Выводная рамка для свч и квч полупроводникового прибора

Изобретение относится к электронной технике. Техническим результатом изобретения является улучшение электрических характеристик за счет оптимизации конфигурации выводов и, как следствие, снижение потерь мощности сигнала на СВЧ. Сущность изобретения: в выводной рамке для СВЧ и КВЧ полупроводникового прибора, состоящей из нескольких выводов, с внешними и внутренними концами, толщина выводной рамки составляет 1-30 мкм, а длина внешних выводов, выходящих за пределы кристалла полупроводникового прибора, равна 0,1-1,5 мм, места соединений внутренних и внешних концов выводов, а также переходы сечений выводов выполнены плавными, по крайней мере, два плоских вывода имеют клиновидный участок, причем ширина его узкой части Wн совпадает с размером внутреннего конца, а ширина широкой части Wк и длина 1 соответствуют условию: ΔL/ΔC=1,15±0,75, где: ΔL - относительное изменение паразитной индуктивности плоского вывода L в процентах к максимально возможному ее изменению при изменении Wк от 0,03 до 1 мм; ΔС - относительное изменение паразитной емкости плоского вывода С в процентах к максимально возможному ее изменению при изменении Wк от 0,03 до 1 мм, при этом

L=0,05+[0,66-0,04(Wк/Wн)]1,

C=[0,008+0,0002f Wк/Wн)]1,

Wн больше или равна 0,03 мм, a Wк изменяется в пределах от 0,04 до 1 мм. 1 з.п. ф-лы, 2 табл., 5 ил.

 

Изобретение относится к электронной технике, а именно к выводным рамкам для присоединения кристаллов СВЧ и КВЧ полупроводниковых приборов к топологическому рисунку микрополосковых плат гибридных интегральных схем СВЧ и КВЧ-диапазона.

Известна выводная рамка для интегральных схем, которая содержит опорные полоски и несколько выводов, каждый из которых имеет наружный и внутренний концы. Наружные концы выводов соединены с опорными полосками, а внутренние концы отходят от опорных полосок к центру рамки. В центре выводной рамки расположен удаляемый элемент, на периферии которого расположено несколько углублений. Внутренние концы выводов помещены в углубления удаляемого элемента, чтобы предотвратить их смещение одного относительно другого[1].

Недостатком данной конструкции является необходимость изготовления центрального удаляемого элемента с углублениями, высокая трудоемкость технологии изготовления, неудобства применения для приборов СВЧ и КВЧ диапазонов.

Наиболее близким техническим решением является выводная рамка для СВЧ и КВЧ полупроводникового прибора, состоящая из нескольких выводов с внешними и внутренними концами, при этом внешние концы соединены с опорными полосками внешней технологической рамки, а внутренние концы имеют конфигурацию, соответствующую конфигурации контактных площадок кристалла полупроводникового прибора, и предназначены для непосредственного соединения с ними, толщина выводной рамки составляет 1-30 мкм, а длина внешних концов выводов, выходящих за пределы кристалла полупроводникового прибора, равна 0,1-1,5 мм, места соединений внутренних и внешних концов выводов, а также переходы сечений выводов выполнены плавными [2]. Конструкция рамки имеет улучшенные электрические характеристики по сравнению с аналогом, но недостаточные, что связано с конфигурацией плоских выводов и, как следствие, высокие потери энергии сигнала на СВЧ.

Техническим результатом изобретения является улучшение электрических характеристик за счет оптимизации конфигурации выводов и, как следствие, снижение потерь мощности сигнала на СВЧ.

Технический результат достигается тем, что в выводной рамке для СВЧ и КВЧ полупроводникового прибора, состоящей из нескольких выводов с внешними и внутренними концами, при этом внешние концы выводов соединены с опорными полосками внешней технологической рамки, а внутренние концы имеют конфигурацию, соответствующую конфигурации контактных площадок кристалла полупроводникового прибора, и предназначены для непосредственного соединения с ними, толщина выводной рамки составляет 1-30 мкм, а длина внешних выводов, выходящих за пределы кристалла полупроводникового прибора, равна 0,1-1,5 мм, места соединений внутренних и внешних концов выводов, а также переходы сечений выводов выполнены плавными, по крайней мере, два плоских вывода имеют клиновидный участок, причем ширина его узкой части Wн совпадает с размером внутреннего конца, а ширина широкой части Wк и длина l удовлетворяют условию: ΔL/ΔC=1,15±0,75, где: ΔL относительное изменение паразитной индуктивности плоского вывода L в процентах к максимально возможному ее изменению при изменении Wк от 0,03 до 1 мм; ΔC - относительное изменение паразитной емкости плоского вывода C в процентах к максимально возможному ее изменению при изменении Wк от 0,03 до 1 мм, при этом L=0,05+[0,66-0,04(Wк/Wн)]1; C=[0,008+0,0002(Wк/Wн)]1, Wн больше или равна 0,03 мм, a Wк изменяется в пределах от 0,04 до 1 мм.

Для облегчения присоединения внешних концов выводов возможно соединение нескольких внутренних концов выводов в один внешний при помощи клиновидных участков.

Наличие, по крайней мере, у одного плоского вывода клиновидного участка позволяет уменьшить его паразитную индуктивность L при незначительном увеличении паразитной емкости C и, таким образом, снизить потери мощности проходящего сигнала СВЧ, а значит, улучшить электрические характеристики.

Выполнение условия ΔL/ΔC=1,15±0,75, где L=0,05+[0,66-0,04(Wк/Wн)]1 паразитная индуктивность и C=[0,008+0,0002(Wк/Wн)]1 паразитная емкость, клиновидного участка вывода позволяет дополнительно снизить потери проходящего сигнала, а значит, улучшить электрические характеристики полупроводниковых приборов и гибридных интегральных схем СВЧ и КВЧ-диапазонов, в которых они установлены и используются.

Ограничение ширины узкой части клина Wн клиновидного участка плоского вывода объясняется тем, что величина контактных площадок полупроводниковых приборов СВЧ и КВЧ-диапазонов (транзисторов и монолитных полупроводниковых интегральных схем) выполняется обычно с минимальными размерами 30×30 мкм.

Ограничение ширины широкой части клина Wк клиновидного участка плоского вывода сверху объясняется тем, что величина ширины пятидесятиомной микрополосковой несимметричной линии платы гибридной интегральной схемы, выполняемой на диэлектрической подложке, примерно равна толщине подложки, а обычная толщина диэлектрической подложки не превышает 1 мм. Ограничение ширины широкой части клина Wк клиновидного участка плоского вывода снизу объясняется тем, что меньшее расширение практически не дает эффекта улучшения электрических характеристик.

Изобретение поясняется чертежами.

На Фиг.1 представлен фрагмент предложенной выводной рамки СВЧ и КВЧ-полупроводникового прибора, где:

- плоский вывод 1;

- внешний конец вывода 2;

- внутренний конец вывода 3;

- опорные полоски внешней технологической рамки 4;

- контактная площадка 5;

- кристалл полупроводникового прибора 6;

- часть внешних концов выводов, выходящая за пределы кристалла полупроводникового прибора 7;

- клиновидный участок плоского вывода длиной 1 8;

- узкая часть клиновидного участка шириной Wн 9;

- широкая часть клиновидного участка шириной Wк 10;

- место обрезки внешней технологической рамки 11.

На Фиг.2 представлены графики зависимости отношения ΔL/ΔC от ширины Wк плоского балочного вывода выводной рамки, где:

___ при Wн=0.05 мм, 1=0.5 мм;

-.- при Wн=0.05 мм, 1=1 мм;

---- при Wн=0.1 мм, 1=0.5 мм.

На Фиг.3 представлена эквивалентная схема плоского вывода выводной рамки, где Z волновое сопротивление входа и выхода; Lэкв. эквивалентная индуктивность; Cэкв. эквивалентная емкость.

На Фиг.4 график зависимости отношения ΔL/ΔC от ширины Wк балочного вывода выводной рамки при Wн=0.03 мм.

На Фиг.5 график зависимости отношения ΔL/ΔC от ширины Wк балочного вывода выводной рамки при Wн=0.3 мм.

Пример.

Выводная рамка СВЧ и КВЧ-полупроводникового прибора, например полевого транзистора 3П976А - 5 (АЕЯР.432140.207ТУ). Кристалл полевого транзистора 3П976А - 5 имеет три контактные площадки 5 стока и три контактные площадки 5 затвора. Выводная рамка состоит из двух выводов 1, сток и затвор, внутренние концы 3 которых подключены к контактным площадкам 5, два внешних конца 2 соединены с опорными полосками 4 внешней технологической рамки 11. Внутренние концы 3 вывода 1 имеют конфигурацию, соответствующие конфигурации контактных площадок кристаллов. Размер контактной площадки 5 кристалла транзистора 50×50 мкм. Размеры внутреннего конца 3 вывода 45×45 мкм, что обеспечивает зазор в 2,5 мкм и облегчает их совмещение.

Толщина выводной рамки составляет 8 мкм. Материал, из которого выполнена рамка - гальванически осажденное золото, обеспечивает хорошую проводимость, свариваемость с контактными площадками 5, имеющим структуру металлизации Ti 0,02 мкм (напыленный) - Pd 0,2 мкм (напыленный) - Au 3 мкм(гальванически осажденное).

Внутренние концы 3 выводов 1 соединены контактной термозвуковой сваркой с контактными площадками 5 кристалла полупроводникового прибора 6. Ширина внешнего конца 2 вывода 1 соответствует ширине 0,5 мм пленочного проводника пятидесятиомной микрополосковой несимметричной линии на поликоровой подложке платы толщиной 0,5 мм. Длина внешних концов 2 выводов 1, выходящих за пределы кристалла 6, составляет 0,9 мм. Места соединений внутренних концов 3 и внешних концов 2 выводов 1, а также переходы сечений выводов 1 выполнены плавными. Выводы 1 имеют клиновидные участки 8. Ширина узкой части клина Wн клиновидного участка 8 вывода доставляет 45 мкм, а ширина широкой части клина Wк клиновидного участка 8 вывода 1 соответственно равна 0,5 мм. Длина клиновидного участка 1 равна 1 мм. Отношение ΔL/ΔC равно 0,78.

Используя компьютерное моделирование и программу двумерного электромагнитного моделирования [3] и сравнивая паразитные индуктивности и емкости клиновидных и прямоугольных участков выводов, а также проведя расчеты S-параметров транзисторов с учетом паразитных индуктивностей и емкостей, установлено, что замена прямоугольных участков плоского вывода на клиновидные позволяет уменьшить влияние паразитных параметров примерно на10%.

В расчетах использовалась показанная на Фиг.3 эквивалентная схема плоского вывода, волновое сопротивление входа и выхода Z которой равно 50 Ohm. Схема состоит из входной эквивалентной емкости на землю Cэкв, эквивалентной индуктивности Lэкв на проход и выходной эквивалентной емкости на землю Cэкв. Эквивалентная схема позволяет учесть при расчете параметров транзистора паразитные индуктивности и емкости, вносимые этими выводами в схему транзистора. Расчеты показали, что можно найти значения параметров Lэкв и Cэкв эквивалентной схемы, при которых S-параметры транзистора в диапазоне частот 2-18 ГГц практически совпадают с S-параметрами транзистора, рассчитанными по программе двумерного электромагнитного моделирования.

Расчет паразитных эквивалентных индуктивностей и емкостей плоских балочных выводов представлен в таблице 1 и 2.

Таблица 1.
Клиновидный балочный вывод выводной рамки.
Начальная ширина 30 мкм, конечная 300 мкм нач.: ширина 300 мкм, кон. - 1 мм
Длина l, мкм Lэкв, нГн Сэкв, пФ Lэкв, нГн Сэкв, пФ
100 0.106 0.0012 0.07 0.003
300 0.185 0.003 0.11 0.006
500 0.28 0.0044 0.15 0.009
700 0.38 0.006 0.2 0.013
900 0.483 0.008 0.25 0.016
1100 0.585 0.009 0.3 0.02
1300 0.687 0.01 0.34 0.023
1500 0.788 0.012 0.39 0.025
Таблица 2.
Прямоугольный вывод выводной рамки
ширина 30 мкм, ширина 300 мм
Длина l, мкм Lэкв, нГн Сэкв, пФ Lэкв, нГн Сэкв, пФ
100 0.133 0.001 0.09 0.001
300 0.28 0.0018 0.14 0.004
500 0.44 0.0032 0.21 0.007
700 0.62 0.0045 0.29 0.01
900 0.77 0.006 0.35 0.013
1100 0.93 0.0075 0.43 0.016
1300 1.1 0.009 0.5 0.019
1500 1.26 0.01 0.57 0.022

Анализ полученных результатов показывает, что:

- применение клиновидного плоского балочного вывода позволяет значительно уменьшить паразитную индуктивность вывода;

- паразитная емкость вывода практически не увеличивается;

- эффективность применения клиновидного вывода возрастает при увеличении длины плоского балочного вывода.

Таким образом, введение клиновидных участков позволяет минимизировать паразитные индуктивности и емкости и тем самым снизить потери мощности проходящего сигнала, а значит, улучшить электрические характеристики.

Устройство работает следующим образом. Выводную рамку подключают внутренними концами 3 плоских выводов 1 к контактным площадкам 5 кристалла 6 полевого транзистора СВЧ-диапазона, а внешними концами 2 выводов 1 к микрополосковой линии платы гибридной интегральной схемы. После обрезки технологической рамки выводы выводной рамки обеспечивают подводку СВЧ-сигнала с минимальными потерями к транзистору и отвод обработанного (усиленного) сигнала от транзистора к выходной микрополосковой линии с минимальными потерями.

Предложенная конструкция по сравнению с прототипом улучшает электрические характеристики за счет уменьшения потерь энергии СВЧ-сигнала, что связано с обеспечением лучшего согласования микрополосковой линии и внешних концов выводов рамки и при переходе сигнала с внешних концов выводов на выходную микрополосковую линию, а также снижения потерь при переходе от контактных площадок полупроводникового прибора (транзистора) к микрополосковым линиям за счет оптимизации формы участков выводов.

Источники информации

1. Патент США №4415917, МКИ H01L 29/60, 23/48, НКИ 357-70, публикация 83.11.15, т.1036, 3.

2. Патент РФ №2191492 на изобретение, МПК7 H05K 3/24, H01L 23/48, приоритет 17.04.2000 г. Выводная рамка для СВЧ и КВЧ-полупроводникового прибора. Иовдальский В.А., Пчелин В.А.

3. Microwave Office/vss/AO 2006, http//www.appwave.com.

1. Выводная рамка для СВЧ и КВЧ полупроводникового прибора, состоящая из нескольких плоских выводов с внешними и внутренними концами, при этом внешние концы выводов соединены с опорными полосками внешней технологической рамки, а внутренние концы имеют конфигурацию, соответствующую конфигурации контактных площадок кристалла полупроводникового прибора и предназначены для непосредственного соединения с ними, толщина выводной рамки составляет 1-30 мкм, а длина внешних концов выводов, выходящих за пределы кристалла полупроводникового прибора равна 0,1-1,5 мм, места соединений внутренних и внешних концов выводов, а также переходы сечений выводов выполнены плавными, отличающаяся тем, что, по крайней мере, один плоский вывод имеет клиновидный участок, причем ширина его узкой части Wн совпадает с размером внутреннего конца, а ширина широкой части Wк и длина 1 соответствуют условию: ΔL/ΔC=1,15±0,75,
где ΔL - относительное изменение паразитной индуктивности плоского вывода L в процентах к максимально возможному ее изменению при изменении Wк от 0,03 до 1 мм;
ΔС - относительное изменение паразитной емкости плоского вывода С в процентах к максимально возможному ее изменению при изменении Wк от 0,03 до 1 мм, при этом
L=0,05+[0,66-0,04(Wк/Wн)]1,
C=[0,008+0,0002(Wк/Wн)]1,
Wн больше или равна 0,03 мм, a Wк изменяется в пределах от 0,04 до 1 мм.

2. Выводная рамка для СВЧ и КВЧ полупроводникового прибора по п.1, отличающаяся тем, что несколько внутренних концов выводов соединены в один внешний при помощи клиновидных участков выводов.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к межсоединениям по методу перевернутого кристалла. .

Изобретение относится к полупроводниковому устройству, снабженному многослойной структурой межсоединений. .

Изобретение относится к способу и устройству межсоединения, использующему метод перевернутого кристалла на основе сформированных электрических соединений. .

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и может быть использовано при разработке и изготовлении гибридных микросхем. .

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, их гибридной сборке и преимущественно предназначено для сборки фотоприемных модулей.

Изобретение относится к области конструирования полупроводниковых приборов и может быть использовано в производстве силовых диодов, тиристоров, IGBT и других приборов полностью прижимной конструкции с уменьшенными и стабильными значениями падения напряжения во включенном состоянии (Von) и теплового сопротивления (Rth ).

Изобретение относится к областям микроэлектроники и микромеханики, микроструктурной технологии и может быть использовано при разработке и изготовлении гибридно-собранных интегральных микросхем, а также при групповом механическом и/или электрическом соединении разнообразных функциональных устройств, выполненных на поверхностях разных подложек: полупроводников, металлов, диэлектриков или их комбинаций.

Изобретение относится к областям микроэлектроники и микромеханики, микроструктурной технологии и может быть использовано при разработке и изготовлении гибридно собранных интегральных микросхем, а также при групповом механическом и/или электрическом соединении разнообразных функциональных устройств, выполненных на поверхностях разных подложек: полупроводников, металлов, диэлектриков или их комбинаций.

Изобретение относится к технологии полупроводникового приборостроения, а именно - к способам и составам для технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, в частности - к технологии создания клеевых электропроводящих композиций.

Изобретение относится к области силовой электроники. .

Изобретение относится к вычислительным системам, в частности к системной плате

Изобретение относится к микроэлектронике, к структурам взаимного соединения в многокристальных корпусах. Сущность изобретения: многокристальный корпус включает в себя подложку, имеющую первую сторону, противоположную вторую сторону и третью сторону, которая продолжается от первой стороны до второй стороны, первый кристалл, закрепленный на первой стороне подложки, и второй кристалл, также закрепленный на первой стороне подложки, и мост, расположенный рядом с третьей стороной подложки и соединенный с первым кристаллом и со вторым кристаллом. Никакой из участков подложки не находится под мостом. Мост формирует соединение между первым кристаллом и вторым кристаллом. В качестве альтернативы мост может быть расположен в полости на подложке или между подложкой и слоем кристалла. Мост может составлять активный кристалл и может быть закреплен на подложке с использованием проводных соединений. Изобретение позволяет получить структуры взаимных соединений между кристаллами в корпусах с большой плотностью, более высокими рабочими характеристиками и пониженной стоимостью. 10 н. и 13 з.п. ф-лы, 17 ил.

Изобретение относится к области приведения в контакт ОСИД с проводником. В способе для приведения в контакт ОСИД с проводником, ОСИД содержит подложку, по меньшей мере, с одной ячейкой, область контакта и инкапсулирующую оболочку, содержащую тонкую пленку, которая содержит нитрид кремния, карбид кремния или оксид алюминия, причем инкапсулирующая оболочка инкапсулирует, по меньшей мере, область контакта, а способ содержит этапы компоновки проводника на инкапсулирующей оболочке и взаимного соединения проводника с областью контакта, без предварительного удаления инкапсулирующей оболочки между проводником и областью контакта. Это изобретение обладает преимуществом в том, что инкапсулирующую оболочку между проводником и областью контакта не надо предварительно удалять. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к модулю полупроводникового преобразователя электроэнергии. Технический результат - создание модуля полупроводникового преобразователя электроэнергии с охлаждаемой ошиновкой (8) по меньшей мере двух модулей (2, 4) силовых полупроводниковых приборов, который можно нагружать электрически сильнее по сравнению со стандартным модулем полупроводникового преобразователя электроэнергии, при этом может выдерживаться допустимая температура для изоляционного слоя (32) и материала ламинирования ошиновки (8). Достигается тем, что модуль полупроводникового преобразователя электроэнергии, содержащий по меньшей мере два модуля (2, 4) силовых полупроводниковых приборов, которые механически соединены с обеспечением теплопроводности с жидкостным теплоотводом (6), и которые с помощью ошиновки (8), которая имеет по меньшей мере два изолированных друг от друга с помощью изоляционного слоя (32) шинопровода (26, 28; 28, 30), соединенных электрически с контактами (10, 12, 14) модуля полупроводникового преобразователя электроэнергии, изоляционный слой (32) имеет два изолирующих слоя (36, 38), которые соединены с замыканием по материалу друг с другом так, что между этими обоими изолирующими слоями (36, 38) имеется полое пространство (40) заданной формы, которое на стороне входа и выхода заканчивается по меньшей мере в одной боковой поверхности (48, 50) этого изоляционного слоя (32), и это полое пространство (40) на стороне входа и выхода снабжено соответствующим патрубком (42), которые соединены каждый с возможностью прохождения жидкости с жидкостным теплоотводом (6). 15 з.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к проводящим пастам для формирования металлических контактов на поверхности субстратов для фотогальванических элементов. Проводящая паста по существу свободна от стеклянной фритты. По одному варианту выполнения изобретения проводящая паста содержит металлоорганические компоненты, которые образуют твердую металлоксидную фазу при обжиге, и проводящий материал. Металлоорганические компоненты выбраны из группы, включающей карбоксилаты металлов или алкоксиды металлов, где металлом является бор, алюминий, кремний, висмут, цинк или ванадий. По другому варианту проводящая паста включает несколько предшественников, которые образуют проводящие элементы при обжиге или нагревании. Паста адаптирована для сцепления с поверхностью субстрата и при обжиге формирует твердую оксидную фазу с образованием из проводящих материалов электрического проводника на субстрате. Использование указанной проводящей пасты в линии проводящей сетки фотогальванических элементов обеспечивает повышение эффективности и коэффициента заполнения гальванического элемента. 3 н. и 11 з.п. ф-лы, 1 табл., 2 пр.

Изобретение относится к электронной технике. В выводной рамке для многокристального полупроводникового прибора СВЧ, содержащей, по меньшей мере, два вывода каждый с внешними и внутренними концами, внешние концы выводов соединены с технологической рамкой, внутренние концы каждого вывода имеют конфигурацию, соответствующую конфигурации контактных площадок кристалла полупроводникового прибора, и предназначены для непосредственного соединения с последним. Внутренние концы каждого вывода выполнены и сгруппированы соответственно конфигурации контактных площадок, по меньшей мере, двух кристаллов полупроводникового прибора, при этом упомянутые группы внутренних концов выводов расположены между собой на расстоянии, обеспечивающем расположение кристаллов полупроводникового прибора с зазором не более 5 мм, упомянутые группы внутренних концов выводов, предназначенные для соединения однофункциональных выводов кристаллов полупроводникового прибора, соединены в один внешний конец вывода упомянутых групп внутренних концов. Изобретение обеспечивает расширение функциональных возможностей, снижение трудоемкости изготовления, повышение воспроизводимости, улучшение электрических характеристик. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области силовых корпусов и более конкретно к вводам, выполненным в этих корпусах. Технический результат - предложение ввода, позволяющего минимизировать риски возникновения мультипакторных эффектов, и обеспечение возможности функционирования ввода при передаче сигналов повышенной мощности. Достигается тем, что устройство содержит основание (204) и стенку (203), определяющую внутреннюю часть и наружную часть, причем герметичный ввод содержит первый участок (202а') линии передачи сигнала, располагающийся снаружи корпуса, второй участок (202b') линии передачи сигнала, располагающийся внутри корпуса, и третий участок (202с') линии передачи сигнала, соединяющий два других участка (202а', 202b'), причем ввод отличается тем, что первый участок (202а') смещен относительно стенки таким образом, чтобы обеспечивать первое безопасное расстояние d, представляющее собой расстояние между первым участком (202а) линии передачи сигнала, располагающимся на поверхности второго слоя, и металлическими частями корпуса. 12 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к области силовых корпусов и более конкретно к вводам, выполненным в этих корпусах. Технический результат - предложение ввода, позволяющего минимизировать риски возникновения мультипакторных эффектов, и обеспечение возможности функционирования ввода при передаче сигналов повышенной мощности. Достигается тем, что устройство содержит основание (204) и стенку (203), определяющую внутреннюю часть и наружную часть, причем герметичный ввод содержит первый участок (202а') линии передачи сигнала, располагающийся снаружи корпуса, второй участок (202b') линии передачи сигнала, располагающийся внутри корпуса, и третий участок (202с') линии передачи сигнала, соединяющий два других участка (202а', 202b'), причем ввод отличается тем, что первый участок (202а') смещен относительно стенки таким образом, чтобы обеспечивать первое безопасное расстояние d, представляющее собой расстояние между первым участком (202а) линии передачи сигнала, располагающимся на поверхности второго слоя, и металлическими частями корпуса. 12 з.п. ф-лы, 6 ил.
Изобретение относится к технологии производства приборов электронной техники. Способ изготовления корпуса микросхемы включает изготовление металлокерамического или металлостеклянного основания с монтажными и контактными металлическими площадками, сборку и пайку металлокерамического основания с металлическими деталями корпуса, нанесение слоя никеля и меди поверх никеля и их последующее спекание в защитной или восстановительной газовой атмосфере с образованием плотного медно-никелевого подслоя, нанесение золота на металлические поверхности в качестве финишного покрытия. Изобретение обеспечивает сокращение расхода золота за счет снижения толщины золотого покрытия до 0,1-0,5 мкм по всей металлической поверхности корпуса микросхемы с одновременным повышением плотности покрытия, его коррозионной стойкости, проводимости и термических характеристик для повышения эффективности в процессе сборки микросхем и повышения их стойкости в процессе эксплуатации в электронной аппаратуре. 3 з.п. ф-лы.
Наверх