Ик-фотодиод с высоким отношением сигнал/шум и способ повышения отношения сигнал/шум в ик-фотодиоде



Ик-фотодиод с высоким отношением сигнал/шум и способ повышения отношения сигнал/шум в ик-фотодиоде
Ик-фотодиод с высоким отношением сигнал/шум и способ повышения отношения сигнал/шум в ик-фотодиоде
Ик-фотодиод с высоким отношением сигнал/шум и способ повышения отношения сигнал/шум в ик-фотодиоде

 


Владельцы патента RU 2473151:

Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "Орион" (RU)

Изобретения относятся к фотоэлектронике и могут использоваться в пороговых фотоприемных устройствах для регистрации слабого электромагнитного излучения инфракрасного диапазона. ИК-фотодиод с высоким отношением сигнал/шум, содержит сильнолегированный слой, прилегающий к прозрачной для ИК-излучения подложке, толщина которого l1 удовлетворяет условию: , а также слаболегированный слой другого типа проводимости (базу) толщина которого d удовлетворяет условию d<L. Вдоль двух противоположных сторон периметра слаболегированного слоя сформированы омические контакты. Для повышения отношения сигнал/шум в ИК-фотодиоде регистрируют сумму диффузионного тока и фототока p-n перехода, а также ток продольной проводимости базы, протекающий между омическими контактами, сформированными вдоль двух противоположных сторон периметра слаболегированного слоя, при подаче на эти контакты небольшого напряжения, удовлетворяющего заданному условию. Изобретения обеспечивают увеличение отношения сигнал/шум (S/N) ПК-фотодиода за счет использования тока продольной (вдоль плоскости p-n перехода) проводимости базы, шумы которого коррелированны с шумами диффузионного тока p-n перехода, для коррелированной обработки сигнала и шума. p-n перехода, регистрирующего ИК-излучение. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.

 

Изобретения относятся к фотоэлектронике и могут использоваться в пороговых фотоприемных устройствах для регистрации слабого электромагнитного излучения инфракрасного (ИК) диапазона.

Известен фоточувствительный полупроводниковый прибор (фотодиод) с низким уровнем темнового тока (patent US 4242695) в котором для уменьшения диффузионного тока и обусловленных им шумов фотодиода сформирован дополнительный p-n переход, имеющий общую базу с основным p-n переходом.

Недостатком данного полупроводникового прибора является необходимость формирования дополнительного p-n перехода, что существенно усложняет технологический процесс изготовления фоточувствительного полупроводникового прибора, а также отсутствие омических контактов к двум противоположным сторонам периметра слаболегированного слоя (базы) что, в свою очередь, обуславливает невозможность использования тока продольной проводимости базы, для коррелированной обработки сигнала и шума основного p-n перехода.

В известном фотодиоде для увеличения отношения сигнал/шум уменьшают диффузионный ток основного p-n перехода, так как уменьшение среднего значения диффузионного тока приведет к уменьшению его спектральной плотности шума.

Недостаток известного способа увеличения отношения сигнал/шум заключается в том, что диффузионный ток дополнительного p-n перехода не используется для коррелированной обработки сигнала и шума основного p-n переходов, что не позволяет значительно увеличить отношение сигнал/шум в фотодиоде.

Задачей изобретений является увеличение отношения сигнал/шум (S/N) ИК-фотодиода за счет использования тока продольной (вдоль плоскости p-n перехода) проводимости базы, шумы которого коррелированны с шумами диффузионного тока p-n перехода, для коррелированной обработки сигнала и шума p-n перехода, регистрирующего ИК-излучение.

Технический результат достигается тем, что ИК-фотодиод с высоким отношением сигнал/шум, содержит последовательно расположенные сильнолегированный слой, прилегающий к прозрачной для ИК-излучения подложке, толщина которого l1 превышает длину поглощения ИК-излучения в полупроводнике, а также слаболегированный слой другого типа проводимости (базу), толщина которого d меньше диффузионной длины неосновных носителей. При этом, вдоль двух противоположных сторон периметра слаболегированного слоя сформированы омические контакты. Сильнолегированный слой, а также каждый из двух омических контактов, сформированных к слаболегированному слою, соединен с микросхемой. считывания и обработки сигнала отдельным индиевым столбиком.

В рассматриваемом фотодиоде ИК-излучение должно полностью поглощаться в сильнолегированном слое, поэтому последний прилегает к подложке, а толщина сильнолегированного слоя ℓ1 удовлетворяет условию:

,

где α - коэффициент поглощения.

Для повышения отношения сигнал/шум в ИК-фотодиоде регистрируют сумму диффузионного тока и фототока p-n перехода, а также ток продольной проводимости базы, протекающий между омическими контактами, сформированными вдоль двух противоположных сторон периметра слаболегированного слоя. При этом подают на один из омических контактов к слаболегированному слою нулевой потенциал, на омический контакт к сильнолегированному слою - потенциал, соответствующий небольшому обратному смещению на p-n переходе, на другой омический контакт к слаболегированному слою - потенциал, знак которого противоположен знаку потенциала на омическом контакте к сильнолегированному слою, а величина удовлетворяет условию

,

ГДЕ Q - ЗАРЯД ЭЛЕКТРОНА,

ε0 - электрическая постоянная,

ε - диэлектрическая проницаемость полупроводника,

N2 - концентрация легирующей примеси в базе,

d - толщина слаболегированного слоя,

VG - напряжение на p-n переходе,

Vbi - встроенный диффузионный потенциал p-n перехода.

Затем ток продольной проводимости базы используют для коррелированной обработки сигнала и шума p-n перехода.

На фиг.1 изображен фотодиод с коррелированной обработкой сигнала и шума, который может использоваться в качестве ячейки матричного ИК-фотоприемника (вид сверху).

На фиг.2 изображен фотодиод с коррелированной обработкой сигнала и шума (сечение А-А).

На фиг.3 изображен фотодиод с коррелированной обработкой сигнала и шума (сечение В-В).

Рассматриваемый фотодиод содержит:

1 - сильнолегированный слой;

2 - слаболегированный слой (базу);

3 - прозрачную для ИК-излучения подложку;

4 - индиевый столбик, соединенный с омическим контактом к сильнолегированному слою;

5, 6 - индиевые столбики, соединенные с омическими контактами к слаболегированному слою;

7 - пассивирующий диэлектрик;

8 - металлический слой.

Сильнолегированный слой 1 прилегает к прозрачной для ИК-излучения подложке 3 и предназначен для поглощения ИК-излучения. Толщина l1 сильнолегированного слоя 1 удовлетворяет условию

,

где α - коэффициент поглощения. Над сильнолегированным слоем сформирован слаболегированный слой (база) 2. Толщина d слаболегированного слоя 2 удовлетворяет условию

d<L,

где L - диффузионная длина неосновных носителей в базе. К сильнолегированному слою 1 сформирован омический контакт, который с помощью металлического слоя и индиевого столбика 4 соединен с микросхемой считывания и обработки сигнала. Вдоль двух противоположных сторон периметра слаболегированного слоя 2 сформированы омические контакты, которые с помощью металлических слоев и индиевых столбиков 5 и 6, соответственно, соединены с микросхемой считывания и обработки сигнала.

Коррелированная обработка сигнала и шума в рассматриваемом фотодиоде может быть реализована при выполнении двух условий.

Во-первых, диффузионный ток p-n перехода должен определиться процессами тепловой генерации и рекомбинации в базе 2. Это условие выполняется, если концентрация легирующей примеси в базе p-n перехода 2 существенно меньше, чем концентрация легирующей примеси в сильнолегированном слое 1, т.е. при выполнении неравенства:

N2<<N

где N2 - концентрация легирующей примеси в слаболегированном слое 2,

N1 - концентрация легирующей примеси в сильнолегированном слое 1.

Во-вторых, регистрируемое ИК-излучение должно полностью поглощаться в сильнолегированном слое p-n перехода 1, прилегающем к подложке. Второе условие выполняется, если толщина сильнолегированного слоя 1, удовлетворяет условию

,

где α - коэффициент поглощения.

В рабочем режиме на один из омических контактов к слаболегированному слою подают нулевой потенциал, а на омический контакт к сильнолегированному слою подают потенциал, соответствующий небольшому обратному смещению на p-n переходе. При этом, на другой омический контакт к слаболегированному слою подают потенциал, величина которого удовлетворяет условию , а знак противоположен знаку потенциала на омическом контакте к сильнолегированному слою.

В рассматриваемом фотодиоде флуктуации диффузионного тока обусловлены флуктуациями скорости тепловой генерации и рекомбинации электронно-дырочных пар в слабо легированном слое. Флуктуации продольной проводимости базы также обусловлены флуктуациями скорости тепловой генерации и рекомбинации электронно-дырочных пар. Выше было отмечено, что толщина базы предложенного фотодиода меньше диффузионной длины. Поэтому флуктуации скорости тепловой генерации и рекомбинации в любой небольшой части базы фотодиода дадут вклад как в шум диффузионного тока p-n перехода, так и в шум тока продольной проводимости базы, что обуславливает корреляцию этих шумов. Таким образом, при засветке со стороны подложки предложенного фотодиода суммарный ток p-n перехода будет представлять собой сумму диффузионного тока и фототока, причем шум диффузионного тока будет коррелирован с шумом тока продольной проводимости базы.

Из сказанного следует, что ток продольной проводимости базы, протекающий между омическими контактами, сформированными вдоль двух противоположных сторон слаболегированного слоя, может быть использован для коррелированной обработки сигнала и шума p-n перехода, что позволит увеличить отношение сигнал/шум рассматриваемого ИК-фотодиода. При этом, в простейшем случае, коррелированная обработка сигнала и шума p-n перехода представляет собой умножение тока продольной проводимости базы на нормировочный коэффициент

где µmin - подвижность неосновных носителей заряда в базе,

µmaj - подвижность основных носителей заряда в базе,

τ - время жизни неосновных носителей заряда в базе,

ni - собственная концентрация носителей в полупроводнике,

А - площадь p-n перехода,

ℓ - расстояние между омическими контактами к слаболегированному слою,

V - напряжение, приложенное между омическими контактами к слаболегированному слою, и вычитание нормированного тока продольной проводимости базы из суммы диффузионного тока и фототока основного p-n перехода.

1. ИК-фотодиод с высоким отношением сигнал/шум, содержащий сильнолегированный слой и слаболегированный слой другого типа проводимости (базу), толщина которого меньше диффузионной длины неосновных носителей, отличающийся тем, что вдоль двух противоположных сторон периметра слаболегированного слоя сформированы омические контакты, а сильнолегированный слой и каждый из омических контактов к противоположным сторонам периметра слаболегированного слоя соединены с микросхемой считывания и обработки сигнала отдельным индиевым столбиком, при этом сильнолегированный слой расположен со стороны подложки, прозрачной для ИК-излучения, а его толщина удовлетворяет условию
,
где α - коэффициент поглощения.

2. Способ повышения отношения сигнал/шум в ИК-фотодиоде, содержащем сильнолегированный слой и слаболегированный слой другого типа проводимости (базу), заключающийся в том, что регистрируют сумму диффузионного тока и фототока p-n-перехода, а также ток продольной проводимости базы, протекающий между омическими контактами, сформированными вдоль двух противоположных сторон периметра слаболегированного слоя, при подаче на один из омических контактов к слаболегированному слою нулевого потенциала, на омический контакт к сильнолегированному слою - потенциала, соответствующего небольшому обратному смещению на p-n-переходе, на другой омический контакт к слаболегированному слою - потенциала, знак которого противоположен знаку потенциала на омическом контакте к сильнолегированному слою, а величина удовлетворяет условию

где q - заряд электрона,
ε0 - электрическая постоянная,
ε - диэлектрическая проницаемость полупроводника,
N2 - концентрация легирующей примеси в базе,
d - толщина слаболегированного слоя,
VG - напряжение на p-n-переходе,
Vbi - встроенный диффузионный потенциал p-n-перехода,
после чего ток продольной проводимости базы используют для коррелированной обработки сигнала и шума p-n-перехода.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к фотоэлектронике и может использоваться в пороговых фотоприемных устройствах для регистрации коротких импульсов электромагнитного излучения оптического и инфракрасного (ИК) диапазона.

Изобретение относится к инфракрасной технике и технологии изготовления устройств инфракрасной техники. .

Изобретение относится к системам с высокой эффективностью регистрации светового излучения при помощи лавинных фотодиодов со схемой гашения гейгеровского разряда.

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при создании фотоприемных устройств (ФПУ) для регистрации и измерения инфракрасного (ИК) излучения как в виде одиночных фотодиодов, так и в виде матриц фотодиодов.

Изобретение относится к устройствам для регистрации отдельных фотонов и может быть использовано в системах оптической волоконной связи, для телекоммуникационных технологий в системах защиты передаваемой информации, диагностике и тестировании больших интегральных схем, в спектроскопии одиночных молекул, астрономии, медицине.

Изобретения могут быть использованы в устройствах для формирования изображения, определения координат исследуемых объектов, оптической пеленгации, автоматического управления, контроля и измерения параметров излучения, экологического мониторинга, медицинской диагностики и неразрушающего контроля. Изобретения направлены на повышение чувствительности и обеспечение оптического управления характеристиками фотовольтаического детектора, в частности динамическим диапазоном и чувствительностью. Указанный результат в части способа достигается тем, что способ предусматривает создание опорной эдс за счет пространственного разделения зарядов, возникающих при облучении структур, формируемых на основе полупроводниковых материалов и включающих в себя потенциальный барьер и массив квантово-размерных объектов в области барьера, излучением с энергией частиц в области фундаментального поглощения в структурах или при инжекции носителей заряда через потенциальный барьер вследствие облучения таких структур излучением с энергией частиц, достаточной для инжекции носителей заряда, облучение квантово-размерных объектов детектируемым электромагнитным излучением, регистрацию изменения эдс при облучении структуры детектируемым электромагнитным излучением. Указанный результат в части устройства достигается тем, что оно содержит формируемую на основе полупроводниковых материалов структуру с потенциальным барьером, в области которого создан массив квантово-размерных объектов, источник опорного излучения для облучения структуры с целью создания опорной эдс и прибор, регистрирующий изменение эдс при облучении устройства детектируемым электромагнитным излучением. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 6 пр., 3 ил.

Группа изобретений относится к нанооптоэлектронике. В фоточувствительной структуре, представляющей собой чувствительную к терагерцовому излучению при температуре эффективного фототока многослойную полупроводниковую гетероструктуру с квантовой ямой, выполненной в виде слоя узкозонного твердого раствора, содержащего Hg и Te и заключенного между барьерными слоями широкозонного трехкомпонентного твердого раствора CdyHg1-yTe, где у составляет величину в предпочтительном интервале от 65% до 72%, узкозонный слой квантовой ямы сформирован из трехкомпонентного твердого раствора Hg1-xCdxTe с содержанием Cd, определяемым величиной x в интервале от 4% до 12%, причем ширина квантовой ямы выбрана для заданного терагерцового поддиапазона частот принимаемого излучения при температуре 4,2K или 77K в зависимости от содержания Cd в соответствии с таблицей 1, представленной в описании изобретения. В случае осуществления заявляемой фоточувствительной структуры в виде целевого терагерцового фотоприемного устройства - селективного фотоприемного устройства, в последнем, содержащем чувствительную к терагерцовому излучению фотоприемную линейку, представляющую собой последовательно распределенные и имеющие эффективную фоточувствительность в различных терагерцовых поддиапазонах при температуре 4,2K или 77K участки многослойной полупроводниковой гетероструктуры с рабочим детекторным слоем на квантовой яме, сформированным из узкозонного трехкомпонентного твердого раствора Hg1-xCdxTe и заключенным между барьерными слоями широкозонного трехкомпонентного твердого раствора CdyHg1-yTe, где у составляет величину в предпочтительном интервале от 65% до 72%, и средство поддержания указанной температуры, для участков многослойной полупроводниковой гетероструктуры с выделенными терагерцовыми поддиапазонами частот принимаемого излучения, задаваемыми следующими интервалами величин энергии принимаемого излучения ħω: 8-16, 16-24, 24-32, 32-40, 40-48, 48-56, 56-64 мЭв, ширина квантовой ямы равна 11 нм при содержании Cd в рабочем детекторном слое на квантовой яме - Hg1-xCdxTe на последовательно распределенных участках фотоприемной линейки в соответствии с указанными терагерцовыми поддиапазонами частот принимаемого излучения при температуре 4,2K, определяемым, соответственно следующими интервалами величин x: 7.1-7.9, 7.9-8.7, 8.7-9.4, 9.4-10.1, 10.1-10.9, 10.9-11.5, 11.5-12.2%, или при температуре 77°K, определяемым, соответственно следующими интервалами величин x: 5-5.9, 5.9-6.7, 6.7-7.5, 7.5-8.3, 8.3-9.0, 9.0-9.8, 9.8-10.5%. Группа изобретений обеспечивает возможность повышения технологичности изготовления целевых терагерцовых фотоприемных устройств за счет создания конструктивных условий функционирования фотоприемного элемента на уровне стабильной высокой чувствительности в различных поддиапазонах в широком интервале частот терагерцового принимаемого излучения при температуре 4,2K или 77K в зависимости от ширины квантовой ямы - толщины рабочего детекторного слоя, выполненного из трехкомпонентного твердого раствора Hg1-xCdxTe, и от содержания Cd (величины x) в интервале от 4% до 12%. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 2 табл., 2 ил.

Изобретение относится к инфракрасной технике и технологии изготовления устройств инфракрасной техники, конкретно к фотоприемным устройствам ИК-диапазона длин волн и к технологии их изготовления. Сущность изобретения состоит в том, что в фоточувствительной к инфракрасному излучению структуре, содержащей последовательно соединенные подложку, верхний слой которой выполнен из CdTe, нижний варизонный слой, изготовленный из Hg1-xCdxTe, в котором значение x плавно уменьшается от значения, находящегося в пределах (хД+0,1)÷1, до значения xД, детекторный слой, изготовленный из Hg1-xCdxTe, где x=xД=0,2-0,3, а также последовательно соединенные верхний варизонный слой, изготовленный из Hg1-xCdxTe, в котором значение x плавно увеличивается от значения xД до значения, находящегося в пределах (xД+0,1)÷1, изолирующий слой, изготовленный из CdTe, диэлектрический слой, изготовленный из SiO2, диэлектрический слой, изготовленный из Si3N4, и верхний, прозрачный для инфракрасного излучения проводящий слой, в детекторный слой дополнительно введены чередующиеся барьерные слои и слои квантовых ям, изготовленные из Hg1-xCdxTe, минимальное количество которых равно трем, с возможным добавлением числа пар чередующихся слоев от 1 до 100, при этом на границах между слоем квантовых ям и барьерным слоем значения x ступенчато изменяются в пределах xБ=0,5-1,0 и xЯ=0-0,15 при толщине каждого из барьерных слоев 20-100 нм и толщине каждого из слоев квантовых ям 5-20 нм. Также предложен способе изготовления предлагаемой структуры. Изобретение обеспечивает возможность расширения диапазона рабочих частот фоточувствительной структуры и расширения области ее применения. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, предназначенным для детектирования и испускания инфракрасного (ИК) излучения при комнатной температуре и может быть использовано, например, в устройствах, измеряющих характеристики сред, содержащих газообразные углеводороды, и в волоконно-оптических датчиках, измеряющих состав жидкости по методу исчезающей волны, для которых указанная полоса совпадает с максимумом фундаментального поглощения измеряемого компонента, например спирта или нефтепродуктов. Полупроводниковый диод для средневолнового инфракрасного диапазона спектра (1) содержит гетероструктуру с подложкой (2) и плоские эпитаксиальные p- и n-области (3, 4), p-n-переход (5), контакты (6, 7), мезу травления (10), при этом контакт (7) к неактивной области (8) расположен сбоку от активной области (9), а его поперечный размер выбирают исходя из максимального размера мезы, а минимальное расстояние между краями мезы и чипа выбирают исходя из размера чипа. Меза имеет расширение в направлении к световыводящей поверхности и имеет, как и контакты, прямоугольную форму с округлениями. Диод согласно изобретению обеспечивает повышенную яркость и фоточувствительность к излучению в средней инфракрасной области спектра. 16 з.п. ф-лы, 9 ил.
Наверх