Способ сравнительной оценки надежности партий интегральных схем


 


Владельцы патента RU 2467339:

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" (RU)

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности интегральных схем (ИС), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ИС как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Сущность способа заключатся в том, что на произвольных одинаковых выборках схем из партий проводят измерения электрических параметров, указанных в технических условиях, при следующих напряжениях питания: 1, 1.25, 1.5, 1.75 и 2В. Затем строят интегральные кривые распределения интегральных схем по значениям напряжения питания и делают выводы по сравниваемым партиям. Техническим результатом изобретения является уменьшение трудоемкости, а также повышение функциональных возможностей способа. 1 ил.

 

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности интегральных схем (ИС), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ИС как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Из техники известно, что в зависимости от уровня дефектности исходных материалов, разброса режимов технологических операций каждая ИС характеризуется своим уровнем внутренних остаточных напряжений, неоднородных по объему схемы и оказывающих влияние на ее электрические характеристики, особенно на критическое напряжение питания (КНП). КНП - это минимальное напряжение питания, при котором ИС сохраняет работоспособность в пределах норм, определяемых техническими условиями.

Известные методы определения потенциальной надежности или сравнения надежности, основанные на КНП [1], базируются на последовательном снижении напряжения питания с номинального до некоторого минимального значения Uпит.ном=Eкр, при котором ИС продолжает функционировать, то есть ни один из контролируемых параметров не выходит за пределы норм, определяемых техническими условиями. Распределение по значениям КНП может различаться не только для данных типов ИС, но и для разных партий схем одного типа.

Известен способ сравнительной оценки надежности партий [2], по которому по кривой зависимости КНП исследуемой ИС от температуры в интервале температур (10-100°C) и по сравнению полученной кривой с эталонной выделяют партию ИС с надежностью не ниже, чем по ТУ, затем уже от этой партии после воздействия электростатического разряда (ЭСР) в половину опасного вновь снимают зависимость КНП от температуры до и после температурного отжига, сравнивают их по площади под кривыми и выделяют группу ИС повышенной надежности.

Недостатком данного способа является превышение допустимой по техническим условиям величины ЭСР, а также большая трудоемкость и техническая сложность выполнения способа: снятие зависимостей КНП от температуры для каждой схемы четыре раза, сравнение площадей под этими зависимостями.

Наиболее близким является способ [3], при котором на каждой ИС партии измеряется значение КНП до и после воздействия, например 100 электростатических разрядов напряжением, допустимым по техническим условиям. По набранной статистике на различных партиях одного типа ИС устанавливают критерий - коэффициент увеличения КНП после ЭСР по сравнению с начальным КНП по величине, которой определяют принадлежность ИС к категории по надежности.

Недостатком данного способа является большая трудоемкость.

Изобретение направлено на устранение данного недостатка и повышение функциональной возможности способа. Это достигается тем, что на одинаковой представленной выборке от каждой сравнительной партии измеряют значение электрических параметров при следующих напряжениях питания: 1, 1,25, 1,5, 1,75 и 2В. По полученным данным строят интегральные кривые и делают выводы по сравнительным партиям.

Пример осуществления способа. На выборках из трех партий интегральных схем типа К561ЛН2 были измерены электрические параметры при напряжениях питания 1, 1,25, 1,5, 1,75 и 2В. По полученным данным построены интегральные кривые (рис.1).

Из рисунка видно, что из сравниваемых трех партий партия №1 более надежная, чем партии №2 и 3, а партия №2 более надежна, чем партия №3.

ИСТОЧНИКИ ИНФОРМАЦИИ

1. Аладинский В.К., Гаврилов В.Ю., Горелкина Е.Н., Критическое питающее напряжение как информативный параметр при электрофизическом диагностировании КМОП ИС. Электронная техника, 1990. Сер. 2. - Вып.4 - С.87-90.

2. Патент РФ №2230334, G01R 31/26, опубл. 10.06.2004.

3. Патент РФ №2290652, G01R 31/26, опубл. 20.06.2006.

Способ сравнительной оценки надежности партий интегральных схем, в соответствии с которым на произвольных одинаковых выборках схем из партий проводят измерения электрических параметров, указанных в технических условиях, отличающийся тем, что электрические параметры измеряют при следующих напряжениях питания: 1, 1,25, 1,5, 1,75 и 2В, после чего строят интегральные кривые распределения интегральных схем по значениям напряжения питания.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к обеспечению надежности транзисторов. .

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий (диодов, транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых приборов как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Изобретение относится к исследованию оптических свойств и метрологии полупроводников и фотоэлектрических структур, а именно к измерению квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках.

Изобретение относится к исследованию оптических свойств и метрологии полупроводников и фотоэлектрических структур, а именно к измерению квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках.

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для контроля надежности металлизации, а именно металлической разводки, при производстве интегральных микросхем.

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к устройствам контроля и диагностики полупроводниковых изделий (ППИ), таких как диоды, транзисторы и интегральные схемы.

Изобретение относится к технике измерения электрических параметров полупроводниковых приборов и может быть использовано для контроля их качества. .

Изобретение относится к области измерительной техники, к измерению электрофизических параметров (ЭФП) полупроводниковых транзисторных структур и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий (диодов, транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для разбраковки по критерию потенциальной надежности как в процессе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к технологии изготовления и способам тестирования матричных или линейных МОП мультиплексоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и предназначено для использования в системах испытаний на радиационную стойкость радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к контрольно-испытательному оборудованию изделий электронной техники

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения надежности полупроводниковых изделий (ППИ) (транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для обеспечения повышенной надежности партий изделий как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий (ПИИ), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий НИИ как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях - изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения надежности транзисторов, и может быть использовано для разделения транзисторов по надежности в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности интегральных схем (ИС), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ИС как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к измерительной технике. Сущность: устройство содержит измерительную интегральную схему с элементами с перестраиваемыми параметрами, вход которой соединен с генератором шума отрезка линии передачи, выход которого соединен с входом измеряемого четырехполюсника, измеритель коэффициента шума. Измерительная интегральная схема дополнительно содержит второй отрезок линии передачи на выходе, две емкости, резистор, индуктивность, две контактные площадки для подачи питания к измеряемому четырехполюснику. Элементы с перестраиваемыми параметрами выполнены в виде полевых транзисторов с барьером Шотки. На затвор полевого транзистора подают управляющее напряжение от соответствующего источника. Величина сопротивления резистора на порядок больше величины волнового сопротивления отрезка линии передачи на входе, величины индуктивности и емкости определяются из математических формул. Технический результат: расширение рабочей полосы частот, повышение точности измерений, упрощение устройства. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к измерительной технике. Сущность: устройство содержит измерительную интегральную схему с перестраиваемыми параметрами, вход которой соединен с генератором шума посредством центрального проводника в виде отрезка линии передачи, выход которого соединен с входом измеряемого четырехполюсника, измеритель коэффициента шума. Измерительная интегральная схема содержит второй центральный проводник в виде отрезка линии передачи, две емкости, резистор, индуктивность, элемент с перестраиваемыми параметрами в виде полевого транзистора с барьером Шотки и две контактные площадки для подачи питания к измеряемому четырехполюснику. Величина сопротивления резистора на порядок больше величины волнового сопротивления отрезка линии передачи на входе, величины индуктивности и емкости определяются из математических формул. Технический результат: расширение рабочей полосы частот, повышение точности измерений, упрощение устройства. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
Наверх