Кассета для жидкостной обработки полупроводниковых пластин


 


Владельцы патента RU 2432638:

Скачкова Дарья Александровна (RU)
Скорова Галина Валериановна (RU)
Сейфединова Рушания Мансуровна (RU)
Максимова Валентина Дмитриевна (RU)
Широкова Марина Валентиновна (RU)
Зайцев Игорь Иванович (RU)
Сорокин Юрий Иванович (RU)

Изобретение относится к устройствам, предназначенным для удержания полупроводниковых пластин во время жидкостной обработки. Сущность изобретения: кассета для жидкостной обработки полупроводниковых пластин содержит четыре цилиндрические стержня, скрепленных по торцам в кассете и выполненных с пазами, продольные оси стержней параллельны между собой. Верхний из стержней выполняет функцию крышки и расположен с возможностью крепления с противоположных торцов после размещения в кассете полупроводниковых пластин, нижний стержень выполняет функцию дна кассеты, а пазы во всех стержнях совмещены таким образом, что обеспечивают размещение каждой обрабатываемой пластины в вертикальной плоскости, перпендикулярной продольным осям стержней, причем пазы в обоих боковых стержнях имеют в сечении П-образную форму. Стержни выполнены из фторопласта, глубина пазов всех стержней составляет 1/2 диаметра стержней. Стержни расположены так, что поперечная плоскость сечения стержней перпендикулярна их продольным осям, а поперечное сечение каждого стержня имеет форму круга, диаметр цилиндрических стержней составляет 0,8-1,2 см. Боковые и нижний стержни размещены относительно друг друга и полупроводниковых пластин таким образом, что центры каждого круга в плоскости поперечного сечения стержней расположены в вершинах правильного пятиугольника, вписанного в окружность, диаметр которой равен диаметру полупроводниковых пластин, при этом эти вершины размещены в нижней половине окружности. Изобретение обеспечивает исключение потерь пластин при обработке.

 

Изобретение относится к устройствам, предназначенным для удержания полупроводниковых пластин во время жидкостной обработки при изготовлении полупроводниковый приборов.

Известны разные формы и типы лодочек, применяемые для жидкостной обработки полупроводниковых пластин, состоящие из двух параллельных кварцевых или карбидкремниевых стержней с нарезанными в них пазами, соединенных между собой определенным образом (Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия. Под редакцией Р.Бургера и Р.Донована. Издательство "МИР", Москва, 1969 г., стр.327, 328, фиг.7.56).

Основным элементом лодочек, состоящих из двух параллельных стержней с нарезанными в них пазами и соединенных между собой определенным образом для удержания полупроводниковых кремниевых пластин в вертикальном положении, по крайней мере, в трех точках, являются пазы. На фиг.7.56 представлены лодочки, состоящие из двух параллельных стержней с нарезанными в них пазами П-образной формы. Эти пазы одновременно выполняют две функции. Основания всех пазов являются опорами для пластин, так как на них стоят пластины, а верхние части одной из боковых стенок каждой пары пазов, в которых стоят пластины, являются третьей точкой опоры и выполняют функцию удержания пластины в вертикальном положении. Таким образом, пластины в таких лодочках размещены дистанционированно, на ширину шага между пазами и плоскопараллельно, так как каждая пластина находится в одной плоскости с пазами, в которые она загружается, и их проекции на горизонтальную плоскость соосны.

Недостатком лодочек, состоящих из двух параллельных стержней, является то, что для пластин большого диаметра обеспечение вышеназванных условий затруднено тем, что для удержания пластины в вертикальном положении нужны узкие и глубокие пазы, а для транспортировки с места загрузки в рабочую камеру, для их обработки, требуется увеличить расстояние между стержнями. Узкие пазы и большое расстояние между стержнями превращает их из опорных стержней в заклинивающие, а это приводит к потерям пластин как при жидкостной обработке, так и на операциях транспортировки и перегрузки пластин в лодочки.

Наиболее близким к предлагаемому техническому решению является лодочка, состоящая из четырех параллельных стержней с нарезанными в них пазами, соединенных между собой определенным образом, где два стержня расположены ниже центра пластины и выше по отношению к двум другим стержням (патент №2248764, Франция, B01L 21/28 от 20.09.1974 г. "Лодочка для изготовления полупроводниковых приборов").

Такое техническое решение конструкции лодочки позволило перераспределить функции пазов. Основания пазов нижних стержней, в которых стоят пластины, выполняют опорную функцию для пластин, а боковые стенки пазов верхних стержней, удерживают пластины в вертикальном положении, выполняют поддерживающую функцию для пластин. Перераспределение функций пазов позволило увеличить ширину пазов верхних поддерживающих стержней. Увеличение ширины пазов лодочки увеличивает степень свободы перемещения пластин в пазах, а это, в свою очередь, снимает проблему загрузки пластин в лодочки с использованием загрузочных устройств. Степень свободы перемещения пластин в пазах c=a-d=b·tqα, это ширина в пазе а, необходимая для свободного перемещения пластин толщиной d, b - расстояние от основания пазов нижних стержней, в которых стоят пластины до точки опоры в верхних стержнях, выполняющих поддерживающую функцию для пластины, а α - минимальный угол для удержания пластин в вертикальном положении.

К недостатком конструкции таких лодочек следует отнести недостаточную степень свободы перемещения пластин в пазах лодочки и одновременность загрузки или выгрузки всех пластин во все пазы четырех стержней лодочки. А это значит, что при несоответствии соосности проекций пазов и пластин пластина не может занять нужное положение в лодочке, что приводит к потери пластин на операции перегрузки пластин в лодочки, а также в процессе самой жидкостной обработки.

Эти несоответствия связаны со способом загрузки пластин, формой пазов, точностью совмещения пазов, точностью изготовления лодочек, деформацией лодочек или пластин при обработке и прочее.

Следствием такого сбоя являются: бой, сколы или царапины на пластинах.

Задачей, на решение которой направлено данное изобретение, является достижение технического результата, заключающегося в исключении потерь пластин на операции жидкостной обработки и перегрузки пластин за счет более надежного крепления пластин в пазах нижних стержней и поддерживающей роли верхнего стержня.

Технический результат изобретения достигается за счет того, что в кассете для жидкостной обработки полупроводниковых пластин, содержащей четыре цилиндрические стержня, скрепленных по торцам в кассете и выполненных с пазами, продольные оси стержней параллельны между собой;

верхний из стержней выполняет функцию крышки и расположен с возможностью крепления с противоположных торцов после размещения в кассете полупроводниковых пластин, нижний стержень выполняет функцию дна кассеты и размещен внизу располагаемых в кассете полупроводниковых пластин, а пазы во всех стержнях совмещены таким образом, что обеспечивают размещение каждой обрабатываемой пластины в вертикальной плоскости, перпендикулярной продольным осям стержней, причем пазы в обоих боковых стержнях имеют в сечении П-образную форму;

стержни выполнены из фторопласта, глубина пазов всех стержней составляет 1/2 диаметра стержней;

стержни расположены так, что поперечная плоскость сечения стержней перпендикулярна их продольным осям, а поперечное сечение каждого стержня имеет форму круга, диаметр цилиндрических стержней составляет 0,8-1,2 см;

боковые и нижний стержни размещены относительно друг друга и полупроводниковых пластин таким образом, что центры каждого круга в плоскости поперечного сечения стержней расположены в вершинах правильного пятиугольника, вписанного в окружность, диаметр которой равен диаметру полупроводниковых пластин, при этом эти вершины размещены в нижней половине окружности;

ширина пазов в боковых стрежнях больше толщины обрабатываемых пластин на 60-100%, при этом пазы в нижнем стержне для размещения обрабатываемых пластин имеют в поперечном сечении форму перевернутой трапеции так, что верхнее (большее) основание трапеции больше толщины обрабатываемой пластины на 60-100%, а нижнее (меньшее) основание трапеции при этом также больше толщины пластины так, чтобы при размещении пластин в кассете они не заклинивали, доходя до дна паза в нижнем стержне;

пазы верхнего стержня совмещены с пазами в боковых и нижнем стержнях, форма пазов в верхнем стержне является зеркальным отражением формы пазов в нижнем стержне для обеспечения фиксации пластин в процессе транспортировки и жидкостной обработки.

Организация расположения стержней в указанных положениях позволяет выбрать оптимальные условия для проведения жидкостной обработки полупроводниковых пластин. При этом соответствующим образом подобраны размеры и формы пазов во всех стержнях кассеты.

Нижний стержень выполняет функцию дна кассеты и размещен внизу располагаемых в кассете полупроводниковых пластин. При таком расположении нижнего и боковых поддерживающих стержней происходит также оптимизация процесса загрузки полупроводниковых пластин в кассету. Сначала пластины загружаются с ориентацией в боковые стержни, а затем устанавливаются и фиксируются в нижнем стержне, который является дном кассеты.

Верхний стержень является дополнительным фиксатором пластин, выполняет функцию крышки и устанавливается и фиксируется креплением с противоположных торцов уже после размещения полупроводниковых пластин на нижнем и боковых стержнях. Верхний стержень позволяет устранить возможные перекосы и смещения как в процессе самой жидкостной обработки, так и, что не менее важно, при подаче кассеты с пластинами непосредственно в ванну с обрабатывающим раствором. При такой фиксации полупроводниковых пластин в кассете реализована возможность процесса перемешивания раствора различными средствами в процессе обработки без смещения и перекоса пластин.

Таким образом подобранные размеры и формы нижнего и верхнего стержней, являясь зеркальным отображением друг друга, также обеспечивают качество фиксации полупроводниковых пластин.

Сама кассета для жидкостной обработки полупроводниковых пластин выполняется из фторопласта, что обеспечивает исключение загрязнений процесса и возможность глубокой очистки. В кассете используют четыре цилиндрические стержня, которые скреплены по торцам, продольные оси стержней параллельны между собой.

Стержни расположены таким образом, что поперечная плоскость сечения стержней перпендикулярна их продольным осям, а поперечное сечение каждого стержня имеет форму круга, диаметр цилиндрических стержней составляет 0,8-1,2 см. Указанные размеры стержней подобраны из необходимости надежной фиксации без возможных перекосов и биений пластин.

Боковые и нижний стержни размещены относительно друг друга и полупроводниковых пластин таким образом, что центры каждого круга в плоскости поперечного сечения стержней расположены в вершинах правильного пятиугольника, вписанного в окружность, диаметр которой равен диаметру полупроводниковых пластин, при этом эти вершины размещены в нижней половине окружности. Именно такое расположение трех стержней, нижнего и двух боковых, позволяют наиболее надежно организовать фиксацию полупроводниковых пластин в процессе их обработки. При таком размещении указанных стержней оптимизирован процесс загрузки.

Все четыре стержня выполнены с пазами, причем пазы во всех стержнях совмещены и обеспечивают размещение каждой обрабатываемой пластины в вертикальной плоскости, перпендикулярной продольным осям стержней.

Глубина пазов всех стержней составляет 1/2 диаметра стержней. Указанная глубина является оптимальной для надежной фиксации полупроводниковых пластин в пазе при такой форме его выполнения.

Пазы в обоих боковых стержнях имеют в сечении П-образную форму, а ширина пазов в боковых стрежнях больше толщины обрабатываемых пластин на 60-100%. Пазы в нижнем стержне для размещения обрабатываемых пластин имеют в поперечном сечении форму перевернутой трапеции так, что верхнее (большее) основание трапеции больше толщины обрабатываемой пластины на 60-100%, а нижнее (меньшее) основание трапеции при этом также больше толщины пластины, так, чтобы при размещении пластин в кассете они не заклинивали, доходя до дна паза в нижнем стержне;

пазы верхнего стержня совмещены с пазами в боковых и нижнем стержнях, форма пазов в верхнем стержне является зеркальным отражением формы пазов в нижнем стержне для обеспечения фиксации пластин в процессе транспортировки и жидкостной обработки.

Предлагаемая форма пазов в боковых и нижнем (и соответственно верхнем) стержнях приведет к надежной фиксации пластин в процессе операций только в том случае, когда будут определены размеры и форма пазов, а также размеры стержней и пазов будут согласованы с размером обрабатываемых пластин. А именно, необходимо однозначно задать не только ширину паза в стержнях, но и его глубину в соответствии с размером пластин.

Процесс загрузки пластин, удерживаемых в пазах держателя пластин загрузочного устройства, в поддерживающие пазы двух боковых стержней кассеты и в опорные пазы нижнего стержня кассеты происходит следующим образом. Пластины, удерживаемые в пазах держателя пластин загрузочного устройства, опускаясь вертикально вниз между боковыми стержнями, подходят к пазам нижнего стержня, одновременно углубляясь в поддерживающие пазы. Вхождение пластин в поддерживающие пазы боковых стержней в дальнейшем исключает выпадание пластин из поддерживающих пазов при наличии несоответствия в совмещении пластины с одним из опорных пазов нижнего стержня кассеты.

Когда пластины подходят к пазам нижнего стержня, они освобождаются от удерживающих пазов держателя пластин загрузочного устройства. Держатели пластин загрузочного устройства, освободившись от пластин, покидают пределы кассеты. Выгрузка пластин происходит в обратной последовательности.

Снижение числа одновременно загружаемых пазов за счет последовательной загрузки пластин в кассету сначала в пазы боковых стержней, а затем в пазы нижнего стержня, увеличение ширины пазов боковых стержней за счет увеличения высоты расположения боковых стержней, а также форма пазов нижнего стержня в виде перевернутой трапеции придают пластине максимальную устойчивость фиксации пластин в пазах, что позволяет пластинам занять нужное положение в кассете и в конечном итоге решает проблему по исключению брака как на данной операции загрузки/выгрузки, так и в самом процессе жидкостной обработки полупроводниковых пластин, с учетом возможных перемешивающих раствор средств.

Скрепленные по торцам стержни с пазами выполнены из фторопласта. Два боковых стержня размещены по бокам обрабатываемых в кассете полупроводниковых пластин и расположены друг от друга на расстоянии, обеспечивающем установку пластин в пазах. Нижний стержень, выполняющий роль дна кассеты, размещен внизу обрабатываемых в кассете полупроводниковых пластин. Боковые стержни размещены так, что их продольные оси и центры обрабатываемых в кассете пластин находятся в одной плоскости. Пазы для размещения каждой обрабатываемой пластины совмещены таким образом, что находятся в одной плоскости, пазы в обоих боковых стержнях выполнены в направлении, перпендикулярном продольной оси боковых стрежней, и имеют в сечении плоскостью, содержащей обе продольные оси боковых стрежней, П-образную форму.

При этом ширина боковых пазов больше толщины обрабатываемой пластины на 60-100%, глубина пазов всех стержней составляет 1/2 диаметра стержней.

Таким образом, для определения размера пазов стержней в кассете следует ориентироваться на размеры обрабатываемых полупроводниковых пластин.

Кассету с загруженными кремниевыми пластинами диаметром 76 мм размещают в ванне с раствором для проведения процесса жидкостной обработки. Количество обрабатываемых в кассете пластин обычно выбирают порядка 50 штук. Зазор между пластинами может быть установлен порядка 5-10 мм.

Предложенная конструкция стержней с пазами строго определенной формы в сечении исключает зависание полупроводниковых пластины в пазу нижнего стержня при минимальных его размерах, что, с одной стороны, исключает залипание и заклинивание пластин в пазах кассеты как во время жидкостной обработки, так и при перегрузке, с другой стороны, позволяет оптимизировать ширину самого паза и количество обрабатываемых пластин без брака.

Предложенная кассета для групповой жидкостной обработки полупроводниковых, в частности кремниевых пластин, предназначена для промышленного применения, проста в исполнении.

Предложенная кассета для групповой жидкостной обработки пластин позволяет на 10% увеличить число пластин, обрабатываемых в одном процессе, и исключить их запинание и заклинивание в пазах кассеты, а также процессы смещения и биения.

Кассета для жидкостной обработки полупроводниковых пластин, содержащая четыре цилиндрические стержня, скрепленных по торцам в кассете и выполненных с пазами, продольные оси стержней параллельны между собой, отличающаяся тем, что
верхний из стержней выполняет функцию крышки и расположен с возможностью крепления с противоположных торцов после размещения в кассете полупроводниковых пластин, нижний стержень, выполняет функцию дна кассеты и размещен внизу располагаемых в кассете полупроводниковых пластин, а пазы во всех стержнях совмещены таким образом, что обеспечивают размещение каждой обрабатываемой пластины в вертикальной плоскости, перпендикулярной продольным осям стержней, причем пазы в обоих боковых стержнях имеют в сечении П-образную форму,
стержни выполнены из фторопласта, глубина пазов всех стержней составляет 1/2 диаметра стержней,
стержни расположены так, что поперечная плоскость сечения стержней перпендикулярна их продольным осям, а поперечное сечение каждого стержня имеет форму круга, диаметр цилиндрических стержней составляет 0,8-1,2 см,
боковые и нижний стержни размещены относительно друг друга и полупроводниковых пластин таким образом, что центры каждого круга в плоскости поперечного сечения стержней расположены в вершинах правильного пятиугольника, вписанного в окружность, диаметр которой равен диаметру полупроводниковых пластин, при этом эти вершины размещены в нижней половине окружности,
ширина пазов в боковых стрежнях больше толщины обрабатываемых пластин на 60-100%, при этом пазы в нижнем стержне для размещения обрабатываемых пластин имеют в поперечном сечении форму перевернутой трапеции так, что верхнее (большее) основание трапеции больше толщины обрабатываемой пластины на 60-100%, а нижнее (меньшее) основание трапеции при этом также больше толщины пластины так, чтобы при размещении пластин в кассете они не заклинивали, доходя до дна паза в нижнем стержне,
пазы верхнего стержня совмещены с пазами в боковых и нижнем стержнях, форма пазов в верхнем стержне является зеркальным отражением формы пазов в нижнем стержне для обеспечения фиксации пластин.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к области вакуумно-плазменной обработки (очистки, осаждения, травления и т.д.) потоками ионов, атомов, молекул и радикалов инертных или химически активных газов слоев и пленочных материалов на ленточных носителях в микро- и наноэлектронике, оптике, гелиоэнергетике, стекольной, автомобильной и других отраслях промышленности.
Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов и интегральных схем, в частности к способам обработки подложек для формирования контактных окон.

Изобретение относится к области мембранных технологий и может быть использовано для производства микро- и нанофлюидных фильтров, биосенсорных устройств, приборов медицинской диагностики, а также при изготовлении элементов электронно-оптических преобразователей и рентгеновской оптики.

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к реакторам для высокоплотной и высокочастотной плазменной обработки полупроводниковых структур. .
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии изготовления интегральных пьезоэлектрических устройств - фильтров, резонаторов, линий задержки на поверхностных акустических волнах.

Изобретение относится к получению поликремниевой текстуры для солнечных элементов. .

Изобретение относится к технологии производства приборов микро- и наноэлектроники, связанной с травлением и выращиванием структур на поверхности материалов, в т.ч.

Изобретение относится к микроэлектронике, методам и технологическим приемам контроля и анализа структур интегральных схем, к процессам сухого плазменного травления.

Изобретение относится к области мембранных технологий и индустрии наносистем и может быть использовано в производстве микро- и нанофлюидных фильтров, биосенсорных устройств, приборов медицинской диагностики.

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники, в частности к технологии полупроводниковых приборов

Изобретение относится к способам общего назначения для обработки материалов с помощью электрической энергии и может быть использовано в технологии полупроводниковых приборов

Изобретение относится к изготовлению средств выявления примеси газов в воздушной среде и определения уровня концентрации газов в среде

Изобретение относится к технологии полупроводникового производства, в частности к формированию затворов в КМОП технологии

Изобретение относится к устройствам локального травления тонких пленок микроэлектроники

Изобретение относится к технологии производства электронных компонентов для микро- и наносистемной техники

Изобретение относится к созданию высокоэффективных солнечных элементов на основе полупроводниковых многослойных наногетероструктур для прямого преобразования энергии солнечного излучения в электрическую энергию с использованием солнечных батарей
Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано, в частности, в технологии изготовления полупроводниковых СВЧ приборов

Изобретение относится к технологии полупроводников, в частности к способам консервации поверхности полупроводниковых подложек. Изобретение позволяет сохранять «epiready» свойства подложек на воздухе без использования инертной среды при комнатной температуре и затем использовать для эпитаксиального выращивания полупроводниковых гетеро-и наноструктур. В способе консервации поверхности подложек из арсенида галлия, включающем химико-динамическое полирование поверхности полупроводника в полирующем травителе, содержащем концентрированную серную кислоту, перекись водорода и воду в соотношении H2SO4:H2O2:H2O=5:1:1, отмывку в деионизованной воде, стравливание слоя остаточного оксида в водном растворе концентрированной соляной кислоты H2O:HCl=10:1 до проявления гидрофобных свойств чистой поверхности подложки из арсенида галлия, отмывку в деионизованной воде, сушку в центрифуге, обработку в парах селена, стравливание образовавшегося слоя селенида галлия в водном растворе концентрированной соляной кислоты H2O:HCl=10:1, отмывку в деионизованной воде, сушку в центрифуге, после сушки подложку повторно обрабатывают в парах селена в камере квазизамкнутого объема с образованием эпитаксиального слоя селенида галлия (Ga2Se3) при температуре подложки - Tn=(310÷350)°С, температуре стенок камеры - Тс=(280-300)°С, температуре селена - TSe=(230÷250)°C в течение 3÷10 минут и затем осуществляют упаковку без использования инертной среды. 4 ил.
Наверх