Способ обнаружения скрытых дефектов кремниевых моп мультиплексоров



Способ обнаружения скрытых дефектов кремниевых моп мультиплексоров
Способ обнаружения скрытых дефектов кремниевых моп мультиплексоров
Способ обнаружения скрытых дефектов кремниевых моп мультиплексоров
Способ обнаружения скрытых дефектов кремниевых моп мультиплексоров

 


Владельцы патента RU 2433503:

Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (RU)

Изобретение относится к технологии изготовления и способам тестирования МОП мультиплексоров. Сущность изобретения: в способе обнаружения скрытых дефектов кремниевых МОП мультиплексоров на кремниевой пластине с годными кристаллами МОП мультиплексоров вскрывают окна в защитном слое окисла к металлизированным площадкам истоков МОП транзисторов и подложке, наносят слой индия, формируют область индия, которая закорачивает все истоки МОП транзисторов на подложку в каждом кристалле. При этом область индия, которая закорачивает все истоки МОП транзисторов на подложку, выполняют в виде полос, расположенных только над истоками МОП транзисторов. Затем проводят контроль годных кристаллов с обнаружением скрытых дефектов и проводят формирование In столбиков. Способ позволяет увеличить надежность метода обнаружения скрытых дефектов кремниевых МОП мультиплексоров за счет исключения прямых закороток стоковых областей на подложку. 4 ил.

 

Изобретение относится к технологии изготовления и способам тестирования МОП мультиплексоров.

В настоящее время широко используется способ изготовления гибридных ИК матричных фотоприемных устройств (МФПУ) методом перевернутого монтажа фоточувствительных элементов с МОП мультиплексором при помощи индиевых столбиков. После стыковки часто обнаруживаются электрические дефекты МОП мультиплексора, определить которые без специальных мер тестирования до стыковки невозможно, например электрическое короткое замыкание между входными контактами и выходными шинами МОП мультиплексора (исток - шина стока ключевого МОП транзистора) в ячейке матрицы считывания фотосигнала.

Известно, что для выявления упомянутого выше дефекта используется сплошной слой In толщиной не менее толщины окисного слоя, закорачивающий все истоки МОП транзисторов слоем индия на подложку [RU, патент на изобретение №2388110 С1]. Путь тока при этом: стоковая шина-дефект-исток-слой индия-подложка.

Указанный метод обнаружения дефектов имеет следующие недостатки: наличие слоя индия над металлизированными шинами стоков может приводить к их закоротке на подложку слоем индия напрямую через дефект (пору) в защитном окисле над стоком, миную область истока, что можно назвать «ложной тревогой», так как в рабочей структуре слоя индия над стоковыми шинами нет. Путь тока в этом случае: стоковая шина-дефект-слой индия-подложка.

Задачей изобретения является увеличение надежности (достоверности) метода обнаружения скрытых дефектов кремниевых МОП мультиплексоров за счет исключения прямых закороток стоковых областей на подложку путем формирования в каждом кристалле МОП мультиплексора слоя индия в виде полос только над истоками МОП транзисторов.

Технический результат достигается тем, что:

- на металлизированные площадки истоков, вскрытые в окисле, наносят слой индия толщиной, равной необходимой высоте In столбика;

- при помощи фотолитографической обработки формируют в каждом кристалле область индия в виде полос, которые располагаются только над истоками МОП транзисторов и закорачивают их на подложку;

- контролируют функционирование мультиплексоров и фиксируют наличие дефектов, в том числе и электрические закоротки исток-сток, которые не проявлялись при контроле функционирования без индия;

- далее методом фотолитографии формируют индиевые столбики высотой, равной толщине напыленной пленки индия.

Последовательность технологической цепочки предлагаемого способа иллюстрируется на фиг.1-4, где:

1 - годный кристалл МОП мультиплексора, являющийся частью пластины;

2 - слой защитного окисла;

3 - контактные окна к металлизированным площадкам истоков МОП транзисторов;

4 - контактное окно к подложке;

5 - слой индия;

6 - область индия в виде полос, сформированная только над истоками МОП транзисторов мультиплексора и закорачивающая их на подложку;

7 - контактные площадки для контроля функционирования МОП мультиплексора;

8 - индиевые столбики.

Способ обнаружения скрытых дефектов МОП мультиплексоров осуществляется в следующей последовательности:

- на кремниевой пластине с годными кристаллами МОП мультиплексоров вскрывают окна в защитном слое окисла к металлизированным площадкам истоков МОП транзисторов и подложке (фиг.1);

- напыляют слой индия толщиной, равной необходимой высоте In столбиков (фиг.2);

- проводят фотолитографическую обработку по слою индия для получения области индия в виде полос, расположенных только над истоками МОП транзисторов, которая закорачивает все истоки МОП транзисторов на подложку (фиг.3);

- проводят контроль функционирования годных МОП мультиплексоров с выявлением скрытых дефектов - закороток исток-сток;

- проводят фотолитографическую обработку по слою индия для формирования столбиков, режут пластину на кристаллы, осуществляют травление индия для формирования столбиков (фиг.4).

Предлагаемый способ обнаружения дефектов гармонично вписывается в технологию изготовления МОП мультиплексоров.

Изготовлены экспериментальные образцы кремниевых МОП мультиплексоров с проведением тестирования на предмет обнаружения скрытых дефектов методом закорачивания истоков МОП транзисторов на подложку слоем индия с рельефом 3…4 мкм и с последующей фотолитографией для получения однородных столбиков высотой 9…10 мкм.

Способ обнаружения скрытых дефектов кремниевых МОП мультиплексоров, заключающийся в том, что на кремниевой пластине с годными кристаллами МОП мультиплексоров вскрывают окна в защитном слое окисла к металлизированным площадкам истоков МОП транзисторов и подложке, наносят слой индия, формируют область индия, которая закорачивает все истоки МОП транзисторов на подложку в каждом кристалле, проводят контроль годных кристаллов с обнаружением скрытых дефектов, проводят формирование In столбиков, отличающийся тем, что область индия, которая закорачивает все истоки МОП транзисторов на подложку выполняют в виде полос, расположенных только над истоками МОП транзисторов.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области металлургии, в частности к иридиевым сплавам для проволочной заготовки для штырей зонда. .

Изобретение относится к технологии изготовления и способам тестирования МОП мультиплексоров. .

Изобретение относится к устройствам, используемым в полупроводниковом производстве, и может быть применено для климатических испытаний готовых полупроводниковых приборов при одновременном измерении их электрических параметров.

Изобретение относится к методам определения коэффициента диффузии примесных атомов в полупроводнике и позволяет по данным вольт-фарадной характеристики p-n перехода и математической модели процесса диффузии, в результате которого создан p-n переход, определять концентрационные профили введенной в полупроводник примеси.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в автоматизированных системах контроля, анализа и управления групповыми технологическими процессами изготовления резистивных компонентов интегральных схем микроэлектронной аппаратуры.
Изобретение относится к процессам обработки поверхности кремниевых пластин для выявления эпитаксиальных дефектов дислокаций. .

Изобретение относится к испытаниям сохраняемости инфракрасного (ИК) многоэлементного фотоприемного устройства (МФПУ), содержащего клеевые соединения в вакуумированной полости, с рабочей температурой фоточувствительных элементов ниже температуры окружающей среды, предназначенного для регистрации ИК-излучения.

Изобретение относится к измерительной технике, к способам оптико-физических измерений, базирующихся на эллипсометрии, и предназначено для контроля состава материала по толщине выращиваемых слоев с градиентом состава.

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при исследовании как полупроводниковых материалов, так и полупроводниковых приборов, созданных на их основе

Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для бесконтактного определения времени жизни неравновесных носителей заряда в тонких полупроводниковых пластинках

Изобретение относится к области измерительной техники, к измерению электрофизических параметров (ЭФП) полупроводниковых транзисторных структур и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к устройствам контроля и диагностики полупроводниковых изделий (ППИ), таких как диоды, транзисторы и интегральные схемы

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для контроля надежности металлизации, а именно металлической разводки, при производстве интегральных микросхем
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для контроля качества проводящих слоев и поверхностей полупроводниковых пленок, применяемых при изготовлении изделий микроэлектроники
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и может быть использовано при создании и многократном регулировании сопротивления металлических перемычек, соединяющих электроды твердотельных приборов, работа которых основана на полярнозависимом электромассопереносе в кремнии (ПЭМП)

Изобретение относится к способу определения температуры активной области полупроводниковых светоизлучающих диодов (СИД), который может быть использован для контроля качества СИД на всех этапах производства

Изобретение относится к технологии изготовления и способам тестирования матричных или линейных МОП мультиплексоров
Наверх