Устройство отображения

Изобретение относится к устройству отображения. Техническим результатом является обеспечение сужения рамки устройства отображения при предотвращении нарушений соединений. Устройство отображения содержит подложку устройства отображения, имеющую внешний соединительный вывод и разводку нижнего слоя, идущую ниже внешнего соединительного вывода, внешний соединительный компонент и проводящий элемент, который электрически соединяет подложку устройства отображения и внешний соединительный компонент, в котором внешний соединительный компонент имеет соединительную часть, соединенную с внешним соединительным выводом через проводящий элемент; подложка устройства отображения дополнительно имеет межслойный диэлектрик, сформированный на слое ниже внешнего соединительного вывода, и соединительную часть разводки, которая формируется на слое ниже межслойного диэлектрика и которая соединяется с внешним соединительным выводом с помощью первого соединительного отверстия в межслойном диэлектрике; и первое соединительное отверстие располагается вне области, в которой соединительная часть и проводящий элемент перекрывают друг друга, в виде сверху подложки устройства отображения. 2 н. и 17 з.п. ф-лы, 25 ил.

 

Область техники

Настоящее изобретение относится к устройству отображения. Более конкретно, настоящее изобретение относится к устройству отображения, которое является подходящим для жидкокристаллического устройства отображения или органического электролюминесцентного устройства отображения (органического электролюминесцентного дисплея), имеющему подложку устройства отображения, в которой внешние соединительные выводы предоставляются, например, для соединения с гибкой печатной (FPC) платой.

Уровень техники

Электронные портативные устройства, к примеру мобильные телефоны, PDA и т.п., в которых устанавливаются такие жидкокристаллические устройства отображения и органические электролюминесцентные дисплеи, должны быть еще более компактными и легкими. Это способствует разработкам, направленным на достижение меньшей периферии (области рамки) области отображения, т.е. на достижение более узкой рамки.

Примеры таких устройств отображения включают в себя, например, устройство отображения, содержащее общие разводки, которые питают возбуждающие схемы линии сканирования, которые возбуждают линии сканирования, и общие разводки, которые питают возбуждающие схемы сигнальной линии, которые возбуждают сигнальные линии; межслойные диэлектрики, которые изолируют соответствующие общие разводки; и множество внешних соединительных выводов, размещенных выше множества соответствующих контактных окон, которые предоставляются в межслойных диэлектриках таким образом, что часть каждой общей разводки является видимой (например, патентный документ 1).

Патентный документ 1. Не прошедшая экспертизу патентная публикация (Япония) № Hei-10-282522.

Сущность изобретения

Тем не менее, попытка достигать более узкой рамки посредством базирования на технологии, раскрытой в Патентном документе 1, приводила время от времени к нарушениям соединения между подложкой устройства отображения и внешним соединительным компонентом, который монтируется, обычно посредством термокомпрессионной сварки, на подложке устройства отображения.

В свете вышеуказанного цель настоящего изобретения заключается в том, чтобы предоставлять устройство отображения, которое обеспечивает сужение рамки при предотвращении нарушений соединения.

Авторы изобретения провели различные исследования устройств отображения, в которых рамки могут быть сделаны более узкими при предотвращении нарушений соединения, и в итоге сосредоточились на вероятности возникновения нарушений соединения, вызываемых посредством разрушения внешнего соединительного вывода подложки устройства отображения посредством проводящего элемента, который используется для электрического соединения внешнего соединительного вывода и соединительной части внешнего соединительного компонента, во время термокомпрессионной сварки внешнего соединительного компонента с внешним соединительным выводом. Авторы изобретения обнаружили, что причины, лежащие в основе разрушения внешних соединительных выводов, включают в себя: (1) соединительные отверстия, используемые для электрического соединения с разводкой, сформированной на слое ниже внешнего соединительного вывода, в области внешнего соединительного вывода, предоставляются в подложке устройства отображения таким образом, что они проходят через межслойный диэлектрик ниже внешнего соединительного вывода; (2) проводящий слой, который составляет внешний соединительный вывод, формируется с меньшей толщиной на поверхности внутренней стенки соединительных отверстий, чем на верхней лицевой поверхности межслойного диэлектрика; и (3) припой или анизотропная проводящая пленка, содержащая проводящие шарики (проводящие частицы), используется в качестве проводящего элемента. Авторы изобретения обнаружили, что нарушения соединения возникают с большой вероятностью при термокомпрессионной сварке внешнего соединительного компонента около области, в которой располагаются такие соединительные отверстия.

После дополнительного исследования авторы изобретения обнаружили, что размещение соединительных отверстий вне области, в которой проводящий элемент и соединительная часть внешнего соединительного компонента перекрывают друг друга, имеет эффект предоставления возможности ограничения давления, которое прикладывается посредством проводящего элемента на область, в которой соединительные отверстия располагаются при термокомпрессионной сварке внешнего соединительного компонента на внешнем соединительном выводе подложки устройства отображения посредством проводящего элемента, и имеет эффект предоставления возможности эффективного подавления разрушения внешнего соединительного вывода. Авторы изобретения разработали настоящее изобретение после выяснения того, что вышеуказанные заключения могут давать возможность решения вышеописанных проблем.

В частности, настоящее изобретение является устройством отображения (далее также называемым первым устройством отображения настоящего изобретения), содержащим подложку устройства отображения, имеющую внешний соединительный вывод и разводку нижнего слоя, идущую ниже внешнего соединительного вывода, внешнего соединительного компонента и проводящего элемента, который электрически соединяет подложку устройства отображения и внешний соединительный компонент; при этом внешний соединительный компонент имеет соединительную часть, соединенную с внешним соединительным выводом через проводящий элемент; подложка устройства отображения дополнительно имеет межслойный диэлектрик, сформированный на слое ниже внешнего соединительного вывода, и соединительную часть разводки, которая формируется на слое ниже межслойного диэлектрика и которая соединяется с внешним соединительным выводом посредством первого соединительного отверстия в межслойном диэлектрике; и первое соединительное отверстие располагается вне области, в которой соединительная часть и проводящий элемент перекрывают друг друга, в виде сверху подложки устройства отображения.

В первом дисплейном устройстве настоящего изобретения разводка нижнего слоя предоставляется ниже внешнего соединительного вывода, и, следовательно, рамка может быть сделана более узкой.

В первом устройстве отображения настоящего изобретения первое соединительное отверстие не присутствует в области, в которой соединительная часть и проводящий элемент перекрывают друг друга и в которой давление прикладывается во время термокомпрессионной сварки, и, следовательно, разрушение проводящего слоя внешнего соединительного вывода посредством проводящего элемента может подавляться, даже когда внешний соединительный компонент связывается термокомпрессионной сваркой с подложкой устройства отображения. Таким образом, первое устройство отображения настоящего изобретения предоставляет сужение рамки при предотвращении нарушений соединения.

В настоящем описании термины "выше" или "над" обозначают положение дальше от изолирующей подложки (например, стеклянной подложки, пластмассовой подложки или кремниевой подложки), содержащейся в подложке устройства отображения, а термины "ниже" или "под" обозначают положение ближе к изолирующей подложке. Соответственно, "верхний слой" обозначает слой дальше от изолирующей подложки, содержащейся в подложке устройства отображения, а "нижний слой" обозначает слой ближе к изолирующей подложке, содержащейся в подложке устройства отображения.

В настоящем описании соединительное отверстие также может упоминаться как контактное окно, сквозное отверстие или переходное отверстие.

Вышеуказанная соединительная часть является соединительным выводом, например разводкой, контактным столбиком и т.п., который может соединятся с подложкой устройства отображения.

Соединительные части разводки являются одной частью разводки, более конкретно являются частями, соединяемыми (в контакте с) с проводящими элементами, к примеру другой разводкой, выводами и т.п., и могут быть частью разводки нижнего слоя или частью разводки (например, маршрутизирующей разводки), отличной от разводки нижнего слоя, сформированной на слое ниже межслойного диэлектрика.

При условии что вышеописанные существенные составляющие элементы формируются, конфигурация первого устройства отображения настоящего изобретения не ограничивается конкретным образом в отношении присутствия или отсутствия других составляющих элементов.

Предпочтительные варианты осуществления первого устройства отображения настоящего изобретения поясняются подробно ниже. Нижеописанные варианты осуществлений могут быть надлежащим образом комбинированы друг с другом.

Подложка устройства отображения дополнительно может иметь разводку верхнего слоя, которая электрически соединена с внешним соединительным выводом через соединительную часть разводки, так что разводка верхнего слоя перекрывает внешний соединительный компонент, в виде сверху подложки устройства отображения, и включает в себя проводящий слой, идентичный проводящему слою, который составляет внешний соединительный вывод; так, что разводка верхнего слоя соединяется с разводкой нижнего слоя посредством второго соединительного отверстия в межслойном диэлектрике; и второе соединительное отверстие может быть расположено вне области, в которой соединительная часть и проводящий элемент перекрывают друг друга, в виде сверху подложки устройства отображения. Это дает возможность повышения характеристик подложки устройства отображения при реализации более узкой рамки.

В настоящем описании конфигурация, в которой данный элемент A перекрывает данный элемент B, может быть конфигурацией, в которой элемент A полностью перекрывает элемент B, или конфигурацией, в которой часть элемента A перекрывает элемент B. Признак, в котором разводка верхнего слоя содержит проводящий слой, идентичный проводящему слою, который составляет внешний соединительный вывод, обозначает взаимосвязь, посредством которой проводящий слой, содержащийся во внешнем соединительном выводе, и проводящий слой, содержащийся в соответствующей разводке верхнего слоя, имеют по существу идентичную структуру, так что проводящий слой, содержащийся в разводке верхнего слоя, может формироваться одновременно в процессе формирования проводящего слоя, содержащегося во внешнем соединительном выводе. Проводящий слой, содержащийся во внешнем соединительном выводе, и проводящий слой, содержащийся в разводке верхнего слоя, могут иметь неодинаковые структуры до тех пор, пока диспаратность между ними не препятствует формированию проводящих слоев на одном и том же этапе.

Подложка устройства отображения дополнительно может иметь схему защиты от электростатических разрядов, соединенную с электрическим путем между внешним соединительным выводом и разводкой верхнего слоя. Это дает возможность подавления ухудшения или разрушения полупроводникового элемента, вызываемого посредством электростатического разряда и/или шума от внешнего соединительного компонента.

Подложка устройства отображения дополнительно может иметь тонкопленочный транзистор, в котором полупроводниковый слой, изолятор затвора и электрод затвора размещаются поверх друг друга в этом порядке; так, что разводка нижнего слоя электрически соединяется с электродом затвора. Это дает возможность еще более эффективного подавления ухудшения или разрушения полупроводникового элемента, вызываемого посредством электростатического разряда и/или шума от внешнего соединительного компонента.

Подложка устройства отображения может иметь множество общих разводок, которые включают в себя разводку нижнего слоя.

Разводка верхнего слоя может пересекать множество общих разводок. Как результат, внешний соединительный вывод может соединяться с произвольной общей разводкой ниже внешнего соединительного вывода.

По меньшей мере, две разводки из множества общих разводок могут соединяться с электрическим путем между внешним соединительным выводом и разводкой верхнего слоя. Как результат, сигналы с идентичным потенциалом могут передаваться общим разводкам.

Внешний соединительный вывод может соединяться с разводкой верхнего слоя через два или более слоев разводки. Как результат, слой, в котором размещается разводка, которая соединяет разводку верхнего слоя и внешний соединительный вывод, может модифицироваться в соответствии со слоем, в котором располагаются другие пересекающиеся разводки и/или элементы. Это обеспечивает еще более узкую рамку и большую надежность.

Устройство отображения дополнительно может иметь герметизирующий материал, который герметизирует элемент отображения.

Первое соединительное отверстие может быть расположено между герметизирующим материалом и областью, в которой соединительная часть и проводящий элемент перекрывают друг друга, в виде сверху подложки устройства отображения. Как результат, соединительное отверстие может быть расположено в граничной области между герметизирующим материалом и проводящим элементом. Расширение секции рамки может тем самым быть сведено к минимуму при подавлении нарушений соединения.

Первое соединительное отверстие может быть расположено дальше к внутренней стороне подложки устройства отображения, чем герметизирующий материал, в виде сверху подложки устройства отображения. Это дает возможность повышения надежности контактной части внешнего соединительного вывода.

Первое соединительное отверстие может перекрывать герметизирующий материал, в виде сверху подложки устройства отображения. Рамка тем самым может быть сделана еще более узкой.

Подложка устройства отображения дополнительно может иметь фотораспорку, сформированную в герметизирующем материале. Это обеспечивает еще более узкую рамку и большую надежность при подавлении нарушений, таких как нарушения соединения.

Подложка устройства отображения дополнительно может иметь изолирующую пленку, сформированную ниже герметизирующего материала. Это обеспечивает еще более узкую рамку и большую надежность при подавлении нарушений, таких как нарушения соединения.

Изолирующая пленка может быть расположена ниже по существу всего герметизирующего материала. Как результат, это дает возможность подавления потерь качества отображения в жидкокристаллическом устройстве отображения, вытекающих из неравномерной толщины ячейки вследствие разностей уровня в пределах изолирующей пленки.

Проводящий элемент может включать в себя проводящие частицы. При использовании анизотропной проводящей пленки, в частности, проводящий слой внешнего соединительного вывода с большой вероятностью обрезается, в форме кольца, посредством проводящих частиц в анизотропной проводящей пленке. Это с большой вероятностью приводит к нарушениям соединения. Первое устройство отображения настоящего изобретения дает возможность подавления возникновения нарушений, таких как нарушения соединения, в частности, эффективным способом, в случае если проводящие частицы присутствуют.

Вышеуказанная подложка устройства отображения может иметь множество первых соединительных отверстий, внешних соединительных выводов, соединительных частей разводки и разводок нижнего слоя, так что, в виде сверху подложки устройства отображения, множество разводок нижнего слоя идут рядом друг с другом, пересекая множество внешних соединительных выводов, и изгибаются к идентичной стороне относительно направления прохождения (направления, пересекающего множество внешних соединительных выводов) в порядке от наружной разводки нижнего слоя; и каждая из множества соединительных частей разводки является частью вне изогнутой части любой из множества разводок нижнего слоя. В этой конфигурации первые соединительные отверстия не располагаются в части, в которой разводки нижнего слоя пересекают множество внешних соединительных выводов. Разнесение между разводками в разводках нижнего слоя может уменьшаться. Следовательно, это дает возможность увеличения числа разводок нижнего слоя, которые могут быть расположены ниже внешних соединительных выводов, и, следовательно, рамка может быть сделана еще более узкой.

Признак, в котором множество разводок нижнего слоя идут рядом друг с другом, не требует, чтобы множество разводок нижнего слоя помещалось близко и параллельно друг другу. Кроме того, признак, в котором множество разводок нижнего слоя изгибаются к идентичной стороне, не требует, чтобы множество разводок нижнего слоя изгибалось в идентичном направлении близко друг к другу. Например, множество разводок нижнего слоя может быть совместно изогнуто либо к внутренней стороне, либо к внешней периферийной стороне подложки устройства отображения. Разводка нижнего слоя на наружной стороне может быть разводкой нижнего слоя, размещенной на внешней периферийной стороне подложки устройства отображения или разводки нижнего слоя, размещенного на внутренней стороне подложки устройства отображения.

Множество первых соединительных отверстий может предоставляться коллинеарно в виде сверху подложки устройства отображения. Рамка тем самым может быть сделана еще более узкой.

Настоящее изобретение также является устройством (далее также называемым вторым устройством отображения настоящего изобретения) отображения, содержащим подложку устройства отображения, имеющую внешний соединительный вывод и разводку нижнего слоя, идущую ниже внешнего соединительного вывода, первого внешнего соединительного компонента и второго внешнего соединительного компонента, при этом первый внешний соединительный компонент и второй внешний соединительный компонент соединяются друг с другом через разводку нижнего слоя и располагаются рядом вдоль внешней периферии подложки устройства отображения.

Во втором устройстве отображения настоящего изобретения разводка нижнего слоя предоставляется ниже внешнего соединительного вывода, и первый внешний соединительный компонент и второй внешний соединительный компонент располагаются рядом вдоль внешней периферии подложки устройства отображения. Как результат, рамка может быть сделана более узкой.

При условии что вышеописанные существенные составляющие элементы формируются, конфигурация второго устройства отображения настоящего изобретения не ограничена конкретным образом в отношении присутствия или отсутствия других составляющих элементов.

Второе устройство отображения настоящего изобретения может быть надлежащим образом комбинировано с первым устройством отображения настоящего изобретения и с его различными конфигурациями. Как результат, может получаться еще более узкая рамка при предотвращении нарушений соединения.

Преимущества изобретения

Таким образом, первое устройство отображения настоящего изобретения предоставляет сужение рамки при предотвращении нарушений соединения, а второе устройство отображения настоящего изобретения предоставляет сужение рамки.

Краткое описание чертежей

Фиг. 1 является схематичным представлением в виде сверху, иллюстрирующим конфигурацию секции рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения варианта 1 осуществления;

Фиг. 2 является схематичным представлением в поперечном сечении, иллюстрирующим конфигурацию секции рамки жидкокристаллического устройства отображения в варианте 1 осуществления, при этом фиг. 2(a) является представлением в поперечном сечении вдоль линии A-B на фиг. 1, а фиг. 2(b) является представлением в поперечном сечении вдоль линии C-D на фиг. 1;

Фиг. 3-1 является схематичным представлением в виде сверху, иллюстрирующим конфигурацию секции рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения варианта 2 осуществления;

Фиг. 3-2 является схематичным представлением в поперечном сечении вдоль линии E-F на фиг. 3-1, иллюстрирующим конфигурацию секции рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения в варианте 2 осуществления;

Фиг. 4 является схематичным представлением при виде сверху, иллюстрирующим изменение конфигурации секции рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения варианта 2 осуществления;

Фиг. 5-1 является схематичным представлением в виде сверху, иллюстрирующим изменение конфигурации секции рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения варианта 2 осуществления;

Фиг. 5-2 является схематичным представлением в поперечном сечении вдоль линии G-H на фиг. 5-1, иллюстрирующим изменение конфигурации секции рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения варианта 2 осуществления;

Фиг. 6-1 является схематичным представлением в виде сверху, иллюстрирующим изменение конфигурации секции рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения варианта 2 осуществления;

Фиг. 6-2 является схематичным представлением в поперечном сечении вдоль линии I-J на фиг. 6-1, иллюстрирующим изменение конфигурации секции рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения варианта 2 осуществления;

Фиг. 7-1 является схематичным представлением в виде сверху, иллюстрирующим изменение конфигурации секции рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения варианта 2 осуществления;

Фиг. 7-2 является схематичным представлением в поперечном сечении вдоль линии K-L на фиг. 7-1, иллюстрирующим изменение конфигурации секции рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения варианта 2 осуществления;

Фиг. 8-1 является схематичным представлением в поперечном сечении, иллюстрирующим изменение конфигурации секции рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения варианта 2 осуществления;

Фиг. 8-2 является схематичным представлением в поперечном сечении вдоль линии M-N на фиг. 8-1, иллюстрирующим изменение конфигурации секции рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения варианта 2 осуществления;

Фиг. 9 является схематичным представлением в виде сверху, иллюстрирующим изменение конфигурации секции рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения варианта 2 осуществления;

Фиг. 10 является схематичным представлением в виде сверху, иллюстрирующим изменение конфигурации секции рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения варианта 2 осуществления;

Фиг. 11 является схематичным представлением в виде сверху, иллюстрирующим изменение конфигурации секции рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения варианта 2 осуществления;

Фиг. 12 является схематичным представлением в виде сверху, иллюстрирующим конфигурацию секции рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения варианта 3 осуществления;

Фиг. 13 является схематичным представлением в поперечном сечении, иллюстрирующим конфигурацию секции рамки жидкокристаллического дисплейного устройства в варианте 3 осуществления, при этом фиг. 13(a) является представлением в поперечном сечении вдоль линии P-Q на фиг. 12, а фиг. 13(b) является представлением в поперечном сечении вдоль линии R-S на фиг. 12;

Фиг. 14-1 является схематичным представлением в поперечном сечении, иллюстрирующим конфигурацию секции рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения в сравнительном варианте 1 осуществления;

Фиг. 14-2 является схематичным представлением в поперечном сечении вдоль линии T-U на фиг. 14-1, иллюстрирующим конфигурацию секции рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения в сравнительном варианте 1 осуществления;

Фиг. 15 является схематичным представлением в виде сверху, иллюстрирующим изменение конфигурации секции рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения сравнительного варианта 1 осуществления;

Фиг. 16 является другим схематичным представлением в виде сверху, иллюстрирующим конфигурацию секции рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения варианта 1 осуществления; и

Фиг. 17 является схематичным представлением в виде сверху, иллюстрирующим конфигурацию секции рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения сравнительного варианта осуществления.

Оптимальный режим осуществления изобретения

Настоящее изобретение подробнее поясняется ниже на основе вариантов осуществления, со ссылкой на прилагаемые чертежи. Тем не менее, настоящее изобретение не ограничено этими вариантами осуществления.

Первый вариант осуществления

Фиг. 1 является схематичным представлением в виде сверху, иллюстрирующим конфигурацию секции рамки (внешней периферийной секции вне области отображения) жидкокристаллического устройства отображения варианта 1 осуществления. Фиг. 2 является схематичным представлением в поперечном сечении, иллюстрирующим конфигурацию секции рамки жидкокристаллического устройства отображения в варианте 1 осуществления, при этом фиг. 2(a) является представлением в поперечном сечении вдоль линии A-B на фиг. 1, а фиг. 2(b) является представлением в поперечном сечении вдоль линии C-D на фиг. 1.

Как проиллюстрировано на фиг. 1 и фиг. 2, жидкокристаллическое устройство 100 отображения настоящего варианта осуществления имеет структуру, в которой подложка 111 тонкопленочных транзисторов (TFT), которая является подложкой устройства отображения, соединяется с FPC (гибкой печатной платой) 170, которая является внешним соединительным компонентом, и кристаллом 175 интегральной микросхемы, который является внешним соединительным компонентом, посредством ACF (анизотропной проводящей пленки) 180 в секции рамки жидкокристаллического устройства отображения. FPC 170 и кристалл 175 интегральной микросхемы помещены рядом вдоль одной стороны TFT-подложки 111, которая имеет прямоугольную форму в виде сверху. В настоящем варианте осуществления и в других вариантах осуществления, описанных ниже, FPC 170 может содержать только гибкий основной материал или может быть жесткой FPC, в которой гибкий основной материал наделяется твердым (жестким) элементом. Пример, поясненный ниже, тем не менее, рассматривает жесткую FPC. Часть гибкого основного материала, содержащая полиимид и т.п., называется FPC, часть для монтажа электронных компонентов, к примеру различных видов кристаллов, которые составляют, например, жидкокристаллический контроллер, а также резисторов, конденсаторов и т.п., называется "жесткой частью", и комбинированная целая часть основного материала плюс жесткая часть называется жесткой FPC.

Помимо TFT-подложки 111, жидкокристаллическое устройство 100 отображения имеет CF-подложку, расположенную напротив TFT-подложки 111. CF-подложка содержит изолирующую подложку и последовательно размещенные поверх друг друга на ней от стороны изолирующей подложки: (1) черную матрицу, содержащую светоэкранирующий элемент и красный, зеленый и синий цветные светофильтры; (2) слой внешнего покрытия; (3) общий электрод, содержащий прозрачную проводящую пленку; и (4) совмещающую пленку. Внешняя периферийная секция CF-подложки и TFT-подложки 111 герметизируется посредством герметизирующего материала, предоставленного в форме рамки. Жидкокристаллический материал заполнен между TFT-подложкой 111 и CF-подложкой. Жесткая FPC 170 и кристалл 175 интегральной микросхемы располагаются на TFT-подложке 111 по направлению наружу из области, в которой TFT-подложка 111 и CF-подложка располагаются напротив друг друга.

Жесткая FPC 170 имеет сформированными на ней множество разводок 171, помещенных рядом и параллельно друг другу на основном материале 172. Эти разводки 171 выступают в качестве соединительных выводов (соединительных частей) жесткой FPC 170. Электронные компоненты, к примеру различные виды кристаллов, которые составляют жидкокристаллический контроллер и т.п., а также резисторы, конденсаторы и т.п., монтируются на жесткой FPC 170.

Кристалл 175 интегральной микросхемы имеет контактные столбики 176 для ввода сигналов и контактные столбики 177 для вывода сигналов. Контактные столбики 176, 177 выступают в качестве соединительных выводов (соединительных частей) кристалла 175 интегральной микросхемы. Кристалл 175 интегральной микросхемы монтируется, в качестве бескорпусного кристалла, на TFT-подложке 111 согласно технологии COG (Кристалл на Стекле). Обычно, драйвер истока, драйвер затвора, схема электропитания, схема датчика и т.д. компонуются на кристалле 175 интегральной микросхемы. Тем не менее, схемы, которые должны быть скомпонованы на кристалле 175 интегральной микросхемы, выбираются в зависимости от характеристик TFT, которые компонуется на TFT-подложке 111. В частности, характеристики TFT, которые компонуются на TFT-подложке 111, варьируются в зависимости от того, является ли материалом TFT, LPS (низкотемпературный поликристаллический кремний), CGS (кремний с постоянным зерном) или аморфный кремний. Схемы, компонуемые на кристалле 175 интегральной микросхемы и TFT-подложке 111, выбираются с учетом, например, эксплуатационных качеств схемы, которые зависят от TFT, которые компонуются на TFT-подложке 111, недопущения увеличения размеров схемы и недопущения снижения отдачи. Контактные столбики 176 для ввода сигналов помещены рядом, в то время как контактные столбики 177 для вывода сигналов располагаются способом со сдвигом, т.е. располагаются попеременно в два ряда. Разумеется, кристалл 175 интегральной микросхемы может быть LSI-кристаллом.

На TFT-подложке 111 формируются: множество внешних соединительных выводов 141, помещенных рядом и параллельно друг другу в один ряд, для соответствующих разводок 171 жесткой FPC 170; множество внешних соединительных выводов 142, помещенных рядом и параллельно друг другу в один ряд, для соответствующих контактных столбиков 176 для ввода сигналов; и множество внешних соединительных контактных выводов 143, расположенных в форме полос, для соответствующих контактных столбиков 177 для вывода сигналов.

ACF 180 предоставляется так, чтобы покрывать внешние соединительные выводы 141, 142, 143. Внешние соединительные выводы 141 соединяются с разводками 171 жесткой FPC 170 посредством проводящих шариков (проводящих частиц) 181, которые являются проводящим элементом в ACF 180. Внешние соединительные выводы 142 соединяются с контактным столбикам 176 для ввода сигналов посредством проводящих шариков 181, а внешние соединительные выводы 143 соединяются с контактным столбикам 177 для вывода сигналов посредством проводящих шариков 181.

Внешние соединительные выводы 141 соединяются с соединительными частями разводки, размещенными в одном из концов разводок 112, которые являются разводками нижнего слоя, сформированными в слое ниже межслойного диэлектрика 152, который формируется в слое ниже внешних соединительных выводов 141, посредством контактных окон 131, которые предоставляются в межслойном диэлектрике 152. Соединительные части разводки являются одной частью разводки, более конкретно являются частями, соединяемыми (в контакте с) с проводящими элементами, к примеру другой разводкой, выводами и т.п. Разводки 112 идут от места ниже внешних соединительных выводов 141 до места ниже внешних соединительных выводов 142. Соединительные части разводки, размещенные в другом конце разводок 112, соединяются с внешними соединительными выводами 142 посредством контактных окон 132, предоставленных в межслойном диэлектрике 152. Жесткая FPC 170 подает тем самым питание и сигналы на кристалл 175 интегральной микросхемы.

Контактные окна 131 предоставляются коллинеарно (вдоль линии параллельно направлению прохождения разводок 112) для концов внешних соединительных выводов 141, которые размещаются на внешней периферийной стороне TFT-подложки 111. Контактные окна 131 располагаются с перекрыванием межсоединений 171 жесткой FPC 170, но располагаются вне области, в которой разводки 171 и ACF 180 перекрывают друг друга, т.е. размещаются так, чтобы не перекрывать ACF 180. Следовательно, внешние соединительные выводы 141 соединяются с любой из разводок 112 за пределами области, в которой разводки 171 и ACF 180 перекрывают друг друга. Таким образом, внешние соединительные выводы 141 отдельно предоставляются в части, соединенной с разводками 171 жесткой FPC 170 (части в контакте с проводящими шариками 181), и части, соединенной с разводками 112 (части в контакте с соединительными частями разводки для разводок 112). Части, соединенные с разводками 112, располагаются так, чтобы не перекрывать либо ACF 180, либо разводки 171 жесткой FPC 170.

Контактные окна 132 предоставляются коллинеарно (вдоль линии параллельно направлению прохождения разводок 112) для концов внешних соединительных выводов 142, которые размещаются на внешней периферийной стороне TFT-подложки 111. Контактные окна 132 размещаются так, чтобы не перекрывать либо контактные столбики 176 для ввода сигналов, либо ACF 180. Следовательно, каждый из внешних соединительных выводов 142 соединяется с любой из разводок 112 за пределами области, в которой контактные столбики 176 для ввода сигналов и ACF 180 перекрывают друг друга. Таким образом, внешние соединительные выводы 142 отдельно предоставляются в части, соединенной с контактными столбиками 176 для ввода сигналов (части в контакте с проводящими шариками 181), и части, соединенной с разводками 112 (части в контакте с соединительными частями разводки для разводок 112). Части, соединенные с разводками 112, располагаются так, чтобы не перекрывать либо ACF 180, либо контактные столбики 176 для ввода сигналов.

Внешние соединительные выводы 141 и внешние соединительные выводы 142 выстраиваются вдоль области компоновки ACF 180. Разводки 112 помещены рядом главным образом вдоль направления расстановки внешних соединительных выводов 141, 142, ниже внешних соединительных выводов 141, 142. Около одного конца разводки 112 последовательно изгибаются к идентичной стороне (направлению на внешней периферийной стороне TFT-подложки 111 и перпендикулярно направлению прохождения разводок 112) в порядке от разводки на внешней периферийной стороне TFT-подложки 111. Соединительные части разводки для контакта с внешними соединительными выводами 141 предоставляются в частях вне изогнутых частей разводок 112. Около другого конца разводки 112 последовательно изгибаются к идентичной стороне (направлению на внешней периферийной стороне TFT-подложки 111 и перпендикулярно направлению прохождения разводок 112) в порядке от разводки на внешней периферийной стороне TFT-подложки 111. Соединительные части разводки для контакта с внешними соединительными выводами 142 предоставляются в частях вне изогнутых частей разводок 112 для разводок 112. Таким образом, разводки 112 имеют, при виде сверху, квадратную U-образную форму.

Внешние соединительные выводы 143 соединяются с соединительными частями разводки, размещенными в одном из концов общих разводок 115, которые являются разводками нижнего слоя, сформированными на слое ниже межслойного диэлектрика 152, посредством контактных окон 133, которые предоставляются в межслойном диэлектрике 152. Общие разводки 115 идут от места ниже внешних соединительных выводов 143 и проходят ниже внешних соединительных выводов 141 и соединяются с элементами, компонуемыми на TFT-подложке 111, например полупроводниковыми элементами, резисторами и конденсаторами. Вышеуказанные полупроводниковые элементы обычно являются транзисторами, более конкретно TFT. Каждая из общих разводок 115 соединяется с двумя или более элементами, например полупроводниковыми элементами, конденсаторами и резисторами, и подает совместно используемые сигналы и мощность. Как результат, выходные сигналы и выходное питание, сформированные в кристалле 175 интегральной микросхемы, подаются в различные элементы, например полупроводниковые элементы, конденсаторы и резисторы, которые компонуются на TFT-подложке 111.

Контактные окна 133 предоставляются способом со сдвигом для концов внешних соединительных выводов 143, которые размещаются на внутренней стороне TFT-подложки 111. Контактные окна 133 размещаются так, чтобы не перекрывать либо контактные столбики 177 для ввода сигналов, либо ACF 180. Следовательно, каждый из внешних соединительных выводов 143 соединяется с любой из общих разводок 115 за пределами области, в которой контактные столбики 177 для вывода сигналов и ACF 180 перекрывают друг друга. Таким образом, внешние соединительные выводы 143 отдельно предоставляются в части, соединенной с контактным столбикам 177 для ввода сигналов (части в контакте с проводящими шариками 181), и части, соединенной с общими разводками 115 (части в контакте с соединительными частями разводки для общих разводок 115). Части, соединенные с общими разводками 115, располагаются так, чтобы не перекрывать либо ACF 180, либо контактные столбики 177 для ввода сигналов.

Внешние соединительные выводы 141 и внешние соединительные выводы 143 выстраиваются вдоль области компоновки ACF 180. Общие разводки 115 помещены рядом главным образом вдоль направления расстановки внешних соединительных выводов 141, 143, ниже внешних соединительных выводов 141, 143. Около одного конца общие разводки 115 последовательно изгибаются к идентичной стороне (направлению на внутренней стороне TFT-подложки 111 и перпендикулярно направлению прохождения общих разводок 115) в порядке от разводки на внутренней стороне TFT-подложки 111. Соединительные части разводки для контакта с внешними соединительными выводами 143 предоставляются в частях вне изогнутых частей общих разводок 115. Таким образом, общие разводки 115 имеют, в виде сверху, L-образную форму.

Схемный блок 146, который содержит маршрутизирующую разводку 130 и TFT 129, непосредственно компонуется на области TFT-подложки 111, которая перекрывает жесткую FPC 170, и области TFT-подложки 111, которая перекрывает кристалл 175 интегральной микросхемы. В схемном блоке 146 сформированы схемы, которые отличаются от драйвера истока, драйвера затвора, схемы электропитания и т.д. кристалла 175 интегральной микросхемы.

Структура в поперечном сечении жидкокристаллического устройства 100 отображения поясняется подробно ниже.

Как проиллюстрировано на фиг. 2(a) и фиг. 2(b), TFT-подложка 111 имеет структуру, в которой, в секции рамки, изолирующая подложка 121 имеет последовательно размещенные поверх друг друга на ней, от стороны изолирующей подложки 121, основную покровную пленку 122, полупроводниковый слой 123, изолятор 124 затвора, первый слой 161 разводки, межслойный диэлектрик 151, второй слой 162 разводки, межслойный диэлектрик 152, третий слой 163 разводки и прозрачный проводящий слой 164. TFT 129 содержит полупроводниковый слой 123, изолятор 124 затвора и электрод 125 затвора, содержащий первый слой 161 разводки. Разводка 128 истока/стока, содержащая второй слой 162 разводки, соединяется с областями истока/стока полупроводникового слоя 123 посредством контактных окон, которые проходят через межслойный диэлектрик 151 и изолятор 124 затвора.

Маршрутизирующая разводка 130 формируется посредством первого слоя 161 разводки. Разводки 112 и общие разводки 115 формируются посредством второго слоя 162 разводок, и внешние соединительные выводы 141, 142, 143 формируются с использованием многослойного комплекта из третьего слоя 163 разводки и прозрачного проводящего слоя 164. TFT-подложка 111 и жесткая FPC 170, а также TFT-подложка 111 и кристалл 175 интегральной микросхемы связываются термокомпрессионной сваркой через ACF 180 и тем самым становятся соединенными друг с другом посредством проводящих шариков 181, содержащихся в ACF 180, и одновременно TFT-подложка 111 и жесткая FPC 170, а также TFT-подложка 111 и кристалл 175 интегральной микросхемы крепятся друг с другом посредством клейкого компонента 182, который содержит термореактивную смолу и т.п. и который содержится в ACF 180.

Во время термокомпрессионной сварки давление прикладывается, посредством проводящих шариков 181, к внешним соединительным выводам 141, 142, 143, к разводкам 171 жесткой FPC 170, а также к контактным столбикам 176 для ввода сигналов и контактным столбикам 177 для вывода сигналов кристалла 175 интегральной микросхемы, которые соответствуют внешним соединительным выводам 141, 142, 143. Следовательно, толщина пленки многослойного комплекта из третьего слоя 163 разводки и прозрачного проводящего слоя 164 в контактных окнах может становиться тоньше, чем в других частях, в случае, если контактные окна 131, 132, 133 предоставляются в области, в которой давление прикладывается (т.е. в области, в которой разводки 171, контактные столбики 176 для ввода сигналов и контактные столбики 177 для вывода сигналов перекрываются с проводящими шариками 181), так что могут быть разрушены внешние соединительные выводы 141, 142, 143, и нарушения соединения возникают, в этой области, во время термокомпрессионной сварки. При использовании проводящего элемента в форме проводящих шариков 181, содержащихся в ACF 180, в частности, возникает проблема в том, что внешние соединительные выводы 141, 142, 143 могут обрезаться в форме кольца, и могут зачастую возникать нарушения соединения.

В жидкокристаллическом устройстве 100 отображения, в отличие от этого, контактные окна 131, 132, 133 располагаются вне области, в которой разводки 171 жесткой FPC 170, контактные столбики 177 для вывода сигналов и контактные столбики 176 для ввода сигналов кристалла 175 интегральной микросхемы и проводящие шарики 181 перекрывают друг друга, в виде сверху TFT-подложки 111. Во время термокомпрессионной сварки, поэтому, проводящие шарики 181 приводятся в соприкосновение только со сравнительно толстой частью на верхней лицевой поверхности внешних соединительных выводов 141, 142, 143. Это дает возможность недопущения приложения давления, через проводящие шарики 181, к внешним соединительным выводам 141, 142, 143 в их части, имеющей небольшую толщину пленки, в пределах контактных окон 131, 132, 133, во время термокомпрессионной сварки. Как результат, может подавляться возникновение нарушений соединения между TFT-подложкой 111 и жесткой FPC 170 и между TFT-подложкой 111 и кристаллом 175 интегральной микросхемы вследствие разрушения внешних соединительных выводов 141, 142, 143.

В современном уровне техники в технологиях серийного производства ширина разводки и разнесение между разводками (линия и пространство) для групп разводки, к примеру разводками 112 и общими разводками 115, могут задаваться небольшими со значением не более приблизительно 2 мкм в технологиях микрообработки, которые основываются на сухом травлении. Ограничения для микрообработки в случае фотолитографии с использованием фоточувствительной органической изолирующей пленки в форме межслойного диэлектрика 152, который предоставляется в слое выше группы разводок, составляют приблизительно 4 мкм. Чтобы формировать контактные окна 131, 132, 133 для соединения с внешними соединительными выводами 141, 142, 143 в группе разводок, следовательно, становится необходимым формировать фактические контактные окна 131, 132, 133 с шириной, превышающей ширину группы разводок, с учетом точности управления положением контактных окон 131, 132, 133 и с учетом точности микрообработки контактных окон 131, 132, 133. Следовательно, в гипотетическом случае, когда контактные окна 131, 132, 133 просто располагаются на выступающей части группы разводок, расстояние между соответствующими разводками увеличивается, что представляет проблему в том, что меньше разводок в таком случае может быть расположено ниже внешних соединительных выводов 141, 142, 143.

В жидкокристаллическом устройстве 100 отображения, в отличие от этого, разводки 112 идут рядом друг с другом, пересекая внешние соединительные выводы 141, 142, в виде сверху TFT-подложки 111, и изгибаются к идентичной стороне относительно направления прохождения в порядке от наружной разводки, так что контактные окна 131 и контактные окна 132 соединяются с частями вне изогнутых частей разводок 112 (соединительных частей разводки). Общие разводки 115 идут рядом друг с другом, пересекая внешние соединительные выводы 141, 143, в виде сверху TFT-подложки 111, и изгибаются к идентичной стороне относительно направления прохождения, так что контактные окна 133 соединяются с частями вне изогнутых частей общих разводок 115 (соединительных частей разводки). Таким образом, линия и пространство в группах разводок, к примеру разводках 112 и общих разводках 115, могут сохраняться как можно меньше без размещения контактных окон 131, 132, 133 в выступающих частях разводок 112 и общих разводках 115 также в случае, если фоточувствительная органическая изолирующая пленка используется в качестве межслойного диэлектрика 152. Линия и пространство аналогично могут сохраняться как можно меньше независимо от числа разводок в группах разводок. Соответственно, нет необходимости в уменьшении числа разводок, которое может быть расположено ниже внешних соединительных контактных выводов 141, 142, 143, и, следовательно, рамка может быть сделана более узкой.

Контактные окна 131, 132 предоставляются коллинеарно (более предпочтительно, вдоль линии параллельно направлению прохождения разводок 112), в виде сверху TFT-подложки 111. Следовательно, это дает возможность ограничения площади поверхности всей области, в которой контактные окна 131, 132 располагаются, при обеспечении размера соответствующих контактных окон 131, 132 до большей степени, чем в случае, если контактные окна 131, 132 располагаются ломаным способом, например зигзагообразно. Рамка тем самым может быть сделана еще более узкой.

Форма при виде сверху контактных окон 131, 132, 133 не ограничена конкретным образом. Кроме того, контактные окна 131, 132, 133 могут быть разделены на множество контактных окон.

В жидкокристаллическом устройстве 100 отображения жесткая FPC 170 и кристалл 175 интегральной микросхемы соединяются друг с другом посредством разводок 112 в качестве разводок нижнего слоя и располагаются рядом вдоль внешней периферии TFT-подложки 111, как проиллюстрировано на фиг. 16. Как результат, рамка может быть более узкой, чем в случае, если жесткая FPC 170 и кристалл 175 интегральной микросхемы последовательно располагаются от внешней периферийной стороны TFT-подложки 111, как в сравнительном варианте осуществления, проиллюстрированном на фиг. 17. В жидкокристаллическом устройстве 100 отображения формирование разводок в слое ниже внешних соединительных выводов имеет эффект необязательности маршрутизирующей разводки от внешних соединительных выводов к внутренней стороне панели. Это способствует более узкой рамке, поскольку маршрутизирующие разводки могут протягиваться под выводами. Традиционные конфигурации требуют, чтобы маршрутизирующие разводки шли внутрь панели, даже когда расположены рядом. Это не позволяет достигать эффекта сужения рамки.

Пример способа для изготовления жидкокристаллического устройства отображения варианта 1 осуществления поясняется ниже.

В качестве предварительной обработки изолирующая подложка 121 сначала подвергается очистке и предварительному отжигу. Изолирующая подложка 121 не ограничена конкретным образом, но предпочтительно она является, например, стеклянной подложкой или полимерной подложкой с точки зрения затрат, помимо прочего. Нижеприведенные этапы (1)-(15) затем выполняются.

(1) Этап формирования основной покровной пленки

На изолирующей подложке 121 формируется основная покровная пленка 122 посредством последовательного формирования пленки на основе SiON, имеющей толщину пленки 50 нм, и пленки на основе SiOx, имеющей толщину пленки 100 нм, посредством плазмохимического осаждения из паровой фазы (PECVD). Примеры сырьевого газа для формирования пленки на основе SiON включают в себя, например, газовую смесь из моносилана (SiH₄), газа на основе закиси азота (N₂O) и аммиака (NH₃). Предпочтительно, пленка на основе SiOx формируется с использованием газа на основе тетраэтилортосиликата (TEOS) в качестве сырьевого газа. Основная покровная пленка 122 также может содержать пленку на основе нитрида кремния (SiNx), сформированную с использованием, например, газовой смеси из моносилана (SiH₄) и аммиака (NH₃) в качестве сырьевого газа.

(2) Этап формирования полупроводникового слоя

Пленка на основе аморфного кремния (a-Si), имеющая толщину пленки 50 нм, формируется посредством PECVD. Примеры сырьевого газа для формирования пленки на основе a-Si включают в себя, например, SiH₄, дисилан (Si₂H₆) и т.п. Пленка на основе a-Si, сформированная посредством PECVD, содержит водород, и, следовательно, обработка для понижения концентрации водорода в пленке на основе a-Si выполняется приблизительно при 500°C (обработка дегидрогенизации). Лазерный отжиг выполняется затем, чтобы формировать пленку на основе поликристаллического кремния (поликремния, p-Si) через плавление, охлаждение и кристаллизацию пленки на основе a-Si. Лазерный отжиг выполняется, например, с использованием эксимерного лазера. Чтобы формировать пленку на основе p-Si, металлический катализатор, к примеру никель и т.п., может применяться к пленке на основе a-Si без выполнения обработки дегидрогенизации, после чего выполняется рост из твердой фазы через термическую обработку (чтобы формировать кремний с постоянным зерном (CG)), в качестве предварительной обработки для лазерного отжига. Чтобы кристаллизовать пленку на основе a-Si, может выполняться рост из твердой фазы только посредством термической обработки. Затем сухое травление выполняется с использованием газовой смеси из тетрафторида углерода (CF₄) и кислорода (O₂), чтобы формировать рисунок на пленке на основе p-Si и формировать полупроводниковый слой 123.

(3) Этап формирования изолятора затвора

Затем изолятор 124 затвора, содержащий оксид кремния и имеющий толщину пленки в 45 нм, формируется с использованием TEOS-газа в качестве сырьевого газа. Материал изолятора 124 затвора не ограничен конкретным образом, и может использоваться, например, пленка на основе SiNx или пленка на основе SiON. Сырьевой газ для формирования пленки на основе SiNx и пленки на основе SiON может являться идентичным сырьевому газу на этапе формирования основной покровной пленки, описанном выше. Изолятор 124 затвора может быть многослойным комплектом, содержащим вышеуказанное множество материалов.

(4) Этап ионного легирования

Примесь, к примеру бор и т.п., легируется в полупроводниковый слой 123, посредством ионного легирования, ионной имплантации и т.п., чтобы управлять пороговым значением TFT 129. Более конкретно, примесь, к примеру бор и т.п., легируется в полупроводниковый слой, который составляет TFT с каналом n-типа или TFT с каналом p-типа (этап первого легирования), и затем примесь, к примеру бор, дополнительно легируется в полупроводниковый слой, который составляет канал n-типа в состоянии, в котором полупроводниковый слой, который составляет TFT с каналом p-типа, маскируется с резистом (этап второго легирования). Этап первого легирования может опускаться, если управление по пороговому значению TFT с каналом p-типа необязательно.

(5) Этап формирования первого слоя разводки

Затем пленка на основе нитрида тантала (TaN), имеющая толщину пленки 30 нм, и пленка на основе вольфрама (W), имеющая толщину пленки 370 нм, формируются, в этом порядке, посредством напыления. Далее резистная маска формируется посредством формирования рисунка из резистной пленки требуемой формы, посредством фотолитографии, после чего первый слой 161 разводки формируется посредством сухого травления с использованием газа для травления, в котором регулируются объемы газовой смеси, например аргона (Ar), гексафторида серы (SF₆), тетрафторида углерода (CF₄), кислорода (O₂), хлора (Cl₂) и т.п. В качестве материала первого слоя 161 разводки может использоваться тугоплавкий металл, имеющий выровненную поверхность и стабилизированные характеристики, например тантал (Ta), молибден (Mo), вольфрамо-молибден (MoW) и т.п., или металл с низким удельным сопротивлением, к примеру алюминий (Al) и т.п. Первый слой 161 разводки может быть многослойным комплектом, содержащим вышеописанное множество материалов.

(6) Этап формирования области истока/стока

Затем, чтобы формировать области истока/стока TFT 129, полупроводниковый слой 123 легируется, до высокой концентрации, с помощью такой примеси, как фосфор и т.п., для TFT с каналом n-типа или такой примеси, как бор и т.п., для TFT с каналом p-типа, посредством ионного легирования или ионной имплантации, с использованием электрода 125 затвора в качестве маски. Область LDD (слаболегированного стока) также может формироваться в этом случае, по мере необходимости. Затем обработка термической активации выполняется приблизительно при 700°C, в течение 6 часов, чтобы активировать примесные ионы в полупроводниковом слое 123. Удельная электропроводность областей истока/стока тем самым может повышаться. Примеры активационного способа включают в себя, например, облучение с помощью эксимерного лазера.

(7) Этап формирования межслойного диэлектрика и контактного окна

Затем межслойный диэлектрик 151 формируется посредством PECVD на всей поверхности изолирующей подложки 121 посредством формирования пленки на основе SiNx, имеющей толщину пленки 100-400 нм (предпочтительно, 200-300 нм), и пленки на основе TEOS, имеющей толщину пленки 500-1000 нм (предпочтительно, 600-800 нм). Пленка на основе SiON и т.п. также может использоваться в качестве межслойного диэлектрика 151. Пленка с тонким защитным покрытием (например, пленка на основе TEOS) толщиной примерно 50 нм может формироваться в слое ниже межслойного диэлектрика 151, чтобы подавлять ухудшение характеристик TFT, вызываемое посредством ухудшения характеристик в переходном режиме, и чтобы стабилизировать электрические характеристики TFT 129. Затем резистная маска формируется посредством формирования рисунка из резистной пленки требуемой формы посредством фотолитографии, после чего контактные окна формируются в изоляторе 124 затвора и межслойном диэлектрике 151 посредством влажного травления изолятора 124 затвора и межслойного диэлектрика 151 с использованием раствора для травления на основе плавиковой кислоты. Травление может быть сухим травлением.

(8) Этап гидрогенизации

После этого термическая обработка выполняется приблизительно при 400°C, в течение 1 часа, чтобы корректировать дефекты в кристаллическом кремнии полупроводникового слоя 123 через водород, подаваемый из пленки на основе SiNx межслойного диэлектрика 151.

(9) Этап формирования второго слоя разводки

Затем пленка на основе титана (Ti), имеющая толщину пленки 100 нм, пленка на основе алюминия (Al), имеющая толщину пленки 500 нм, и пленка на основе Ti, имеющая толщину пленки 100 нм, формируются, в этом порядке, посредством напыления и т.п. Затем резистная маска формируется посредством формирования рисунка из резистной пленки требуемой формы посредством фотолитографии, после чего металлическая многослойная пленка на основе Ti/Al/Ti формирует рисунок посредством сухого травления, чтобы формировать второй слой 162 разводки. Сплав Al-Si и т.п. может использоваться, вместо Al, в качестве металла, который составляет второй слой 162 разводки. В данном документе Al используется для понижения сопротивления разводки, но вышеописанные материалы первого слоя 161 разводки (Ta, Mo, MoW, W, TaN и т.п.) могут использоваться в качестве металла, который составляет второй слой 162 разводки в случае, если требуется высокая термостойкость, и определенное увеличение значений сопротивления допустимо (например, в случае структур коротких разводок).

(10) Этап формирования межслойного диэлектрика и контактного окна

Затем межслойный диэлектрик 152 формируется на всей поверхности изолирующей подложки 121, через нанесение, посредством покрытия методом центрифугирования и т.п., фоточувствительной смолы, к примеру фоточувствительной акриловой смолы, до толщины пленки 1-5 мкм (предпочтительно, 2-3 мкм). В качестве материала межслойного диэлектрика 152 могут использоваться, например, нефоточувствительные смолы, к примеру нефоточувствительные акриловые смолы и фоточувствительные или нефоточувствительные полиалкисилоксановые смолы, полисилазановые смолы, полиимидные смолы и пареллиновые смолы. Другие примеры материалов межслойного диэлектрика 152 включают в себя материалы из метилсодержащего полисилоксана (MSQ) и материалы из пористого MSQ. Если фоточувствительная смола используется в качестве материала межслойного диэлектрика 152, во-первых, пленка на основе фоточувствительной смолы подвергается воздействию света через фотомаску, имеющую сформированный светоэкранирующий рисунок требуемой формы, с последующим травлением (проявкой), чтобы удалять тем самым области в пленке на основе фоточувствительной смолы, которые дают в результате контактные окна 131, 132, 133. Пленка на основе фоточувствительной смолы далее подвергается этапу спекания (например, при 200°C в течение 30 минут). Тем самым форма отверстия (части окна) межслойного диэлектрика 152 становится менее крутой, и соотношение сторон контактных окон 131, 132, 133 может уменьшаться. Этап озоления (зачистки) после начального удаления контактной части межслойного диэлектрика 152 (части, которая дает в результате контактные окна 131, 132, 133) становится необязательным. Межслойный диэлектрик 152 может быть многослойным комплектом, содержащим множество материалов.

(11) Этап формирования третьего слоя разводки

Затем пленка на основе титана (Ti), имеющая толщину пленки 100 нм, пленка на основе алюминия (Al), имеющая толщину пленки 500 нм, и пленка на основе Ti, имеющая толщину пленки 100 нм, формируются, в этом порядке, посредством напыления и т.п. Затем резистная маска формируется посредством формирования рисунка из резистной пленки требуемой формы посредством фотолитографии, после чего металлическая многослойная пленка на основе Ti/Al/Ti формирует рисунок посредством сухого травления, чтобы формировать третий слой 163 разводки. Сплав Al-Si и т.п. может использоваться, вместо Al, в качестве металла, который составляет третий слой 163 разводки. В данном документе Al используется для понижения сопротивления разводки, но вышеописанные материалы первого слоя 161 разводки (Ta, Mo, MoW, W, TaN и т.п.) могут использоваться в качестве металла, который составляет третий слой 163 разводки, в случае, если требуется высокая термостойкость, и определенное увеличение значений сопротивления допустимо (например, в случае структур коротких разводок).

(12) Этап формирования органической изолирующей пленки

Затем органическая изолирующая пленка формируется в области отображения TFT-подложки 111, через нанесение, посредством покрытия методом центрифугирования и т.п., фоточувствительной акриловой смолы, до толщины пленки 1-3 мкм (предпочтительно, 2-3 мкм). В качестве органической изолирующей пленки могут использоваться, например, пленки на основе нефоточувствительной смолы, к примеру пленки на основе нефоточувствительной акриловой смолы и пленки, содержащие фоточувствительные или нефоточувствительные полиалкисилоксановые смолы, полисилазановые смолы, полиимидные смолы и пареллиновые смолы. Другие примеры материалов органической изолирующей пленки включают в себя материалы из метилсодержащего полисилоксана (MSQ) и материалы из пористого MSQ. В данном документе органическая изолирующая пленка формируется на всей поверхности подложки 121, через нанесение, посредством покрытия методом центрифугирования и т.п., фоточувствительной акриловой смолы, например смолы с ультрафиолетовым отверждением на основе нафтохинондиазида, имеющей толщину пленки 1-5 мкм (предпочтительно, 2-3 мкм). Затем область контактных окон в органической изолирующей пленке удаляется посредством подвергания воздействию света органической изолирующей пленки через фотомаску, имеющую сформированный светоэкранирующий рисунок требуемой формы, с последующим травлением (проявкой). Органическая изолирующая пленка далее подвергается этапу спекания (например, при 200°C в течение 30 минут). Тем самым форма отверстия (части окна) органической изолирующей пленки 51 становится менее крутой, и соотношение сторон контактных окон может уменьшаться. Этап озоления (зачистки) после начального удаления контактной части органической изолирующей пленки (части, которая дает в результате контактные окна) становится необязательным.

(13) Этап формирования прозрачного проводящего слоя

Затем пленка на основе ITO (оксида индия и олова) и/или пленка на основе IZO (оксида индия и цинка), имеющая толщину пленки 50-200 нм (предпочтительно, 100-150 нм), формируется посредством напыления и т.п. и затем формирует рисунок требуемой формы посредством фотолитографии, чтобы формировать прозрачный проводящий слой 164. В данном документе пикселные электроды формируются в матричной структуре, которая соответствует надлежащим пикселам в области отображения TFT-подложки 111. После этого совмещающая пленка наносится на область отображения, и совмещающая пленка подвергается обработке совмещения, чтобы завершать тем самым TFT-подложку 111.

Внешние соединительные выводы 141, 142, 143 могут формироваться из одного прозрачного проводящего слоя 164. Предпочтительно, тем не менее, внешние соединительные выводы 141, 142, 143 являются многослойным комплектом, который содержит прозрачный проводящий слой 164, в качестве самого верхнего проводящего слоя, и третий слой 163 разводки, в качестве проводящего слоя на один слой ниже самого верхнего проводящего слоя, с точки зрения уменьшения электрического сопротивления внешних соединительных выводов 141, 142, 143. В случае если внешние соединительные выводы 141, 142, 143 содержат только самый верхний проводящий слой, то самый верхний проводящий слой обычно является прозрачной проводящей пленкой, к примеру пленкой на основе ITO, и значение поверхностного сопротивления слоя является высоким. Тем не менее, значение поверхностного сопротивления слоя внешних соединительных выводов 141, 142, 143, вероятно, может уменьшаться посредством использования многослойной структуры, содержащей самый верхний проводящий слой и нижний проводящий слой, имеющий более низкое сопротивление. В случае многослойной структуры, которая содержит самый верхний проводящий слой без проводящего слоя на один слой ниже, но с проводящим слоем на два слоя ниже (в настоящем варианте осуществления второй слой 162 разводки), поверхность проводящего слоя на два слоя ниже повреждается вследствие сухого травления и т.п. Контактное сопротивление между самым верхним слоем разводки и проводящим слоем на два слоя ниже может увеличиваться в результате, приводя к большему сопротивлению на выводах. С точки зрения понижения сопротивления на выводах внешних соединительных выводов 141, 142, 143, поэтому, третий слой 163 разводки (проводящий слой на один слой ниже самого верхнего проводящего слоя) по-прежнему остается ниже прозрачного проводящего слоя 164 (самого верхнего проводящего слоя).

(14) Этап сборки панели

Затем жидкокристаллическая панель отображения изготавливается посредством выполнения этапа связывания TFT-подложки 111 и CF-подложки, этапа заполнения жидкокристаллическим материалом и этапа присоединения поляризатора. Способом для заполнения жидкокристаллическим материалом может быть, например, способ однокапельного заполнения или вакуумно-инжекционный способ. Вакуумно-инжекционный способ заключает в себе предоставление порта для заполнения жидкими кристаллами в части герметизирующего материала, который используется для связывания TFT-подложки 111 и CF-подложки, и заполнения жидкокристаллическими материалами через порт, с последующей герметизацией порта для заполнения жидкими кристаллами с использованием смолы с ультрафиолетовым отверждением и т.п.

Жидкокристаллический режим жидкокристаллической панели отображения не ограничен конкретным образом и может быть, например, TN (твист-нематическим) режимом, режимом IPS (плоскостной коммутации), режимом VA (выравнивания по вертикали), VATN (твист-нематическим с выравниванием по вертикали) режимом или режимом PSA (выравнивания на полимерах с микрорельефной поверхностью). Жидкокристаллическая панель отображения может иметь тип разделения на домены, при этом множество доменов формируется в каждом пикселе. Жидкокристаллическая панель отображения может быть пропускающего типа, отражательного типа или полупропускающего типа (отражательно-пропускающего типа). Жидкокристаллическая панель отображения может модифицироваться в тип, возбуждаемый посредством возбуждения с помощью пассивной матрицы.

(15) Этап присоединения жесткой FPC и кристалла интегральной микросхемы

Затем TFT-подложка 111 и жесткая FPC 170, а также TFT-подложка 111 и кристалл 175 интегральной микросхемы связываются термокомпрессионной сваркой посредством ACF (анизотропной проводящей пленки) 180, в которой клейкий компонент 182 (например, термореактивная смола, к примеру термореактивная эпоксидная смола) имеет рассредоточенные проводящие шарики 181.

После этого жидкокристаллическая панель отображения и модуль подсветки комбинируются вместе, чтобы полностью завершить тем самым жидкокристаллическое устройство 100 отображения настоящего варианта осуществления.

Второй вариант осуществления

Фиг. 3-1 является схематичным представлением в виде сверху, иллюстрирующим конфигурацию секции рамки (внешней периферийной секции вне области отображения) жидкокристаллического устройства отображения варианта 2 осуществления. Фиг. 3-2 является схематичным представлением в поперечном сечении вдоль линии E-F на фиг. 3-1, иллюстрирующим конфигурацию секции рамки жидкокристаллического устройства отображения в варианте 2 осуществления.

Как проиллюстрировано на фиг. 3-1 и фиг. 3-2, жидкокристаллическое устройство 200 отображения настоящего варианта осуществления имеет структуру, в которой TFT-подложка 211, которая является подложкой устройства отображения, и жесткая FPC 270, которая является внешним соединительным компонентом, соединяются друг с другом, в секции рамки, посредством ACF 280.

Помимо TFT-подложки 211, жидкокристаллическое устройство 200 отображения имеет CF-подложку, расположенную напротив TFT-подложки 211. CF-подложка содержит изолирующую подложку и последовательно размещенные поверх друг друга на ней от стороны изолирующей подложки: (1) черную матрицу, содержащую светоэкранирующий элемент и красный, зеленый и синий цветные светофильтры; (2) слой внешнего покрытия; (3) общий электрод, содержащий прозрачную проводящую пленку; и (4) совмещающую пленку. Внешняя периферийная секция CF-подложки и TFT-подложки 211 герметизируется посредством герметизирующего материала 255, предоставленного в форме рамки. Жидкокристаллический материал заполнен между TFT-подложкой 211 и CF-подложкой. Жесткая FPC 270 располагается на TFT-подложке 211 наружу из области, в которой TFT-подложка 211 и CF-подложка располагаются напротив друг друга.

Жесткая FPC 270 имеет сформированными множество разводок 271, помещенных рядом и параллельно друг другу на материале 272 подложки. Эти разводки 271 выступают в качестве соединительных выводов (соединительных частей) жесткой FPC 270. Электронные компоненты, к примеру различные виды кристаллов, которые составляют жидкокристаллический контроллер, IC электропитания и т.п., а также резисторы, конденсаторы и т.п., монтируются на жесткой FPC 270.

На TFT-подложке 211 сформированы внешние соединительные выводы 241, соответствующие разводкам 271 жесткой FPC 270, помещенным рядом и параллельно друг другу в ряд.

ACF 280 предоставляется так, чтобы покрывать внешние соединительные выводы 241. Внешние соединительные выводы 241 соединяются с разводками 271 жесткой FPC 270 посредством проводящих шариков (проводящих частиц) 281, которые являются проводящим элементом в ACF 280.

Внешние соединительные выводы 241 соединяются с соединительными частями разводки, размещенными в одном из концов общих разводок 215, которые являются разводками нижнего слоя, сформированными на слое ниже межслойного диэлектрика 252, который формируется на слое ниже внешних соединительных выводов 241, посредством контактных окон 231, которые предоставляются в межслойном диэлектрике 252. Общие разводки 215 идут вдоль внешней периферии TFT-подложки 211 от места ниже внешних соединительных выводов 241 к другой части секции рамки TFT-подложки 211, в которой отсутствуют внешние соединительные выводы 241. Общие разводки 215 соединяются с элементами, компонуемыми на TFT-подложке 211, например полупроводниковыми элементами, резисторами и конденсаторами. Вышеуказанные полупроводниковые элементы обычно являются транзисторами, более конкретно TFT. Каждая из общих разводок 215 соединяется с двумя или более элементами, например полупроводниковыми элементами, конденсаторами и резисторами, и подает совместно используемые сигналы и мощность. Как результат, сигналы и мощность подаются, от жесткой FPC 270, в элементы, компонуемые на TFT-подложке 211, например полупроводниковые элементы, конденсаторы и резисторы.

Контактные окна 231 предоставляются коллинеарно (вдоль линии параллельно направлению прохождения разводок 215) для концов внешних соединительных выводов 241, которые размещаются на внутренней стороне TFT-подложки 211. Контактные окна 231 располагаются вне области, в которой разводки 271 и ACF 280 перекрывают друг друга, т.е. размещаются так, чтобы не перекрывать либо ACF 280, либо разводки 271 жесткой FPC. Следовательно, внешние соединительные выводы 241 соединяются с любой из общих разводок 215 за пределами области, в которой разводки 271 и ACF 280 перекрывают друг друга. Таким образом, внешние соединительные выводы 241 отдельно предоставляются в части, соединенной с разводками 271 жесткой FPC 270 (части в контакте с проводящими шариками 281), и части, соединенной с общими разводками 215 (части в контакте с соединительными частями разводки для общих разводок 215). Части, соединенные с общими разводками 215, располагаются так, чтобы не перекрывать либо ACF 280, либо разводки 271 жесткой FPC 270.

Контактные окна 231 предоставляются между ACF 280 и герметизирующим материалом 255, более конкретно между герметизирующим материалом 255 и областью, в которой ACF 280 и разводки 271 жесткой FPC 270 перекрывают друг друга.

Внешние соединительные выводы 241 выстраиваются вдоль области компоновки ACF 180. Общие разводки 215 помещены рядом главным образом вдоль направления расстановки внешних соединительных выводов 241 ниже внешних соединительных выводов 241. Около одного конца общие разводки 215 последовательно изгибаются к идентичной стороне (направлению на внутренней стороне TFT-подложки 211 и перпендикулярно направлению прохождения общих разводок 215, т.е. направлению вправо на фиг. 3-1), в порядке от разводки на внутренней стороне TFT-подложки 211. Соединительные части разводки для контакта с внешними соединительными выводами 241 предоставляются в частях вне изогнутых частей общих разводок 215. Около конца, таким образом, общие разводки 215 имеют, в виде сверху, L-образную форму.

Структура в поперечном сечении жидкокристаллического устройства 200 отображения поясняется подробно ниже.

Как проиллюстрировано на фиг. 3-2, TFT-подложка 211 имеет структуру, в которой, в секции рамки, второй слой 262 разводки, межслойный диэлектрик 252, третий слой 263 разводки и прозрачный проводящий слой 264 размещаются поверх друг друга выше изолирующей подложки 221 в этом порядке от стороны изолирующей подложки 221. В слоях ниже второго слоя 262 разводки размещаются поверх друг друга основная покровная пленка, полупроводниковый слой, изолятор затвора, первый слой разводки и межслойный диэлектрик в этом порядке, как в варианте 1 осуществления.

Общие разводки 215 формируются посредством второго слоя 262 разводки, и внешние соединительные выводы 241 формируются посредством многослойного комплекта из третьего слоя 263 разводки и прозрачного проводящего слоя 264. TFT-подложка 211 и жесткая FPC 270 связываются термокомпрессионной сваркой через ACF 280 и тем самым становятся соединенными друг с другом посредством проводящих шариков 281, содержащихся в ACF 280, и TFT-подложка 211 и жесткая FPC 270 крепятся друг к другу посредством клейкого компонента 282, который содержит термореактивную смолу и т.п. и который содержится в ACF 280.

Во время термокомпрессионной сварки давление прикладывается, посредством проводящих шариков 281, к внешним соединительным выводам 241 и соответствующим разводкам 271 жесткой FPC 270. Следовательно, в гипотетическом случае, когда контактные окна 231 предоставляются в области, в которой это давление прикладывается (области, в которой разводки 271 и проводящие шарики 281 перекрывают друг друга), давление затем прикладывается также к внешним соединительным выводам 241 в их части, размещенной в пределах контактных окон 231, которая обычно является частью небольшой толщины пленки. Как результат, внешние соединительные выводы 241 в этой части могут быть разрушены, и нарушения соединения могут возникать в этой части, во время термокомпрессионной сварки. При использовании проводящего элемента в форме проводящих шариков 281, содержащихся в ACF 280, в частности, возникает проблема в том, что внешние соединительные выводы 241 могут обрезаться в форме кольца, и могут зачастую возникать нарушения соединения.

В жидкокристаллическом устройстве 200 отображения, в отличие от этого, контактные окна 231 располагаются вне области, в которой проводящие шарики 281 и разводки 271 жесткой FPC 270 перекрывают друг друга, в виде сверху TFT-подложки 211. Поэтому, во время термокомпрессионной сварки, проводящие шарики 281 приводятся в соприкосновение только со сравнительно толстой частью на верхней лицевой поверхности внешних соединительных выводов 241. Это дает возможность недопущения приложения давления, через проводящие шарики 281, к внешним соединительным выводам 241 в их части, имеющей небольшую толщину пленки, в пределах контактных окон 231, во время термокомпрессионной сварки. Как результат, может подавляться возникновение нарушений соединения между TFT-подложкой 211 и жесткой FPC 270 вследствие разрушения внешних соединительных выводов 241.

В современном уровне техники в технологиях серийного производства ширина разводки и разнесение между разводкой (линия и пространство) для групп разводки, к примеру общими разводками 215, могут задаваться небольшими со значением не более приблизительно 2 мкм в технологиях микрообработки, которые основываются на сухом травлении. Ограничения для микрообработки в случае фотолитографии с использованием фоточувствительной органической изолирующей пленки в форме межслойного диэлектрика 252, который предоставляется в слое выше группы разводки, составляют приблизительно 4 мкм. Чтобы формировать контактные окна 231 для соединения с внешними соединительными выводами 241 в группе разводки, следовательно, становится необходимым формировать фактические контактные окна 231 с шириной, превышающей ширину группы разводки с учетом точности управления положением контактных окон 231 и с учетом точности микрообработки контактных окон 231. Следовательно, в гипотетическом случае, когда контактные окна 231 просто располагаются на выступающей части группы разводки, расстояние между соответствующими разводками увеличивается, что представляет проблему в том, что это уменьшает число разводок, которое может быть расположено ниже внешних соединительных выводов 231.

В жидкокристаллическом устройстве 200 отображения, в отличие от этого, общие разводки 215 идут рядом друг с другом, пересекая внешние соединительные выводы 241, в виде сверху TFT-подложки 211, и изгибаются к идентичной стороне относительно направления прохождения в порядке от наружной разводки, так что контактные окна 231 соединяются с частям вне изогнутых частей общих разводок 215 (соединительных частей разводки). Таким образом, линия и пространство в общих разводках 215 могут сохраняться как можно меньше без размещения контактных окон 231 по выступающим частям общих разводок 215 также в случае, если фоточувствительная органическая изолирующая пленка используется в качестве межслойного диэлектрика 252. Линия и пространство аналогично могут сохраняться как можно меньшими независимо от числа общих разводок 215. Соответственно, нет необходимости в уменьшении числа разводок, которые могут быть расположены ниже внешних соединительных выводов 241, и, следовательно, рамка может быть сделана более узкой.

Контактные окна 231 предоставляются коллинеарно (более предпочтительно, вдоль линии параллельно направлению прохождения общих разводок 215), в виде сверху TFT-подложки 211. Следовательно, это дает возможность ограничения площади поверхности всей области, в которой контактные окна 231 располагаются, при обеспечении размера соответствующих контактных окон 231 до большей степени, чем в случае, если контактные окна 231 располагаются ломаным способом, например зигзагообразно. Рамка тем самым может быть сделана еще более узкой.

Контактные окна 231 предоставляются между герметизирующим материалом 255 и областью, в которой ACF 280 и разводки 271 жесткой FPC 270 перекрывают друг друга, в виде сверху TFT-подложки 211. Между ACF 280 и герметизирующим материалом 255 создается требуемая граничная область на основе точности совмещения во время присоединения ACF и точности положения герметизации, так что обычно давление не прикладывается к этой области во время термокомпрессионной сварки. Следовательно, расширение секции рамки может быть сведено к минимуму, при подавлении нарушений соединения, посредством размещения контактных окон 231 в этой граничной области.

Форма при виде сверху контактных окон 231 не ограничена конкретным образом. Кроме того, контактные окна 213 могут быть разделены на множество контактных окон.

Жидкокристаллическое устройство отображения варианта 2 осуществления может изготавливаться в соответствии со способом изготовления, идентичным способу изготовления жидкокристаллического устройства отображения варианта 1 осуществления, и, следовательно, повторное пояснение способа изготовления опускается.

Далее поясняются изменения настоящего варианта осуществления.

Фиг. 4 является схематичным представлением в виде сверху, иллюстрирующим изменение конфигурации секции рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения варианта 2 осуществления. Как проиллюстрировано на фиг. 4, контактные окна 231 могут быть расположены в направлении наружу из внешних соединительных выводов 241 (на внешней периферийной стороне TFT-подложки 211).

Фиг. 5-1 является схематичным представлением в виде сверху, иллюстрирующим изменение конфигурации секции рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения варианта 2 осуществления. Фиг. 5-2 является схематичным представлением в поперечном сечении вдоль линии G-H на фиг. 5-1, иллюстрирующим изменение конфигурации секции рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения варианта 2 осуществления. На фиг. 5-1 проводящие шарики 281, к которым прикладывается давление, окружены пунктирной линией. Как проиллюстрировано на фиг. 5-1 и фиг. 5-2, контактные окна 231 могут быть расположены между смежными разводками 271 жесткой FPC 270. В этом случае также можно не допускать приложение давления, через проводящие шарики 281, к внешним соединительным выводам 241 в их части, имеющей небольшую толщину пленки в пределах контактных окон 231, во время термокомпрессионной сварки.

Фиг. 6-1 является схематичным представлением в виде сверху, иллюстрирующим изменение конфигурации секции рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения варианта 2 осуществления. Фиг. 6-2 является схематичным представлением в поперечном сечении вдоль линии I-J на фиг. 6-1, иллюстрирующим изменение конфигурации секции рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения варианта 2 осуществления. Как проиллюстрировано на фиг. 6-1 и фиг. 6-2, контактные окна 231 могут быть расположены дальше внутри TFT-подложки 211 (к центру TFT-подложки 211), чем герметизирующий материал 255, в виде сверху TFT-подложки 211. Таким образом, контактные окна 231 размещаются внутри жидкокристаллического слоя, в виде сверху TFT-подложки 211. Это дает возможность, как результат, повышения надежности контактных частей между общими разводками 215 и внешними соединительными выводами 241.

Фиг. 7-1 является схематичным представлением в виде сверху, иллюстрирующим изменение конфигурации секции рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения варианта 2 осуществления. Фиг. 7-2 является схематичным представлением в поперечном сечении вдоль линии K-L на фиг. 7-1, иллюстрирующим изменение конфигурации секции рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения варианта 2 осуществления. Как проиллюстрировано на фиг. 7-1 и фиг. 7-2, контактные окна 231 могут перекрывать герметизирующий материал 255, в виде сверху TFT-подложки 211, и TFT-подложка 211 может иметь фотораспорки 256, сформированные в герметизирующем материале 255. Стекловолокна могут содержаться в герметизирующем материале 255 в качестве распорок. В таком случае часть небольшой толщины пленки внешних соединительных выводов 241 в контактных окнах 231 может становиться поврежденной посредством стекловолокон, если контактные окна 231 располагаются так, чтобы перекрывать герметизирующий материал 255, с целью достижения более узкой рамки и/или повышения надежности. Это может приводить к нарушениям, таким как нарушения соединения. Фотораспорки 256 формируются посредством формирования рисунка фоточувствительной смолы или нефоточувствительной смолы посредством фотолитографии, и, следовательно, положение фотораспорок 256 может легко и точно управляться. Следовательно, можно не допускать перекрывания контактных окон 231 и фотораспорок 256 посредством использования распорок в форме фотораспорок 256, даже если герметизирующий материал 255 предоставляется так, чтобы перекрывать контактные окна 231. Таким образом, настоящее изменение предоставляет более узкую рамку и большую надежность при подавлении нарушений, таких как нарушения соединения.

В настоящем изменении контактные окна 231 могут перекрывать герметизирующий материал 255 частично или полностью. Кроме того, фотораспорки 256 могут формироваться на стороне CF-подложки.

Настоящее изменение является жидкокристаллическим устройством отображения полупропускающего типа, и формируются пикселные электроды 265 отражательно-пропускающего типа, имеющие идентичную конфигурацию, как и у внешних соединительных выводов 241, сформированных в нем. Каждый пикселный электрод 265 является многослойным комплектом из проводящей пленки 266 нижнего слоя, являющейся второй отражательной проводящей пленкой, которая составляет отражательную часть, и проводящей пленки 267 верхнего слоя, являющейся второй прозрачной проводящей пленкой, которая составляет светопропускающую часть. Проводящая пленка 266 нижнего слоя формируется посредством осаждения пленки на основе алюминия (Al), имеющей толщину пленки 350 нм, посредством напыления и т.п., с последующим формированием рисунка методом фотолитографии. Проводящая пленка 267 верхнего слоя формируется посредством осаждения пленки на основе IZO, имеющей толщину пленки 100 нм, посредством напыления и т.п., с последующим формированием рисунка методом фотолитографии.

Фиг. 8-1 является схематичным представлением в поперечном сечении, иллюстрирующим изменение конфигурации секции рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения варианта 2 осуществления. Фиг. 8-2 является схематичным представлением в поперечном сечении вдоль линии M-N на фиг. 8-1, иллюстрирующим изменение конфигурации секции рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения варианта 2 осуществления. Как проиллюстрировано на фиг. 8-1 и фиг. 8-2, контактные окна 231 могут перекрывать герметизирующий материал 255, в виде сверху TFT-подложки 211. TFT-подложка 211 может иметь изолирующую пленку 257 ниже герметизирующего материала 255, более конкретно, по меньшей мере, в области, в которой контактные окна 231 и герметизирующий материал 255 перекрывают друг друга. Распорки в герметизирующем материале 255 содержат стекловолокна 258. Как результат, это дает возможность предотвращения возникновения нарушений, таких как нарушения соединения в результате повреждения, вызываемого посредством стекловолокон 258 на части небольшой толщины пленки внешних соединительных выводов 241 в контактных окнах 231, даже в случае, если контактные окна 231 располагаются так, чтобы перекрывать герметизирующий материал 255. Таким образом, вышеуказанная конфигурация также предоставляет более узкую рамку и большую надежность при подавлении нарушений, таких как нарушения соединения.

В случае если межслойный диэлектрик 252 формируется из органической изолирующей пленки, она может становиться поврежденной после формирования изолирующей пленки 257 посредством CVD. Предпочтительно, поэтому, изолирующая пленка 257 формируется посредством такого способа, как напыление и т.п., который не повреждает межслойный диэлектрик. Примеры материала изолирующей пленки 257 включают в себя, например, оксид кремния (к примеру, SiO₂). Изолирующая пленка 257 может формироваться, например, посредством формирования пленки на основе SiO₂ посредством напыления, с последующим формированием рисунка методом фотолитографии.

Изолирующая пленка 257 располагается ниже практически всего герметизирующего материала 255 за исключением контактной части с противостоящей подложкой. Как результат, это дает возможность подавления потерь качества отображения, вытекающих из неравномерной толщины ячейки вследствие разностей уровня в пределах изолирующей пленки 257.

В настоящем изменении контактные окна 231 могут перекрывать герметизирующий материал 255 частично или полностью.

Фиг. 9-11 являются схематичными представлениями в виде сверху, иллюстрирующими изменение конфигурации секции рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения варианта 2 осуществления. Кристалл 275 интегральной микросхемы может подключаться к TFT-подложке 211, как проиллюстрировано на фиг. 9. Кристалл 275 интегральной микросхемы имеет контактные столбики 276 для ввода сигналов и контактные столбики 277 для вывода сигналов. Контактные столбики 276, 277 выступают в качестве соединительных выводов (соединительных частей) кристалла 275 интегральной микросхемы. Кристалл 275 интегральной микросхемы монтируется, в качестве бескорпусного кристалла, на TFT-подложке 211 согласно технологии COG (Кристалл на Стекле).

Внешние соединительные выводы 241 соединяются с контактными столбиками 276 для ввода сигналов и контактными столбиками 277 для вывода сигналов и выводятся из ACF 280. Внешние соединительные выводы 241 соединяются с общими разводками 215, посредством контактных окон 231, в области, в которой внешние соединительные выводы 241 и ACF 280 не перекрывают друг друга. В этом случае также можно не допускать приложение давления, через проводящие шарики 281, к внешним соединительным выводам 241 в их части, имеющей небольшую толщину пленки в пределах контактных окон 231, во время термокомпрессионной сварки.

Достаточно того, что контактные окна 231 не перекрываются как с контактными столбиками 276 для ввода сигналов или контактными столбиками 277 для вывода сигналов, так и с ACF 280. Следовательно, внешние соединительные выводы 241 могут соединяться с общими разводками 215 посредством контактных окон 231, которые перекрывают только ACF 280, как проиллюстрировано на фиг. 10.

Как проиллюстрировано на фиг. 11, контактные окна 231 могут предоставляться в области, в пределах области перекрытия с кристаллом 275 интегральной микросхемы, что исключает области, в которых контактные столбики 276 для ввода сигналов или контактные столбики 277 для вывода сигналов перекрывают ACF 280, так что внешние соединительные выводы 241 и общие разводки 215 соединяются в тех областях, в которых предоставляются контактные окна 231. Как результат, внешние соединительные выводы 241 могут быть расположены в пределах области, перекрывающей кристалл 275 интегральной микросхемы, и, следовательно, рамка может быть сделана еще более узкой.

Третий вариант осуществления

Фиг. 12 является схематичным представлением в виде сверху, иллюстрирующим конфигурацию секции рамки (внешней периферийной секции вне области отображения) жидкокристаллического устройства отображения варианта 3 осуществления. Фиг. 13 является схематичным представлением в поперечном сечении, иллюстрирующим конфигурацию секции рамки жидкокристаллического устройства отображения в варианте 3 осуществления, при этом фиг. 13(a) является представлением в поперечном сечении вдоль линии P-Q на фиг. 12, а фиг. 13(b) является представлением в поперечном сечении вдоль линии R-S на фиг. 12.

Как проиллюстрировано на фиг. 12 и фиг. 13(a) и фиг. 13(b), жидкокристаллическое устройство 300 отображения настоящего варианта осуществления имеет структуру, в которой TFT-подложка 311, которая является подложкой устройства отображения, и жесткая FPC 370, которая является внешним соединительным компонентом, соединяются друг с другом, в секции рамки, посредством ACF 380.

Как проиллюстрировано на фиг. 13(a) и фиг. 13(b), TFT-подложка 311 имеет структуру, в которой, в секции рамки, изолирующая подложка 321 имеет последовательно размещенные поверх друг друга на ней, от стороны изолирующей подложки 321, основную покровную пленку 322, полупроводниковый слой 323, изолятор 324 затвора, первый слой 361 разводки, межслойный диэлектрик 351, второй слой 362 разводки, межслойный диэлектрик 352, третий слой 363 разводки и прозрачный проводящий слой 364.

Помимо TFT-подложки 311, жидкокристаллическое устройство 300 отображения имеет CF-подложку, расположенную напротив TFT-подложки 311. CF-подложка содержит изолирующую подложку и последовательно размещенные поверх друг друга на ней от стороны изолирующей подложки: (1) черную матрицу, содержащую светоэкранирующий элемент и красный, зеленый и синий цветные светофильтры; (2) слой внешнего покрытия; (3) общий электрод, содержащий прозрачную проводящую пленку; и (4) совмещающую пленку. Внешняя периферийная секция CF-подложки и TFT-подложки 311 герметизируется посредством герметизирующего материала, предоставленного в форме рамки. Жидкокристаллический материал заполнен между TFT-подложкой 311 и CF-подложкой. Жесткая FPC 370 располагается на TFT-подложке 311 наружу из области, в которой TFT-подложка 311 и CF-подложка располагаются напротив друг друга.

Жесткая FPC 370 имеет сформированными разводки 371, помещенные рядом и параллельно друг другу на основном материале 372. Эти разводки 371 выступают в качестве соединительных выводов (соединительных частей) жесткой FPC 370. Электронные компоненты, к примеру различные виды кристаллов, которые составляют жидкокристаллический контроллер, IC электропитания и т.п., а также резисторы, конденсаторы и т.п., монтируются на жесткой FPC 370.

На TFT-подложке 311 сформированы внешние соединительные выводы 341, соответствующие разводкам 371 жесткой FPC 370, помещенным рядом и параллельно друг другу в ряд. Разводки 313 верхнего слоя, которые сформированы из слоя, идентичного слою внешних соединительных выводов 341, предоставляются между смежными внешними соединительными выводами 341. Разводки 313 верхнего слоя предоставляются в области, не перекрывающей разводки 371 жесткой FPC 370.

ACF 380 предоставляется так, чтобы покрывать внешние соединительные выводы 341 (область выше толстой пунктирной линии на фиг. 12). Внешние соединительные выводы 341 соединяются с разводками 371 жесткой FPC 370 посредством проводящих шариков (проводящих частиц) 381, которые являются проводящим элементом в ACF 380.

Внешние соединительные выводы 341 и разводки 313 верхнего слоя формируются с использованием многослойного комплекта из третьего слоя 363 разводки и прозрачного проводящего слоя 364 и соединяются посредством маршрутизирующих разводок 330, которые предоставляются вне области, в которой ACF 380 и разводки 371 жесткой FPC 370 перекрывают друг друга. Маршрутизирующие разводки 330 формируются посредством первого слоя 361 разводки и второго слоя 362 разводки. Более конкретно, оба конца маршрутизирующих разводок 330 формируются посредством второго слоя 362 разводки, так что один конец маршрутизирующих разводок 330 соединяется с внешними соединительными выводами 341, сформированными в слое выше межслойного диэлектрика 352, посредством контактных окон 331, которые предоставляются в межслойном диэлектрике 352, в то время как другой конец маршрутизирующих разводок 330 соединяется с разводками 313 верхнего слоя, сформированным в слое выше межслойного диэлектрика 352, посредством контактных окон 332, предоставленных в межслойном диэлектрике 352. Оба конца маршрутизирующих разводок 330 тем самым выступают в качестве соединительных частей разводки.

Контактные окна 331 предоставляются коллинеарно для концов внешних соединительных выводов 341, которые размещаются на внутренней стороне TFT-подложки 311 в области, не перекрывающей ACF 380. Контактные окна 331 располагаются вне области, в которой ACF 380 и разводки 371 жесткой FPC 370 перекрывают друг друга. Следовательно, внешние соединительные выводы 341 соединяются с любой из маршрутизирующих разводок 330 за пределами области, в которой разводки 371 и ACF 380 перекрывают друг друга. Таким образом, внешние соединительные выводы 341 отдельно предоставляются в части, соединенной с разводками 371 жесткой FPC 370 (части в контакте с проводящими шариками 381), и части, соединенной с маршрутизирующими разводками 330 (части в контакте с соединительными частями разводки для маршрутизирующих разводок 330). Части, соединенные с маршрутизирующими разводками 330, располагаются так, чтобы не перекрывать либо ACF 380, либо разводки 371 жесткой FPC 370.

Контактные окна 332 предоставляются коллинеарно для концов разводок 313 верхнего слоя, которые размещаются на внутренней стороне TFT-подложки 311 в области, не перекрывающей ACF 380. Контактные окна 332 располагаются вне области, в которой ACF 380 и разводки 371 жесткой FPC 370 перекрывают друг друга, так что каждая из разводок 313 верхнего слоя соединяется с любой из маршрутизирующих разводок 330 за пределами области, в которой разводки 371 и ACF 380 перекрывают друг друга. Части разводок 313 верхнего слоя, которые соединяются с маршрутизирующими разводками 313, располагаются так, чтобы не перекрывать либо ACF 380, либо разводки 371.

Разводки 313 верхнего слоя соединяются с любой из соединительных частей разводки для общих разводок 315, которые являются разводками нижнего слоя, сформированными на слое ниже межслойного диэлектрика 352, посредством контактных окон 333, которые предоставляются в межслойном диэлектрике 352. Общие разводки 315 помещены рядом через внешние соединительные выводы 341, ниже последних, вдоль внешней периферии TFT-подложки 311, т.е. вдоль направления расстановки внешних соединительных выводов 341 (направления слева направо на фиг. 12). Общие разводки 315 соединяются с элементами, компонуемыми на TFT-подложке 311, например полупроводниковыми элементами, резисторами и конденсаторами. Вышеуказанные полупроводниковые элементы обычно являются транзисторами, более конкретно TFT. Разводки 313 верхнего слоя являются практически перпендикулярными к общим разводкам 315, в виде сверху TFT-подложки 311. Общие разводки 315 являются сигнальными разводками для передачи сигналов. Каждая из общих разводок 315 соединяется с двумя или более элементами, например полупроводниковыми элементами, конденсаторами и резисторами, и подает общий сигнал. Как результат, различные сигналы, поданные от жесткой FPC 370, передаются в различные элементы на TFT-подложке 311, например полупроводниковые элементы, конденсаторы и резисторы, посредством внешних соединительных выводов 341, маршрутизирующих разводок 330, разводок 313 верхнего слоя и общих разводок 315. Общие разводки 315 могут соединяться с электродами затвора TFT, в которых полупроводниковый слой, изолятор затвора и электрод затвора размещаются поверх друг друга в этом порядке.

Контактные окна 333 предоставляются в области перекрытия с ACF 380. Тем не менее, контактные окна 333 располагаются вне области, в которой ACF 380 и разводки 371 жесткой FPC 370 перекрывают друг друга, так что каждая из разводок 313 верхнего слоя соединяется с любой из маршрутизирующих разводок 315 за пределами области, в которой разводки 371 и ACF 380 перекрывают друг друга. Таким образом, части разводок 313 верхнего слоя, соединенные с общими разводками 315, располагаются так, чтобы не перекрывать либо ACF 380, либо разводки 371 жесткой FPC 370.

Схемы 345 защиты от ESD (электростатических разрядов), которые предоставляются дальше внутри TFT-подложки 311, чем внешние соединительные выводы 341, соединяются с маршрутизирующими разводками 330. Маршрутизирующие разводки 330 соединяются с любой из общих разводок 316, сформированных посредством второго слоя 362 разводки, посредством контактных окон 334, предоставленных в межслойном диэлектрике 352. Схемы 345 защиты от ESD соединяются с общими разводками 327. Общие разводки 327 присоединяют соответствующие ESD-схемы и формируются посредством первого слоя 361 разводки. Схемы 345 защиты от ESD предоставляются коллинеарно вдоль линии параллельно общим разводкам, к примеру общим разводкам 315 и общим разводкам 316. Часть маршрутизирующих разводок 330 вплоть до точки, в которой они соединяются со схемами 345 защиты от ESD, формируется посредством первого слоя 361 разводки и выступает в качестве области 339 с высоким сопротивлением.

Схемные блоки 346, 347, которые содержат TFT 329 и маршрутизирующую разводку, а также схемный блок 348 дальше внутри TFT-подложки 311, чем внешние соединительные выводы 341, непосредственно компонуются на области TFT-подложки 311, которая перекрывает жесткую FPC 370. Драйверы истока, драйверы затвора и схемы электропитания формируются в схемных блоках 346, 347, 348. Как проиллюстрировано на фиг. 13(a), TFT 329 содержит полупроводниковый слой 323, изолятор 324 затвора и электрод 325 затвора, содержащий первый слой 361 разводки. Разводка 328 истока/стока, содержащая второй слой 362 разводки, соединяется с областями истока/стока полупроводникового слоя 323 посредством контактных окон, которые проходят через межслойный диэлектрик 351 и изолятор 324 затвора.

Линии 326 истока, сформированные посредством второго слоя 362 разводки, передают сигналы изображения в каждый пиксел от схемного блока 348. В TFT-подложке 311 также предусмотрены, например, общие разводки 317, 318, сформированные посредством второго слоя 362 разводки и выступающие в качестве разводки питания, и общие разводки 319, сформированные посредством третьего слоя 363 разводок и выступающие в качестве разводки питания.

TFT-подложка 311 и жесткая FPC 370 связываются термокомпрессионной сваркой через ACF 380 и тем самым становятся соединенными друг с другом посредством проводящих шариков 381, содержащихся в ACF 380, и TFT-подложка 311 и жесткая FPC 370 крепятся друг с другом посредством клейкого компонента 382, который содержит термореактивную смолу и т.п. и который содержится в ACF 380.

Во время термокомпрессионной сварки давление прикладывается, посредством проводящих шариков 381, к внешним соединительным выводам 341 и соответствующим разводкам 371 жесткой FPC 370. Следовательно, в гипотетическом случае, когда контактные окна 331 предоставляются в области, в которой это давление прикладывается (области, в которой разводки 371 и проводящие шарики 381 перекрывают друг друга), давление затем прикладывается также к внешним соединительным выводам 341 в их части, размещенной в пределах контактных окон 331, которая обычно является частью небольшой толщины пленки. Как результат, внешние соединительные выводы 341 в этой части могут быть разрушены, и нарушения соединения могут возникать в этой части, во время термокомпрессионной сварки. При использовании проводящего элемента в форме проводящих шариков 381, содержащихся в ACF 380, в частности, возникает проблема в том, что внешние соединительные выводы 341 могут стать обрезанными в форме кольца, и нарушения соединения могут часто возникать.

В жидкокристаллическом устройстве 300 отображения, в отличие от этого, контактные окна 331 располагаются вне области, в которой проводящие шарики 381 и разводки 371 жесткой FPC 370 перекрывают друг друга, в виде сверху TFT-подложки 311. Поэтому, во время термокомпрессионной сварки, проводящие шарики 381 приводятся в соприкосновение только со сравнительно толстой частью на верхней лицевой поверхности внешних соединительных выводов 341. Это дает возможность недопущения приложения давления, через проводящие шарики 381, к внешним соединительным выводам 341 в их части, имеющей небольшую толщину пленки, в пределах контактных окон 331, во время термокомпрессионной сварки. Как результат, может подавляться возникновение нарушений соединения между TFT-подложкой 311 и жесткой FPC 370 вследствие разрушения внешних соединительных выводов 341.

Разводки 313 верхнего слоя предоставляются в области, не перекрывающей разводки 371 жесткой FPC 370, и располагаются так, чтобы не соединяться непосредственно с разводками 371. Следовательно, давление не прикладывается, посредством проводящих шариков 381, на часть небольшой толщины пленки разводок 313 верхнего слоя в контактных окнах 333, во время термокомпрессионной сварки, даже если проводящие шарики 381 (ACF 380) перекрывают разводки 313 верхнего слоя.

Разводки 313 верхнего слоя электрически соединены с внешними соединительными выводами 341 посредством соединительных частей разводки для маршрутизирующих разводок 330, перекрывают жесткую FPC 370 в виде сверху TFT-подложки 311 и содержат проводящий слой, идентичный проводящему слою, который составляет внешние соединительные выводы 341. Разводки 313 верхнего слоя соединяются с общими разводками 315, в качестве разводки нижнего слоя, посредством контактных окон 333 в межслойном диэлектрике 352. Как результат, различные схемы, к примеру схемы 345 защиты от ESD, соединяются с электрическим путем (в настоящем варианте осуществления маршрутизирующей разводкой 330) между внешними соединительными выводами 341 и общими разводками 315. Таким образом, характеристики TFT-подложки 311 могут повышаться при достижении более узкой рамки. Например, сигналы могут подаваться от жесткой FPC 370 в полупроводниковые элементы на TFT-подложке 311 при подавлении ухудшения или разрушения полупроводниковых элементов вследствие шума и/или электростатического разряда от жесткой FPC 370, посредством предоставления схем 345 защиты от ESD, которые соединяются с электрическим путем между внешними соединительными выводами 341 и разводками 313 верхнего слоя.

Тонкий изолятор затвора обычно подвержен шуму и электростатическому разряду. Как результат, полупроводниковые элементы с большой вероятностью ухудшаются либо они разрушаются, в случае если общие разводки 315, в качестве разводки нижнего слоя, соединяются с электродами затвора TFT. Следовательно, схемы 345 защиты от ESD дают возможность подавления ухудшения или разрушения полупроводниковых элементов, в частности, эффективным способом в конфигурации, в которой общие разводки 315, которые соединяются с внешними соединительными выводами 341 и разводками 313 верхнего слоя, электрически соединяются с электродами затворов TFT. Предпочтительно, каждая из общих разводок 315 соединяется с двумя или более полупроводниковыми элементами. Вышеуказанные полупроводниковые элементы обычно являются транзисторами, более конкретно TFT. TFT, соединенные с общими разводками 315, могут иметь тип с верхним затвором, при котором полупроводниковый слой, изолятор затвора и электрод затвора размещаются поверх друг друга в этом порядке от стороны изолирующей подложки, или тип с задним (нижним) затвором, при котором электрод затвора, изолятор затвора и полупроводниковый слой размещаются поверх друг друга в этом порядке от стороны изолирующей подложки.

Обычно, общие разводки 317, общие разводки 318 и общие разводки 319, которые выступают в качестве разводки питания, не должны соединяться со схемами защиты от ESD.

В жидкокристаллическом устройстве 300 отображения разводки 313 верхнего слоя пересекают общие разводки 315. Как результат, разводки 313 верхнего слоя могут соединяться с внешними соединительными выводами 341 и с произвольными общими разводками 315 ниже внешних соединительных выводов 341.

В жидкокристаллическом устройстве 300 отображения разводки 313 верхнего слоя соединяются с общими разводками 315, а маршрутизирующие разводки 330 соединяются с общими разводками 316. Таким образом, по меньшей мере, две разводки из числа общих разводок 315, 316 соединяются с электрическим путем между внешними соединительными выводами 341 и разводками 313 верхнего слоя. Как результат, сигналы с идентичным потенциалом могут передаваться во множество общих разводок 315, 316.

Маршрутизирующие разводки 330 в части пересечения с общими разводками 316 формируются посредством первого слоя 361 разводки, который является слоем ниже общих разводок 316. Таким образом, маршрутизирующие разводки 330 формируются посредством двух или более слоев разводки и внешних соединительных выводов 341, и разводки 313 верхнего слоя соединяются друг с другом посредством двух или более слоев разводки. Как результат, разводки 316, предоставленные в слое выше маршрутизирующих разводок 330, могут использоваться в качестве общей разводки.

Форма в виде сверху контактных окон 331, 332, 333, 334 не ограничена конкретным образом. Контактные окна 331, 332 могут формироваться только из одного отверстия, и контактные окна 333, 334 могут быть разделены на множество отверстий.

Схемы 345 защиты от ESD могут предоставляться дальше на внешней периферийной стороне TFT-подложки 311 относительно внешних соединительных выводов 341.

Жидкокристаллическое устройство отображения варианта 3 осуществления может изготавливаться в соответствии со способом изготовления, идентичным способу изготовления жидкокристаллического устройства отображения варианта 1 осуществления, и, следовательно, повторное пояснение способа изготовления опускается.

Настоящее изобретение пояснено выше на основе вариантов 1-3 осуществления. Тем не менее, варианты осуществления могут быть надлежащим образом комбинированы друг с другом без отступления от объема настоящего изобретения.

В вариантах 1-3 осуществления и других вариантах осуществления настоящее изобретение пояснено на основе примеров жидкокристаллического устройства отображения, но настоящее изобретение также может использоваться, например, в органических электролюминесцентных дисплеях, плазменных дисплеях, неорганических электролюминесцентных дисплеях и т.п. Настоящее изобретение является, в частности, подходящим для устройств отображения, имеющих область отображения, в которой множество пикселов выстраиваются.

Схемный блок (периферийная схема), сформированный в секции рамки, не ограничен конкретным образом и может быть схемой драйвера, включающей в себя передающий затвор, схему-защелку, генератор тактовых импульсов, схему инвертора посредством схемы источника питания и т.п., или такую схему, как буферная схема, схема цифроаналогового преобразования (DAC-схема), сдвиговый регистр или дискретизирующее запоминающее устройство.

Внешние соединительные компоненты не ограничены конкретным образом и могут быть элементами, которые комбинируются в устройство отображения, например активными элементами, пассивными элементами, модулями, в которых пассивные элементы интегрируются, подложками со слоем разводки (подложками схемы) и т.п. Примеры активных элементов включают в себя полупроводниковые элементы, такие как полупроводниковые интегральные схемы (кристаллы интегральных микросхем), большие интегральные схемы (LSI-кристаллы) и т.п. Примеры пассивных элементов включают в себя, например, резисторы, светодиоды (светоизлучающие диоды), конденсаторы, датчики и т.п. Подложки со слоем разводки являются электронными компонентами, в которых разводка предоставляется на и/или в пределах изолирующей подложки (основного материала), примеры которых включают в себя, например, печатные платы, к примеру PWB (печатные монтажные платы), а также FPC-платы и TCP (корпус на ленточном носителе). PWB также могут упоминаться как PCB (печатные схемные платы).

Проводящие элементы, которые используются, не ограничены конкретным образом при условии, что они предоставляют соединение между внешними соединительными компонентами и подложкой устройства отображения, к примеру TFT-подложкой, и могут быть припоем или проводящими частицами (проводящими шариками), содержащимися в анизотропном проводящем материале, например анизотропной проводящей пленке, анизотропной проводящей пасте и т.п.

Сравнительный вариант 1 осуществления

Фиг. 14-1 является схематичным представлением в поперечном сечении, иллюстрирующим конфигурацию секции рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения в сравнительном варианте 1 осуществления. Фиг. 14-2 является схематичным представлением в поперечном сечении вдоль линии T-U на фиг. 14-1, иллюстрирующим конфигурацию секции рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения в сравнительном варианте 1 осуществления.

Как проиллюстрировано на фиг. 14-1 и фиг. 14-2, жидкокристаллическое устройство 1100 отображения настоящего сравнительного варианта осуществления имеет структуру, в которой TFT-подложка 1111, которая является подложкой устройства отображения, и FPC-подложка 1170, которая является внешним соединительным компонентом, соединяются друг с другом, в секции рамки, посредством ACF 1180.

В FPC-подложке 1170 разводки 1171, помещенные рядом и параллельно друг другу, формируются на основном материале 1172, так что разводки 1171 выступают в качестве соединительных выводов (соединительных частей) FPC-подложки 1170.

На TFT-подложке 1111 сформированы внешние соединительные выводы 1141, соответствующие разводкам 1171 FPC-подложки 1170, помещенным рядом и параллельно друг другу в ряд.

ACF 1180 предоставляется так, чтобы покрывать внешние соединительные выводы 1141. Внешние соединительные выводы 1141 соединяются с разводками 1171 FPC-подложки 170 посредством проводящих шариков (проводящих частиц) 1181, которые являются проводящим элементом в ACF 1180.

Внешние соединительные контактные выводы 1141 соединяются с соединительными частями разводки, размещенными в одном из концов общих разводок 1115, которые являются разводками нижнего слоя, сформированными на слое ниже межслойного диэлектрика 1152, посредством контактных окон 1131, которые предоставляются в межслойном диэлектрике 1152. Общие разводки 1115 идут вдоль внешней периферии TFT-подложки 1111 от места ниже внешних соединительных выводов 1141 к другой части секции рамки TFT-подложки 1111, в которой отсутствуют внешние соединительные выводы 1141, и соединяются с полупроводниковыми элементами, которые компонуются на TFT-подложке 1111. Вышеуказанные полупроводниковые элементы обычно являются транзисторами, более конкретно TFT.

Общие разводки 1115 помещены рядом вдоль направления расстановки внешних соединительных выводов 1141 ниже последних. Контактные окна 1131 предоставляются для передних концов общих разводок 1115, в направлении прохождения общих разводок 1115, в области, перекрывающей ACF 1180. Контактные окна 1131 располагаются в области, в которой ACF 1180 и разводки 1171 FPC-подложки 1170 перекрывают друг друга, так что внешние соединительные выводы 1141 соединяются с любыми общими разводками 1115 в области, в которой ACF 1180 и разводки 1171 FPC-подложки 1170 перекрывают друг друга. Таким образом, часть, в которой внешние соединительные выводы 1141 соединяются с разводками 1171 FPC-подложки 1170 (часть в контакте с проводящими шариками 1181), перекрывает часть, в которой внешние соединительные выводы 1141 соединяются с общими разводками 1115 (часть в контакте с соединительными частями разводки для общих разводок 1115). Части, соединенные с общими разводками 1115, располагаются с перекрыванием как ACF 1180, так и разводок 1171 FPC-подложки 1170.

TFT-подложка 1111 и FPC-подложка 1170 связываются термокомпрессионной сваркой через ACF 1180 и тем самым становятся соединенными друг с другом посредством проводящих шариков 1181, содержащихся в ACF 1180, и TFT-подложка 1111 и FPC-подложка 1170 крепятся друг к другу посредством клейкого компонента 1182, который содержит термореактивную смолу и т.п. и который содержится в ACF 1180.

Во время термокомпрессионной сварки давление прикладывается, посредством проводящих шариков 1181, к внешним соединительным выводам 1141 и соответствующим разводкам 1171 FPC-подложки 1170. Контактные окна 1131 присутствуют в области, в которой давление прикладывается (области, в которой разводки 1171 и проводящие шарики 1181 перекрывают друг друга). Следовательно, давление прикладывается также к частям внешних соединительных выводов 1141, которые размещаются в пределах контактных окон 1131 и которые обычно имеют небольшую толщину пленки. В результате, в жидкокристаллическом устройстве отображения настоящего сравнительного варианта осуществления нарушения соединения могут возникать посредством разрушения внешних соединительных выводов 1141 в вышеуказанной части, во время термокомпрессионной сварки. При использовании проводящего элемента в форме проводящих шариков 1181, содержащихся в ACF 1180, в частности, возникает проблема в том, что внешние соединительные выводы 1141 могут стать обрезанными в форму кольца, и нарушения соединения могут часто возникать.

Фиг. 15 является схематичным представлением в виде сверху, иллюстрирующим изменение конфигурации секции рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения сравнительного варианта 1 осуществления. В настоящем изменении соединительные части разводки для общих разводок 1115 (передние концы общих разводок 1115) задаются с шириной, превышающей ширину общих разводок 1115. Контактные окна 1131 также крупнее, чем в вышеописанном сравнительном варианте осуществления.

В современном уровне техники в технологиях серийного производства ширина разводки и разнесение между разводкой (линия и пространство) для групп разводок, к примеру общими разводками 1115, могут задаваться небольшими со значением не более приблизительно 2 мкм в технологиях микрообработки, которые основываются на сухом травлении. Ограничения для микрообработки в случае фотолитографии с использованием фоточувствительной органической изолирующей пленки в форме межслойного диэлектрика 1152, который предоставляется в слое выше группы разводки, составляют приблизительно 4 мкм. Чтобы формировать контактные окна 1131 для соединения с внешними соединительными выводами 1141 в группе разводки, следовательно, становится необходимым формировать фактические контактные окна 1131 с шириной, превышающей ширину группы разводки, как проиллюстрировано на фиг. 15, с учетом точности управления положением контактных окон 1131 и с учетом точности микрообработки контактных окон 1131. Кроме того, контактные окна 1131 располагаются на выступающей части группы разводки. Следовательно, расстояние B между общими разводками 1115 превышает расстояние A в случае, проиллюстрированном на фиг. 14-1. Соответственно, меньше разводок может быть расположено ниже внешних соединительных выводов 1141.

Настоящая заявка притязает на приоритет заявки на патент номер 2008-301159, поданной в Японии 26 ноября 2008 года, согласно Парижской конвенции и национальному законодательству в указанном государстве, и все ее содержимое тем самым содержится в данном документе по ссылке.

Пояснение ссылок с номерами

100, 200, 300 - жидкокристаллическое устройство отображения

111, 211, 311 - TFT-подложка

112 - разводка (разводка нижнего слоя)

115, 215, 315, 316, 317, 318, 319, 327 - общая разводка

121, 221, 321 - изолирующая подложка

122, 322 - основная покровная пленка

123, 323 - полупроводниковый слой

124, 324 - изолятор затвора

125, 325 - электрод затвора

128, 328 - электрод истока/стока

129, 329 - TFT

130, 330 - маршрутизирующая разводка

131, 132, 133, 231, 331, 332, 333, 334 - контактное окно

141, 142, 143, 241, 341 - внешний соединительный вывод

146, 346, 347, 348 - схемный блок

151, 152, 252, 351, 352 - межслойный диэлектрик

161, 361 - первый слой разводки

162, 262, 362 - второй слой разводки

163, 263, 363 - третий слой разводки

164, 264, 364 - прозрачный проводящий слой

170, 270, 370 - (жесткая) FPC 170

171, 271, 371 - разводка (FPC-разводка)

172, 272, 372 - основной материал

175, 275 - кристалл интегральной микросхемы

176, 276 - контактный столбик для ввода сигналов

177, 277 - контактный столбик для вывода сигналов

180, 280, 380 - ACF

181, 281, 381 - проводящие шарики (проводящие частицы)

182, 282, 382 - клейкий компонент

255 - герметизирующий материал

256 - фотораспорка

257 - изолирующая пленка

258 - стекловолокна

265 - пикселный электрод

266 - проводящая пленка нижнего слоя

267 - проводящая пленка верхнего слоя

313 - разводка верхнего слоя

326 - линия истока

339 - область с высоким сопротивлением

345 - схема защиты от ESD (электростатических разрядов)

1. Устройство отображения, содержащее подложку устройства отображения, имеющую внешний соединительный вывод и разводку нижнего слоя, идущую ниже внешнего соединительного вывода, внешний соединительный компонент и проводящий элемент, который электрически соединяет подложку устройства отображения и внешний соединительный компонент, в котором:
- внешний соединительный компонент имеет соединительную часть, соединенную с внешним соединительным выводом через проводящий элемент;
- подложка устройства отображения дополнительно имеет межслойный диэлектрик, сформированный на слое ниже внешнего соединительного вывода, и соединительную часть разводки, которая формируется на слое ниже межслойного диэлектрика и которая соединяется с внешним соединительным выводом с помощью первого соединительного отверстия в межслойном диэлектрике и
- первое соединительное отверстие располагается вне области, в которой соединительная часть и проводящий элемент перекрывают друг друга на виде сверху подложки устройства отображения.

2. Устройство отображения по п.1, в котором:
- подложка устройства отображения дополнительно имеет разводку верхнего слоя, которая электрически соединяется с внешним соединительным выводом через соединительную часть разводки, перекрывает внешний соединительный компонент на виде сверху подложки устройства отображения и включает в себя проводящий слой, идентичный проводящему слою, который составляет внешний соединительный вывод;
- разводка верхнего слоя соединяется с разводкой нижнего слоя посредством второго соединительного отверстия в межслойном диэлектрике и
- второе соединительное отверстие располагается вне области, в которой соединительная часть и проводящий элемент перекрывают друг друга на виде сверху подложки устройства отображения.

3. Устройство отображения по п.2, в котором подложка устройства отображения дополнительно имеет схему защиты от электростатических разрядов, соединенную с электрическим путем между внешним соединительным выводом и разводкой верхнего слоя.

4. Устройство отображения по п.3, в котором:
- подложка устройства отображения дополнительно имеет тонкопленочный транзистор, в котором полупроводниковый слой, изолятор затвора и электрод затвора размещаются поверх друг друга в этом порядке; и
- разводка нижнего слоя электрически соединяется с электродом затвора.

5. Устройство отображения по любому из пп.2-4, в котором подложка устройства отображения имеет множество общих разводок, включающих в себя разводку нижнего слоя.

6. Устройство отображения по п.5, в котором разводка верхнего слоя пересекает множество общих разводок.

7. Устройство отображения по п.5, в котором, по меньшей мере, две разводки из множества общих разводок соединяются с электрическим путем между внешним соединительным выводом и разводкой верхнего слоя.

8. Устройство отображения по любому из пп.2-4, 6 или 7, в котором внешний соединительный вывод соединяется с разводкой верхнего слоя через два или более слоев разводки.

9. Устройство отображения по любому из пп.1-4, 6 или 7, при этом устройство отображения дополнительно имеет герметизирующий материал, который герметизирует элемент отображения.

10. Устройство отображения по п.9, в котором первое соединительное отверстие располагается между герметизирующим материалом и областью, в которой соединительная часть и проводящий элемент перекрывают друг друга на виде сверху подложки устройства отображения.

11. Устройство отображения по п.9, в котором первое соединительное отверстие располагается дальше к внутренней стороне подложки устройства отображения, чем герметизирующий материал, на виде сверху подложки устройства отображения.

12. Устройство отображения по п.9, в котором первое соединительное отверстие перекрывает герметизирующий материал на виде сверху подложки устройства отображения.

13. Устройство отображения по п.12, в котором подложка устройства отображения дополнительно имеет фотораспорку, сформированную в герметизирующем материале.

14. Устройство отображения по п.12, в котором подложка устройства отображения дополнительно имеет изолирующую пленку, сформированную ниже герметизирующего материала.

15. Устройство отображения по п.14, в котором изолирующая пленка располагается ниже, по существу, всего герметизирующего материала.

16. Устройство отображения по любому из пп.1-4, 6, 7, 10-15, в котором проводящий элемент включает в себя проводящие частицы.

17. Устройство отображения по любому из пп.1-4, 6, 7, 10-15, в котором:
- подложка устройства отображения имеет множество первых соединительных отверстий, внешних соединительных выводов, соединительных частей разводки и разводок нижнего слоя;
- на виде сверху подложки устройства отображения, множество разводок нижнего слоя идут рядом друг с другом, пересекая множество внешних соединительных выводов, и изгибаются к одной стороне относительно направления прохождения, в порядке от наружной разводки нижнего слоя; и
- каждая из множества соединительных частей разводки является частью вне изогнутой части любого из множества разводок нижнего слоя.

18. Устройство отображения по п.17, в котором множество первых соединительных отверстий предоставляются коллинеарно на виде сверху подложки устройства отображения.

19. Устройство отображения, содержащее подложку устройства отображения, имеющую внешний соединительный вывод и разводку нижнего слоя, идущую ниже внешнего соединительного вывода, первый внешний соединительный компонент и второй внешний соединительний компонент, в котором:
- первый внешний соединительный компонент и второй внешний соединительный компонент соединяются друг с другом через разводку нижнего слоя и располагаются рядом вдоль внешней периферии подложки устройства отображения.