Жидкокристаллическое устройство отображения

Изобретение относится к измерительной технике. Жидкокристаллическое устройство 100 отображения включает в себя термисторы 28, предоставленные отдельно от светоизлучающих диодов 22 в области, где располагаются светоизлучающие диоды 22, и секцию 201 управления излучением света для управления напряжением, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22. На основе информации о температуре, полученной из термисторов 28, секция 201 управления излучением света понижает целевое значение v1 напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22, по мере повышения температуры и повышает целевое значение v1 напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22, по мере понижения температуры. 4 н. и 8 з.п. ф-лы, 8 ил.

 

Область техники, к которой относится изобретение

Настоящее изобретение имеет отношение к жидкокристаллическому устройству отображения. В частности, настоящее изобретение имеет отношение к жидкокристаллическому устройству отображения, включающему в себя множество расположенных в нем светоизлучающих диодов, и к управлению светоизлучающими диодами.

Предшествующий уровень техники

Жидкокристаллическое устройство отображения (LCD) включает в себя подсветку, расположенную на стороне задней поверхности части жидкокристаллического устройства отображения, включающую в себя жидкокристаллический слой. Свет, исходящий от подсветки, освещает заднюю поверхность части жидкокристаллического устройства отображения. Посредством управления напряжением, прикладываемым между двумя подложками, между которыми помещен жидкокристаллический слой, жидкокристаллический слой части жидкокристаллического устройства отображения переключается между режимом, в котором тем самым свет блокируется, и другим режимом, в котором посредством этого свет передается, таким образом отображая свет желаемого цвета через цветной фильтр. В подсветках таких жидкокристаллических устройств отображения в качестве источников света используются светоизлучающие диоды (LED), как раскрывается, например, в японской опубликованной заявке на патент номер 2007-165632 (патентный документ 1).

Как сформулировано в вышеупомянутой публикации, светоизлучающий диод, в целом, имеет такой параметр, что его относительная светимость понижается по мере повышения окружающей температуры. В случае использования светоизлучающих диодов в качестве устройств подсветки необходимы некоторые контрмеры для поддерживания выходной светимости постоянной независимо от изменений температуры. Данная публикация раскрывает использование диодов в качестве термодатчиков для измерения температуры вокруг светоизлучающих диодов и коррекции температуры в пределах блока светоизлучающих диодов. Таким образом является возможным поддерживать постоянную цветовую температуру и светимость светоизлучающих диодов.

Список источников информации

Патентный документ

Патентный документ 1: опубликованная заявка на патент Японии номер 2007-165632.

Сущность изобретения

Техническая задача

В вышеупомянутой публикации раскрывается использование некоторых светоизлучающих диодов в качестве средства определения температуры. В случае использования светоизлучающих диодов в качестве средства определения температуры светоизлучающие диоды при свечении генерируют высокую температуру сами по себе. Существует несколько отдельных разновидностей светоизлучающих диодов в зависимости от степени генерирования тепла. Для более точного и постоянного управления цветовой температурой и светимостью светоизлучающих диодов является желательным корректировать температуру светоизлучающих диодов с наилучшей точностью. С учетом этого настоящее изобретение предлагает новую структуру, допускающую более точное и постоянное управление цветовой температурой и светимостью светоизлучающих диодов (LED).

Решение задачи

Жидкокристаллическое устройство отображения из настоящего изобретения включает в себя множество светоизлучающих диодов, расположенных на задней поверхности части жидкокристаллического устройства отображения. Термисторы предоставлены отдельно от светоизлучающих диодов в области, где располагаются светоизлучающие диоды. Кроме того, жидкокристаллическое устройство отображения включает в себя секцию управления излучением света для управления напряжением, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам. На основании информации о температуре, получаемой из термисторов, секция управления излучением света уменьшает целевое значение напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам, по мере повышения температуры и повышает целевое значение напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам, по мере понижения температуры.

В случае жидкокристаллического устройства отображения целевое значение напряжения понижается по мере повышения температуры и целевое значение напряжения повышается по мере понижения температуры из-за управления посредством секции управления излучением света. Таким образом, является возможным постоянное излучение света светоизлучающими диодами, а также является возможным удержание генерирования высокой температуры и энергопотребления на низком уровне.

В одном варианте осуществления жидкокристаллическое устройство отображения может включать в себя секцию хранения целевого напряжения, предварительно сохраняющую взаимосвязь между информацией о температуре, полученной из термисторов, и целевым значением напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам. В этом случае секция управления излучением света может устанавливать целевое значение напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам, из взаимосвязи между информацией о температуре и целевым значением напряжения, сохраненным в блоке хранения целевого напряжения на основе информации о температуре, полученной из термисторов.

В другом варианте осуществления жидкокристаллическое устройство отображения может включать в себя секцию хранения эталонного напряжения, сохраняющую эталонное напряжение для целевого значения напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам. В этом случае секция управления излучением света может устанавливать целевое значение напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам, посредством коррекции эталонного напряжения, сохраненного в блоке хранения эталонного напряжения на основе информации о температуре, полученной из термисторов.

Жидкокристаллическое устройство отображения может включать в себя множество термисторов, расположенных повсюду по области, где располагаются светоизлучающие диоды. В этом случае секция управления излучением света может разделить область, где располагаются светоизлучающие диоды, на множество зон и получать информацию о температуре из каждой зоны на основе термисторов для установления целевого значения напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам, для каждой зоны.

Целевое значение напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам, может быть установлено на основе значения нижнего предела значения VF (переменного напряжения) светоизлучающих диодов.

Множество светоизлучающих диодов может включать в себя три типа светоизлучающих диодов, излучающих свет R, G и B, которые при их сочетании производят белый свет. В этом случае секция управления излучением света может изменять целевое значение напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам, в зависимости от информации о температуре, получаемой из термисторов, для каждого из светоизлучающих диодов, излучающих свет R, G и B. В этом случае секция управления излучением света может варьировать целевое значение напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам, в зависимости от информации о температуре, получаемой из термисторов, между светоизлучающими диодами, излучающими свет R, и светоизлучающими диодами, излучающими свет G и B.

Термисторы могут быть сформированы посредством использования агломерата, например, с примесью оксида металла. Количество термисторов в зависимости от количества светоизлучающих диодов может варьироваться от области к области.

Настоящее изобретение также применимо в подсветке для освещения задней поверхности части жидкокристаллического устройства отображения жидкокристаллического устройства отображения. В этом случае подсветка может включать в себя множество светоизлучающих диодов, расположенных таким образом, чтобы находиться напротив задней поверхности части жидкокристаллического устройства отображения, и термисторов, предоставленных отдельно от светоизлучающих диодов в области, где располагаются светоизлучающие диоды. Оно может включать в себя секцию управления излучением света для управления напряжением, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам на основе информации о температуре, полученной из термисторов. В этом случае на основе информации о температуре, полученной из термисторов, секция управления излучением света понижает целевое значение напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам, по мере повышения температуры и повышает целевое значение напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам, по мере понижения температуры.

Способ управления подсветкой жидкокристаллического устройства отображения в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения сначала выполняет первый этап получения информации о температуре из термисторов, предоставленных отдельно от светоизлучающих диодов в области, где располагаются светоизлучающие диоды. Затем он выполняет второй этап установления целевого значения напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам, из предварительно сохраненной взаимосвязи между информацией о температуре и целевым значением напряжения на основе информации о температуре, полученной на первом этапе. Затем он выполняет третий этап управления напряжением, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам на основе целевого значения напряжения, установленного на втором этапе.

В другом варианте осуществления способ управления подсветкой жидкокристаллического устройства отображения сначала выполняет первый этап получения информации о температуре из термисторов, предоставленных отдельно от светоизлучающих диодов в области, где располагаются светоизлучающие диоды. Затем он выполняет второй этап установления целевого значения напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам, посредством коррекции эталонного напряжения, которое предварительно сохранено для целевого значения напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам на основе информации о температуре, полученной в первом этапе. Затем он выполняет третий этап управления напряжением, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам на основе целевого значения напряжения, установленного на втором этапе.

Краткое описание чертежей

Фиг.1 является представлением в поперечном разрезе, изображающим жидкокристаллическое устройство отображения в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения.

Фиг.2 является представлением в поперечном разрезе, изображающим жидкокристаллическую панель жидкокристаллического устройства отображения в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения.

Фиг.3 является горизонтальным представлением, изображающим часть области пикселя подложки матрицы жидкокристаллического устройства отображения в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения.

Фиг.4 является горизонтальным представлением, изображающим часть области пикселя подложки цветного фильтра жидкокристаллического устройства отображения в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения.

Фиг.5A является частично увеличенным горизонтальным представлением, изображающим расположение светоизлучающих диодов и термисторов жидкокристаллического устройства отображения в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения.

Фиг.5B является горизонтальным представлением, изображающим расположение светоизлучающих диодов и термисторов жидкокристаллического устройства отображения в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения.

Фиг.6A является графиком, изображающим взаимосвязь между значением напряжения VF и температурой светоизлучающего диода.

Фиг.6B является графиком, изображающим взаимосвязь между значением напряжения VF и температурой светоизлучающего диода.

Фиг.6C является графиком, изображающим взаимосвязь между температурой и целевым значением напряжения для жидкокристаллического устройства отображения в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения.

Фиг.7 является представлением в поперечном разрезе, изображающим жидкокристаллическое устройство отображения в соответствии с другим вариантом осуществления настоящего изобретения.

Фиг.8 является горизонтальным представлением, изображающим пример конфигурации подложки, расположенной внутри монтажной панели подсветки жидкокристаллического устройства отображения в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения.

Описание вариантов осуществления

Теперь будет описываться жидкокристаллическое устройство отображения в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения со ссылкой на чертежи.

Фиг.1 схематично изображает конфигурацию поперечного разреза жидкокристаллического устройства 100 отображения в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. Как изображено на Фиг.1, жидкокристаллическое устройство 100 отображения включает в себя жидкокристаллическую панель 10 в качестве части жидкокристаллического устройства отображения и подсветку 20. В жидкокристаллическом устройстве 100 отображения используются светоизлучающие диоды (LED) в качестве источников 22 света подсветки 20. В данном случае структура жидкокристаллического устройства 100 отображения будет описываться схематично, а затем будут описываться структура и управление подсветкой 20.

В целом жидкокристаллическая панель 10 жидкокристаллического устройства 100 отображения имеет полностью прямоугольную форму и формируется посредством пары прозрачных подложек 11 и 12 (стеклянных подложек). В настоящем варианте осуществления одна из подложек 11 и 12 на передней стороне является подложкой 11 цветного фильтра (подложкой CF), а другая подложка на обратной стороне является подложкой 12 матрицы (подложкой TFT (тонкопленочных транзисторов)).

Как изображено на Фиг.1, в настоящем варианте осуществления как у подложки 11 цветного фильтра, так и у подложки 12 матрицы имеется область 10a пикселей (область, где сформированы пиксели). Подложка 11 цветного фильтра и подложка 12 матрицы располагаются напротив друг друга. Между подложкой 11 цветного фильтра и подложкой 12 матрицы предоставлен герметик 15 таким образом, чтобы обводить контур (границу контура) области 10a пикселей по всему ее периметру.

Жидкокристаллический слой 13 предоставлен между подложкой 11 цветного фильтра и подложкой 12 матрицы. Жидкокристаллический материал, включающий в себя молекулы жидких кристаллов, изолирован в жидкокристаллическом слое 13. Ориентация молекул жидких кристаллов жидкокристаллического материала управляется приложением электрического поля между подложкой 11 цветного фильтра и подложкой 12 матрицы, таким образом изменяя их оптические параметры. Герметик 15 герметизирует жидкокристаллический материал жидкокристаллического слоя 13.

Теперь будет описываться подложка 12 матрицы и подложка 11 цветного фильтра в этом порядке. Фиг.2-4 изображают область 10a пикселей жидкокристаллической панели 10. Фиг.2 изображает представление в поперечном разрезе подложки 11 цветного фильтра и подложки 12 матрицы, скрепленных вместе. Фиг.3 изображает горизонтальное представление части области пикселей подложки 12 матрицы, а Фиг.4 изображает горизонтальное представление части области пикселей подложки 11 цветного фильтра. На Фиг.3 и 4 область, отграниченная посредством пунктирной линии A, представляет область одного пикселя жидкокристаллического устройства 100 отображения.

В настоящем варианте осуществления подложка 12 матрицы включает в себя пиксельный электрод 42, электрические шины с 43a по 43c, сглаживающий слой 44, ориентирующую пленку 46 (пленку, ориентирующую в горизонтальном направлении) и тонкопленочный транзистор 47, сформированные на передней стороне (стороне жидкокристаллического слоя 13) стеклянной подложки 41, как изображено на Фиг.2 и 3. Пиксельный электрод 42 изготавливается из ITO (оксида индия и олова), который является пропускающим свет электропроводным материалом, а напряжение в соответствии с изображением подается на пиксельный электрод 42 с предварительно определенной синхронизацией через электрические шины с 43a по 43c и тонкопленочный транзистор 47 (см. Фиг.3). Сглаживающий слой 44 формируется посредством изоляционного материала и покрывает пиксельный электрод 42 и электрические шины с 43a по 43c (см. Фиг.3). Ориентирующая пленка 46, изготовленная из полиимида или подобного материала, сформирована на верхней стороне (стороне жидкокристаллического слоя 13) сглаживающего слоя 44. Передняя поверхность (поверхность со стороны жидкокристаллического слоя 13) ориентирующей пленки 46 подвергается процессу притирки для определения ориентации молекул жидких кристаллов в отсутствие прикладываемого напряжения.

Как изображено на Фиг.2 и 4, подложка 11 цветного фильтра включает в себя черную матрицу 52, цветные фильтры 53, сглаживающий слой 54, противоэлектрод 55 и ориентирующую пленку 56 (пленку, ориентирующую в горизонтальном направлении), сформированные на обратной стороне (стороне жидкокристаллического слоя 13) стеклянной подложки 51. Черная матрица 52 сформирована посредством такого металла, как Cr (хром), таким образом, чтобы свет не проходил через области между пикселями. Цветные фильтры 53 включают в себя три цвета из числа красного (R), зеленого (G) и синего (B). Как изображено на Фиг.2-4, один из цветных фильтров 53 R, G и B находится напротив одного пиксельного электрода 42 из подложки 12 матрицы. Как изображено на Фиг.2, сглаживающий слой 54 сформирован таким образом, чтобы покрывать черную матрицу 52 и цветной фильтр 53. Противоэлектрод 55, изготовленный из оксида ITO (оксида индия и олова), сформирован на нижней стороне (стороне жидкокристаллического слоя 13) сглаживающего слоя 54. Ориентирующая пленка 56 сформирована на нижней стороне (стороне жидкокристаллического слоя 13) противоэлектрода 55. Передняя поверхность (поверхность со стороны жидкокристаллического слоя 13) ориентирующей пленки 56 также подвергается процессу притирки. Отметим, что ориентация ориентирующей пленки 46 подложки 12 матрицы и ориентация ориентирующей пленки 56 подложки 11 цветного фильтра отличаются друг от друга на 90°.

Как изображено на Фиг.2, стеклянные подложки 41 и 51 располагаются с размещенными между ними сферическими или столбчатыми разделителями 59 (со сферическими в иллюстрированном примере). Разделители 59 формируются, например, из пластмассы, стекла или подобного. Промежуток между стеклянными подложками 41 и 51 удерживается посредством вышеописанного герметика 15 (см. Фиг.1) и разделителей 59, таким образом поддерживая жидкокристаллический слой 13 постоянным.

Кроме того, как изображено на Фиг.1 и 2, поляризаторы 17 и 18 присоединены к стороне передней поверхности подложки 11 цветного фильтра (стеклянной подложки 51) и обратной стороне поверхности подложки 12 матрицы (стеклянной подложки 41) соответственно. В жидкокристаллическом устройстве отображения, так называемом «normally-white», два поляризатора 17 и 18 располагаются с перпендикулярными друг к другу осями поляризации. В жидкокристаллическом устройстве отображения, так называемом «normally-black», два поляризатора 17 и 18 располагаются с параллельными друг к другу осями поляризации. В настоящем варианте осуществления лицевая панель 30 присоединяется к передней стороне жидкокристаллической панели 10, как изображено на Фиг.1. Рамка 32 присоединяется к обратной стороне жидкокристаллической панели 10. Лицевая панель 30 и рамка 32 поддерживают жидкокристаллическую панель 10. Кроме того, у рамки 32 имеется отверстие в части, соответствующей области 10a пикселей жидкокристаллической панели 10. Подсветка 20, поддерживаемая посредством монтажной панели 24 подсветки, присоединяется к обратной стороне жидкокристаллической панели 10.

Как изображено на Фиг.1, подсветка 20 является внешним источником света, расположенным на обратной стороне (правой стороне на Фиг.1) жидкокристаллической панели 10. В настоящем варианте осуществления подсветка 20 включает в себя множество светоизлучающих диодов 22 (LED) и монтажную панель 24 подсветки. В настоящем варианте осуществления монтажная панель подсветки 24 имеет коробчатую форму, которая открывается в переднюю сторону (сторону жидкокристаллической панели 10), а светоизлучающие диоды 22 располагаются повсюду в пределах монтажной панели 24 подсветки. Более подробно расположение светоизлучающих диодов 22 и управление ими будет описано позже. Множество оптических пластин 26 наслаивается друг на друга в открытой части монтажной панели подсветки 24.

Например, оптические пластины 26 включают в себя светорассеиватель, светорассеивающую пластину, пластину линзы и повышающую светимость пластину, начиная с обратной стороны в этом порядке. Монтажная панель 24 подсветки присоединяется к обратной стороне рамки 32 жидкокристаллической панели 10 со светоизлучающими диодами 22, находясь лицом к описанной выше жидкокристаллической панели 10. Оптические пластины 26 помещаются между обратной поверхностью рамки 32 жидкокристаллической панели 10 и передней поверхностью монтажной панели 24 подсветки. Как изображено на фиг.1, жидкокристаллическое устройство 100 отображения включает в себя секцию 200 управления (например, такую схему управления светом, как инверторная схема трубок с холодным катодом) для регулирования светимости (яркости) подсветки 20. Секция 200 управления регулирует яркость подсветки 20 посредством регулирования мощности, которая, например, будет подводиться на подсветку 20. В этом случае секция 200 управления может увеличивать яркость (повышать светимость) подсветки 20 посредством увеличения мощности, которая будет подводиться на подсветку 20. Секция 200 управления также может уменьшать яркость (понижать светимость) подсветки 20 посредством уменьшения мощности, которая будет подводиться на подсветку 20.

Молекулы жидких кристаллов в жидкокристаллическом слое 13 управляются посредством приложения управляемого напряжения между подложкой 11 цветного фильтра и подложкой 12 матрицы. В случае жидкокристаллической панели 10 свет подсветки 20 может блокироваться или пропускаться, а ее коэффициент пропускания может варьироваться посредством управления молекулами жидких кристаллов в жидкокристаллическом слое 13 для каждого пикселя (более конкретно, для каждого из субпикселей, определенных как R, G и B). Кроме того, жидкокристаллическое устройство 100 отображения отображает намеченное изображение, несмотря на то, что светимость или подобное подсветки 20 является управляемой.

Теперь будет описана структура подсветки 20 и, в частности, расположение светоизлучающих диодов 22 и управление ими.

В настоящем варианте осуществления в подсветке 20 в качестве источников света используется множество светоизлучающих диодов 22, как изображено на Фиг.1. В настоящем варианте осуществления светоизлучающие диоды 22 включают в себя три типа светоизлучающих диодов, излучающих свет R, G и B, которые при их сочетании производят белый свет.

Отметим, что в подсветке 20 предпочтительно используется белый свет, баланс которого регулируется в зависимости от интенсивности света R, G и B и т.д. В подсветке 20, использующей светоизлучающие диоды 22, может употребляться конфигурация, в которой белые диоды LED, излучающие белый свет, располагаются таким образом, чтобы при этом излучать освещение белого света, или конфигурация, в которой диоды LED (светоизлучающие диоды) трех цветов (красного) R, (зеленого) G и (синего) В располагаются таким образом, чтобы при этом смешивать эти три цвета света для производства белого света. В данном случае способы, использующие белые диоды LED, включают в себя, например, способ, в котором используются люминофоры цветов R, G и B в сочетании с коротковолновым кристаллом диода LED для получения белого, способ, в котором желтый люминофор используется в сочетании с синими кристаллами диода LED для получения белого, способ, в котором белый получается как смешанный цвет из кристаллов диодов LED трех цветов R, G и B, и способ, в котором белый получается как смешанный цвет из кристаллов диодов LED двух цветов, которые являются взаимодополняющими.

В настоящем варианте осуществления, как изображено на Фиг.1, светоизлучающие диоды 22 присоединены к отражающей подложке 25, расположенной внутри монтажной панели 24 подсветки таким образом, чтобы находиться напротив задней поверхности жидкокристаллической панели 10. У светоизлучающих диодов 22 имеются светоизлучающие части, находящиеся напротив задней поверхности жидкокристаллической панели 10. У отражающей подложки 25 имеется светоотражающая зеркальная поверхность на поверхности 25a (отражающей поверхности), находящаяся напротив жидкокристаллической панели 10. Свет светоизлучающих диодов 22, просачивающийся на сторону отражающей подложки 25, отражается посредством поверхности 25a по направлению к задней поверхности жидкокристаллической панели 10. Светоизлучающие диоды 22 располагаются повсюду по отражающей подложке 25. Фиг.5A и 5B являются горизонтальными представлениями, каждое из которых схематично изображает поверхность 25a отражающей подложки 25, находящейся напротив жидкокристаллической панели 10, причем Фиг.5A является горизонтальным представлением, изображающим в увеличенном масштабе часть, указанную посредством стрелки 5a на Фиг.5B. В настоящем варианте осуществления светоизлучающие диоды 22 располагаются в решетчатой структуре на поверхности 25a, как изображено на Фиг.5A. Отметим, что расположение светоизлучающих диодов 22 не ограничивается решетчатой структурой, изображенной на Фиг.5A, и может являться таким расположением (шахматной структурой или зигзагообразной структурой), чтобы позиции светоизлучающих диодов 22 были сдвинуты, например, равномерно друг от друга и один ряд от другого.

В целом светоизлучающий диод (LED) имеет параметр, что его относительная светимость понижается по мере повышения окружающей температуры. Относительная световая эффективность излучения светоизлучающего диода изменяется вследствие изменений окружающей температуры. С учетом этого в случае жидкокристаллического устройства 100 отображения напряжение и сила тока, которые будут прикладываться к светоизлучающим диодам 22, управляются посредством секции 200 управления.

Таким образом, как изображено на Фиг.1, жидкокристаллическое устройство 100 отображения включает в себя секцию 200 управления и термисторы 28 (термодатчики). Секция 200 управления управляет светимостью, цветовой температурой и т.д. подсветки 20. Фиг.1 схематично изображает секцию 200 управления и термисторы 28. В дальнейшем в этом документе Фиг.1 должна упоминаться по мере необходимости касательно структуры жидкокристаллического устройства 100 отображения.

Секция 200 управления является электронным процессором и включает в себя средство выполнения арифметических операций, реализованное посредством микропроцессора (MPU), центрального процессора (CPU) или подобного, и средство хранения данных, реализованное посредством энергонезависимого запоминающего устройства или подобного. Секция 200 управления конфигурируется таким образом, чтобы реализовывать намеченную функцию посредством предварительно сохраненной программы. Отметим, что, несмотря на то, что в данном документе это не обсуждается, на практике секция 200 управления также отвечает за параметры управления, помимо светимости и цветовой температуры подсветки 20 в настоящем варианте осуществления. Например, она управляет напряжением, которое будет прикладываться к жидкокристаллическому слою 13 жидкокристаллической панели 10.

Как изображено на Фиг.5A, термисторы 28 предоставляются в области, где располагаются светоизлучающие диоды 22, отдельно от светоизлучающих диодов 22. В настоящем варианте осуществления термисторы 28 предоставляются на отражающей подложке 25, на которой располагаются светоизлучающие диоды 22. Светоизлучающие диоды 22 располагаются в решетчатой структуре на поверхности 25a отражающей подложки 25, которая находится на стороне жидкокристаллической панели 10. Таким же образом каждый из термисторов 28 располагается в центре ряда четырех светоизлучающих диодов 22, расположенных в решетчатой структуре с обнаруживающей структурой, расположенной лицом к жидкокристаллической панели 10 отражающей подложки 25. Отметим, что в случае, в котором светоизлучающие диоды 22 располагаются в решетке с шахматной структурой, зигзагообразной структурой или подобной, множество термисторов 28 может располагаться повсюду по области, где располагается множество светоизлучающих диодов 22, в зависимости от структуры светоизлучающих диодов 22. В случае множества термисторов 28, расположенных повсюду по области, где располагается множество светоизлучающих диодов 22, является возможным более точное получение изменений температуры области, где располагаются светоизлучающие диоды 22. Отметим, что структура светоизлучающих диодов 22 и структура термисторов 28 не ограничиваются вышеописанными, но они могут располагаться в соответствующих позициях. В предпочтительном варианте осуществления термисторы 28 располагаются повсюду равномерно. Однако это не всегда является необходимым располагать термисторы 28 повсюду равномерно, но также их можно располагать в соответствующих позициях, выбираемых в зависимости от заданной конфигурации и т.д. жидкокристаллической панели 10.

Термисторы 28 могут являться любыми из различных типов термисторов при условии, что они могут электрически получать информацию о температуре на основе изменений значения сопротивления, вызванного посредством изменений температуры. Например, они могут являться термисторами, в которых используется агломерат, включающий в себя смесь оксидов таких металлов, как никель, марганец, кобальт и железо. Такой термистор, как правило, показывает NTC (отрицательный температурный коэффициент), при котором сопротивление понижается по мере повышения температуры. Например, термисторы 28 могут являться такими термисторами, температура которых в целом изменяется пропорционально изменениям значения сопротивления и значение сопротивления которых изменяется в значительной степени по отношению к изменению температуры. Таким образом возможно простое и точное получение информации о температуре.

Светоизлучающие диоды 22 управляются на основе информации о температуре, получаемой посредством термисторов 28. В настоящем варианте осуществления термисторы 28 электрически соединяются с секцией 200 управления посредством проволочных соединений 28a (см. Фиг.1). Светоизлучающие диоды 22 соединяются с секцией 200 управления через проволочные соединения 22a (см. Фиг.1), а секция 200 управления электрически управляет напряжением, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22 на основе информации о температуре, получаемой из термисторов 28.

В настоящем варианте осуществления секция 200 управления включает в себя секцию 201 управления излучением света и секцию 202 хранения целевого напряжения, как изображено на Фиг.1.

Секция 201 управления излучением света управляет напряжением, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22. В настоящем варианте осуществления на основе информации о температуре, получаемой из термисторов 28, секция 201 управления излучением света понижает целевое значение v1 напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22, при повышении температуры (см. Фиг.6C). На основе информации о температуре, получаемой из термисторов 28, секция 201 управления излучением света повышает целевое значение v1 напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22, при понижении температуры (см. Фиг.6C). Отметим, что светимость (напряжение, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22) светоизлучающих диодов 22 может регулироваться посредством, например, способа широтно-импульсной модуляции, способа ШИМ.

Секция 202 хранения целевого напряжения предварительно сохраняет взаимосвязь между информацией о температуре, получаемой из термисторов 28, и целевым значением напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22. В этом случае секция 202 хранения целевого напряжения может сохранять взаимосвязь между информацией о температуре и целевым значением v1 напряжения в таблице, в которой, например, информация о температуре представляется посредством одной координаты, а целевое значение v1 напряжения - посредством другой координаты. В настоящем варианте осуществления секция 201 управления излучением света устанавливает целевое значение напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22, со ссылкой на взаимосвязь между информацией о температуре и целевым значением напряжения, сохраненным в секции 202 хранения целевого напряжения на основе информации о температуре, получаемой из термисторов 28.

Несмотря на то, что существуют отдельные различия, светоизлучающие диоды 22 имеют определенную взаимосвязь между окружающей температурой и напряжением, которое будет прикладываться. С учетом этого, например, данные касательно взаимосвязи между температурой вокруг светоизлучающих диодов 22 и напряжением, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22, могут собираться заранее. Секция 202 хранения целевого напряжения может сохранять взаимосвязь между информацией о температуре, получаемой из термисторов 28, и целевым значением напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22 на основе данных.

В настоящем варианте осуществления тесты для светоизлучающих диодов 22 выполняются заранее таким образом, чтобы получать данные касательно взаимосвязи между температурой вокруг светоизлучающих диодов 22 и значением напряжения VF. Взаимосвязь между информацией о температуре, получаемой из термисторов 28, и целевым значением напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22, может сохраняться на основе таких данных. В данном случае значение напряжения VF относится к приемлемому диапазону прикладываемого напряжения, в районе которого свет из светоизлучающих диодов излучается должным образом.

Каждая из Фиг.6A, 6B и 6C изображает взаимосвязь между значением напряжения VF и температурой светоизлучающего диода. Кроме того, Фиг.6C изображает взаимосвязь между температурой и целевым значением v1 напряжения для жидкокристаллического устройства 100 отображения из настоящего варианта осуществления. Каждая из Фиг.6A и 6B изображает сравнительный пример Фиг.6C.

Как изображено на Фиг.6A, значение L нижнего предела значения напряжения VF имеет тенденцию к понижению по мере повышения температуры. С учетом этого, чтобы светоизлучающие диоды 22 постоянно излучали свет даже при более низких температурах, например, можно рассмотреть установление целевого значения v1 напряжения на основе значения нижнего предела значения напряжения VF при более низких температурах. Например, как изображено на Фиг.6A, на основе значения напряжения VF при более низких температурах в качестве целевого значения v1 напряжения может быть установлено напряжение немного выше значения L нижнего предела. В данном случае напряжением, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22, можно управлять при постоянном целевом значении v1 напряжения и, следовательно, легко управлять напряжением, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22. В данном случае, однако, если температура повышается, то прикладываемое напряжение может повышаться за верхний предел значения напряжения VF и, следовательно, светоизлучающие диоды 22 могут генерировать ненужную высокую температуру или расход энергии может без необходимости увеличиваться.

Например, как изображено на Фиг.6B, можно рассмотреть установление целевого значения v1 напряжения на основе значения напряжения VF при комнатной температуре. В этом случае напряжением, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22, можно управлять при постоянном целевом значении v1 напряжения и, следовательно, легко управлять напряжением, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22. Однако при более низких температурах значение напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22, может быть ниже значения L нижнего предела значения напряжения VF, таким образом оказываясь неспособным к постоянному излучению света светоизлучающими диодами 22.

Изобретатель полагает, что является предпочтительным, чтобы вышеописанное напряжение немного выше значения L нижнего предела значения напряжения VF прикладывалось к светоизлучающим диодам 22 с учетом точности термисторов 28, резкого отклонения напряжения вследствие управления и т.д. Таким образом, значение L нижнего предела значения напряжения VF представляет нижний предел прикладываемого напряжения, при котором при температуре светоизлучающие диоды 22 излучают свет должным образом. То есть, если напряжение выше значения L нижнего предела значения напряжения VF, прикладываемого к светоизлучающим диодам 22, то величина генерирования тепла повышается, а энергопотребление увеличивается по мере повышения напряжения, прикладываемого к светоизлучающим диодам 22. Если напряжение, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22, значительно ниже значения L нижнего предела значения напряжения VF, то при таких температурах не является возможным достаточное излучение света светоизлучающими диодами 22. Посредством приложения вышеописанного напряжения немного выше значения L нижнего предела значения напряжения VF к светоизлучающим диодам 22 возможно постоянное излучение света светоизлучающими диодами 22, а также возможно удерживать генерирование высокой температуры и энергопотребление на низком уровне.

В настоящем варианте осуществления секция 201 управления излучением света управляет целевым значением v1 напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22, на основе информации о температуре, получаемой из термисторов 28, как изображено на Фиг.6C. В этом случае секция 201 управления излучением света уменьшает целевое значение v1 напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22 при повышении температуры, и повышает целевое значение v1 напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22, при понижении температуры. В настоящем варианте осуществления предоставляется множество термисторов 28. В этом случае в качестве информации о температуре может использоваться минимальное значение информации о температуре термисторов 28 (информации о температуре, представляющей самую низкую температуру), получаемой из термисторов 28. Таким образом, прикладываемое напряжение может устанавливаться на основе температуры области подсветки 20 с самой низкой температурой и является возможным избежание таких проблем, как неоднородность светимости вследствие недостаточного напряжения. В этом случае в качестве информации о температуре, получаемой из термисторов 28, может использоваться информация о температуре, представляющая одну из самых низких температур (например, вторую из самых низких или третью из самых низких), а не минимальное значение информации о температуре термисторов 28. Таким образом является возможным избежать проблем даже в случаях, в которых некоторые термисторы представляют информацию о слишком низкой температуре вследствие их неисправностей. То какое количество самых низких температур должно использоваться из информации о температуре термистора 28, может определяться с учетом количества термисторов 28, которые будут предоставлены, скорости возникновения неисправностей термисторов 28 и т.д.

В настоящем варианте осуществления взаимосвязь между информацией о температуре, получаемой из термисторов 28, и целевым значением v1 напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22, сохраняется в секции 202 хранения целевого напряжения, как было описано выше. В качестве взаимосвязи между информацией о температуре и целевым значением v1 напряжения данные могут получаться из взаимосвязи между информацией о температуре, получаемой из термисторов 28, и значением напряжения VF светоизлучающих диодов 22, например, при предварительно проводимых тестах. На основе данных взаимосвязь между информацией о температуре и целевым значением v1 напряжения может устанавливаться и сохраняться в секции 202 хранения целевого напряжения таким образом, чтобы целевое значение v1 напряжения было немного выше значения L нижнего предела значения напряжения VF, как изображено на Фиг.6C. Следовательно, целевое значение v1 напряжения может устанавливаться на основе значения L нижнего предела значения напряжения VF светоизлучающих диодов 22.

Затем секция 201 управления излучением света устанавливает целевое значение v1 напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22, из взаимосвязи между информацией о температуре и целевым значением v1 напряжения (см. Фиг.6C), сохраненным в секции 202 хранения целевого напряжения, на основе информации о температуре, получаемой из термисторов 28.

В этом случае секция 201 управления излучением света сначала получает информацию о температуре из термисторов, предоставленных отдельно от светоизлучающих диодов (первый этап). Затем целевое значение v1 напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22, устанавливается на основе информации о температуре, полученной на первом этапе, и предварительно сохраненной взаимосвязи между информацией о температуре и целевым значением v1 напряжения (см. Фиг.6C) (второй этап). Затем на основе целевого значения v1 напряжения, установленного на втором этапе, управляют напряжением, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22 (третий этап). Управление с первого этапа по третий этап выполняется циклически с предварительно определенной синхронизацией. Например, управление с первого этапа по третий этап может выполняться циклически посредством получения информации о температуре из термисторов 28 для прохождения каждого предварительно определенного количества времени. В то время как интервал, на котором из термисторов 28 получается информация о температуре, может быть соответствующим образом определен, избыточная частота приводит к высокой нагрузке на управление и может затрагивать другие операции управления. Например, при использовании его в телевизоре или подобном интервал обычно может равняться 0,5-15 секунд и, предпочтительно, приблизительно с 3-8 секунд.

Таким образом, как изображено на Фиг.6C, целевое значение v1 напряжения понижается по мере повышения температуры, а целевое значение v1 напряжения повышается по мере понижения температуры. Тогда напряжение, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22, повышается по мере понижения температуры, а напряжение, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22, понижается по мере повышения температуры. Таким образом, в настоящем варианте осуществления напряжение немного выше значения L нижнего предела значения напряжения VF может прикладываться к светоизлучающим диодам 22. Тогда является возможным постоянное излучение света светоизлучающими диодами 22, а также является возможным удержание генерирования высокой температуры и энергопотребления на низком уровне.

В качестве способа управления приложением напряжения немного выше значения L нижнего предела значения напряжения VF к светоизлучающим диодам 22 может использоваться и другой способ.

Фиг.7 изображает другой вариант осуществления жидкокристаллического устройства 100 отображения. Как изображено на чертеже, секция 200 управления может включать в себя секцию 203 хранения эталонного напряжения, сохраняющую эталонное напряжение v0 (см. Фиг.6C) для целевого значения напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22. Тогда секция 201 управления излучением света может исправлять эталонное напряжение v0, сохраненное в секции 203 хранения эталонного напряжения, на основе информации о температуре, получаемой из термисторов 28, для установления целевого значения v1 напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22.

Таким образом, несмотря на то, что существуют отдельные различия, светоизлучающие диоды 22 имеют определенную взаимосвязь между окружающей температурой и напряжением, которое будет прикладываться. Эта взаимосвязь может быть приближена к линейной взаимосвязи. Например, взаимосвязь между окружающей температурой и напряжением, которое будет прикладываться, может быть заменена на линейную функцию или подобное. С учетом этого эталонное напряжение v0 (см. Фиг.6C), служащее в качестве эталона напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22, может быть определено заранее, а эталонное напряжение v0 может быть соответствующим образом исправлено на основе информации о температуре, полученной из термисторов 28.

Отметим, что в качестве эталонного напряжения v0, напряжение, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22, может быть установлено при подходящей температуре. В этом случае напряжение, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22, может быть установлено на эталонное напряжение v0, если температура равна эталонной температуре t0. Арифметическое выражение, используемое для коррекции, может быть определено, например, на основе данных, собранных перед взаимосвязью между температурой вокруг светоизлучающих диодов 22 и напряжением, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22. Тогда целевое значение напряжения v1 может быть получено посредством предварительно определенного арифметического выражения на основе информации о температуре, полученной из термисторов 28, эталонной температуры t0 и эталонного напряжения v0.

В этом случае секция 201 управления излучением света сначала получает информацию о температуре из термисторов 28 (первый этап). Тогда для целевого значения v1 напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22, предварительно сохраненное эталонное напряжение v0 (см. Фиг.6C) корректируется на основе информации о температуре, полученной на первом этапе, таким образом, чтобы установить целевое значение v1 напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22 (второй этап). Тогда на основе целевого значения v1 напряжения, установленного на втором этапе, управляют напряжением, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22 (третий этап). Управление с первого этапа по третий этап выполняется циклически с предварительно определенной синхронизацией. Таким образом, как изображено на Фиг.6C, целевое значение v1 напряжения понижается по мере повышения температуры, а целевое значение v1 напряжения повышается по мере понижения температуры.

Таким образом, в секции 201 управления излучением света может использоваться любой из различных способов, в которых напряжение, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22, понижается по мере повышения температуры, и напряжение, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22, повышается по мере понижения температуры на основе информации о температуре, полученной из термисторов 28.

Как было описано выше, в случае жидкокристаллического устройства отображения 100 целевое значение v1 напряжения понижается по мере повышения температуры, а целевое значение v1 напряжения повышается по мере понижения температуры по причине управления посредством секции 201 управления излучением света, как изображено на Фиг.6C. Таким образом напряжение, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22, повышается по мере понижения температуры, а напряжение, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22, понижается по мере повышения температуры. Таким образом, является возможным постоянное излучение света светоизлучающими диодами 22, а также является возможным удерживать генерирование тепла и энергопотребление на низком уровне. Кроме того, в настоящем варианте осуществления целевое значение v1 напряжения определяется на основе значения L нижнего предела значения напряжения VF, а напряжение немного выше значения L нижнего предела значения напряжения VF может быть приложено к светоизлучающим диодам 22. Таким образом, напряжением, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22, можно соответствующим образом управлять, и является возможным более постоянное излучение света светоизлучающими диодами 22 и удержание генерирования тепла и энергопотребления на низком уровне.

Температура жидкокристаллического устройства 100 отображения не будет однородной по всей области, в которой располагаются светоизлучающие диоды 22. В частности, если используется, например, большая жидкокристаллическая панель 10, то будет существовать неоднородность температуры в области, где располагаются светоизлучающие диоды 22. Например, жидкокристаллическое устройство 100 отображения может включать в себя множество подложек 241-246 электронных плат (см. Фиг.8), расположенных в пределах монтажной панели 24 подсветки, как изображено на Фиг.7. В этом случае каждая из подложек 241-246 электрических плат выполняет намеченный электронный процесс и во время процесса генерирует тепло по отдельности. Тепло также генерируется в различных подложках жидкокристаллической панели 10 с проволочными соединениями для проходящих по ним электрических сигналов и т.д., таких как управляющая схема для жидкокристаллической панели 10. Такое тепло не является однородным по области, где располагаются светоизлучающие диоды 22, и будет вызывать неоднородность температуры в области, где располагаются светоизлучающие диоды.

Например, подложки электронных плат включают в себя, например, терминальную подложку 241, подложку электропитания 242, подложку 243 ввода переменного тока (AC), подложку 244 контроллера жидких кристаллов, главную подложку 245, подложку 246 управления диодами LED и т.д. Терминальная подложка 241 имеет функцию ввода/вывода аудио и видео на внешние блоки и из них. Подложка 242 электропитания имеет функцию генерирования или подачи электропитания на различные подложки. Подложка 243 ввода тока AC имеет функцию фильтра защиты от помех. Подложка 244 контроллера жидких кристаллов имеет функцию приведения в действие жидкокристаллической панели. Главная подложка 245 имеет функцию управления всей работой жидкокристаллического устройства 100 отображения. Например, в случае, если жидкокристаллическое устройство 100 отображения используется в качестве устройства просмотра телевизора, то главная подложка 245 управляет всей работой жидкокристаллического устройства 100 отображения, функционирующего в качестве телевизора. Подложка 246 управления диодами LED имеет функцию управления подсветкой 20 (в частности, светоизлучающими диодами 22 (LED) в качестве источников 22 света). Отметим, что Фиг.8 изображает иллюстративную схему размещения подложек, и структура подложек электронных плат не ограничивается иллюстрированным примером. И другие подложки электронных плат могут располагаться в дополнение к иллюстрированным подложкам электронных плат, и некоторые из иллюстрированных подложек электронных плат могут быть и не предоставлены.

В настоящем варианте осуществления термисторы 28 располагаются повсюду по области, где располагаются светоизлучающие диоды 22, как изображено на Фиг.5A и 5B. Секция 201 управления излучением света делит область, где располагаются светоизлучающие диоды 22, на множество зон (пунктирные линии B11, B12, B13, B21, B31 и т.д. на Фиг.5A) и получает информацию о температуре каждой зоны на основе термистора 28. Тогда, для каждой зоны устанавливается целевое значение v1 напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22.

Таким образом, в настоящем варианте осуществления зоны установлены так, как обозначено посредством пунктирных линий B11, B12, B13, B21, B31 и т.д., каждая из которых установлена таким образом, что включает в себя четыре светоизлучающих диода 22, расположенных в решетчатой структуре, как изображено на Фиг.5A. Термистор 28 располагается в центре каждой зоны. Например, в случае, в котором жидкокристаллическое устройство 100 отображения включает в себя 1624 (58 горизонтальных × 28 вертикальных) светоизлучающих диода 22, может быть установлено 406 зон, каждая из которых включает в себя четыре светоизлучающих диода 22. Например, в случае, в котором жидкокристаллическое устройство 100 отображения включает в себя 1152 (48 горизонтальных × 24 вертикальных) светоизлучающих диода 22, может быть установлено 288 зон, каждая из которых включает в себя четыре светоизлучающих диода 22.

Секция 201 управления излучением света получает информацию о температуре каждой зоны на основе термистора 28. В настоящем варианте осуществления информация о температуре каждой зоны может быть получена, например, на основе термистора 28, расположенного в центре зоны. Отметим, что измерение термистором 28 возможно может предусматривать неисправный термистор 28. Следовательно, в настоящем варианте осуществления информация о температуре каждой зоны может быть получена не только на основе термистора 28, расположенного в центре зоны, а также и множества термисторов 28 в зоне и вокруг нее. В этом случае на основе термисторов 28 может быть получена средняя информация о температуре. При получении средней информации о температуре термисторов 28 может быть получено среднее значение, в то время как, например, максимальное значение и минимальное значение исключаются. Таким образом является возможным сокращение влияния дефектов отдельных термисторов 28. Кроме того, при получении информации о температуре зоны на основе термисторов 28 может использоваться минимальное значение информации о температуре термисторов 28 (информация о температуре, указывающая самую низкую температуру) вместо получения средней информации о температуре термисторов 28. Таким образом, прикладываемое напряжение может устанавливаться на основе температуры области подсветки 20 с самой низкой температурой и является возможным избегать таких проблем, как неоднородность светимости вследствие недостаточного напряжения. В этом случае в качестве информации о температуре, полученной из термисторов 28, может использоваться информация о температуре, представляющая одну из самых низких температур (например, вторую из самых низких или третью из самых низких), а не минимальное значение из информации о температуре термисторов 28. Таким образом является возможным избегать проблем даже в случаях, в которых некоторые термисторы представляют очень низкую информацию о температуре вследствие их неисправностей.

Секция 201 управления излучением света может установить целевое значение v1 напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22, для каждой зоны на основе информации о температуре, полученной для зоны таким способом. Следовательно, напряжением, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам 22, можно управлять соответствующим образом для каждой зоны в зависимости от информации о температуре. Таким образом, в частности, в случае, в котором используется крупная жидкокристаллическая панель 10 и существует неоднородность температуры по области, в которой располагаются светоизлучающие диоды 22, является возможным предотвратить возникновение неоднородности светимости или цветовой температуры подсветки. Отметим, что зона не ограничивается зоной из вышеописанного варианта осуществления, но может определяться соответствующим образом в зависимости от количества светоизлучающих диодов 22, степени их распределения, степени неоднородности температуры, возникающей в области, где располагаются светоизлучающие диоды 22, и т.д. Таким образом, зона может быть установлена таким образом, чтобы светоизлучающими диодами 22 можно было управлять соответствующим образом в зависимости от определенной конфигурации жидкокристаллического устройства 100 отображения, такой как структура светоизлучающих диодов 22, структура термисторов 28 и структура подложек. Например, в зависимости от определенной конфигурации жидкокристаллической панели 10 и т.д. могут определяться наилучшие зоны в областях, где во время работы могут возникать резкие изменения температуры, тогда как большие зоны могут определяться в областях, где во время работы температуры изменяются в меньшей степени. Количество термисторов 28 может варьироваться от области к области в зависимости от количества светоизлучающих диодов 22. Например, число термисторов 28 в зависимости от количества светоизлучающих диодов 22 может быть повышено в областях, где во время работы могут возникать сильные изменения температуры. Число термисторов 28 в зависимости от количества светоизлучающих диодов 22 может быть понижено в областях, где при работе температура изменяется в меньшей степени.

В настоящем варианте осуществления светоизлучающие диоды 22 включают в себя три типа светоизлучающих диодов, излучающих свет R, G и B, которые при их сочетании производят белый свет. Секция 201 управления излучением света может использовать различные целевые значения v1 напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам, излучающим свет R, G и B. Таким образом, в светоизлучающих диодах, излучающих свет R, G и B, используются различные светоизлучающие диоды, между которыми может варьироваться взаимосвязь температуры - значения напряжения VF. Следовательно, каждым из светоизлучающих диодов, излучающих свет R, G и B, можно управлять соответствующим образом при использовании различных целевых значений v1 напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам, излучающим свет R, G и B.

Отметим, что в секции 201 управления излучением света может использоваться целевое значение v1 напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам, излучающим свет R, и отличное от него целевое значение v1 напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам, излучающим свет G и B. Таким образом, те из светоизлучающих диодов, излучающих свет R, G и B, которые излучают свет G и B, могут быть близки или равны друг другу в плане взаимосвязи температуры - значения напряжения VF. В этом случае при использовании целевого значения v1 напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам, излучающим свет R, и отличного от него целевого значения v1 напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам, излучающим свет G и B, каждым из светоизлучающих диодов, излучающих свет R, G и B, можно управлять соответствующим образом. В этом случае из светоизлучающих диодов, излучающих свет R, G и B, такое же целевое значение v1 напряжения может прикладываться к светоизлучающим диодам, излучающим свет G и B. Следовательно, по сравнению со случаем, где различные целевые значения v1 напряжения прикладываются к светоизлучающим диодам, излучающим свет R, G и B, является возможным упростить конфигурацию управления секции управления излучением света и т.д.

Отметим, что в этом случае, если существует корреляция в плане взаимосвязи температуры - значения напряжения VF между светоизлучающими диодами, например, излучающими свет R, G и B, конфигурация управления может быть дополнительно изменена. Например, целевое значение v1 напряжения для светоизлучающих диодов, излучающих свет одного из цветов R, G и B, может быть получено на основе информации о температуре термисторов 28, а затем могут быть получены целевые значения v1 напряжения для светоизлучающих диодов, излучающих свет других цветов. Например, целевое значение v1 напряжения для светоизлучающих диодов, излучающих свет R, получается на основе информации о температуре термисторов 28. Тогда, на основе корреляции целевое значение v1 напряжения для светоизлучающих диодов, излучающих свет G и B, может быть получено из целевого значения v1 напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающему диоду, излучающему свет R. Таким образом, секция управления излучением света может изменять целевое значение напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам, в зависимости от информации о температуре, полученной из термисторов для каждого из светоизлучающих диодов, излучающих свет R, G и B.

Несмотря на то, что выше было описано жидкокристаллическое устройство отображения в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения, жидкокристаллическое устройство отображения из настоящего изобретения не ограничивается приведенным выше вариантом осуществления.

Например, заданная конфигурация жидкокристаллического устройства отображения не ограничивается приведенным выше вариантом осуществления. В приведенном выше варианте осуществления в подсветке используется так называемая подсветка типа «с задней подсветкой», в которой множество светоизлучающих диодов располагается в монтажной панели подсветки, чтобы тем самым сформировать плоский источник света, находящийся напротив жидкокристаллической панели 10. Этим конфигурация подсветки не ограничивается. Например, несмотря на то, что на чертеже это не показано, в подсветке может использоваться подсветка так называемого типа «с боковой подсветкой» (также называемого "с подсветкой сбоку"), в которой линейный источник света, включающий в себя светоизлучающие диоды, расположенные в линейной структуре, помещаются на поверхности края светопровода и преобразуются в плоский источник света.

Описание позиционных обозначений

10 Жидкокристаллическая панель (часть жидкокристаллического устройства отображения)

10a Область пикселей

11 Подложка цветного фильтра (подложка CF, подложка пропускающего типа)

12 Подложка матрицы (подложка транзисторов TFT, подложка пропускающего типа)

13 Жидкокристаллический слой

15 Герметик

17, 18 Поляризатор

20 Подсветка

22 Светоизлучающий диод (источник света)

22a Проволочное соединение

24 Монтажная панель подсветки

25 Отражающая подложка

25a Отражающая поверхность (поверхность, находящаяся напротив жидкокристаллической панели)

26 Оптическая пластина

28 Термистор (термодатчик)

28a Проволочное соединение

30 Лицевая панель

32 Рамка

41 Стеклянная подложка (стеклянная подложка подложки матрицы)

42 Пиксельный электрод

43a-43c Электрическая шина

44 Слой сглаживания

46 Ориентирующая пленка

47 Тонкопленочный транзистор

51 Стеклянная подложка (стеклянная подложка подложки цветного фильтра)

52 Черная матрица

53 Цветной фильтр

54 Слой сглаживания

55 Противоэлектрод

56 Ориентирующая пленка

59 Разделитель

100 Жидкокристаллическое устройство отображения

200 Секция управления

201 Секция управления излучением света

202 Секция хранения целевого напряжения

203 Секция хранения эталонного напряжения

241 Терминальная подложка

242 Подложка электропитания

243 Подложка для ввода переменного тока (AC)

244 Подложка контроллера жидких кристаллов

245 Главная подложка

246 Подложка управления светоизлучающими диодами LED

L Значение нижнего предела переменного напряжения (VF) светоизлучающего диода

t0 Эталонная температура

v0 Эталонное напряжение

v1 Целевое значение напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающему диоду

1. Жидкокристаллическое устройство отображения, содержащее:
множество светоизлучающих диодов, расположенных на задней поверхности части жидкокристаллического устройства отображения;
термисторы, предоставленные отдельно от светоизлучающих диодов в области, где располагаются светоизлучающие диоды; и
секцию управления излучением света для управления напряжением, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам,
в котором на основе информации о температуре, полученной из термисторов, секция управления излучением света понижает целевое значение напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам, по мере повышения температуры, и повышает целевое значение напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам, по мере понижения температуры.

2. Жидкокристаллическое устройство отображения по п.1, содержащее:
секцию хранения целевого напряжения, предварительно сохраняющую взаимосвязь между информацией о температуре, полученной из термисторов, и целевым значением напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам, в котором секция управления излучением света устанавливает целевое значение напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам, на основе информации о температуре, полученной из термисторов, и взаимосвязи между информацией о температуре и целевым значением напряжения, сохраненным в блоке хранения целевого напряжения.

3. Жидкокристаллическое устройство отображения по п.1, содержащее:
секцию хранения эталонного напряжения, сохраняющую эталонное напряжение для целевого значения напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам,
в котором на основе информации о температуре, полученной из термисторов, секция управления излучением света устанавливает целевое значение напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам посредством коррекции эталонного напряжения, сохраненного в блоке хранения эталонного напряжения.

4. Жидкокристаллическое устройство отображения по п.1, в котором:
множество термисторов располагаются повсюду по области, где располагаются светоизлучающие диоды; и
секция управления излучением света делит область, где располагаются светоизлучающие диоды, на множество зон и получает информацию о температуре каждой зоны на основе термисторов для установления целевого значения напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам, для каждой зоны.

5. Жидкокристаллическое устройство отображения по п.1, в котором целевое значение напряжения, которое будет прикладывается к светоизлучающим диодам, устанавливается на основе значения предела нижнего значения напряжения VF светоизлучающих диодов.

6. Жидкокристаллическое устройство отображения по п.1, в котором:
множество светоизлучающих диодов включает в себя три типа светоизлучающих диодов, излучающих свет R, G и В, которые при их сочетании производят белый свет; и
секция управления излучением света изменяет целевое значение напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам, в зависимости от информации о температуре, полученной из термисторов для каждого из светоизлучающих диодов, излучающих свет R, G и В.

7. Жидкокристаллическое устройство отображения по п.1, в котором:
множество светоизлучающих диодов включает в себя три типа светоизлучающих диодов, излучающих свет R, G и В, которые при их сочетании производят белый свет; и
секция управления излучением света изменяет целевое значение напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам, принимая во внимание информацию о температуре, полученную из термисторов между светоизлучающими диодами, излучающими свет R, и светоизлучающими диодами, излучающими свет G и В.

8. Жидкокристаллическое устройство отображения по п.1, в котором:
термисторы сформированы с использованием агломерата, включающего в себя примесь оксидов металлов.

9. Жидкокристаллическое устройство отображения по одному из пп.1-8, в котором количество термисторов изменяется от области к области в зависимости от количества светоизлучающих диодов.

10. Подсветка для освещения задней поверхности части жидкокристаллического устройства отображения жидкокристаллического устройства отображения, содержащая:
множество светоизлучающих диодов, расположенных таким образом, чтобы находиться напротив задней поверхности части жидкокристаллического устройства отображения;
термисторы, предоставленные отдельно от светоизлучающих диодов в области, где располагаются светоизлучающие диоды; и
секцию управления излучением света для управления напряжением, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам,
в которой на основании информации о температуре, полученной из термисторов, секция управления излучением света понижает целевое значение напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам, по мере повышения температуры, и повышает целевое значение напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам, по мере понижения температуры.

11. Способ управления подсветкой жидкокристаллического устройства отображения, имеющей подсветку, включающую в себя множество светоизлучающих диодов, расположенных на задней поверхности части жидкокристаллического устройства отображения, содержащий:
первый этап получения информации о температуре из термисторов, предоставленных отдельно от светоизлучающих диодов в области, где располагаются светоизлучающие диоды;
второй этап установления целевого значения напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам, из предварительно сохраненной взаимосвязи между информацией о температуре и целевым значением напряжения на основе информации о температуре, полученной на первом этапе; и
третий этап для управления напряжением, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам, на основе целевого значения напряжения, установленного на втором этапе.

12. Способ управления подсветкой жидкокристаллического устройства отображения, имеющей подсветку, включающую в себя множество светоизлучающих диодов, расположенных на задней поверхности части жидкокристаллического устройства отображения, содержащий:
первый этап получения информации о температуре из термисторов, предоставленных отдельно от светоизлучающих диодов в области, где располагаются светоизлучающие диоды;
второй этап установления целевого значения напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам, посредством коррекции эталонного напряжения, которое предварительно сохранено для целевого значения напряжения, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам, на основе информации о температуре, полученной на первом этапе; и
третий этап управления напряжением, которое будет прикладываться к светоизлучающим диодам на основе целевого значения напряжения, установленного на втором этапе.