Прецизионный операционный усилитель



Прецизионный операционный усилитель
Прецизионный операционный усилитель
Прецизионный операционный усилитель
Прецизионный операционный усилитель
Прецизионный операционный усилитель
Прецизионный операционный усилитель
Прецизионный операционный усилитель
Прецизионный операционный усилитель
Прецизионный операционный усилитель
Прецизионный операционный усилитель
Прецизионный операционный усилитель
Прецизионный операционный усилитель

 


Владельцы патента RU 2455757:

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") (RU)

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения. Технический результат - уменьшение абсолютного значения Uсм и его температурного и радиационного дрейфа. Прецизионный операционный усилитель содержит входной комплементарный дифференциальный каскад на n-p-n и p-n-р транзисторах, первое и второе токовые зеркала, буферный усилитель, первый и второй выходные транзисторы n-p-n типа, а также первый и второй выходные транзисторы p-n-р типа. 2 з.п. ф-лы, 12 ил.

 

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, в прецизионных интегральных и решающих усилителях, компараторах и т.п.).

Известны схемы операционных усилителей (ОУ) на основе входных комплементарных дифференциальных каскадов (КДУ) (двух параллельно-включенных дифференциальных усилителей (ДУ) с токостабилизирующими двухполюсниками в эмиттерных цепях входных транзисторов - так называемых «dual input stage») и промежуточных каскадов, выполненных на токовых зеркалах. ОУ с такой архитектурой стали основой построения многих современных аналоговых микросхем [1-14], в т.ч. ОУ с опцией rail-to-rail, имеющих максимальную амплитуду выходного напряжения, близкую к напряжению питания.

Ближайшим прототипом (фиг.1) заявляемого устройства является прецизионный операционный усилитель, описанный в патенте US №5.374.897, fig.3. Архитектура ОУ-прототипа также используется во многих патентах ведущих микроэлектронных фирм [1-14]. ОУ фиг.1 содержит входной комплементарный дифференциальный каскад 1 на n-p-n и p-n-p транзисторах с первым 2 и вторым 3 токовыми выходами, первое 4 токовое зеркало, согласованное с первой 5 шиной источника питания, вход которого соединен с первым 2 токовым выходом входного дифференциального каскада 1, второе 6 токовое зеркало, согласованное со второй 7 шиной источника питания, вход которого соединен со вторым 3 токовым выходом входного дифференциального каскада 1, буферный усилитель 8.

Существенный недостаток известного ДУ фиг.1 состоит в том, что он имеет повышенное значение систематической составляющей напряжения смещения нуля (Uсм), зависящей от свойств его архитектуры.

Основная задача предлагаемого изобретения состоит в уменьшении абсолютного значения Uсм и его температурного и радиационного дрейфа.

Поставленная задача решается тем, что в прецизионном операционном усилителе (фиг.1), содержащем входной комплементарный дифференциальный каскад 1 на n-p-n и p-n-p транзисторах с первым 2 и вторым 3 токовыми выходами, первое 4 токовое зеркало, согласованное с первой 5 шиной источника питания, вход которого соединен с первым 2 токовым выходом входного дифференциального каскада 1, второе 6 токовое зеркало, согласованное со второй 7 шиной источника питания, вход которого соединен со вторым 3 токовым выходом входного дифференциального каскада 1, буферный усилитель 8, предусмотрены новые элементы и связи, в схему введены первый 9 и второй 10 выходные транзисторы n-p-n типа, а также первый 11 и второй 12 выходные транзисторы p-n-p типа, эмиттеры первого 9 выходного транзистора n-p-n типа и первого 11 выходного транзистора p-n-p типа объединены и подключены ко входу буферного усилителя 8, коллектор первого 9 выходного транзистора n-p-n типа соединен с базой второго 10 выходного транзистора n-p-n типа и выходом первого 4 токового зеркала, эмиттер второго 10 выходного транзистора n-p-n типа соединен с базой первого 9 выходного транзистора n-p-n типа, а коллектор второго 10 выходного транзистора n-p-n типа соединен с первой 13 цепью согласования потенциалов, коллектор первого 11 выходного транзистора p-n-p типа соединен с базой второго 12 выходного транзистора p-n-p типа и выходом второго 6 токового зеркала, эмиттер второго 12 выходного транзистора p-n-p типа соединен с базой первого 11 выходного транзистора p-n-p типа, а коллектор второго 12 выходного транзистора p-n-p типа соединен со второй 14 цепью согласования потенциалов.

Схема известного операционного усилителя-прототипа представлена на чертеже фиг.1.

На чертеже фиг.2 показана схема заявляемого ОУ в соответствии с п.1 формулы изобретения.

На чертежах фиг.3 и фиг.4 показаны в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар» с идеальным буферным каскадом схемы дифференциального усилителя-прототипа (фиг.3), имеющего Uсм=359 мкВ при коэффициентах усиления по току базы βn=25, βр=43 и заявляемого ОУ (фиг.4), в котором Uсм=-53 мкВ при βn=25, βр=43.

На чертеже фиг.5 приведены температурные зависимости напряжения смещения нуля Uсм сравниваемых схем ОУ фиг.3 и фиг.4 с идеальным буферным каскадом 8.

На чертеже фиг.6 представлена схема заявляемого устройства в соответствии с п.2 формулы изобретения.

На чертеже фиг.7 показана схема ОУ-прототипа в среде PSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар», имеющего Uсм=814,9 мкВ с комплементарным буферным каскадом на n-p-n и p-n-p транзисторах.

Па чертеже фиг.8 представлена схема предлагаемого ОУ с комплементарным буфером в среде PSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар», имеющего Uсм=55,8 мкВ при токах I3=I4=1.3 мА комплементарного каскада.

На чертеже фиг.9 показаны температурные зависимости напряжения смещения нуля сравниваемых схем ОУ при статических токах I3=I4=1,3 мА.

На чертеже фиг.10 представлена схема ОУ-прототипа в среде Pspice на моделях интегральных транзисторов ФГУП ППП «Пульсар», имеющего Uсм=-192,2 мкВ при статических токах буфера I3=I4=0,5 мА.

На чертеже фиг.11 показана схема заявляемого ОУ в среде PSpice, имеющего Uсм=10,2 мкВ при статистических токах буферного каскада I3=I4=0,5 мА.

На чертеже фиг.12 приведены графики температурной зависимости Uсм сравниваемых схем ОУ фиг.10, фиг.11.

Прецизионный операционный, усилитель фиг.2 содержит входной комплементарный дифференциальный каскад 1 на n-p-n и p-n-p транзисторах с первым 2 и вторым 3 токовыми выходами, первое 4 токовое зеркало, согласованное с первой 5 шиной источника питания, вход которого соединен с первым 2 токовым выходом входного дифференциального каскада 1, второе 6 токовое зеркало, согласованное со второй 7 шиной источника питания, вход которого соединен со вторым 3 токовым выходом входного дифференциального каскада.1, буферный усилитель 8. В схему введены первый 9 и второй 10 выходные транзисторы n-p-n типа, а также первый 11 и второй 12 выходные транзисторы p-n-p типа, эмиттеры первого 9 выходного транзистора n-p-n типа и первого 11 выходного транзистора p-n-p типа объединены и подключены ко входу буферного усилителя 8, коллектор первого 9 выходного транзистора n-p-n типа соединен с базой второго 10 выходного транзистора n-p-n типа и выходом первого 4 токового зеркала, эмиттер второго 10 выходного транзистора n-p-n типа соединен с базой первого 9 выходного транзистора n-p-n типа, а коллектор второго 10 выходного транзистора n-p-n типа соединен с первой 13 цепью согласования потенциалов, коллектор первого 11 выходного транзистора p-n-p типа соединен с базой второго 12 выходного транзистора p-n-p типа и выходом второго 6 токового зеркала, эмиттер второго 12 выходного транзистора p-n-p типа соединен с базой первого 11 выходного транзистора p-n-p типа, а коллектор второго 12 выходного транзистора p-n-p типа соединен со второй 14 цепью согласования потенциалов.

В соответствии с п.2 формулы изобретения буферный усилитель 8 на чертеже фиг.2 имеет входной статический ток IБУ, значительно меньший, чем токи базы первого 9 выходного транзистора n-p-n типа Iбр и первого 11 выходного транзистора p-n-p типа Iбn.

На чертеже фиг.6 представлена схема ОУ в соответствии с п.3 формулы изобретения. Здесь буферный усилитель 8 имеет две противоположно направленные составляющие входного тока Iбр и Iбn, приблизительно равные токам базы n-p-n и p-n-p выходных транзисторов 9 и 11. Причем в качестве первой 13 цепи согласования потенциалов в данной схеме используется вход первого 4 токового зеркала, а в качестве второй 14 цепи согласования потенциалов используется вход второго 6 токового зеркала. Примеры построения такого буферного усилителя даны на чертежах фиг.7, фиг.8.

В качестве входного комплементарного дифференциального каскада 1 рекомендуется использовать классические схемы, приведенные в [1-14], а также схемы, показанные на чертежах фиг.3, фиг.4, фиг.5, фиг.6, фиг.10 или фиг.11.

Буферный усилитель 8 может быть реализован как на полевых (для схемы фиг.2), так и на биполярных транзисторах (схема фиг.6), в том числе в соответствии с чертежами фиг,7, фиг.8, фиг.10, фиг.11.

Рассмотрим факторы, определяющие систематическую составляющую напряжения смещения нуля (Uсм) в схеме фиг.2, для которой буферный усилитель 8 имеет малые входные токи (IБУ≈0).

Если учесть, что выходные токи для узлов 2 и 3 входного комплементарного дифференциального каскада 1 удовлетворяют условиям:

то можно найти выходные токи токовых зеркал 4 и 6, в качестве которых. рекомендуется использовать классические токовые зеркала Вильсона с Ki12=-1;

где Iб.i=Iэ.ii - ток базы n-р-n (Iбр) или р-n-р (Iбn) транзисторов схемы ОУ при их эмиттерном токе Iэ.i=I0;

βi - коэффициент усиления по току базы i-го транзистора.

Учитывая, что токи базы транзисторов 10 и 12 малы, можно найти эмиттерные токи транзисторов 9 и 12 при входном токе буферного усилителя 8 IБУ<<Iбn, IБУ<<Iбр:

Таким образом, в схеме фиг.2 в высокоимпедансном узле «А» обеспечивается взаимная компенсация токов, обусловленных ошибкой установления статического режима входного комплементарного каскада 1, связанной с неидентичностью β применяемых р-n-р и n-р-n транзисторов. Поэтому систематическая составляющая напряжения смещения нуля в схеме фиг.2 близка к нулю (Uсм≈0).

Результаты компьютерного моделирования известной (фиг.3) и предлагаемой (фиг.4) схем ОУ, представленные на чертеже фиг.5, показывают, что схема фиг.4 имеет меньшее значение Uсм и его температурный дрейф.

Изменение связей между элементами схемы ОУ в соответствии с п.3 формулы изобретения (фиг.6) позволяет обеспечить взаимную компенсацию статических токов в узле «А» при использовании в качестве буферного усилителя 8 так называемых комплементарных «бриллиантовых» эмиттерных повторителей. Этот тип выходных каскадов широко применяется в ОУ рассматриваемого класса (см., например, патенты US 5515.005, fig.2, 6.268.769, fig.3, JP 7050528), а их входной ток имеет две противоположно направленные составляющие, каждая из которых обусловлена токами базы n-р-n (Iбр) и р-n-р (Iбn) транзисторов. При таком построении схемы ОУ сумма токов в узле «А» (при нулевом входном сигнале) равна нулю, что создает условия для получения Uсм=0 и уменьшения его температурного дрейфа.

Сравнительное компьютерное моделирование схем фиг.7 и фиг.8, результаты которого показаны на чертеже фиг.9, свидетельствует о существенном уменьшении систематической составляющей напряжения смещения нуля ОУ фиг.2.

Исследования в среде PSpice схем ОУ фиг.10 и фиг.11, в которых (в отличие от фиг.7, фиг.8) используется другой статический режим входных транзисторов буферного усилителя 8, также показывают (фиг.12) преимущества заявляемой схемы ОУ по величине Uсм и его дрейфа.

Таким образом, заявляемое устройство обладает существенными преимуществами в сравнении с прототипом по величине статической ошибки усиления сигналов постоянного тока.

Библиографический список.

1. Патент США №5.512.859, fig.1.

2. Патент США №5.515.005, fig.1.

3. Патентная заявка Японии JP 2008/235963.

4. Патент США №4.783.637, fig.1.

5. Патент Японии JP 7050528.

6. Патент США №5.374.897, fig.3.

7. Патент США №6.268.769.

8. Патент США №3.968.471.

9. Патент РФ №611288.

10. Патентная заявка США №2006/0125522, fig.1B.

11. Патент США, №5.291.149, fig.3.

12. Патент США №5.225.791, fig.2.

13. Патент США №6.504.419, fig.2.

14. Патент США №5.714.906, fig.15.

1. Прецизионный операционный усилитель, содержащий входной комплементарный дифференциальный каскад (1) на n-p-n и р-n-р транзисторах с первым (2) и вторым (3) токовыми выходами, первое (4) токовое зеркало, согласованное с первой (5) шиной источника питания, вход которого соединен с первым (2) токовым выходом входного дифференциального каскада (1), второе (6) токовое зеркало, согласованное со второй (7) шиной источника питания, вход которого соединен со вторым (3) токовым выходом входного дифференциального каскада (1), буферный усилитель (8), отличающийся тем, что в схему введены первый (9) и второй (10) выходные транзисторы n-p-n типа, а также первый (11) и второй (12) выходные транзисторы p-n-р типа, эмиттеры первого (9) выходного транзистора n-p-n типа и первого (11) выходного транзистора р-n-р типа объединены и подключены ко входу буферного усилителя (8), коллектор первого (9) выходного транзистора n-p-n типа соединен с базой второго (10) выходного транзистора n-p-n типа и выходом первого (4) токового зеркала, эмиттер второго (10) выходного транзистора n-p-n типа соединен с базой первого (9) выходного транзистора n-p-n типа, а коллектор второго (10) выходного транзистора n-p-n типа соединен с первой (13) цепью согласования потенциалов, коллектор первого (11) выходного транзистора p-n-р типа соединен с базой второго (12) выходного транзистора p-n-р типа и выходом второго (6) токового зеркала, эмиттер второго (12) выходного транзистора p-n-р типа соединен с базой первого (11) выходного транзистора p-n-р типа, а коллектор второго (12) выходного транзистора p-n-р типа соединен со второй (14) цепью согласования потенциалов.

2. Прецизионный операционный усилитель по п.1, отличающийся тем, что буферный усилитель (8) имеет входной статический ток значительно меньший, чем токи базы первого (9) выходного транзистора n-p-n типа и первого (11) выходного транзистора p-n-р типа.

3. Прецизионный операционный усилитель по п.1, отличающийся тем, что буферный усилитель (8) имеет две противоположно направленные составляющие статического входного тока, приблизительно равные соответствующим токам базы n-р-n (9) и р-n-р (11) выходных транзисторов, причем в качестве первой (13) цепи согласования потенциалов используется вход первого (4) токового зеркала, а в качестве второй (14) цепи согласования потенциалов используется вход второго (6) токового зеркала.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, SiGe-операционных усилителях, СВЧ-усилителях, компараторах, непрерывных стабилизаторах напряжения и т.п.).

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, мостовых усилителях мощности, драйверах дифференциальных линий связи, фильтрах, компараторах т.п.).

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, в прецизионных интегральных и решающих усилителях, компараторах и т.п.).

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов с широким динамическим диапазоном, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, в прецизионных интерфейсах, компараторах и т.п.).

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, мостовых усилителях мощности, фильтрах, компараторах т.п.).

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, решающих усилителях, фильтрах, компараторах т.п.).

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, мостовых усилителях мощности, фильтрах, компараторах т.п.).

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых СВЧ-сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, широкополосных и избирательных усилителях ВЧ- и СВЧ-диапазонов, реализуемых по технологиям SGB25VD, SG25H1, SG25H2, SG13SI и др.)

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, СВЧ-усилителях, смесителях и перемножителях сигналов и т.п.)

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, SiGe-операционных усилителях (ОУ), СВЧ-усилителях, компараторах, непрерывных стабилизаторах напряжения и т.п.)

Изобретение относится к области устройств усиления аналоговых сигналов

Изобретение относится к вычислительной технике

Изобретение относится к области радиотехники и связи

Изобретение относится к области радиотехники и связи

Изобретение относится к области радиотехники и связи

Изобретение относится к области радиотехники и связи
Наверх