Кассета диффузионной обработки полупроводниковых пластин


 


Владельцы патента RU 2432637:

Скачкова Дарья Александровна (RU)
Скорова Галина Валериановна (RU)
Сейфединова Рушания Мансуровна (RU)
Максимова Валентина Дмитриевна (RU)
Широкова Марина Валентиновна (RU)
Зайцев Игорь Иванович (RU)
Сорокин Юрий Иванович (RU)

Изобретение относится к устройствам, предназначенным для удержания полупроводниковых пластин во время диффузионной обработки. Сущность изобретения: кассета для диффузионной обработки полупроводниковых пластин содержит четыре параллельных цилиндрических стержня с пазами. Верхний из стержней выполняет функцию крышки и расположен с возможностью крепления с противоположных торцов после размещения в кассете пластин, нижний - выполняет функцию дна кассеты, а пазы в обоих боковых стержнях имеют в сечении П-образную форму. Стержни выполнены из нелегированного поликристаллического кремния, глубина пазов всех стержней составляет 1/2 диаметра стержней. Стержни расположены так, что поперечная плоскость сечения стержней перпендикулярна их продольным осям, а поперечное сечение каждого стержня имеет форму круга, диаметр цилиндрических стержней составляет 0,8-1,2 см. Боковые и нижний стержни размещены относительно друг друга и полупроводниковых пластин таким образом, что центры каждого круга в плоскости поперечного сечения стержней расположены в вершинах правильного пятиугольника, вписанного в окружность, диаметр которой равен диаметру полупроводниковых пластин, при этом эти вершины размещены в нижней половине окружности. Ширина пазов в боковых стрежнях больше толщины обрабатываемых пластин на 60-100%. Изобретение обеспечивает исключение потерь пластин на операции диффузионной термообработки.

 

Изобретение относится к устройствам, предназначенным для удержания полупроводниковых пластин во время диффузионной обработки при изготовлении полупроводниковых приборов.

Известна кассета для диффузионной обработки полупроводниковых, в частности кремниевых пластин, содержащая основание, на внутренней поверхности которого продольно расположены ребра с пазами для размещения пластин, выполненные определенным образом (см. RU 2018190, опубликовано 15.08.1994). Известная кассета имеет ряд недостатков, связанных с тем, что кассета выполнена в виде сплошного основания, что утяжеляет конструкцию и усложняет обработку из-за термических напряжений в системе. Недостатком известной кассеты является также и то, что для пластин большого диаметра применение ее затруднено тем, что для удержания пластины в вертикальном положении нужны основания, охватывающие значительную часть пластины, и узкие и глубокие пазы, при этом требуется увеличить расстояние между пазами, что снижает производительность процесса. Наличие узких пазов превращает их из опорных в заклинивающие, а это приводит к потерям пластин, как при термической обработке, так и на операциях транспортировки и перегрузки пластин.

Известна кассета для диффузионной обработки полупроводниковых, в частности кремниевых пластин, состоящая из четырех стержней с нарезанными в них пазами, причем два стержня расположены выше по отношению к двум другим стержням (FR 2248764, опубликовано 16.05.1975). Такая конструкция кассеты более проста и легка в исполнении. Основания пазов нижних стержней, в которых стоят пластины, выполняют опорную функцию для пластин, а боковые стенки пазов верхних стержней удерживают пластины в вертикальном положении, выполняют поддерживающую функцию для пластин. Такая конструкция кассеты позволила увеличить ширину пазов верхних, боковых, поддерживающих стержней, что, в свою очередь, снимает проблему загрузки пластин в лодочки с использованием загрузочных устройств, поскольку увеличивает степень свободы перемещения пластин в пазах.

К недостаткам конструкции таких кассет следует отнести недостаточную степень свободы перемещения пластин в пазах кассеты, как в процессе непосредственной диффузионной обработки, так и при загрузке или выгрузке всех пластин. А это значит, что при несоответствии проекций пазов пластина не может занять нужное положение в кассете, что приводит к потере пластин как на операции перегрузки пластин в кассеты, так и при последующей высокотемпературной диффузионной обработке. Даже при попадании пластин в пазы возможно их заклинивание в пазе при высокотемпературной обработке, следствием чего являются бой, сколы или царапины на пластинах.

Известна кассета для диффузионной обработки полупроводниковых, в частности кремниевых пластин, содержащая скрепленные по торцам три поликремниевых стержня с пазами, два боковых стержня которой размещены по бокам обрабатываемых в кассете пластин, а один нижний стержень, выполняющий роль дна кассеты, размещен внизу обрабатываемых в кассете пластин, боковые стержни размещены так, что их продольные оси и центры обрабатываемых в кассете пластин находятся в одной плоскости, пазы для размещения каждой обрабатываемой кремниевой пластины совмещены таким образом, что находятся в одной вертикальной плоскости и выполнены для размещения обрабатываемых пластин в этой плоскости перпендикулярно продольной оси стержней, пазы в обоих боковых стержнях имеют П-образную форму, при этом ширина паза больше толщины обрабатываемой пластины на 30-80%, пазы в нижнем стержне имеют в сечении форму перевернутой трапеции так, что верхнее (большее) основание трапеции больше толщины обрабатываемой пластины на 100-200%, а нижнее (меньшее) основание трапеции при этом также больше толщины обрабатываемой пластины, чтобы при размещении обрабатываемых пластин в кассете они не заклинивали, доходя до дна паза в нижнем стержне [RU 2357319].

В известной кассете для диффузионной обработки полупроводниковых пластин в основном устранены перечисленные выше недостатки и только частично исключены потери пластин на операции диффузионной термообработки.

Нами установлено, что известные формы и размеры пазов, а также количество стержней не обеспечивают 100% исключение залипания пластин в пазах нижнего стержня, при одновременной надежной фиксации их в боковых стержнях.

Задачей, на решение которой направлено данное изобретение, является достижение технического результата, заключающегося в исключении потерь пластин на операции диффузионной термообработки за счет исключения залипания пластин в пазах при одновременной надежной фиксации их в верхнем и боковых стержнях, а также исключить бой при перегрузке.

Технический результат изобретения достигается за счет того, что в кассете для диффузионной обработки полупроводниковых пластин, содержащей четыре цилиндрических стержня, скрепленных по торцам в кассете и выполненных с пазами, продольные оси стержней параллельны между собой,

верхний из стержней выполняет функцию крышки и расположен с возможностью крепления с противоположных торцов после размещения в кассете полупроводниковых пластин, нижний стержень выполняет функцию дна кассеты и размещен внизу располагаемых в кассете полупроводниковых пластин, а пазы во всех стержнях совмещены таким образом, что обеспечивают размещение каждой обрабатываемой пластины в вертикальной плоскости, перпендикулярной продольным осям стержней, причем пазы в обоих боковых стержнях имеют в сечении П-образную форму,

стержни выполнены из нелегированного поликристаллического кремния, глубина пазов всех стержней составляет 1/2 диаметра стержней,

стержни расположены так, что поперечная плоскость сечения стержней перпендикулярна их продольным осям, а поперечное сечение каждого стержня имеет форму круга, диаметр цилиндрических стержней составляет 0,8-1,2 см,

боковые и нижний стержни размещены относительно друг друга и полупроводниковых пластин таким образом, что центры каждого круга в плоскости поперечного сечения стержней расположены в вершинах правильного пятиугольника, вписанного в окружность, диаметр которой равен диаметру полупроводниковых пластин, при этом эти вершины размещены в нижней половине окружности

ширина пазов в боковых стрежнях больше толщины обрабатываемых пластин на 60-100%, при этом пазы в нижнем стержне для размещения обрабатываемых пластин имеют в поперечном сечении форму перевернутой трапеции так, что верхнее (большее) основание трапеции больше толщины обрабатываемой пластины на 60-100%, а нижнее (меньшее) основание трапеции при этом также больше толщины пластины, так, чтобы при размещении пластин в кассете они не заклинивали, доходя до дна паза в нижнем стержне,

пазы верхнего стержня совмещены с пазами в боковых и нижнем стержнях, форма пазов в верхнем стержне является зеркальным отражением формы пазов в нижнем стержне для обеспечения фиксации пластин в процессе транспортировки и диффузионной обработки.

Организация расположения стержней в указанных положениях позволяет выбрать оптимальные условия для проведения диффузионной обработки полупроводниковых пластин. При этом соответствующим образом подобраны размеры и формы пазов во всех стержнях кассеты.

Нижний стержень выполняет функцию дна кассеты и размещен внизу располагаемых в кассете полупроводниковых пластин. При таком расположении нижнего и боковых поддерживающих стержней происходит также оптимизация процесса загрузки полупроводниковых пластин в кассету. Сначала пластины загружаются с ориентацией в боковые стержни, а затем устанавливаются и фиксируются в нижнем стержне, который является дном кассеты.

Верхний стержень является дополнительным фиксатором пластин, выполняет функцию крышки и устанавливается и фиксируется креплением с противоположных торцов уже после размещения полупроводниковых пластин на нижнем и боковых стержнях. Верхний стержень позволяет устранить возможные перекосы и смещения как в процессе самой диффузионной обработки, так и, что не менее важно, при подаче кассеты с пластинами непосредственно в диффузионную установку. При такой фиксации полупроводниковых пластин в кассете реализована возможность процесса перемещения термических газовых потоков различными средствами в процессе обработки без смещения и перекоса пластин.

Таким образом подобранные размеры и формы нижнего и верхнего стержней, являясь зеркальным отображением друг друга, также обеспечивают качество фиксации полупроводниковых пластин.

Сама кассета для диффузионной обработки полупроводниковых пластин, выполняется из нелегированного поликристаллического кремния, что обеспечивает исключение загрязнений в процессе высокотемпературной диффузионной обработки полупроводниковых, особенно кремниевых пластин. В кассете используют четыре цилиндрических стержня, которые скреплены по торцам, продольные оси стержней параллельны между собой.

Стержни расположены таким образом, что поперечная плоскость сечения стержней перпендикулярна их продольным осям, а поперечное сечение каждого стержня имеет форму круга, диаметр цилиндрических стержней составляет 0,8-1,2 см. Указанные размеры стержней подобраны из необходимости надежной фиксации без возможных перекосов и биений пластин.

Боковые и нижний стержни размещены относительно друг друга и полупроводниковых пластин таким образом, что центры каждого круга в плоскости поперечного сечения стержней расположены в вершинах правильного пятиугольника, вписанного в окружность, диаметр которой равен диаметру полупроводниковых пластин, при этом эти вершины размещены в нижней половине окружности. Именно такое расположение трех стержней, нижнего и двух боковых, позволяют наиболее надежно организовать фиксацию полупроводниковых пластин в процессе их обработки. При таком размещении указанных стержней оптимизирован процесс загрузки.

Все четыре стержня выполнены с пазами, причем пазы во всех стержнях совмещены и обеспечивают размещение каждой обрабатываемой пластины в вертикальной плоскости, перпендикулярной продольным осям стержней.

Глубина пазов всех стержней составляет 1/2 диаметра стержней. Указанная глубина является оптимальной для надежной фиксации полупроводниковых пластин в пазе при такой форме его выполнения.

Пазы в обоих боковых стержнях имеют в сечении П-образную форму, а ширина пазов в боковых стрежнях больше толщины обрабатываемых пластин на 60-100%. Пазы в нижнем стержне для размещения обрабатываемых пластин имеют в поперечном сечении форму перевернутой трапеции так, что верхнее (большее) основание трапеции больше толщины обрабатываемой пластины на 60-100%, а нижнее (меньшее) основание трапеции при этом также больше толщины пластины, так, чтобы при размещении пластин в кассете они не заклинивали, доходя до дна паза в нижнем стержне,

пазы верхнего стержня совмещены с пазами в боковых и нижнем стержнях, форма пазов в верхнем стержне является зеркальным отражением формы пазов в нижнем стержне для обеспечения фиксации пластин в процессе транспортировки диффузионной обработки.

Предлагаемая форма пазов в боковых и нижнем (и соответственно верхнем) стержнях приведет к надежной фиксации пластин в процессе операций только в том случае, когда будут определены размеры и форма пазов, а также размеры стержней и пазов будут согласованы с размером обрабатываемых пластин. А именно, необходимо однозначно задать не только ширину паза в стержнях, но и его глубину в соответствии с размером пластин.

Процесс загрузки пластин, удерживаемых в пазах держателя пластин загрузочного устройства, в поддерживающие пазы двух боковых стержней кассеты и в опорные пазы нижнего стержня кассеты происходит следующим образом. Пластины, удерживаемые в пазах держателя пластин загрузочного устройства, опускаясь вертикально вниз между боковыми стержнями, подходят к пазам нижнего стержня, одновременно углубляясь в поддерживающие пазы. Вхождение пластин в поддерживающие пазы в дальнейшем исключает выпадание пластин из поддерживающих пазов при наличии несоответствия в совмещении пластины с одним из опорных пазов нижнего стержня кассеты.

Когда пластины подходят к пазам нижнего стержня, они освобождаются от удерживающих пазов держателя пластин загрузочного устройства. Держатели пластин загрузочного устройства, освободившись от пластин, покидают пределы кассеты. Выгрузка пластин происходит в обратной последовательности.

Снижение числа одновременно загружаемых пазов за счет последовательной загрузки пластин в кассету сначала в пазы боковых стержней, а затем в пазы нижнего стержня, увеличение ширины пазов боковых стержней за счет увеличения высоты расположения боковых стержней, а также форма пазов нижнего стержня в виде перевернутой трапеции придают пластине максимальную устойчивость фиксации пластин в пазах, что позволяет пластинам занять нужное положение в кассете и в конечном итоге решает проблему по исключению брака, как на данной операции загрузки/выгрузки, так и в самом процессе диффузионной обработки полупроводниковых пластин, с учетом возможных перемешивающих газовые потоки средств.

Скрепленные по торцам стержни с пазами выполнены из нелегированного поликремния. Два боковых стержня размещены по бокам обрабатываемых в кассете полупроводниковых пластин и расположены друг от друга на расстоянии, обеспечивающем установку кремниевых пластин в пазах. Нижний стержень, выполняющий роль дна кассеты, размещен внизу обрабатываемых в кассете полупроводниковых пластин. Боковые стержни размещены так, что их продольные оси и центры обрабатываемых в кассете пластин находятся в одной плоскости. Пазы для размещения каждой обрабатываемой пластины совмещены таким образом, что находятся в одной плоскости, пазы в обоих боковых стержнях выполнены в направлении, перпендикулярном продольной оси боковых стрежней, и имеют в сечении плоскостью, содержащей обе продольные оси боковых стрежней, П-образную форму.

При этом ширина боковых пазов больше толщины обрабатываемой пластины на 60-100%, глубина пазов всех стержней составляет 1/2 диаметра стержней.

Таким образом, для определения размера пазов стержней в кассете следует ориентироваться на размеры обрабатываемых полупроводниковых пластин.

Кассету с загруженными кремниевыми пластинами диаметром 76 мм размещают в лодочке, которую загружают в реактор для диффузионной обработки. Количество обрабатываемых в кассете пластин обычно выбирают порядка 50 штук. Зазор между пластинами может быть установлен порядка 5-10 мм.

Предложенная конструкция стержней с пазами строго определенной формы в сечении исключает зависание полупроводниковых пластин в пазу нижнего стержня при минимальных его размерах, что, с одной стороны, исключает залипание и заклинивание пластин в пазах кассеты как во время диффузионной обработки, так и при перегрузке, с другой стороны, позволяет оптимизировать ширину самого паза и количество обрабатываемых пластин без брака.

Предложенная кассета для групповой диффузионной обработки полупроводниковых, в частности кремниевых пластин, предназначена для промышленного применения, проста в исполнении.

Предложенная кассета для диффузионной обработки пластин позволяет на 10% увеличить число пластин, обрабатываемых в одном процессе, и исключить их запинание и заклинивание в пазах кассеты, а также процессы смещения и биения пластин.

Кассета для диффузионной обработки полупроводниковых пластин, содержащая четыре цилиндрические стержня, скрепленных по торцам в кассете и выполненных с пазами, продольные оси стержней параллельны между собой, отличающаяся тем, что
верхний из стержней выполняет функцию крышки и расположен с возможностью крепления с противоположных торцов после размещения в кассете полупроводниковых пластин, нижний стержень выполняет функцию дна кассеты и размещен внизу располагаемых в кассете полупроводниковых пластин, а пазы во всех стержнях совмещены таким образом, что обеспечивают размещение каждой обрабатываемой пластины в вертикальной плоскости, перпендикулярной продольным осям стержней, причем пазы в обоих боковых стержнях имеют в сечении П-образную форму,
стержни выполнены из нелегированного поликристаллического кремния, глубина пазов всех стержней составляет 1/2 диаметра стержней, стержни расположены так, что поперечная плоскость сечения стержней перпендикулярна их продольным осям, а поперечное сечение каждого стержня имеет форму круга, диаметр цилиндрических стержней составляет 0,8-1,2 см,
боковые и нижний стержни размещены относительно друг друга и полупроводниковых пластин таким образом, что центры каждого круга в плоскости поперечного сечения стержней расположены в вершинах правильного пятиугольника, вписанного в окружность, диаметр которой равен диаметру полупроводниковых пластин, при этом эти вершины размещены в нижней половине окружности,
ширина пазов в боковых стержнях больше толщины обрабатываемых пластин на 60-100%, при этом пазы в нижнем стержне для размещения обрабатываемых пластин имеют в поперечном сечении форму перевернутой трапеции так, что верхнее (большее) основание трапеции больше толщины обрабатываемой пластины на 60-100%, а нижнее (меньшее) основание трапеции при этом также больше толщины пластины так, чтобы при размещении пластин в кассете они не заклинивали, доходя до дна паза в нижнем стержне,
пазы верхнего стержня совмещены с пазами в боковых и нижнем стержнях, форма пазов в верхнем стержне является зеркальным отражением формы пазов в нижнем стержне для обеспечения фиксации пластин.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к устройствам, предназначенным для удержания полупроводниковых пластин во время диффузионной термообработки при изготовлении полупроводниковых приборов.
Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов и полупроводниковых приборов, в частности к способам обработки карбид-кремниевой трубы, применяемой для проведения высокотемпературных процессов в диффузионных печах.
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС), в частности к способам диффузии фосфора. .
Изобретение относится к технологии получения силовых кремниевых транзисторов, в частности для формирования активной базовой области. .
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности может быть использовано для глубокой диффузии фосфора при формировании диффузионных кремниевых структур.
Изобретение относится к устройствам, предназначенным для удержания кремниевых пластин во время диффузионной термообработки при изготовлении полупроводниковых приборов.

Изобретение относится к области проводящих полимеров, в частности полианилина, и может быть использовано для получения высокопроводящих полианилиновых слоев, волокон, проводящих элементов и устройств на их основе.

Изобретение относится к приборостроению и может применяться для изготовления конструктивных элементов микромеханических приборов на кремниевых монокристаллических подложках, а именно упругих элементов микромеханических датчиков, например подвесов чувствительных маятниковых элементов интегральных акселерометров.

Изобретение относится к технологии изготовления оптоэлектронных приборов, в частности солнечных фотоэлектрических элементов (СФЭ)
Изобретение относится к технологии создания полупроводниковых приборов, в частности к области конструирования и производства мощных биполярных кремниевых СВЧ-транзисторов

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, в частности к технологии изготовления р-п-переходов в кремнии методом "закрытой трубы" - методом откачанной запаянной кварцевой ампулы. Кварцевая ампула для диффузии легирующих примесей в кремний методом закрытой трубы состоит из кварцевой колбы 3, в которую загружаются кремниевые пластины 1 и источник диффузии 2, кварцевой шлиф-пробки 4, служащей для герметизации ампулы со стороны загрузки ее кремниевыми пластинами 1 и источником диффузии 2, и кварцевого штенгеля 6, через который происходит вакуумирование ампулы с последующей отпайкой ампулы от вакуумной системы. Шлиф-пробка 4 выполнена в виде открытой полости 13, что позволяет извлеченную из диффузионной печи 8 после высокотемпературного диффузионного отжига кварцевую ампулу принудительно охлаждать определенным объемом холодной воды, заливая ее в полость 13 с помощью специального устройства 14, находящегося над ампулой. Изобретение обеспечивает управление и стабилизацию режима охлаждения кварцевой ампулы с кремниевыми планарными р-п-структурами непосредственно после высокотемпературного отжига. 6 ил., 1 табл.
Изобретение относится к технологии получения мощных кремниевых транзисторов, в частности к способам получения фосфоросиликатного стекла для формирования p-n-переходов. Изобретение обеспечивает получение равномерного значения поверхностной концентрации по всей поверхности кремниевой пластины и уменьшение длительности процесса. Способ диффузии фосфора включает образование фосфоросиликатного стекла на поверхности кремниевой пластины. В качестве источника диффузанта используют нитрид фосфора. Процесс проводят при расходе газов: O2=70 л/ч, азот N2=700 л/ч, при температуре 1020°C и времени проведения процесса 30 минут. Контроль процесса проводят путем измерения поверхностного сопротивления (RS). Поверхностное сопротивление равно RS=155±5 Ом/см.
Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых мощных транзисторов, в частности может быть использовано для формирования активной ρ-области. Техническим результатом изобретения является уменьшение разброса значений поверхностных концентраций и получение равномерного легирования по длине лодочек. В способе диффузии бора процесс проводят с применением газообразного источника - диборана (В2Н6) при температуре 960°С и времени 35 минут на этапе загонки, при следующем соотношении компонентов: азот N2=240 л/ч, кислород O2=120 л/ч и водород Н2=7,5 л/ч, а на этапе разгонки при температуре 1100°С и времени разгонки - 2 часа. Поверхностное сопротивление равно Rs=155±5 Ом/см.
Изобретение относится к технологии проведения диффузии галлия для формирования р-области при изготовлении полупроводниковых приборов. Изобретение обеспечивает уменьшение разброса значений поверхностной концентрации и получение равномерного легирования по всей поверхности подложек. В способе формирования р-области в качестве источника диффузанта используют окись галлия (Ga2O3) в виде порошка. Процесс проводят в два этапа: 1 - загонка галлия и 2 - разгонка галлия в одной трубе. Загонку и разгонку проводят при температуре процесса 1220°С, время загонки равно 30 минут, а время разгонки - 130 минут. Поверхностное сопротивление на этапе загонки 320±10 Ом/см, а на этапе разгонки 220±10 Ом/см.

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, в частности к технологии изготовления р-n-переходов в кремнии методом "закрытой трубы" - методом откачанной запаянной кварцевой ампулы. При управлении и стабилизации скорости последиффузионного охлаждения низковольтных кремниевых р-n-структур ампулы с пластинами структур после высокотемпературного диффузионного отжига принудительно охлаждают потоком определенного количества воды, находящейся при определенной температуре. В этом случае достигается воспроизводимость количества легирующей примеси в диффузионном слое, находящейся в активном состоянии, что, в свою очередь, обеспечивает воспроизводимость значений напряжения пробоя низковольтных р-n-переходов и, соответственно, существенное увеличение выхода годных приборов. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к области синтеза тонких пленок на поверхности полупроводников AIIIBV и может быть применено в технологии создания твердотельных элементов газовых сенсоров. Технический результат изобретения заключается в создании на поверхности арсенида галлия тонкой оксидной пленки, содержащей прецизионно регулируемое количество легирующей примеси, с использованием простого оборудования экспрессным методом. В способе прецизионного легирования тонких пленок на поверхности арсенида галлия, включающем обработку поверхности пластины арсенида галлия концентрированной плавиковой кислотой в течение 10 минут, промывку пластины дистиллированной водой, сушку на воздухе, окисление пластины в присутствии активного хемостимулятора - оксида свинца (II) - при температуре 530°C, скорости потока кислорода 30 л/ч в течение сорока минут, согласно изобретению окисление проводится в присутствии оксида иттрия (III), причем его количественное содержание варьируется от 0 до 100 мол.% от оксида свинца (II). 1 ил.
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и, в частности, может быть использовано для глубокой диффузии фосфора при формировании диффузионных кремниевых структур. Способ диффузии фосфора из твердого планарного источника включает формирование диффузионных кремниевых структур с использованием твердого планарного источника фосфора. Процесс проводят при температуре 900°C на этапе загонки при следующем соотношении компонентов: O2=40±0,5 л/ч; N2=750 л/ч; H2=8 л/ч, и времени, равном 40 минут, на этапе разгонки процесс проводят при температуре 1000°C при следующем расходе газов: O2=40±0,5 л/ч; N2=750 л/ч, и времени разгонки, равном 75 часов. Техническим результатом изобретения является уменьшение температуры и времени проведения процесса, обеспечение точного регулирования глубины диффузионного слоя, получение глубины 180±10 мкм и повышение процента выхода годных изделий.

Изобретение относится к технологии наноэлектронных устройств на основе графена. Электронное устройство на основе графена включает в себя слой графена, имеющий первую работу выхода, и пленку оксида металла, расположенную на слое графена, причем пленка оксида металла имеет вторую работу выхода, превышающую первую работу выхода. Электроны переносятся из слоя графена к пленке оксида металла, образуя слой накопления дырок в слое графена. Изобретение исключает повреждение графеновой решетки и возникновение дефектов, ухудшающих рабочие характеристики устройства. 4 н. и 29 з.п. ф-лы, 16 ил.
Наверх