого больше или меньше частоты генерации генератора СВЧ волны накачки 4 на величину порядка 0.95÷1 МГц.

Рассеянный сигнал накачки, несущий информацию об абсолютной параметрической неустойчивости, выделяется фильтром 6 (с полосой пропускания ~ 200 кГц) и подается на СВЧ детектор 7.

Использование способа и устройства позволяет уменьшить уровень параметрически рассеянного сигнала более чем на три порядка величины, а следовательно, подавить абсолютную параметрическую неустойчивость и увеличить эффективность нагрева плазмы.

Источники информации

1. Архипенко В.И., Будников В.Н., Гусаков Е.З. и др. Параметрическая распадная неустойчивость неоднородной плазмы при частотно-модулированной накачке // Физика плазмы, 2000, т.26, с.340-345.

2. Патент №4557 Республики Беларусь, МКИ8: Н05Н 1/24 Устройство для подавления параметрической неустойчивости в плазме (прототип).

1. Способ подавления абсолютной параметрической неустойчивости неоднородной плазмы, возбуждаемой СВЧ-волной накачки, отличающийся тем, что одновременно с СВЧ-волной накачки в подводящий волновод подают дополнительную СВЧ-волну, частота которой больше или меньше частоты СВЧ-волны накачки на величину порядка 0.95÷1 МГц, а ее мощность равна 1÷10 мВт и составляет 5÷50% от уровня порога образования абсолютной параметрической неустойчивости вынужденного рассеяния назад, возбуждаемой СВЧ-волной накачки.

2. Устройство для подавления параметрической неустойчивости неоднородной плазмы, включающее объем с неоднородной плазмой в магнитном поле, генератор СВЧ-волны накачки, подводящий и принимающий волноводы, узкополосный фильтр, СВЧ-детектор, СВЧ-тройник, ферритовые вентили, отличающееся тем, что содержит генератор дополнительной СВЧ-волны, соединенный с подводящим волноводом через СВЧ-тройник.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к энергетике и может быть использовано для получения тепловой энергии:- автономно для подачи перегретого пара на промышленные и бытовые теплообменники, турбоустановки, турбогенераторы и другие потребители перегретого водяного пара;- в ядерных энергетических установках с реакторами типа ВВЭР как для непосредственного перегрева насыщенного пара, так и для смешения насыщенного пара с перегретым паром с целью повышения коэффициента полезного действия, увеличения мощности, сокращения расхода охлаждающей воды, понижение влажности пара перед последними ступенями турбин, что позволит заменить турбины влажного пара на турбины перегретого пара для атомных электрических станций и транспортных установок, например, судовых и корабельных с повышением коэффициента полезного действия, мощности, надежности и безопасности эксплуатации;- по мощности и своим весогабаритным характеристикам энергетическая установка может быть использована в транспортных энергоустановках железнодорожного типа;- при заводском блочном исполнении агрегатов установки она может доставляться на стройплощадку посредством: автомобильного транспорта, например трейлер с тягачом типа «Faun», воздушным транспортом транспортным самолетом типа «Руслан», экранопланом, водным транспортом речным и морским.

Изобретение относится к области космической техники и может быть использовано при разработке, наземных испытаниях и эксплуатации электрореактивных двигателей (ЭРД), а также в области прикладного применения плазменных ускорителей.

Изобретение относится к области космической техники и может быть использовано при разработке электроракетных двигателей, а также в технологических плазменных ускорителях, применяемых в вакуумно-плазменной технологии.

Изобретение относится к плазменной технике. .

Изобретение относится к нанотехнологии. .
Изобретение относится к плазменной сварке металлов электродуговыми плазмотронами и может быть использовано в зубопротезном и ювелирном деле, машиностроении, приборостроении и производстве искусственных волокон.

Изобретение относится к области электрореактивных двигателей, а именно к классу плазменных ускорителей (холловских, ионных), использующих в своем составе катоды. .

Изобретение относится к медицинской технике, а именно к устройствам для получения электронных пучков или пучков рентгеновских лучей для внутритканевой и интраоперационной лучевой терапии.

Изобретение относится к плазменной технике и может быть использовано для создания высокояркостных источников оптического излучения

Изобретение относится к технологии поверхностной упрочняющей обработки режущих инструментов и может быть использовано в машиностроении и инструментальной промышленности

Изобретение относится к области плазменных технологий, в частности к способам и устройствам для проведения генерации низкотемпературной плазмы в больших объемах

Изобретение относится к ракетно-космической технике (РКТ) и может быть использовано в ионных электрических ракетных двигателях (ЭРД)

Изобретение относится к области физики плазмы

Изобретение относится к области генерации СВЧ-плазмы и может быть использовано в системах зажигания и стабилизации горения в автомобильной промышленности, в авиационном и энергетическом двигателестроении, в плазменной аэродинамике, в СВЧ-плазмохимии и в широком спектре других плазменных технологий, использующих плазму газового СВЧ-разряда

Изобретение относится к способу обработки поверхности металлов плазменной струей и может быть использовано в машиностроении, коммунальном хозяйстве, строительстве, ювелирном и зубопротезном деле, а также в бытовых условиях для сварки, резки, наплавки и закалки металлов

Изобретение относится к области электрореактивных двигателей, а именно к широкому классу плазменных двигателей (холловских, ионных), использующих в своем составе катоды

Изобретение относится к получению тепла, образующегося иначе, чем в процессах горения

Изобретение относится к плазменной технике
Наверх