Способ очистки отходящих газов от силана

Изобретение относится к способам очистки отходящих газов от содержащегося в них силана SiH4. Способ включает взаимодействие силана с кислородом воздуха с образованием твердого диоксида кремния, с последующим отделением диоксида кремния фильтрацией. При этом отходящие газы, содержащие силан, смешивают с воздухом и подают на взаимодействие в реактор типа «туннельная горелка», снабженный рубашкой с теплоносителем. Время пребывания газа в реакторе от 1 до 10 сек, объемное соотношение силан:кислород от 1:2 до 1:10. Обеспечивается очистка отходящих газов от силана до его содержания не более 0,001 об.%, простота в аппаратурном оформлении и возможность обработки газа, содержащего силан в широком диапазоне концентраций. 2 з.п. ф-лы, 2 ил., 3 табл., 3 пр.

 

Изобретение относится к технологии неорганических соединений, а именно к способам очистки отходящих газов (газовых сдувок) от содержащегося в них силана SiH4.

В настоящее время одним из промышленных способов получения поликристаллического кремния (ПКК) является метод гетерогенного пиролитического разложения высокочистого силана. В этом случае в технологии как на стадии получения высокочистого силана, так и на стадии его термического разложения образуются газообразные сдувки, состоящие преимущественно из инертных газов: азота, аргона, гелия, водорода, диоксида углерода и т.д., содержащие в своем составе силан.

Силан при контакте с воздухом самовоспламеняется и разлагается на водород и двуокись кремния, относящуюся к III классу опасности. Из-за возможности возгорания с кислородом и вредного воздействия на окружающую среду, газ, содержащий силан, не может быть направлен на рассевание в атмосферу и должен быть подвержен очистке от SiH4.

Существует несколько промышленных способов очистки отходящих газов от силана. Наиболее часто реализуемым в промышленности является абсорбция силана водой или водными растворами щелочей, которую проводят в специальных аппаратах - скрубберах. В результате поглощения силана образуются либо полисилоксановые жидкости либо водорастворимые соли кремниевых кислот. Главным недостатком этого способа является образование большого количества жидких отходов.

Этот недостаток можно устранить, применяя в качестве абсорбента не воду, а нейтральную по отношению к силану жидкость, в которой последний хорошо растворим.

Так, предложено [WO 2010018390 (А1), B01D 53/14, МПКл. С01В 33/04 оп. 2010-02-18] в качестве растворителя применять пропан. Для того чтобы пропан в процессе находился в жидкой фазе, абсорбцию ведут при субкриогенных температурах и повышенном давлении в газожидкостном аппарате колонного типа. После стадии десорбции силана пропан возвращается на стадию очистки на вход в абсорбционную колонну. Недостатком этого метода является проведение процесса при субкриогенных температурах, кроме того, десорбированный силан должен каким-либо образом нейтрализоваться, если нет возможности вернуть его в процесс как товарный продукт.

Другим способом очистки газов от силана является его разложение до кремния и водорода, при этом разложение может быть либо термическим при температурах, превышающих 1000°С, либо каталитическим.

Описано [патент Китая CN 101554562 (А) МКИ B01D 53/74; оп. 2009.10.14] термическое разложение силана. По этому способу отработанный (выхлопной) газ синтеза, образующийся в процессе производства полупроводников и вакуумного покрытия и содержащий силан, направляют в печь, заполненную твердым топливом. При этом корпус печи оснащен стенками, козырьком и камерой горения и имеет зазоры для протекания газа. Ввод для воздуха осуществляется в нижней части корпуса печи, а обрабатываемый выхлопной газ входит в камеру печи через специальное отверстие в верхней части печи и проходит через зазоры (щели) через горящее топливо. Главным недостатком этого способа очистки газов является наличие дополнительного расходуемого компонента - твердого топлива, а также высокая температура процесса, требующая специальные жаростойкие конструкционные материалы.

Использование катализатора для разложения силана приводит к снижению температуры процесса. Известно [заявка Японии JP 61168518 (А), МПКл. С01В 33/04, оп. 1986-07-30] использование оксида алюминия в качестве катализатора, предпочтительнее его гамма-форма с удельной поверхностью не менее 100 м2/г. Процесс проводят при температуре 100-600°С, при этом большая часть образующегося кремния адсорбируется на поверхности оксида алюминия.

Недостатком этого способа очистки газов является появление расходуемого компонента - катализатора - и образование дополнительных отходов - оксида алюминия с абсорбированным кремнием.

Из-за того, что концентрационные пределы самовоспламенения силана с кислородом лежат в диапазоне от 1 до 100% даже при отрицательных температурах, наиболее эффективным и экономически целесообразным способом является очистка отходящих газов от SiH4 его сжиганием с воздухом в специальных устройствах. При этом образующийся в реакции твердый диоксид кремния либо остается непосредственно в реакционной зоне либо улавливается в циклонах и фильтрах твердых частиц.

Наиболее близким техническим решением является способ [заявка Японии JP 7185259 (А), МПКл. B01D 53/34, оп. 1995-07-25], по которому отходящие газы, содержащие силан, и образующиеся в процессе обработки полупроводников, разбавляют азотом, взаимодействуют с воздухом, направляют на фильтр для улавливания образующихся твердых частиц и затем в каталитический реактор. Система очистки состоит из следующих аппаратов: смесителя, создающего вращающийся поток, в который вводятся воздух и разбавленный азотом отходящий газ, содержащий силан; реактора с вихревыми токами, в котором эти отходящие газы взаимодействуют с воздухом; циклонного сепаратора, установленного на выходе потока из вихревого реактора и соединенного с ним очистной трубой; фильтрат частиц расположен в конце потока из циклонного сепаратора; каталитического реактора для увеличения конверсии силана.

Недостатками данного способа является, во-первых, возможность очистки отходящих газов только с низким содержанием силана, для чего указанный газ разбавляется азотом; во-вторых, сложность аппаратурного оформления процесса - система состоит, по крайней мере, из пяти основных аппаратов; и, в-третьих, для высокой конверсии силана применяется дополнительный каталитический реактор.

Сущность изобретения состоит в том, что проводят способ очистки отходящих газов от силана, включающий его взаимодействие с кислородом воздуха с образованием твердого диоксида кремния, с последующим отделением диоксида кремния фильтрацией, отличающийся тем, что отходящие газы, содержащие силан, смешивают с воздухом и направляют на взаимодействие в реактор типа «туннельная горелка», причем время пребывания газов в реакторе от 1 до 10 сек, объемное соотношение силан:кислород от 1:2 до 1:10. Для полной конверсии силана подаваемый в реактор воздух и отходящие газы перед взаимодействием предварительно подогревают до температуры 150-350°С. Реактор, в котором проводится взаимодействие, снабжен рубашкой охлаждения, в которую подают теплоноситель с температурой 20-150°С.

После отделения твердых частиц, состоящих в основном из диоксида кремния, они поступают в систему удаления этих частиц, которая состоит из циклона и фильтра или только фильтра при низкой концентрации в газе твердых частиц. При содержании силана в отходящем газе ниже 1,5 об.% воздух и отходящие газы, подаваемые в реактор, предварительно нагревают до температуры 150-350°С. Содержание кислорода в подаваемом воздухе составляет около 21 об.%, и основываясь на этом, рассчитывают соотношения подаваемых в реактор газов синтеза и воздуха.

Принципиальная схема очистки газа, содержащего силан, приведена на фигуре 1, где 1 - подогреватель воздуха, 2 - реактор, 3 - циклон, 4 - фильтр; потоки: 5 - подача отходящего газа, 6 - подача воздуха, 7 - выход очищенного газа, 8 - выход диоксида кремния.

Реактор представляет собой высокоскоростной аппарат типа «туннельная горелка», в котором в цилиндрическую камеру сгорания по центру торцевой части коаксиально входят цилиндрический канал ввода отходящего газа и располагающийся вокруг него канал подачи воздуха. Камера сгорания имеет рубашку охлаждения, в которую для стабилизации фронта реакции, более полной конверсии силана и отвода тепла реакции подается теплоноситель с температурой 20-150°С. Диаметр реактора и каналов подачи компонентов выбирается таким образом, чтобы приведенная скорость газа в реакторе при нормальных условиях лежала в диапазоне 0,1-0,5 м/с, в каналах подачи воздуха 1-3 м/с, подачи отходящего газа 5-15 м/с. При указанных скоростях подачи газов обеспечивается требуемое соотношение силана и кислорода, что определяет полное сгорание силана. Время пребывания газа в реакторе должно составлять величину 1-10 с, воздух в реактор подается в таком количестве, чтобы объемное соотношение силан: кислород находилось в диапазоне 1:2 до 1:10.

В аппарате такой конструкции реакция происходит в узкой зоне, называемой фронтом реакции, при температурах, близких к адиабатическим, при этом стабилизация фронта горения происходит за счет наличии зоны обратных токов, в которой часть продуктов реакции за счет завихрений возвращается к месту ввода газов в камеру сгорания и нагревает их. При низкой концентрации силана в отходящем газе реализуется низкая температура во фронте горения. В этом случае для повышения конверсии силана, а также для начального инициирования процесса в реактор подают нагретые до температуры 150-350°С воздух и отходящие газы. В этом же случае для повышения температуры в зоне реакции и предотвращения проскока непрореагировавшего силана вдоль холодных стенок реактора в рубашку аппарата подают теплоноситель, нагретый до 150°С. Принципиальная схема реактора очистки газа, содержащего силан, приведена на фигуре 2, где 9 - канал подачи отходящего газа, содержащего силан, 10 - канал подачи воздуха, 11 - камера сгорания, 12 - зона обратных токов; потоки: 5 - вход газа, содержащего силан, 6 - вход воздуха, 7 - выход очищенного газа, 13 - вход теплоносителя, 14 - выход теплоносителя.

Ниже приведены примеры конкретной реализации процесса.

В таблице I представлены результаты опытов (условия примера I). Способ проводится в реакторе, схема которого приведена на фигуре 2, имеющем следующие геометрические характеристики: диаметр канала 1-3 мм, диаметр канала 2-16 мм, диаметр камеры сгорания 3-50 мм, длина камеры сгорания - 700 мм. В реактор подается воздух и смесь инертных газов и силана при комнатной температуре, в рубашку реактора подается теплоноситель с температурой 20°С. В таблице I приведены концентрация силана в инертных газах, скорость газа в каналах подачи и в камере сгорания, содержание силана в газе на выходе из фильтра.

Пример II. В реактор, схема которого приведена на фигуре 2, имеющий следующие геометрические характеристики: диаметр канала 1-4 мм, диаметр канала 2-10 мм, диаметр камеры сгорания 3-30 мм, длина камеры сгорания -700 мм. В реактор подается воздух, нагретый до температуры 350°С, и смесь инертных газов и силана при комнатной температуре, в рубашку реактора подается теплоноситель с температурой 20°С. В таблице II приведены концентрация силана в инертных газах, скорость газа в каналах подачи и в камере сгорания, содержание силана в газе на выходе из фильтра.

Пример III. В реактор, схема которого приведена на фигуре 2, имеющий следующие геометрические характеристики: диаметр канала 1-5 мм, диаметр канала 2-8 мм, диаметр камеры сгорания 3-30 мм, длина камеры сгорания - 700 мм. В реактор подается воздух, нагретый до температуры 350°С, и смесь инертных газов и силана при температуре 350°С, в рубашку реактора подается теплоноситель с температурой 150°С. В таблице III приведены концентрация силана в инертных газах, скорость газа в каналах подачи и в камере сгорания, содержание силана в газе на выходе из фильтра.

Результаты опытов, представленные в таблицах I-III, показывают, что для достижения удовлетворительных результатов по конечному содержанию силана в отходящих газах (менее 0,001%) необходимо при уменьшении содержания силана в исходном газе менее 10 об.% повышать температуру воздуха на входе реактора (пример 2), а при содержания силана в исходном газе менее 1 об.% (пример 3) повышать температуру воздуха на входе реактора и обогревать стенку реактора.

Данные, представленные в таблицах I-III, подтверждают, что достигнута цель, поставленная перед разработчиками данного изобретения, а именно создан способ очистки отходящих газов от силана до его содержания не более 0,001 об.%, отличающийся простотой в аппаратурном оформлении. При этом имеется возможность обработки газа, содержащего силан, в широком диапазоне концентраций.

Таким образом, представленное изобретение способствует созданию экологически безопасных технологий синтеза и применения силана.

Таблица I
Пример I
№ п/п Исходная концентрация SiH4, об.% Скорость газа, м/с Время пребывания, с Объемн. соотношение SiH4:O2 Конечная концентрация SiH4, об.%
канал подачи SiH4 канал подачи воздуха реактор
1 84,0 5,0 1,7 0,19 3,7 1/2,3 <0,001
2 55,9 7,5 1,6 0,19 3,7 1/2,2 <0,001
3 24,6 10,0 1,2 0,15 4,7 1:2,7 <0,001
4 16,2 10,0 1,0 0,13 5,4 1:3,1 <0,001
5 9,8 12,0 1,1 0,15 4,7 1:5,3 0,001
6 5,1 14,5 1,0 0,15 4,7 1:6,8 0,003
Таблица II
Пример II
№ п/п Исходная концентрация SiH4, об.% Скорость газа, м/с Время пребывания, с Объемн. соотношение SiH4: О2 Конечная концентрация SiH4, об.%
канал подачи SiH4 канал подачи воздуха реактор
1 9,2 5,5 1,1 0,22 3,2 1/2,6 <0,001
2 5,9 8,0 2,8 0,36 1,9 1:5 <0,001
3 2,3 11,0 1,5 0,30 2,3 1:5 <0,001
4 1,2 13,0 1,2 0,32 2,2 1:6,4 0,001
5 0,8 14,0 1,0 0,32 2,2 1:7,5 0,001
6 0,6 14,5 1,0 0,33 2,1 1:9,6 0,002
Таблица III
Пример III
№ п/п Исходная концентрация SiH4, об.% Скорость газа, м/с Время пребывания, с Объемн. соотношение SiH4:O2 Конечная концентрация SiH4, об.%
канал подачи SiH4 канал подачи воздуха реактор
1 1,1 8,0 2,0 0,29 2,4 1:5,5 <0,001
2 0,7 10,0 1,8 0,33 2,1 1:6 <0,001
3 0,5 10,0 1,6 0,33 2,1 1:7,5 <0,001
4 0,3 12,0 1,2 0,37 1,9 1:7,5 <0,001
5 0,1 14,9 1,0 0,44 1,6 1: 10 0,001

1. Способ очистки отходящих газов от силана, включающий его взаимодействие с кислородом воздуха с образованием твердого диоксида кремния, с последующим отделением диоксида кремния фильтрацией, отличающийся тем, что отходящие газы, содержащие силан, смешивают с воздухом, и взаимодействие проводят в реакторе типа «туннельная горелка», причем время пребывания газов в реакторе от 1 до 10 с, объемное соотношение силан: кислород от 1:2 до 1:10.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что для полной конверсии силана подаваемый в реактор воздух и отходящие газы перед взаимодействием предварительно подогревают до температуры 150-350°С.

3. Способ по любому из пп.1 и 2, отличающийся тем, что реактор снабжен рубашкой охлаждения, в которую подают теплоноситель с температурой 20-150°С.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к осажденной кремниевой кислоте и способу ее получения. .

Изобретение относится к области промышленной утилизации растительных отходов, преимущественно кремнийсодержащих. .

Изобретение относится к технологии изготовления детали из искусственного кварца для применения в качестве оптического элемента для ArF-литографии, подлежащего облучению лазерным светом, имеющим длину волны 200 нм или короче.

Изобретение относится к области переработки отходов сельскохозяйственного производства, в частности к переработке рисовой шелухи. .

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к осаждению разных диэлектрических слоев производных кремния в производстве субмикронных СБИС (сверхбольших интегральных схем).

Изобретение относится к области неорганической химии, в частности термосолянокислотной обработки железомагнезиальных серпентинизированных ультраосновных пород для получения двуокиси кремния, хлорида магния, пигмента, а также тонкодисперсного кремнезема, которые могут использоваться в синтезе нанокомпозитных материалов, особых и оптических стекол, в качестве наполнителя в резине и пластмассах, силикагельных сорбентов, носителей катализаторов, формовочного вещества в металлургии, составной части в лакокрасках, пластмассах, линолеуме, эмалях, в высокотемпературных огнестойких красках, в производстве тонкокерамических и огнеупорных веществ, в качестве исходного вещества для кремния, магния и его оксида и т.д.
Изобретение относится к области технологических процессов в области химической промышленности и может быть использовано для получения высокочистого кремнезема. .

Изобретение относится к технологии химической переработки минерального сырья, в частности к способам получения высокодисперсного диоксида кремния - аналога белой сажи, применяемого в качестве минерального наполнителя в отраслях промышленности, использующих высокодисперсные наполнители.

Изобретение относится к нанотехнологиям, в частности к получению водостойких и термостойких структурированных хемосенсорных пленок на основе фотонно-кристаллической опаловой матрицы, которые могут найти применение при экспрессном анализе вредных примесей в газообразных и жидких отходах.

Изобретение относится к области химической технологии, в частности к получению гидрида кремния (моносилана), и может быть использовано в производстве полупроводниковых структур, микроэлектронике и солнечной энергетике.

Изобретение относится к технологии получения высокочистых силанов, а именно к способам глубокой очистки моносилана, пригодного для формирования тонких полупроводниковых и диэлектрических слоев, а также поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты различного назначения.
Изобретение относится к области неорганической химии, а именно к получению моносилана, пригодного для формирования тонкопленочных полупроводниковых изделий, а также для производства поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты различного назначения (полупроводниковая техника, солнечная энергетика).
Изобретение относится к неорганической химии, а именно к получению кремнийсодержащих материалов, и касается разработки способа получения высокочистого силана, в том числе обогащенного изотопами Si28, или Si29, или Si30 , используемого для получения кремния в виде монокристаллов и пленок, а также покрытий из изотопно-обогащенного SiO2 .

Изобретение относится к получению гидридов кремния, в том числе моносилана высокой чистоты, предназначенного для формирования полупроводниковых и диэлектрических слоев, синтеза кремнийорганических соединений, термического осаждения (диссоциации) поликристаллического кремния.

Изобретение относится к способу получения моносилана высокой чистоты и низкой стоимости, пригодного для формирования тонких полупроводниковых и диэлектрических слоев, а также поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты различного назначения (электроника, солнечная энергетика).

Изобретение относится к химическим технологиям, а именно получению моносилана, используемого в производстве «солнечного» кремния. .
Изобретение относится к способам разделения смесей летучих веществ в процессах химической технологии и может быть использовано для разделения смесей хлорсиланов, гидридов, фторидов, органических продуктов и других продуктов с выделением целевого продукта.

Изобретение относится к области химии и может быть использовано для очистки дымовых газов от вредных примесей источников теплоснабжения систем квартирного отопления.

Изобретение относится к способам очистки отходящих газов от содержащегося в них силана SiH4

Наверх