Способ получения гранул кремния высокой чистоты



 


Владельцы патента RU 2477684:

Грибов Борис Георгиевич (RU)

Изобретение относится к области цветной металлургии, в частности к производству высокочистого кремния, который может быть использован при изготовлении солнечных элементов. Способ включает загрузку в тигель исходного кремния на слой особо чистой кварцевой крупки, его нагрев в инертной атмосфере выше температуры плавления, выдержку при этой температуре, формирование капель расплава кремния путем его вытекания через калибровочное отверстие в дне тигля, охлаждение капель расплава до затвердевания в деионизованной воде с образованием гранул. При этом исходный кремний до загрузки в тигель смешивают с карбонатом кальция и диоксидом кремния, взятыми в количестве не менее 0,05 моль каждого на 1 моль кремния, и нагрев производят со скоростью не более 15°С в минуту. Способ позволяет получать гранулы кремния высокой чистоты из промышленно выпускаемого технического кремния марок КР1, КРО и КРОО, а также из отходов кремния в полупроводниковом производстве. 1 табл., 1 пр.

 

Изобретение относится к области цветной металлургии, в частности к производству высокочистого кремния, который может быть использован при изготовлении солнечных элементов.

Известен способ получения гранул кремния из капель расплава с последующим охлаждением. Способ описан в патенте США №6074476, МПК С30В 9/00, 2000 г. и включает загрузку исходного материала в камеру, его нагрев в инертной атмосфере до получения расплавленной массы, вытекание расплава через сопло по каплям, охлаждение падающих капель в газовой среде и их затвердевание с образованием гранул. Способ позволяет получать гранулы заданной формы и определенной кристаллической структуры, но не обеспечивает получение гранул высокой чистоты.

Известен способ получения гранул кремния высокой чистоты. Способ описан в патенте США №7001543 В2, МПК В29В 9/10 от 21.02.2006 г. Для получения гранул кремния высокой чистоты используют капельный вариант гранулирования, включающий загрузку в тигель исходного высокочистого кремния и его нагрев выше температуры плавления (до 1450°С) в инертной газовой среде; создание условий для вытекания расплавленного кремния через калибровочное отверстие в дне тигля с образованием капель расплава, охлаждение и затвердевание капель расплава кремния в инертной газовой среде с образованием гранул определенной формы и размера.

Указанный способ позволяет работать с высокочистым исходным материалом и получать из него мелкие гранулы сферической формы и заданной кристаллической структуры. Однако этот способ непригоден для гранулирования менее чистых исходных материалов.

Наиболее близким к данному изобретению является техническое решение, предложенное в патенте РФ №2405674 С1, МПК В29В 9/10, С01В 33/02 от 10.12.2010 г. Бюл. №34.

Способ включает загрузку в тигель исходного кремния чистотой не менее 99,9%, его нагрев в инертной атмосфере выше температуры плавления, формирование капель расплава кремния путем его вытекания через калибровочное отверстие в дне тигля, охлаждение капель расплава до затвердевания с образованием гранул. Причем исходный кремний загружают в тигель на слой особо чистой кварцевой крупки толщиной не менее 2 см. Далее нагрев исходного кремния производят до температуры не менее 1600°С с выдержкой не менее 40 мин. Затем проводят охлаждение капель расплава в деионизованной воде, масса которой превышает массу исходного кремния не менее чем в 5 раз. Способ позволяет получать гранулы кремния с более низким содержанием примесей, обеспечивает получение гранул кремния без оксидного слоя на поверхности и большую производительность процесса.

Существенным недостатком этого способа является ограничение по чистоте исходного кремния, что не позволяет использовать в качестве исходного материала технический (металлургический) кремний чистотой 98-99% (марки КР1, КРО, КРОО), выпускаемый промышленно в больших объемах.

Целью изобретения является получение высокочистого кремния, пригодного для выращивания монокристаллов (по методу Чохральского) из технического кремния вышеуказанных марок, что позволит намного расширить ассортимент используемых исходных материалов и значительно снизить стоимость производства кремния высокой чистоты.

Поставленная цель достигается тем, что в способе получения гранул кремния высокой чистоты, включающем загрузку исходного кремния в тигель на слой особой чистой кварцевой крупки, нагрев кремния в инертной атмосфере выше температуры плавления, выдержку при этой температуре, формирование капель расплава путем его вытекания через калибровочное отверстие в дне тигля, охлаждение капель расплава до затвердевания в деионизованной воде с образованием гранул, исходный кремний до загрузки в тигель смешивают с карбонатом кальция и диоксидом кремния, взятыми в количестве не менее 0,05 моль каждого на 1 моль кремния, и нагрев производят со скоростью не более 15°С в минуту.

Сущность изобретения состоит в том, что карбонат кальция при нагревании разлагается на оксид кальция и углекислый газ по реакции:

Образующийся оксид кальция реагирует затем с диоксидом кремния с получением силиката кальция по реакции:

Силикат кальция, называемый силикатным шлаком, далее плавится и в расплавленном виде активно экстрагирует примеси из кремния. Расплавленный силикатный шлак имеет плотность и вязкость ниже, чем жидкий кремний, и хорошо отделяется от кремния в процессе плавки и гранулирования.

Важными факторами, влияющими на процессе удаления примесей из кремния, являются:

- достаточное количество СаСО3 и SiО2;

- полнота превращения СаСО3 и SiО2 в CaSiO3;

- достаточное время экстрагирования примесей (жидким шлаком);

- интенсивное перемешивание расплава за счет выделения углекислого газа при разложении СаСО3.

Экспериментально было найдено, что количества СаСО3 и SiO2 по 0,05 моль на 1 моль Si являются необходимыми и достаточными. Они обеспечивают получение 0,05 моля СаSiO3 на 1 моль Si, что дает 20,7 вес.% шлака по отношению к весу кремния.

Полнота химических превращений исходных компонентов в силикатный шлак обеспечивается достаточным временем нагревания (до ~1200°С). Это достигается использованием заданной скорости нагрева, которая позволяет также обеспечить достаточное время экстракции примесей (при нагреве от 1200-1600°С). Экспериментально было найдено, что скорость нагрева 15°С в минуту является необходимой и достаточной для обеспечения требований, изложенных выше.

Получение гранул кремния высокой чистоты согласно настоящему изобретению проводится следующим образом. Тонкодисперсные порошки кремния, карбоната кальция и диоксида кремния в заданной пропорции смешивают в шаровой мельнице, полученную смесь загружают в тигель на слой особо чистой кварцевой крупки и нагревают в инертной атмосфере со скоростью не более 15°С в минуту. При нагревании происходят последовательно следующие процессы:

- до температуры 900°С из смеси удаляются газовые включения и влага;

- при температуре 900-1100°С происходит разложение карбоната кальция с выделением СаО и углекислого газа;

- при температуре 1100-1300°С происходит образование СаSiO3 и расплавление силикатного шлака;

- при температуре 1300-1450°С идет экстракция примесей расплавом силикатного шлака из твердого кремния, а затем при 1450-1600°С из жидкого кремния удаляются бор, алюминий, фосфор, титан и другие примеси;

- при температуре 1600°С и выдержке 40 минут происходит гранулирование кремния.

Очищенный от большинства примесей жидкий кремний фильтруется через слой кварцевой крупки и вытекает из тигля через огнеупорную фильеру, а затем кристаллизуется, охлаждаясь в деионизованной воде с образованием гранул. При фильтровании происходит дополнительная очистка кремния от примесей и отделение кремния от расплава шлака. Силикатный шлак остается в тигле и после грануляции кремния удаляется в отвал.

Способ получения гранул высокой чистоты согласно настоящему изобретению описан в примере.

Пример №1

В качестве исходного материала используют порошок технического кремния марки КР1 (чистотой 98%) с размером частиц до 50 мкм. В качестве добавок берут тонкие порошки карбоната кальция и диоксида кремния технической чистоты.

В шаровую мельницу загружают 0,56 кг кремния, 0,1 кг карбоната кальция и 0,06 кг диоксида кремния. Смешивание компонентов в шаровой мельнице производят в течении 1,5 часа. Готовую смесь нагревают для очистки и гранулирования кремния в специальной высокотемпературной установке.

Установка состоит из плавильной камеры и камеры грануляции, она снабжена системой регулируемого нагрева, а также вакуумной и газовой системами. Смесь порошков кремния, карбоната кальция и диоксида кремния общей массой 0,72 кг загружают в тигель высокотемпературной установки, поверх слоя особо чистой кварцевой крупки. Тигель помещают в плавильную камеру, которую затем герметизируют, откачивают до остаточного давления 0,1 мм рт.ст. и заполняют инертным газом - аргоном.

Нагрев плавильной камеры производят по специальной программе со скоростью 15°С/мин до 1600°С с выдержкой при этой температуре в течение 40 минут.

Указанные температура и время являются достаточными для того, чтобы практически весь кремний вытекал из тигля в виде капель, которые при попадании в воду охлаждаются и застывают, образуя гранулы размером 3-10 мм.

Далее плавильную камеру охлаждают до температуры менее 200°С для удаления шлака и новой загрузки тигля. Гранулы кремния отмывают в горячей деионизованной воде и высушивают в вакуумном сушильном шкафу. Вес гранул составляет более 0,5 кг. Анализ на содержание примесей в гранулах кремния проводят методом искровой масс-спектроскопии. Результаты примера и других экспериментов приведены в таблице.

Таблица
№ п/п Количество добавок, моль/моль Si Скорость нагрева, °С/мин. Содержание примесей в кремнии, вес.% Степень очистки кремния
СаСО3 SiO2 исходный конечный
1 0,05 0,05 15 2,0 1·10-3 2·103
2 0,04 0,04 15 2.0 2,5·10-3 8·102
3 0,06 0,06 15 2,0 1·10-3 2·103
4 0,05 0,05 20 2,0 1,8·10-3 1,1·103
5 0,05 0,05 10 2,0 1·10-3 2·103
Прототип - - 30 2,0 2·10-2 1·102

Из данных таблицы следует, что превышение значений содержания добавок карбоната кальция и диоксида кремния в смеси по сравнению со значениями в примере 1 нецелесообразно, так как полученные результаты остаются на уровне примера 1. Снижение скорости нагрева смеси по сравнению со значением в примере 1 приводит к увеличению продолжительности процесса, а результаты остаются такими же, как в примере 1.

Сопоставление способа, являющегося предметом данного изобретения, с прототипом показывает, что заявляемый способ обеспечивает более высокую степень очистки кремния от примесей и позволяет использовать в качестве исходного материала технический кремний чистотой 98-99%. Отсюда следует, что заявляемый способ можно использовать в производстве гранул кремния высокой чистоты из промышленно выпускаемого технического кремния марок КР1, КРО и КРОО.

Способ получения гранул кремния высокой чистоты, включающий загрузку в тигель исходного кремния на слой особо чистой кварцевой крупки, его нагрев в инертной атмосфере выше температуры плавления, выдержку при этой температуре, формирование капель расплава кремния путем его вытекания через калибровочное отверстие в дне тигля, охлаждение капель расплава до затвердевания в деионизованной воде с образованием гранул, отличающийся тем, что исходный кремний до загрузки в тигель смешивают с карбонатом кальция и диоксидом кремния, взятыми в количестве не менее 0,05 моль каждого на 1 моль кремния, и нагрев производят со скоростью не более 15°С в минуту.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии очистки кремния с помощью плазменной технологии при промышленном производстве кремния для фотоэлектронной промышленности, и в том числе для изготовления солнечных батарей.

Изобретение относится к способу очистки кремния с помощью плазменной технологии при промышленном производстве кремния для фотоэлектронной промышленности, и в том числе для изготовления солнечных батарей.

Изобретение относится к способам очистки кремния с помощью плазменной технологии при промышленном производстве кремния. .

Изобретение относится к технологии очистки кремния с помощью плазменной технологии при промышленном производстве кремния для фотоэлектронной промышленности, в том числе для изготовления солнечных батарей.

Изобретение относится к технологии получения чистого кремния (поликристаллического, монокристаллического, гранулированного и/или его штабиков), используемого для производства солнечных коллекторов или интегральных схем.

Изобретение относится к технологии получения высокочистого кремния, используемого для производства фотогальванических элементов. .
Изобретение относится к металлургии, а именно к очистке порошка кремния от примесей. .

Изобретение относится к металлургии, в частности к получению кремния высокой чистоты для изготовления солнечных элементов. .

Изобретение относится к нанотехнологиям в области химии. .

Изобретение относится к способам получения кристаллических алюмосиликатов, с помощью которых производится удовлетворение потребностей использующих их по прямому назначению соответствующих отраслей промышленного производства, а именно: электротехнической, химической, а также к устройствам для осуществления такого рода технологий.

Изобретение относится к гидрометаллургии, в частности к процессам сорбционного извлечения цветных, редких и рассеянных элементов из растворов, полученных в ходе выщелачивания руд, и касается десорбции кремния с анионитов.

Изобретение относится к области химической технологии неорганических веществ и может быть использовано для получения синтетического кремния. .

Изобретение относится к использованию в качестве энергоносителей исходных материалов, содержащих диоксид кремния. .

Изобретение относится к использованию в качестве энергоносителей исходных материалов, содержащих диоксид кремния. .
Изобретение относится к гидрометаллургии, в частности к обеспечению коррозионной стойкости аппаратуры, применяемой для сорбционной переработки растворов кислотного выщелачивания руд редких металлов.
Изобретение относится к области химической технологии неорганических веществ и может быть использовано для получения синтетического кремния. .
Изобретение относится к области химической технологии неорганических веществ и может быть использовано для получения синтетического кремния. .

Изобретение относится к производству поликремния, а именно к реактору для химического осаждения поликремния из паровой фазы. .

Изобретение относится к способу получения полиамида 6 или сополиамидов согласно ограничительной части пункта 1 формулы изобретения, а также устройству для получения полиамида 6 или сополиамидов согласно ограничительной части пункта 9 формулы изобретения.
Наверх