Способ защиты полиимидных материалов при травлении


 


Владельцы патента RU 2447628:

Открытое акционерное общество "Научно-производственный комплекс "ЭЛАРА" имени Г.А. Ильенко" (ОАО "ЭЛАРА") (RU)

Изобретение относится к способам защиты полиимидных материалов при травлении, применяющихся при конструировании радиоэлектронной аппаратуры для самолето- и вертолетостроения, в частности к способу производства полупроводниковых систем, изготавливаемых на основе полиимида, например гибких печатных плат с открытыми выводами. Технический результат - разработка условий травления полностью полимеризованного полиимида, обеспечивающих точность формы и размеров вытравленных участков, - достигается тем, что способ защиты полиимидных материалов при травлении включает процесс травления участков полиимидного материала щелочными растворами, причем до операции травления полиимидный материал покрывают смесью эпоксиуретанового лака с добавкой олигоэфиракрилата при следующем соотношении компонентов, мас.%: лак эпоксиуретановый 93,7÷95,2, олигоэфиракрилат 4,8÷6,3, а затем участок полиимидного материала, не подлежащий травлению, защищают изоляционным слоем. 3 пр.

 

Изобретение относится к способам защиты полиимидных материалов при травлении, применяющихся при конструировании радиоэлектронной аппаратуры для самолето- и вертолетостроения, в частности к способу производства полупроводниковых систем, изготавливаемых на основе полиимида, например гибких печатных плат с открытыми выводами.

Известен способ производства полупроводниковых систем на полиимидном основании (патент РФ №2295846, Н05К 3/26, опубл. 2007.03.20), в котором в качестве раствора травления используют щелочной раствор, содержащий моноэтаноламин, тетраметиламмоний гидрат или тетрабутиламмоний гидрат. Недостатком данного способа является невозможность получения точной границы травления из-за наличия капиллярного эффекта.

Техническим результатом изобретения является разработка условий травления полностью полимеризованного полиимида, обеспечивающих точность формы и размеров вытравленных участков, а также защиту полиимидного материала от капиллярного эффекта.

Технический результат достигается тем, что способ защиты полиимидных материалов при травлении включает процесс травления участков полиимидного материала щелочными растворами, причем до операции травления полиимидный материал покрывают смесью эпоксиуретанового лака с добавкой олигоэфиракрилата при следующем соотношении компонентов, мас.%:

лак эпоксиуретановый 93,7-95,2
олигоэфиракрилат 4,8-6,3,

а затем участок полиимидного материала, не подлежащий травлению, защищают изоляционным слоем.

Способ защиты полиимидных материалов при травлении, используется, например, при производстве гибкой печатной платы, включает травление полиимидной основы после создания электропроводящей схемы.

Пример 1

1. Покрытие: 93,7% лака эпоксиуретанового УР-231 ТУ 6-21-14-90; 6,3% олигоэфиракрилата марки МГФ-9 ТУ 113-00-05761643-27-92; покрытию подлежит вся плата.

2. Сушат в печи сушильной РН-201М при температуре 65°С.

3. Производят разметку основания печатной платы, например, липкой изоляционной лентой TESA FILM №4174 для обозначения границ участка, подвергающегося травлению.

4. Производят окунание участка платы, подлежащего травлению полиимида, в водный раствор, содержащий 600-650 г/л гидроксида натрия, температура раствора 115-125°С, время выдержки 10-20 минут.

5. Промывают проточной водопроводной водой, температура 50-60°С, время 2-3 минуты.

6. Промывают проточной водопроводной водой, температура 15-20°С, время 2-3 минуты.

7. Сушат в печи сушильной АРСМ3.009.000 при температуре 70-80°С.

8. Активируют в соляной кислоте, содержание 150-200 г/л, время 0,08-0,16 минут.

9. Промывают проточной водопроводной водой, температура 15-20°С, время 2-3 минуты.

10. Сушат в печи сушильной РН-201М при температуре 65°С.

Пример 2

1. Покрытие: 94,5% лака эпоксиуретанового УР-231 ТУ 6-21-14-90; 5,5% олигоэфиракрилата марки МГФ-9 ТУ 113-00-05761643-27-92; покрытию подлежит вся плата.

П.п.2-10 аналогичны примеру 1.

Пример 3.

1. Покрытие: 95,2% лака эпоксиуретанового УР-231 ТУ 6-21-14-90; 4,8% олигоэфиракрилата марки МГФ-9 ТУ 113-00-05761643-27-92; покрытию подлежит вся плата.

П.п.2-10 аналогичны примеру 1.

Таким образом, при использовании предложенного способа защиты полиимидных материалов при травлении образуются вытравленные участки основания печатной платы с ровными краями и точными размерами, а также обеспечивается защита полиимидного материала от капиллярного эффекта.

Способ защиты полиимидных материалов при травлении включает процесс травления участков полиимидного материала щелочными растворами, отличающийся тем, что до операции травления полиимидный материал покрывают смесью эпоксиуретанового лака с добавкой олигоэфироакрилата при следующем соотношении компонентов, мас.%:

лак эпоксиуретановый 93,7÷95,2
олигоэфиракрилат 4,8÷6,3,

а затем участок полиимидного материала, не подлежащий травлению, защищают изоляционным слоем.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к защитному покрытию для печатных плат, полученному путем нанесения с последующей сушкой на поверхности печатной платы эпоксиуретанового или эпоксидного лака, или лака на основе кремнийорганического соединения, отличающемуся тем, что для придания ему биологической стойкости, сохраняющейся после нагревания, в состав лака введена биоцидная добавка Биоцик Т при следующем весовом соотношении: лак эпоксиуретановый или эпоксидный, или лак на основе кремнийорганического соединения - (98,5-99,5)%; биоцидная добавка - (0,5-1,5)%.
Изобретение относится к электронной технике, а именно к защите бескорпусных электронных элементов, установленных на плате, и направлено на обеспечение защиты от воздействия окружающей среды.
Изобретение относится к области электротехники, в частности к лаковым защитным покрытиям на основе эпоксиуретана для печатных плат. .
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к способу получения фотошаблонных заготовок. .
Изобретение относится к области электротехники, в частности к радиоэлектронике, и может быть использовано при изготовлении ВЧ печатных плат, применяемых для конструирования радиоэлектронной техники, предназначенной для работы в условиях повышенной влажности и биологической загрязненности.
Изобретение относится к электронной технике, а именно к герметизации бескорпусных электронных элементов, установленных на плате, и направлено на защиту элементов от воздействия окружающей среды.
Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано в технологии изготовления рельефных печатных плат. .
Изобретение относится к области электротехники, в частности к способу нанесения защитного покрытия из лака. .
Изобретение относится к электронной промышленности. .
Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано в технологии изготовления и влагозащиты печатных плат. .

Изобретение относится к электронной технике, конкретно к технике получения микросхем, и может быть использовано при получении требуемой топологии резисторов, емкостей, токопроводящих элементов микросхем, выполняемых методами нанесения через маски пленок в вакууме, а также для получения диэлектрических профильных подложек для вакуумной микроэлектроники.
Изобретение относится к области производства интегральных микросхем и других электронных устройств, использующих планарную технологию их изготовления, основанную на фотолитографических процессах. Фотоактивированная композиция включает полимерную основу и фоточувствительный компонент. В качестве полимерной основы композиция содержит полиметилметакрилат, в качестве фоточувствительного компонента фторид аммония. Дополнительно композиция содержит протофильный реагент - α-нафтиламин и растворители - ацетон и трифторуксусную кислоту. Соотношение компонентов следующее, мас.%: полиметилметакрилат - 11,8; фторид аммония - 4,7-7,1; α-нафтиламин - 18,3; ацетон - 8,3-10,7; трифторуксусная кислота - 54,5. Использование композиции позволяет упростить технологический процесс получения фотолитографического рисунка в слое кремния, при этом исключаются стадии проявления, задубливания и жидкостного химического травления. Упрощение технологического процесса при использовании предложенной композиции позволяет также существенно уменьшить дефекты получаемых изделий. 3 пр.
Использование: для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС). Сущность изобретения заключается в том, что химическое травление поверхности полупроводников проводят в травителе, состоящем из следующих компонентов: фтористоводородной (HF), азотной (HNO3) и уксусной (CH3COOH) кислот в соотношении 1:6:3. Технический результат: полное удаление образовавшегося оксида на поверхности полупроводников и сокращение времени обработки.

Изобретение позволяет значительно упростить способ изготовления полупроводниковых приборов для управления СВЧ мощностью, в частности ограничительного элемента на основе p-i-n диодов. Способ изготовления полупроводниковых приборов для управления СВЧ мощностью на основе p-i-n структур заключается в равномерном утонении центральной части полупроводниковой пластины, создании на обеих сторонах центральной части пластины пар локальных углублений с плоским дном в местах расположения меза-структур, легировании выделенных областей на обеих сторонах пластины акцепторной и донорной примесями, формировании балочных выводов на противоположных сторонах пластины с областями взаимного перекрытия и получении парных меза-структур приборов. Техническим результатом является повышение процента выхода годных приборов за счет упрощения способа их производства. При этом электротехнические параметры приборов не ухудшаются, а идентичность их повышается. 2 ил.

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано в способе формирования защитных покрытий электронных компонентов, размещенных на плате с использованием предложенного состава для такого покрытия

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении печатных плат. В заявленном способе на диэлектрическом основании печатной платы формируют проводники и выводы. Со стороны проводников ее покрывают защитным слоем, оставляя область проводников и выводов, свободную от него. Далее их соединяют с металлической пластиной посредством пайки, после чего воздействуют на диэлектрическое основание лазерным излучением. Затем отделяют металлическую пластину от проводников и выводов печатной платы, например, с помощью направленного потока нагретого воздуха. Техническим результатом является обеспечение возможности удаления диэлектрика лазерным излучением с проводников и выводов печатной платы в любом ее месте при сохранении их целостности и без использования дополнительных защитных материалов, а также обеспечение возможности формирования свободной области с удаленным слоем диэлектрика сложной геометрической формы, выполненной с высокой точностью. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Наверх